RO116136B1 - PROCEDEU DE PRODUCERE A STRATURILOR SUBTIRI, CONDUCTOARE, DE BaPbO3 - Google Patents
PROCEDEU DE PRODUCERE A STRATURILOR SUBTIRI, CONDUCTOARE, DE BaPbO3 Download PDFInfo
- Publication number
- RO116136B1 RO116136B1 RO9501061A RO9501061A RO116136B1 RO 116136 B1 RO116136 B1 RO 116136B1 RO 9501061 A RO9501061 A RO 9501061A RO 9501061 A RO9501061 A RO 9501061A RO 116136 B1 RO116136 B1 RO 116136B1
- Authority
- RO
- Romania
- Prior art keywords
- solution
- barium
- precursor solution
- bapbo3
- conductive layers
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- ITHZDDVSAWDQPZ-UHFFFAOYSA-L barium acetate Chemical compound [Ba+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O ITHZDDVSAWDQPZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 5
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 claims abstract description 4
- 159000000009 barium salts Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- 229940046892 lead acetate Drugs 0.000 claims abstract description 3
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DUPIXUINLCPYLU-UHFFFAOYSA-N barium lead Chemical compound [Ba].[Pb] DUPIXUINLCPYLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
Inventia se refera la un procedeu de producere a straturilor conductoare de plumbat de bariu, pe cale chimica, cu o sare de bariu, care utilizeaza o solutie precursoare de BaPbO3 cu pH=5, obtinuta din acid etiliendiaminotetraacetic in apa, la care se adauga, acetat de plumb si acetat de bariu, sub agitarea solutiei, solutia precursoare fiind apoi depusa pe substrat, de preferinta prin centrifugare, stratul obtinut fiind uscat la circa 90°C si ars la 400°C, dupa care se aplica un tratament final de cristalizare la temperaturi mai mari de 600°C.
Description
Invenția se referă la un procedeu chimic de producere a straturilor subțiri, conductoare de plumbat de bariu, BaPbO3 compus oxidic cu structură perovskitică, a cărui principală proprietate este conducția electrică.
Straturile conductoare oxidice, de exemplu: Sn02: In, sunt bine cunoscute ca având numeroase aplicații în industria electrotehnică, în realizarea de contacte electrice în dispozitive semiconductoare specifice, de exemplu, la afișare cu cristale lichide, celule solare etc.
Principala diferență a BaPbO3 față de straturile conductoare utilizate până în prezent este structura lui cristalină cubică, cu volum și fețe centrate, denumită și perovskitică. Această structură 11 face foarte potrivit, într-o primă aplicație, ca electrod de bază în obținerea de straturi oxidice feroelectrice și, evident, a dispozitivelor bazate pe acestea cum ar fi: detectoare de radiație IR, dispozitive cu undă de suprafață, traductoare de forță, transductoare ultrasonice ș.a.
Este cunoscut că procedeele cele mai utilizate de obținere a straturilor subțiri oxidice sunt cele care implică pulverizarea în plasmă a materialului oxidic dintr-o țintă realizată din compusul respectiv. Principalele dezavantaje cunoscute ale acestor procedee sunt: compoziția stratului obținut diferită de compoziția țintei, neuniformitatea relativ mare pentru substraturi cu suprafețe mari, utilizarea unor instalații în general costisitoare și greu de întreținut, bazate pe tehnici de vid, de radiofrecvență, de înaltă tensiune etc.
Este cunoscut, de asemenea, un procedeu chimic de producere a straturilor subțiri de plumbat de bariu, prin depunerea, în prima fază, a unui strat de oxid de plumb și reactarea acestuia cu o sare de bariu la temperatura caracteristică de reacție, sub punctul de topire a substratului, (WO 92/17552).
Problema care apare este aceea de a găsi un procedeu de realizare a unor straturi subțiri de plumbat de bariu cât mai uniforme, cu o tehnologie cât mai economică.
Procedeul de producere a straturilor subțiri de BaPbO3, conform invenției, rezolvă această problemă prin aceea că folosește o soluție precursoare de BaPbO3 cu pH=5, obținută din acid etilendiaminotetraacetic - EDTA, în apă, în care se adaugă acetat de plumb - PbAc și acetat de bariu - BaAc, sub agitarea soluției; soluția precursoare se depune pe substrat, de preferință prin centrifugare, iar stratul depus se usucă la o temperatură de 9O°C pentru evaporarea apei și se arde la 4Q0°C, după care se aplică un tratament final de cristalizare la temperaturi mai mari de 6OO°C.
Avantajele procedeului de producere a straturilor de BaPbO3, conform invenției, sunt:
- deviație compozițională minimă și uniformitate mare pe suprafețe mari;
- costuri de fabricație extrem de scăzute, prin eliminarea tehnicilor costisitoare: tehnica de vid, de radiofrecvență, de tensiune înaltă, necesare în tehnologiile convenționale de depunere în plasmă.
Invenția este prezentată în continuare printr-un exemplu de aplicare în legătură și cu fig. 1 și 2, care reprezintă:
- fig. 1, schema de obținere a straturilor subțiri oxidice conductoare de BaPbO3 prin metoda chimică conform invenției;
- fig. 2, schema de obținere a soluției precursoare pentru depunerea de BaPbO3 prin metoda chimică.
RO 116136 Bl
Conform invenției, se obține inițial o soluție precursoare de BaPbO3 astfel: se realizează o soluție de acid etilendiaminotetraacetic - EDTA, în apă, care se menține la un pH de valoare 5. Se cântăresc cantitățile necesare de acetat de bariu - BaAc, și acetat de plumb - PbAc - ținând cont de stoichiometria compusului final. Acetatul 50 se adaugă sub agitare la soluția de EDTA.
După dizolvarea PbAc, soluția se aduce la pH=5 prin adăugare de soluție diluată de amoniac. La această soluție se adaugă sub agitare acetatul de bariu. După dizolvare, soluția se aduce din nou la pH=5. După 24 de ore soluția se finalizează, obținându-se astfel soluția precursoare de BaPbO3. 55
Pentru realizarea straturilor subțiri oxidice, se întinde pe substrat, printr-o metodă corespunzătoare, un strat subțire și uniform de soluție precursoare BaPbO3. Metodele de obținere a unor straturi uniforme de soluție sunt de obicei metode folosite în tehnica fotolitografică, metode dintre care cea mai utilizată este centrifugarea soluției turnate pe substrat, spinning. Stratul de soluție este uscat prin evaporarea 6 o apei la temperaturi de aproximativ 9O°C și apoi este transformat în oxid prin arderea componentelor organice ale soluției (piroliză) la temperaturi de până la 400°C.
Obținerea proprietăților conductoare identice cu ale materialului masiv se face printr-un tratament final de cristalizare la temperaturi mai mari de 6OO°C. Pentru obținerea unor straturi mai groase se repetă întinderea soluției și piroliză, ori de câte ori 65 este nevoie, urmând la sfârșit tratamentul de cristalizare.
Claims (1)
- RevendicareProcedeu de producere a straturilor conductoare de plumbat de bariu, pe cale 70 chimică, cu o sare de bariu, caracterizat prin aceea că utilizează o soluție precursoare de BaPbO3 cu pH=5, obținută din acid etiliendiaminotetraacetic în apă, la care se adaugă acetat de plumb și acetat de bariu sub agitarea soluției, soluția precursoare fiind apoi depusă pe substrat, de preferință prin centrifugare, stratul obținut fiind uscat la circa 9O°C și ars la 400°C, după care se aplică un tratament final de 75 cristalizare la temperaturi mai mari de 6OO°C.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RO9501061A RO116136B1 (ro) | 1995-05-30 | 1995-05-30 | PROCEDEU DE PRODUCERE A STRATURILOR SUBTIRI, CONDUCTOARE, DE BaPbO3 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RO9501061A RO116136B1 (ro) | 1995-05-30 | 1995-05-30 | PROCEDEU DE PRODUCERE A STRATURILOR SUBTIRI, CONDUCTOARE, DE BaPbO3 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RO116136B1 true RO116136B1 (ro) | 2000-10-30 |
Family
ID=20102221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RO9501061A RO116136B1 (ro) | 1995-05-30 | 1995-05-30 | PROCEDEU DE PRODUCERE A STRATURILOR SUBTIRI, CONDUCTOARE, DE BaPbO3 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RO (1) | RO116136B1 (ro) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102134094A (zh) * | 2011-02-18 | 2011-07-27 | 江苏华富储能新技术发展有限公司 | 铅酸蓄电池用高纯度铅酸钡导电材料的制备方法 |
-
1995
- 1995-05-30 RO RO9501061A patent/RO116136B1/ro unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102134094A (zh) * | 2011-02-18 | 2011-07-27 | 江苏华富储能新技术发展有限公司 | 铅酸蓄电池用高纯度铅酸钡导电材料的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102230172B (zh) | 制造氧化物薄膜的方法 | |
| Fitzgibbons et al. | TiO2 film properties as a function of processing temperature | |
| Nair et al. | Prospects of chemically deposited CdS thin films in solar cell applications | |
| CN113189171B (zh) | 一种有机无机杂化复合材料的气体传感器制备方法 | |
| Amick et al. | Deposition techniques for dielectric films on semiconductor devices | |
| RO116136B1 (ro) | PROCEDEU DE PRODUCERE A STRATURILOR SUBTIRI, CONDUCTOARE, DE BaPbO3 | |
| CN118814260B (zh) | 一种二维平面垂直构型SnS/SnS2异质结的制备方法 | |
| CN117486608B (zh) | 一种介电可调、低介电损耗的bmzn薄膜材料及其制备方法与应用 | |
| CN109402566B (zh) | 一种两步法制备柔性氧化钒薄膜的方法 | |
| JP2834355B2 (ja) | 強誘電体薄膜構成体の製造方法 | |
| JPH0421638B2 (ro) | ||
| US4711807A (en) | Insulating material of non-single crystalline silicon compound | |
| JPS61194786A (ja) | 酸化物超伝導体薄膜の熱処理方法 | |
| JPS62261128A (ja) | Mos型半導体装置の製造方法 | |
| SU1049573A1 (ru) | Способ получени пьезоэлектрических пленок на основе окиси цинка | |
| CN110581058B (zh) | 一种多晶硅薄膜制作方法 | |
| KR20040077327A (ko) | 강유전체 단결정을 이용한 단결정성 막 제조 | |
| CN117328046B (zh) | 一种具有异质结构的bzn/bmn介电调谐复合薄膜及其制备方法 | |
| CN117945459B (zh) | 铌酸铋锌复合溶胶及其制备方法、铌酸铋锌复合薄膜及其制备方法 | |
| JPS58123772A (ja) | 半導体素子 | |
| CN113661143A (zh) | 薄膜的制造方法以及层叠体 | |
| TWI846281B (zh) | 沉積方法、其連續式沉積系統與應用 | |
| JPH01188677A (ja) | 超電導薄膜の製造法 | |
| CN118835317A (zh) | 紫磷砷单晶及其制备方法和在场效应晶体管中的应用 | |
| JPS5912503A (ja) | 固体電解質薄膜の製造方法 |