RU99108307A -
METHOD FOR GETTERING TREATMENT OF EPITAXIAL LAYERS OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES
- Google Patents
METHOD FOR GETTERING TREATMENT OF EPITAXIAL LAYERS OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES
Info
Publication number
RU99108307A
RU99108307ARU99108307/28ARU99108307ARU99108307ARU 99108307 ARU99108307 ARU 99108307ARU 99108307/28 ARU99108307/28 ARU 99108307/28ARU 99108307 ARU99108307 ARU 99108307ARU 99108307 ARU99108307 ARU 99108307A
Способ геттерирующей обработки эпитаксиальных слоев полупроводниковых структур, включающий аморфизацию структур с нерабочей стороны подложки облучением ионами средних энергий, отличающийся тем, что перед аморфизацией нерабочую сторону структур облучают протонами с энергией равной энергии ионов при последующем облучении и дозой не ниже дозы аморфизации подложки ионным облучением.A method for the getter treatment of epitaxial layers of semiconductor structures, including the amorphization of structures from the non-working side of the substrate by irradiation with medium-energy ions, characterized in that prior to amorphization, the non-working side of the structures is irradiated with protons with an energy equal to the ion energy during subsequent irradiation and a dose not lower than the dose of amorphization of the substrate by ion irradiation.
RU99108307A1999-04-191999-04-19Method for carrying out gettering treatment of epitaxial layers of semiconductor structures
RU2176422C2
(en)
Radiation-induced aggregation of elementary defects in NaF-U crystals caused by irradiation of helium ions and electrons; Radiatsionno-stimulirovannaya agregatsiya ehlementarnykh defektov v kristallakh NaF-U, vyzvannaya oblucheniem ionami geliya i ehlektronami