Изобретение относится к области микроэлектронной техники и может быть использовано при очистке поверхности металлических и полупроводниковых изделий. The invention relates to the field of microelectronic technology and can be used to clean the surface of metal and semiconductor products.
Целью изобретения является повышение качества очистки, упрощение способа и обеспечение очистки полупроводниковых изделий. The aim of the invention is to improve the quality of cleaning, simplifying the method and ensuring the cleaning of semiconductor products.
На чертеже показано устройство для осуществления способа. The drawing shows a device for implementing the method.
Устройство содержит анод - обрабатываемое изделие 1 и электролитическую ячейку 2 (катод). Межэлектродное расстояние между ними l = 1,0-1,5 мм. Электролитическая ячейка 2 (катод) заполнена электролитом 3. На дне ячейки 2 находится металлическая пластина 4. Непосредственно к электродам подключен высоковольтный источник питания. The device comprises an anode — a workpiece 1 and an electrolytic cell 2 (cathode). The interelectrode distance between them is l = 1.0-1.5 mm. The electrolytic cell 2 (cathode) is filled with electrolyte 3. At the bottom of the cell 2 is a metal plate 4. A high-voltage power supply is connected directly to the electrodes.
Способ осуществляют следующим образом. The method is as follows.
Зажигают разряд между анодом 1 и катодом 2. Величину тока устанавливают от 150 до 7000 мА. Очистку проводят при атмосферном давлении в течение 60-240 с. Скорость очистки зависит от величины тока разряда и состава электролита. Обязательным условием очистки является поддержание зазора между анодом и катодом l = 1,0-1,5 мм. В случае высоковольтного разряда должен прилипать электролит. В случае низковольтного разряда, разряд горит без прилипания электролита на расстоянии l = =1,0-1,5 мм и происходит очистка поверхности образца. The discharge is ignited between the anode 1 and the cathode 2. The current value is set from 150 to 7000 mA. Cleaning is carried out at atmospheric pressure for 60-240 s. The cleaning rate depends on the magnitude of the discharge current and the composition of the electrolyte. A prerequisite for cleaning is to maintain a gap between the anode and cathode l = 1.0-1.5 mm. In the case of a high voltage discharge, the electrolyte must adhere. In the case of a low-voltage discharge, the discharge burns without adherence of the electrolyte at a distance l = 1.0-1.5 mm and the sample surface is cleaned.
Из анализа полученных результатов следует, что при этом качество очистки повышается. Поверхность полупроводника очищается без использования сложного и неэффективного оборудования. В случае высоковольтного разряда процесс очистки происходит следующим образом. У анода после прилипания электролита разряд горит нестационарно. Когда образуются пузырьки газа, разряд горит, а когда пузырьки исчезают, разряд гаснет. Под действием этих процессов поверхность изделия очищается до структурного уровня. Все это происходит в сложной парогазообразной среде. From the analysis of the results obtained, it follows that the quality of cleaning is improved. The semiconductor surface is cleaned without the use of complex and inefficient equipment. In the case of a high voltage discharge, the cleaning process occurs as follows. At the anode, after electrolyte adherence, the discharge burns non-stationary. When gas bubbles form, the discharge burns, and when the bubbles disappear, the discharge goes out. Under the influence of these processes, the surface of the product is cleaned to a structural level. All this happens in a complex vapor-gas medium.
При l≅1 мм процесс очистки образца замедляется и ухудшается, при l≥1,5 мм поверхность анода в случае высоковольтного разряда сгорает. At l≅1 mm, the sample cleaning process slows down and worsens; at l≥1.5 mm, the anode surface burns out in the case of a high-voltage discharge.
