RO109256B - Procedeu de îmbătrânire accelerată, a straturilor subțiri, rezistive bazate pe tantal și pe tantal-aluminiu - Google Patents
Procedeu de îmbătrânire accelerată, a straturilor subțiri, rezistive bazate pe tantal și pe tantal-aluminiu Download PDFInfo
- Publication number
- RO109256B RO109256B RO9200591A RO9200591A RO109256B RO 109256 B RO109256 B RO 109256B RO 9200591 A RO9200591 A RO 9200591A RO 9200591 A RO9200591 A RO 9200591A RO 109256 B RO109256 B RO 109256B
- Authority
- RO
- Romania
- Prior art keywords
- layer
- tantalum
- resistive
- aluminum
- layers
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 19
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 19
- RVSGESPTHDDNTH-UHFFFAOYSA-N alumane;tantalum Chemical compound [AlH3].[Ta] RVSGESPTHDDNTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 12
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims abstract description 22
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 8
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LNGCCWNRTBPYAG-UHFFFAOYSA-N aluminum tantalum Chemical compound [Al].[Ta] LNGCCWNRTBPYAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid Substances OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 claims description 4
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 abstract 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 1
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 4
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 description 3
- -1 aluminum tantalum nitrogen Chemical compound 0.000 description 3
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- YTAHJIFKAKIKAV-XNMGPUDCSA-N [(1R)-3-morpholin-4-yl-1-phenylpropyl] N-[(3S)-2-oxo-5-phenyl-1,3-dihydro-1,4-benzodiazepin-3-yl]carbamate Chemical compound O=C1[C@H](N=C(C2=C(N1)C=CC=C2)C1=CC=CC=C1)NC(O[C@H](CCN1CCOCC1)C1=CC=CC=C1)=O YTAHJIFKAKIKAV-XNMGPUDCSA-N 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 235000015895 biscuits Nutrition 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
Invenția se referă la un procedeu
prin care straturile subțiri, rezitive, bazate pe tantal
și pe tantal-aluminiu, sunt îmbătrânite accelerat,
printr-un tratament termic adecvat, domeniul de
aplicare fiind tehnologia straturilor subțiri. Prin
acest procedeu, în scopul eliminării atât a metalelor
prețioase din multistraturile de contact, cât și a
proceselor nedorite de interdifuzie sau de oxidare
a interfețelor, procesul de îmbătrânire accelerată
este intercalat între etapa de pasivare a suprafeței
stratului rezistiv și etapele următoare, de realizare
a contactelor, pentru mascarea zonelor de contact,
utilizându-se bistratul A1/A12O3 rezultat în urma
procesului de anodizare colectivă. In afară de
îmbătrânirea stratului rezistiv, se obține, pe de o
parte, pasivarea suprafeței traseelor rezistive, cu un
strat dublu de oxid și, pe de altă parte, în zona
contactelor, o suprafață metalică, curată, necesară
în etapele următoare de realizare a unor contacte,
fie alcătuite dintr-un multistrat cositoribil, fie
conectarea cu fir. Avantajele invenției constau în
utilizarea unor utilaje relativ simple și a unor
tratamente termice, la temperaturi mari și cu durate
scurte, efectul fiind importante economii de energie
electrică și, implicit, reducerea prețului de cost al
componentelor bazate pe astfel de straturi.
Description
Invenția se referă la un procedeu prin care straturile subțiri, rezistive, bazate pe tantal și pe tantal-aluminiu (tantal, tantal aluminiu, tantal dopat cu azot, tantal-aluminiu dopat cu azot, tantal dopat cu oxigen, tantal- 5 aluminiu dopat cu azot și oxigen etc.), sunt îmbătrânite accelerat printr-un tratament termic adecvat, domeniul de aplicare fiind tehnologia straturilor subțiri.
Dintre toate procedeele de îmbătrânire 10 accelerată a structurilor rezistive cu straturi- subțiri, bazate pe tantal sau pe tantalaluminiu cunoscute până în prezent, marea majoritate se bazează pe folosirea unor contacte realizate din multistraturi, cum sunt: 15 TiPdAu, TiPtAu, TiCuAu, TiCuNiAu etc., ultimul strat fiind întotdeauna Au. Aceste procedee au următoarele dezavantaje comune: folosesc metale prețioase (Au, Pd, Pt), care contribuie la creșterea prețului de cost al 20 componentelor bazate pe astfel de straturi, respectiv pot avea loc procese nedorite de interdifuzie sau de oxidare a interfețelor (fie a celor care alcătuiesc multistratul conductor, fie a interfeței strat rezistiv/multistrat), toate 25 acestea având ca efect creșterea rezistenței de contact. Un alt procedeu cunoscut elimină utilizarea metalelor prețioase, dar prezintă dezavantajul efectuării unei etape suplimentare de decapare printr-o mască de fotorezist 30 organic a suprafeței relativ oxidate (a contactelor), rezultate în urma procesului de îmbătrânire accelerată.
Problema pe care o rezovlă invenția, aceea a realizării unui procedeu de îmbătrânire 35 a straturilor subțiri rezistive, bazate pe tantal și pe tantal-aluminiu, care să realizeze îmbunătățirea stabilității în timp a straturilor subțiri, bazate pe tantal și pe tantal-aluminiu, precum și creșterea randamentelor de fabricație 40 a rezistoarelor bazate pe astfel de straturi.
Procedeul de îmbătrânire accelerată a straturilor subțiri, rezistive, bazate pe tantal și pe tantal-aluminu, conform invenției, înlătură dezavantajele de mai sus, prin aceea că, în 45 scopul eliminării atât a metalelor prețioase din multistraturile de contact, cât și a proceselor nedorite de interdifuzie sau de oxidare a interfețelor, procesul de îmbătrânire accelerată este intercalat între etapa de pasivare a 50 suprafeței stratului rezistiv (printr-un proces de anodizare colectivă) și etapele următoare de realizare a contactelor, pentru mascarea zonelor de contact utilizându-se bistratul A1/A12O3 rezultat în urma procesului de anodizare colectivă.
Procesul de îmbătrânire accelerată a straturilor subțiri, rezistive, bazate pe tantal și pe tantal-aluminiu, conform invenției, prezintă următoarele avantaje:
- nu necesită utilaje sofisticate, tratamentul termic făcându-se în atmosfera ambiantă;
- permite utilizarea fără probleme a unor temperaturi mari de tratament termic, care asigură o bună stabilizare a stratului rezistiv;
- durata relativ scurtă a tratamentului termic (maximum o zi de lucru) poate duce la importante economii de energie electrică, având ca efect reducerea prețului de cost al componentelor bazate pe astfel de straturi.
în cele ce urmează este descris un exemplu de realizare a invenției, în legătură cu fig. 1...4, care reprezintă:
- fig.l, etapele tehnologice (reprezentări schematice în secțiuni transversale) de procesare a straturilor subțiri, rezistive, bazate pe tantal și tantal-aluminiu, incluzând și procesul de îmbătrânire accelerată;
- fig.2, reprezentare schematică detaliată (în secțiune transversală) â procesului de îmbătrânire accelerată;
- fig.3, etapele tehnologice (reprezentări schematice în secțiuni transversale) de realizare a contactelor cositoribile;
- fig.4, etapele tehnologice (reprezentări schematice în secțiuni transversale) de configurare a contactelor pentru conectarea cu fir.
Procedeul de îmbătrânire accelerată a straturilor subțiri, rezistive, bazate pe tantal și pe tantal-aluminiu, conform invenției, se bazează pe faptul că, în procesul de îmbătrânire accelerată a unei structuri rezistive finite, variațiile totale ale valorii rezistenței sunt dominate de modificările rezistenței stratului rezistiv (datorate, pe de o parte, recristalizării stratului și, pe de altă parte, oxidării suprafeței acestuia), astfel încât schimbările de rezistență în zona contactelor joacă un rol minor (mai ales în cazul rezistențelor cu valori mari). Pornind de la aceste considerente, pentru realizarea rezistoarelor de precizie (bazate pe tantal sau pe tantal-aluminiu), este suficientă îmbătrânirea numai a stratului rezistiv. în acest sens, pentru mascarea zonelor de contact în timpul procesului de îmbătrânire, este utilizat bistratul A1/A12O3 rezultat în urma etapei de pasivare a suprafeței prin anodizare colectivă. Stratul de A12O3 obținut prin anodizare reprezintă un adevărat strat de barieră pentru difuzia ionilor de oxigen din aerul ambiant către interfața dintre stratul rezistiv și cel de Al, procesul de îmbătrânire putând avea ca efect, nu oxidarea acestei interfețe, ci numai o ușoară creștere a grosimii stratului de A12O3.
Procedeul va fi descris pe baza reprezentărilor schematice (în secțiuni transversale) ale etapelor tehnologice din fig. 1. întrucât o parte dintre aceste etape sunt cunoscute în cele ce urmează, vor fi prezentate mai pe scurt. Etapa a reprezintă pregătirea pentru depunere (alegere, spălare, uscare etc.) a unui substrat 1 (sticlă, sital, ceramică, ceramică glazurată, safir, siliciu oxidat etc.). In etapa b, prin pulverizare catodică (reactivă), un strat 2 bazat pe tantal sau pe tantal-aluminiu (cu grosimea în domeniul 300 -r 2000 Â ) este depus pe întreaga suprafață a substratului. Apoi, prin centrifugare, un strat de fotorezist organic 3 este depus peste stratul rezistiv (etapa c). Expunând stratul de fotorezist la lumină ultravioletă prin masca de trasee rezistive și developându-1, se obține structura din fig. ld.Utilizând masca de fotorezist, în etapa e stratul rezistiv este configurat prin corodare chimică selectivă într-o soluție preparată cu: 1 parte acid fluorhidric (48%) + 1 parte acid azotic (70%) + 3 părți apă deionizată. în etapa următoare f, masca 3 de fotorezist este îndepărtată prin dizolvare în acetonă. în continuare, prin evaporare termică în vid înalt, un strat 4 de Al cu grosimea de 3000 4- 4000 Â este depus pe întreaga suprafață a substratului (etapa g). în etapa h, prin centrifugare, un alt strat de fotorezist organic 5 este aplicat peste stratul de Al. Utilizând masca de anodizare, stratul de fotorezist este expus la lumină ultravioletă și developat (etapa i). Prin masca de fotorezist obținută, în etapa j stratul de Al este corodat chimic selectiv într-o soluție preparată cu 625 ml acid orto-fosforic (85%), 35 ml acid azotic (70%) +165 ml acid acetic + 50 ml apă deionizată, după care masca 5 este îndepărtată prin dizolvare în acetonă (etapa k) . Utilizând ca mască stratul de rezist de Al și un electrolit comun (3 % pentaborat de amoniu dizolvat în etilenglicol), prin anodizare colectivă la o tensiune de 30^-60 V (etapa 1) un strat 6 de oxid bazat pe tantal sau pe tantal-aluminiu și un strat 7 de A12O3 sunt crescute simultan pe suprafața straturilor 2, respectiv 4. Procesul de îmbătrânire accelerată este efectuat (în etapa m) printr-un tratament termic în aer, la o temperatură între 200 și 450°C, timp de l-î-6 h. în fig.2 este reprezentat în detaliu acest proces. Astfel, în timpul tratamentului de îmbătrânire accelerată are loc o creștere suplimentară de oxizi 8 și 9 pe straturile 2, respectiv 4. A se observa că procesul de oxidare prin tratament termic nu afectază zona contactelor pe stratul rezistiv, astfel încât, corodând tristratul A12O3 (crescut anodic)/Al2O (crescut termic)/Al într-o soluție preparată cu 100 ml acid orio-fosforic (85%)+750 ml apă deionizată la 70 4-80°C rezultă stratul rezistiv 2 îmbătrânit (etapa n). în afară de îmbătrânirea stratului rezistiv, se obține,pe de o parte,pasivarea suprafeței traseelor rezistive cu un strat dublu de oxid (alcătuit din stratul 6 crescut prin anodizare și stratul 8 crescut termic) și, pe de altă parte, în zona contactelor, o suprafață metalică curată, necesară în etapele următore de obținere a contactelor. în continuare, va fi analizată mai întâi realizarea unor contacte, alcătuite dintr-un multistrat cositorabil și apoi configurarea unor contacte pentru conectarea cu fir.
în fig.3 sunt reprezentate schematic (în secțiuni transversale) etapele tehnologice de realizare a contactelor cositoribile. Etapa a reprezintă pregătirea pentru depunere. în etapa b, un strat 10 de Ti cu grosimea de 500 Â și un strat 11 de Cu, gros de aproximativ 1 /xm, sunt depuse secvențial în același ciclu de vid prin evaporare termică. După aceasta, prin centrifugare, un strat 12 de fotorezist organic este aplicat peste stratul de Cu. Utilizând masca de contacte inversată,stratul 12 este expus la lumină ultravioletă și apoi developat (etapa d). în etapa următoare e, utilizând masca de fotorezist, un strat 13 de Ni, cu grosimea de 5-^6 /xm, este crescut selectiv (peste stratul de Cu), prin depunere electrochimică dintr-o soluție preparată cu: 300 g sulfat de Ni + 60 g clorură de Ni + 45 g acid boric + agenți de luciu + apă deionizată până la 1 1. în etapa f, masca 12 este îndepărtată prin dizolvare în acetonă, după care, în etapa g, un nou strat de fotorezist organic 14 este aplicat pe suprafața substratului. Etapa h constă în expunerea stratului de fotorezist la lumină ultravioletă prin masca de contacte normală, urmată de developare. în etapa i, bistabilul Cu/Ti este corodat chimic selectiv, în două etape: mai întâi stratul de Cu într-o soluție preparată cu 120 ml acid sulfuric + 80 ml acid acetic + 120 ml apă oxigenată + 600 ml apă deionizată, apoi stratul de Ti într-o soluție preparată cu 10 ml acid fluorhidric + 100 ml acid sulfuric + 40 ml apă oxigenată + apă deionizată până la 1 litru. îndepărtând masca 14 prin dizolvare în acetonă, se obține structura rezistivă din fig.2j. Suprafața stratului de Ni poate fi cositorită cu aliaj 60% Sn - 40% Pb, utilizând un letcon miniatură sau într-o instalație cu val.
Configurarea contactelor pentru conectarea cu fir poate fi analizată pe reprezentările schematice (în secțiuni transversale) din fig.4. Astfel, etapa a constă în pregăturea substratului pentru depunerea în vid. In etapa b, un strat 15 de Al, cu grosimea de aproximativ 1 μιη, este depus pe întreaga suprafață a substratului prin evaporare termică în vid înalt. Apoi, prin centrifugare, un strat 16 de fotorezist organic este aplicat peste stratul de Al (etapa c). Expunând stratul de fotorezist la lumină ultravioletă prin mască de contacte normală și developându-1, se obține structura din fig.4d. în etapa e, stratul de Al este corodat chimic selectiv în soluția a cărui rețetă a fost dată mai sus. în ultima etapă f. masca 16 este îndepărtată prin dizolvare în acetonă. Contactele de Al astfel configurate pot fi folosite pentru ectarea cu fir de Au (sau de Al) a structurii rezistive obținute.
Claims (1)
- RevendicareProcedeu de îmbătrânire accelerată a straturilor subțiri, rezistive, bazate pe tantal și pe tantal-aluminiu, caracterizat prin aceea că , în scopul eliminării atât a metalelor prețioase din multistraturile de contact, cât și a proceselor nedorite de interdifuzie sau de oxidare a interfețelor (fie a celor care alcătuiesc multistratul conductor, fie a interfeței strat rezistiv/multistrat), un strat rezistiv bazat pe tantal sau pe tantal-aluminiu, cu grosimea în domeniul 300-=-2000 Â, printr-un proces fotolitografic bazat pe fotorezist organic și utilizând masca de trasee rezistive, este corodat chimic selectiv într-o soluție preparată cu 1 parte acid fluorhidric (48%) -I- 1 parte acid azotic (70%) + 3 părți apă deionizată, după care un strat de Al, cu grosimea de 3000-=-4000 Â, este depus, prin evaporare termică în vid înalt^pe întreaga suprafață a substratului, apoi, printr-un proces fotolitografic bazat pe fotorezist organic și utilizând masca de anodizare, stratul de Al este corodat chimic selectiv într-o soluție preparată cu 625 ml acid orzo-fosforic (85%) + 35 ml acid azotic (70%) + 165 ml acid acetic + 50 ml apă deionizată, în continuare, utilizând ca mască stratul de rezist de Al și un electrolit comun (30% pentaborat de amoniu dizolvat în etilenglicol), prin anodizare colectivă la o tensiune de 30-e 60 V, un strat de oxid bazat pe tantal sau pe tantal-aluminiu și un strat de A12O3 sunt crescute simultan pe suprafața stratului rezistiv, respectiv a celui de Al, după aceea, printr-un tratament termic în aer la o temperatură între 200 și 450°C, timp de 1 -=-6 h, este efectuat procesul de îmbătrânire accelerată și, în final, corodând tristratui A12O3 (crescut anodic)/A12O3 (crescut termic)/Al într-o soluție preparată cu 100 ml acid orzo-fosforic (85%) + 750 ml apă deionizată, încălzită la 70-î-80°C, rezultă stratul rezistiv îmbătrânit, în afară de îmbătrânirea stratului rezistiv obținându-se, pe de o parte, pasivarea suprafeței traseelor rezistive cu un strat dublu de oxid (alcătuit din stratul crescut prin anodizare și stratul crescut termic) și, pe de altă parte, în zona contactelor, o suprafață metalică curată necesară în etapele următoare de realizare a unor contacte, fie alcătuite dintr-un multistrat cositoribil, fie pentru conectarea cu fir.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RO9200591A RO109256B (ro) | 1992-04-29 | 1992-04-29 | Procedeu de îmbătrânire accelerată, a straturilor subțiri, rezistive bazate pe tantal și pe tantal-aluminiu |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RO9200591A RO109256B (ro) | 1992-04-29 | 1992-04-29 | Procedeu de îmbătrânire accelerată, a straturilor subțiri, rezistive bazate pe tantal și pe tantal-aluminiu |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RO109256B true RO109256B (ro) | 1994-12-30 |
Family
ID=20098545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RO9200591A RO109256B (ro) | 1992-04-29 | 1992-04-29 | Procedeu de îmbătrânire accelerată, a straturilor subțiri, rezistive bazate pe tantal și pe tantal-aluminiu |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RO (1) | RO109256B (ro) |
-
1992
- 1992-04-29 RO RO9200591A patent/RO109256B/ro unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW515853B (en) | Improved anode formulation and methods of manufacture | |
| JPS60138943A (ja) | 半導体デバイスの接続電極の電解形成方法 | |
| JPH0341986B2 (ro) | ||
| CN109254423B (zh) | 一种铌酸锂电光器件厚膜导线电极的制作方法 | |
| JPH07169967A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| RO109256B (ro) | Procedeu de îmbătrânire accelerată, a straturilor subțiri, rezistive bazate pe tantal și pe tantal-aluminiu | |
| TWI901323B (zh) | 電阻器及其製造方法 | |
| JP2003215095A (ja) | ガスセンサ | |
| JPS61129853A (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
| JP2516122B2 (ja) | 金属と固体電解質との接合方法 | |
| JPH0353787B2 (ro) | ||
| US3751293A (en) | Method for reducing interdiffusion rates between thin film components | |
| JPS5950095B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0599758A (ja) | ジルコニア基板を用いた白金温度センサの製造方法 | |
| JPH0294442A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61158166A (ja) | 突起金属形成用基板の製造方法 | |
| JPS59121954A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05164731A (ja) | 酸素センサの製造方法 | |
| JPH05343396A (ja) | 銀パターンおよびその形成方法 | |
| JPH05105536A (ja) | 金属と固体電解質との接合方法 | |
| JPH0494542A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6037146A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2002227000A (ja) | 電解エッチング用電極、電解エッチング方法、光起電力素子の製造方法及び電極の製造方法 | |
| JPH029190A (ja) | 抵抗体付セラミック回路板の製造方法 | |
| JPS58105553A (ja) | 半導体装置の製造方法 |