RO128288B1 - Procedeu de obţinere a nanoparticulelor semiconductoare oxidice feromagnetice - Google Patents
Procedeu de obţinere a nanoparticulelor semiconductoare oxidice feromagnetice Download PDFInfo
- Publication number
- RO128288B1 RO128288B1 ROA201100749A RO201100749A RO128288B1 RO 128288 B1 RO128288 B1 RO 128288B1 RO A201100749 A ROA201100749 A RO A201100749A RO 201100749 A RO201100749 A RO 201100749A RO 128288 B1 RO128288 B1 RO 128288B1
- Authority
- RO
- Romania
- Prior art keywords
- iron
- zinc acetate
- ambient temperature
- hours
- continuously stirring
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 title claims abstract description 17
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 claims abstract description 14
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 12
- KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N nickel(ii) nitrate Chemical compound [Ni+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000010992 reflux Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims abstract description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 239000000499 gel Substances 0.000 claims 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 12
- MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N iron(2+);dinitrate Chemical compound [Fe+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 abstract description 3
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 abstract description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 2
- -1 hydroxyl ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 2
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000011858 nanopowder Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000002371 ultraviolet--visible spectrum Methods 0.000 description 1
- DJWUNCQRNNEAKC-UHFFFAOYSA-L zinc acetate Chemical group [Zn+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O DJWUNCQRNNEAKC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Description
Prezenta invenție se referă la un procedeu de obținere a nanoparțiculelor semiconductoare oxidice feromagnetice, de tip Ζη^χΜΤχΟ (sub formă de nanopulberi cristaline de ZnO dopat cu metale tranziționale, MT = Fe, Ni), pentru aplicații în dispozitive electronice multifuncționale pe bază de spin (spintronice), optoelectronice și optice.
Este cunoscut faptul că acetatul de zinc formează, în prezența ionilor hidroxil, un complex care poate fi ușor transformat în oxid de zinc la temperaturi ridicate și reflux prelungit. Transformarea soluțiilor de acetat de zinc etanolice în nano oxid de zinc este posibilă prin trei metode:
1) descompunerea termică directă, la peste 200°C, fie în amine organice, fie în fază gazoasă;
2) încălzirea soluțiilor de acetat de zinc etanolice în alcooli sau polioli, fără utilizarea unei baze externe;
3) obținerea nanocoloizilor de oxid de zinc, la temperaturi scăzute, în prezența ionilor hidroxil (L. Spanhel, Colloidal ZnO nanostructures and funcțional coatings: A survey, J. Sol-Gel Sci. Tech (2006) 39:7-24).
De asemenea, brevetul KR 20090011669 (A) se referă la un procedeu de obținere a nanoparțiculelor semiconductoare oxidice, care cuprinde dizolvarea pulberii metalice într-un solvent, urmată de prelucrarea amestecului și tratare termică pentru îndepărtarea solventului în atmosferă de oxigen și formarea oxidului metalic, metalul fiind unul dintre Zn, Sn, In, Sb, Cu, Cd, Ba, Pb și Ni.
Se mai cunosc procedee de obținere a semiconductorilor feromagnetici GaAs, InAs sau ZnSe dopați cu Mn, care prezintă dezavantajul că temperatura Curie scăzută a acestora îi fac nepractici pentru aplicații în spintronică.
Un alt procedeu cunoscut de obținere a semiconductorilor feromagnetici (semiconductori cu diluție magnetică) este acela al sistemelor ternare (aliaje ternare) de tipul A1_xMnxBvl (unde A = Cd, Hg, iar B = Te, Se). Aceștia prezentau interes datorită naturii ternare care face posibilă modelarea constantei de rețea și a parametrilor benzii interzise, dar prezintă următoarele dezavantaje:
- materii prime toxice;
- procedeu costisitor și poluant pentru mediul înconjurător;
- creșterea cristalelor dificilă;
- temperatura Curie sub temperatura camerei, motiv pentru care nu sunt potrivite pentru aplicații în spintronică.
Problema tehnică pe care o rezolvă invenția constă în obținerea, la temperatura camerei, a unui material sub formă de nanoparticule semiconductoare oxidice feromagnetice, de tipul Ζη^ΜΤ,Ο, (MT = Fe, Ni).
Procedeul de obținere a nanoparțiculelor semiconductoare oxidice feromagnetice, la temperatura camerei, conform invenției, înlătură dezavantajele de mai sus prin aceea că va cuprinde următoarele etape:
a) dizolvarea acetatului de zinc în dimetilformamidă, și a azotatului de fier sau nichel în apă distilată, la temperatura camerei, sub agitare continuă;
b) amestecarea celor două soluții obținute în etapa a) într-un raport molar Zn: MT de (1-x):x, unde MT este fier sau nichel și x = 0,03; 0,05; 0,1, sub agitare continuă și încălzire, timp de 15...30 min, la o temperatură de 5O...8O°C;
c) adăugarea de monoetanolaminăîn amestecul cald, obținutîn etapa b), sub agitare continuă, până la obținerea unui raport molarZn:MT:monoetanolamină = (1-x):x:0,04, urmată de încălzirea soluției obținute, la reflux, la o temperatură de 5O...8O°C, timp de 4...6 h, până la gelifiere;
RO 128288 Β1
d) uscarea gelului format, la temperatura camerei, timp de 18...24 h, urmată de 1 tratare termică, în aer, la 550...700°C, timp de 2...3 h.
Procedeul conform invenției prezintă următoarele avantaje: 3
- controlul eficient al compoziției și omogenitate mai bună a materiilor prime;
- lipsa formării de faze secundare; 5
- ușor și rapid de realizat;
- temperaturi de procesare scăzute; 7
- consum energetic mai redus;
- diminuarea poluării mediului înconjurător; 9
- materii prime accesibile și netoxice;
- prețuri de cost reduse; 11
- obținerea de nanoparticule semiconductoare oxidice feromagnetice la temperatura camerei; 13
- materialul sub formă de nanoparticule semiconductoare oxidice feromagnetice, conform procedeului menționat, este netoxic. 15
Se prezintă în continuare două exemple de realizare a procedeului de obținere, în legătură cu figura ce reprezintă fluxul tehnologic pentru realizarea unor nanoparticule oxidice 17 feromagnetice de tipul Zn1.xMTxO (MT = Fe, Ni).
Exemplul 1 19
Procedeul de obținere a nanoparticulelor semiconductoare oxidice feromagnetice, la temperatura camerei, de tipul Zn1.xMTxO (MT = Fe, Ni), conform invenției, s-a realizat astfel: 21 acetatul de zinc s-a dizolvat în 50...100 ml dimetilformamidă (DMF), și azotatul de fier sau azotatul de nichel s-a dizolvat, fiecare, în câte 200...300 ml apă distilată, cu agitare continuă, 23 la temperatura camerei. în soluția omogenă de acetat de zinc s-a adăugat soluția apoasă de azotat de fier, sau azotat de nichel, la un raport molar Zn/MT (MT = Fe, Ni) = (1-x)/x (unde 25 x = 0,03; 0,05; 0,1), cu agitare continuă și încălzire timp de 15...30 min, la temperatura de
50.. ,80°C. în amestecul soluțiilor calde de acetat de zinc și azotat de fier, sau azotat de nichel, 27 s-a adăugat, cu agitare continuă, monoetanolamina (MNE), realizându-se raportul molar Zn/MT/MNE = (1-x)/x/0,04. Soluția astfel preparată s-a încălzit în reflux, la temperatura de 29
50.. .80°C, timp de 4...6 h, până la gelifiere. Gelul format s-a uscat la temperatura camerei timp de 18...24 h, și s-a tratat termic, în aer, la 550...700°C, timp de 2...3 h. 31
Exemplul 2
Procedeul de obținere a nanoparticulelor semiconductoare oxidice feromagnetice la 33 temperatura camerei, de tipul Zn.,_xMTxO (MT = Fe, Ni), s-a realizat astfel: acetatul de zinc s-a dizolvat în 50 ml dimetilformamidă (DMF), și azotatul de fier sau azotatul de nichel s-a 35 dizolvat, fiecare, în câte 200 ml apă distilată, cu agitare continuă, la temperatura camerei, în soluția omogenă de acetat de zinc s-a adăugat soluția apoasă de azotat de fier sau de 37 azotat de nichel, la un raport molar Zn/MT (MT = Fe, Ni) = (1-x)/x (undex = 0,03; 0,05; 0,1), cu agitare continuă și încălzire timp de 15 min, la temperatura de 50°C. în amestecul solu- 39 țiilor calde de acetat de zinc și azotat de fier, sau azotat de nichel, s-a adăugat, cu agitare continuă, monoetanolamina (MNE), realizându-se raportul molarZn/MT/MNE = (1-x)/x/0,04. 41
Soluția preparată s-a încălzit în reflux la temperatura de 50°C, timp de 4 h, până la gelifiere.
Gelul format s-a uscat la temperatura camerei, timp de 18 h, și s-a tratat termic, în aer, la 43 550°C, timp de 2 h.
Parametrii utilizați în procedeul de obținere a nanoparticulelor semiconductoare 45 oxidice feromagnetice la temperatura camerei, de tipul Zn.,_xMTxO (MT = Fe, Ni), asociați cu caracteristicile acestora, sunt prezentați în tabelul de mai jos. 47
RO 128288 Β1
| Natura probei | Tempe- ratura de refluxare (°C) | Timp de reflux- are (h) | Tempe- ratura trat. termic (°C) | Dimens. medie a cristali- tului (nm) | Analiza cristalog- rafică (struc- tura) | Analiza UV-VJS (eV) | Determinări magnetice | |
| Hc (Oe) | Ms (emu/g) | |||||||
| Zn,., MTXO MT= Fe, Ni | 50-80 | 4-6 | 550- 700 | 20-47 | Wurtzit | 3,24-3,43 | 100-135 | 0,012-0,14 |
Procedeul conform invenției prevede folosirea ca materie primă a acetatului de zinc, azotatului de fier, azotatului de nichel și a monoetanolaminei.
Nanoparticulele semiconductoare oxidice feromagnetice, conform invenției, au aplicații în spintronică și se obțin prin metoda sol-gel.
Nanoparticulele semiconductoare oxidice feromagnetice, de tipul Zn.,_xl\/ITxO (MT = Fe, Ni), sunt caracterizate prin difracție de raze X, spectre UV-Vis în reflexie și determinări magnetice.
Nanoparticulele semiconductoare oxidice feromagnetice, pe bază de ZnO dopat cu Fe sau Ni, obținute conform invenției, prin metoda sol-gel, prezintă o rețea cristalină de tip wurtzit, dimensiunea medie de cristalit = 20...47 nm, o bandă de energie interzisă de
3,24...3,43 eV, și sunt feromagnetice la temperatura camerei (Hc = 100...135 Oe și Ms = 0,012...0,14 emu/g).
Procedeul de obținere a (materialului) nanoparticulelor semiconductoare oxidice feromagnetice, conform invenției, are aplicații pentru dispozitivele spintronice care exploatează atât sarcina, cât și spinul electronic, pentru a realiza, în același timp, procesarea și stocarea informației.
Dispozitivele electronice multifuncționale pe bază de spin, la care se aplică invenția, în comparație cu dispozitivele convenționale, pe bază de sarcină electrică, prezintă următoarele avantaje:
- viteză mare de procesare a datelor;
- nevolatilitate;
- densități de integrare mai mari.
Claims (1)
- Revendicare 1Procedeu de obținere a nanoparticuielor semiconductoare, oxidice, feromagnetice, 3 de tip Zn1.xMTxO, prin dizolvarea materiilor prime în solvenți, și tratarea acestora la reflux, pentru obținerea gelului, caracterizat prin aceea că va cuprinde următoarele etape: 5a) dizolvarea acetatului de zinc în dimetilformamidă, și a azotatului de fier sau nichel în apă distilată, la temperatura camerei, sub agitare continuă; 7b) amestecarea celor două soluții obținute în etapa a) într-un raport molar Zn: MT de (1 -x):x, unde MT este fier sau nichel, și x = 0,03; 0,05; 0,1, sub agitare continuă și încălzire, 9 timp de 15...30 min, la o temperatură de 5O...8O°C;c) adăugarea de monoetanolamină în amestecul cald, obținutîn etapa b), sub agitare 11 continuă, până la obținerea unui raport molarZn:MT:monoetanolamină = (1-x):x:0,04, urmată de încălzirea soluției obținute, la reflux, la o temperatură de 5O...8O°C, timp de 4...6 h, până 13 la gelifiere;d) uscarea gelului format, la temperatura camerei, timp de 18...24 h, urmată de 15 tratare termică, în aer, la 550...700°C, timp de 2...3 h.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ROA201100749A RO128288B1 (ro) | 2011-07-28 | 2011-07-28 | Procedeu de obţinere a nanoparticulelor semiconductoare oxidice feromagnetice |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ROA201100749A RO128288B1 (ro) | 2011-07-28 | 2011-07-28 | Procedeu de obţinere a nanoparticulelor semiconductoare oxidice feromagnetice |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RO128288A2 RO128288A2 (ro) | 2013-04-30 |
| RO128288B1 true RO128288B1 (ro) | 2016-09-30 |
Family
ID=48170251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ROA201100749A RO128288B1 (ro) | 2011-07-28 | 2011-07-28 | Procedeu de obţinere a nanoparticulelor semiconductoare oxidice feromagnetice |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RO (1) | RO128288B1 (ro) |
-
2011
- 2011-07-28 RO ROA201100749A patent/RO128288B1/ro unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RO128288A2 (ro) | 2013-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Hao et al. | Structural, optical, and magnetic studies of manganese-doped zinc oxide hierarchical microspheres by self-assembly of nanoparticles | |
| Hammad et al. | Structure, optical properties and synthesis of Co-doped ZnO superstructures | |
| CN103145192B (zh) | 溶胶-凝胶工艺制备锰、镍共掺杂铁酸铋薄膜的方法 | |
| Kung et al. | Influence of Y-doped induced defects on the optical and magnetic properties of ZnO nanorod arrays prepared by low-temperature hydrothermal process | |
| Yakout et al. | Synthesis, structure, and room temperature ferromagnetism of Mn and/or Co doped ZnO nanocrystalline | |
| CN107792880B (zh) | 一种铋酸钙纳米线的制备方法 | |
| CN107558175B (zh) | 一种玻纤/氧化锌的制备方法 | |
| Babu et al. | Structural, optical and magnetic properties of Cr3+ doped ZnO nanopowder | |
| CN108906051B (zh) | 一种铜铁矿结构CuFeO2粉末及其制备方法和应用 | |
| CN103074576B (zh) | ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 | |
| CN104495944B (zh) | 一种氮掺杂铁酸铋纳米粉体的制备方法 | |
| CN104229867B (zh) | 一种氧化锌/钌酸锶核壳纳米线及其制备方法 | |
| CN105314672A (zh) | 一种钴掺杂氧化锌纳米棒的溶胶-凝胶制备方法 | |
| RO128288B1 (ro) | Procedeu de obţinere a nanoparticulelor semiconductoare oxidice feromagnetice | |
| CN105152144B (zh) | 一种合成三元纤锌矿硫硒化锰纳米棒的方法 | |
| CN105669197A (zh) | 改进溶胶-凝胶法制备铌酸锶钡纳米粉体的方法 | |
| Yakout et al. | Influence of single and binary transition metal dopants (Mn, Fe, or Co) on the structure, optical, and magnetic properties of SnO2 nanoparticles | |
| CN102765744B (zh) | 一种一步制备氧化锌量子点的方法 | |
| CN106629820B (zh) | Cu2ZnSnS4纳米晶材料的可控制备方法 | |
| CN118145964A (zh) | 一种铁掺杂氧化镓基强铁磁性陶瓷薄膜材料及其制备方法 | |
| Rawat et al. | Synthesis of Cu and Ce co-doped ZnO nanoparticles: crystallographic, optical, molecular, morphological and magnetic studies | |
| CN103382550B (zh) | 一种制备铜掺杂氧化锌纳米梳的方法 | |
| Dong et al. | Influence of annealing temperature on the magnetic properties of one-dimensional diluted magnetic semiconductor Zn0. 95Mn0. 05O tuning with vacuum atmospheric annealing | |
| CN105506585A (zh) | 铜镓氧红外透明导电纳米晶膜的制备方法 | |
| Dhiman et al. | ZnO: A Potential Candidate as a Host Material for Diluted Magnetic Semiconductors |