PT103370B - Matriz de imagem de raios-x com guias de luz e sensores de pixel inteligentes, dispositivos detectores de radiação ou de partículas de alta energia que a contém, seu processo de fabrico e sua utilização - Google Patents

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Abstract

O PRESENTE INVENTO REFERE-SE A UM DETECTOR DE RADIAÇÃO OU DE PARTÍCULAS DE ALTA ENERGIA, QUE PODE SER UTILIZADO NA OBTENÇÃO DE IMAGENS RADIOGRÁFICAS DIGITAIS. O DETECTOR É COMPOSTO POR DUAS PARTES: UMA MATRIZ DE CINTILADORES (30) EMBEBIDOS EM PAREDES FABRICADAS A PARTIR DE UM MATERIAL REFLECTOR (10), E UMA MATRIZ DE ELEMENTOS DE IMAGEM (PIXELS), EM QUE CADA UM É CONSTITUÍDO POR UM FOTODETECTOR(21) E UM CONVERSOR ANALÓGICO DIGITAL. AS PAREDES FABRICADAS A PARTIR DO MATERIAL REFLECTOR (10) FORMAM GUIAS DE LUZ QUE EVITAM A DISPERSÃO DA LUZ VISÍVEL PRODUZIDA PELOS CINTILADORES (30) E A CONSEQUENTE INTERFERÊNCIA ENTRE CADA PIXEL E OS SEUS VIZINHOS.

Description

DESCRIÇÃO
MATRIZ DE IMAGEM DE RAIOS-X COM GUIAS DE LUZ E SENSORES DE PIXEL INTELIGENTES, DISPOSITIVOS DETECTORES DE RADIAÇÃO OU DE PARTÍCULAS DE ALTA ENERGIA QUE A CONTÉM, SEU PROCESSO DE FABRICO E SUA UTILIZAÇÃO
Domínio da invenção
A presente invenção insere-se no domínio da detecção de imagens de raios-x, outro tipo de radiação ou de partículas de alta energia digitais, particularmente relevante nas áreas da medicina ou dos testes industriais não destrutivos, permitindo a obtenção de imagens de elevada qualidade e fácil processamento, enquanto reduz a quantidade de radiação necessária para as obter.
Antecedentes da invenção
Quando um feixe de radiação no espectro dos raios-x, por exemplo, atravessa um corpo, os fotões que o constituem interagem com os seus átomos. Como resultado, o feixe que deixa o corpo depois de o atravessar tem um padrão definido, em que cada elemento de área tem uma densidade de fotões que é diferente das vizinhas. Estas diferenças são provocadas pela maior ou menor absorção de fotões nos tecidos que constituem o corpo. Estas diferentes densidades de fotões de raios-x podem ser traduzidas por níveis de cinzento numa imagem, obtendo-se assim uma radiografia.
Nos primeiros anos da radiografia eram usadas bases de vidro revestidas por uma emulsão sensível aos raios-x. As bases de vidro apresentavam algumas desvantagens, partiamse com facilidade podendo causar ferimentos a quem as manuseava, o seu processamento era difícil e existia ainda o problema de as guardar para referências futuras. Com a introdução dos filmes flexíveis estas desvantagens foram eliminadas.
filme de raios-x usado actualmente é constituído por dois componentes fundamentais: a base e a emulsão. A base dos filmes modernos é constituída por uma folha de poliéster transparente. A emulsão consiste em cristais microscópicos de halogenetos de prata suspensos numa substância gelatinosa. A emulsão é espalhada dos dois lados da base de poliéster, formando duas camadas sensíveis aos raios-x. Depois do filme de raios-x receber o feixe que atravessa o corpo, fica nele registada uma imagem dita latente, pois não pode ser vista antes do processamento. 0 processamento de um filme deve ser feito num quarto escuro e pode ser dividido em dois passos: conversão da imagem latente numa imagem visível e preservação da imagem visível. A conversão da imagem latente em visível é feita mergulhando o filme numa solução química. Deve ter-se especial cuidado com a temperatura e o tempo em que o filme está exposto a esta solução. A preservação da imagem visível consiste sobretudo em remover os halogenetos de prata não expostos aos raios-x e endurecer a emulsão para que o filme não se deteriore. Mais uma vez recorre-se a soluções químicas, sendo a temperatura e o tempo de fixação muito importantes na obtenção de uma boa imagem.
Os sistemas de imagem radiográficos convencionais registam e mostram os seus dados numa forma analógica. Têm frequentemente exigências de exposição muito rígidas devido à gama estreita de profundidade de brilho dos filmes e hipóteses muito reduzidas de processamento de imagem. Os sistemas de radiografia digitais, por outro lado, oferecem a possibilidade de obtenção de imagens com exigências de exposição muito menos rigorosas do que os sistemas analógicos. As imprecisões em termos de exposição provocam normalmente o aparecimento de radiografias demasiado escuras, demasiado claras ou com pouco contraste, facilmente melhoradas com técnicas digitais de processamento e exibição de imagem.
Os sistemas de radiografia digital, em que a imagem vai ser mostrada num écran, em vez do processo tradicional de expor o filme contra a luz e em que é possível processar digitalmente a imagem obtida, apresenta várias vantagens, como a facilidade de exibição da imagem, redução da dose de radiação necessária para obter uma boa imagem, facilidade de processamento da imagem, a possibilidade de aquisição da imagem sem tempos de espera para o processamento do filme, o armazenamento em bases de dados electrónicas permitindo a pesquisa mais fácil e a transmissão para longas distâncias, usando redes de comunicações de dados.
Um dos primeiros sistemas de imagem de raios-x digital era baseado num dispositivo de silício fabricado em tecnologia CCD. 0 silício tem um coeficiente de absorção de raios-x muito baixo, mas para cada fotão de 1 MeV absorvido, são produzidos cerca de 277 000 pares electrão-lacuna, o que possibilita a obtenção de imagens com qualidade suficiente para diagnósticos com uma dose de radiação um pouco inferior da que é necessária para excitar os filmes de halogenetos de prata usados nas radiografias tradicionais. No entanto, o pequeno número de fotões detectados pelo CCD resulta num ruído quântico significativo. Para que o ruido quântico seja menor, pode aumentar-se a dose de radiação ou a eficiência quântica do detector. Obviamente que o aumento da dose de radiação não é desejável.
A eficiência quântica do sensor pode ser aumentada adicionando uma camada cintiladora por cima do CCD. Um cintilador é um composto químico que emite luz quando é excitado por radiação ou partículas de alta energia. A radiação é absorvida pela camada cintiladora que tem um coeficiente de absorção alto, sendo depois convertida em luz visível (ou com comprimento de onda perto do visível). Como cada fotão de raios-x absorvido é convertido em muitos fotões visíveis, a eficiência quântica do detector é melhorada. A desvantagem é que esta técnica piora a resolução espacial do dispositivo, que fica com um valor mais ou menos igual à espessura da camada cintiladora. Isto obriga a um compromisso entre a espessura da camada cintiladora que, quanto maior for mais fotões de raios-x absorve, e a resolução espacial, que diminui com a espessura da camada cintiladora. Este compromisso espessura do cintilador - resolução espacial pode ser melhorado com a técnica das guias de luz, cujo processo de fabrico consta do objecto do presente invento.
Desenvolvimentos recentes nos detectores de imagem baseados em tecnologia CMOS tornam-nos cada vez mais atractivos na construção de sistemas de aquisição de imagem, quando comparados com os dispositivos baseados em tecnologia CCD. Tal como a aquisição de imagens, a radiografia digital também beneficia com a substituição dos CCDs por dispositivos CMOS, uma vez que os últimos possuem as seguintes características:
- potência de operação cinco a dez vezes menor do que os CCDs e respectiva electrónica de processamento;
- o CMOS é um processo de fabrico de uso geral enquanto que o CCD requer técnicas de fabrico dedicadas;
- é possível a integração do detector e da electrónica de processamento no mesmo dispositivo. No CCD é muito difícil;
- custo global de cinco a dez vezes menos que o CCD.
As características de baixo custo e baixa potência são altamente desejáveis em aplicações portáteis e também em situações onde os aparelhos de raios-x convencionais não são possíveis, tais como, hospitais de campanha ou veículos de emergência médica.
Como inconveniente da substituição dos CCDs por dispositivos CMOS pode salientar-se o facto de que ainda é muito difícil obter estes últimos com as mesmas características dos primeiros, em termos de qualidade de imagem.
Estado da arte
Na indústria médica, os esforços na optimização da área da radiografia estão direccionados no sentido de desenvolver a tecnologia digital dos raios-x, usando sensores electrónicos de alta eficiência em combinação com algoritmos avançados de computador. A radiografia digital permite a aplicação de técnicas de processamento de imagem (por exemplo melhoria do detalhe) de algoritmos sofisticados (por exemplo subtracção de imagens) e da operação em tempo real. Consequentemente, esforços cada vez maiores são dirigidos no sentido de aplicar tecnologias, como a microelectrónica (microfotolitografia e microfabricação), a micromaquinagem e o estudo de materiais novos a fim de desenvolver dispositivos para diversas aplicações no diagnóstico médico usando raios-x.
interesse numa matriz activa, para obter digitalmente imagens de raios-x, já é uma realidade. Estes dispositivos já estão disponíveis em tamanhos grandes (maiores do que 25 x 25 cm2) com dimensões por pixel tão pequenas como 100 x 100 fjm2.
Os painéis de menores dimensões são fabricados em silício (tecnologias CCD ou CMOS) e os de maiores dimensões numa base de silício amorfo, mas devido à relativamente baixa absorção de raios-x pelo silício (ou pelo silício amorfo), normalmente é necessária uma camada de detecção de raios-x adicional, no topo da matriz activa. Os materiais que geralmente são usados para esta finalidade podem seguir duas abordagens:
1. A primeira abordagem é uma alternativa ao método indirecto e envolve a utilização de uma camada fotocondutora, que forma a matriz activa.
Nesta aproximação, chamada frequentemente de método directo, as interacções entre a radiação e o fotocondutor, produzem pares electrão-lacuna. Os pares electrão-lacuna são recolhidos pelos eléctrodos colocados nas extremidades do fotocondutor por intermédio de um campo eléctrico. Assim, os fotocondutores em princípio, são bons candidatos para construir os sensores dos sistemas digitais de imagem radiográfica. No entanto, esta tecnologia necessita de uma alta tensão eléctrica para a sua operação e é incompatível com as tecnologias de fabrico em silício, forçando a que a electrónica de leitura seja colocada num dispositivo separado. Como exemplos desta abordagem podem citar-se as patentes US2005175911, W02005036595, US2004152000,
W002061456, entre outras.
2. A segunda abordagem, na qual esta invenção se enquadra, envolve o acoplamento de uma camada cintiladora à matriz de fotodetectores. Esta aproximação é normalmente referida como detecção indirecta, uma vez que a energia dos raios-x é convertida previamente em luz visível, que é posteriormente detectada pelos fotodetectores para produzir a imaqem final. Nesta abordagem, além dos cintiladores, são necessários fotodetectores para detectarem a luz visível produzida pelos primeiros. Existem vários trabalhos que propõe diferentes tipos de fotodetectores para este fim, nomeadamente:
-Fotodetectores em tecnologia CCD (US2005151085, US2005058247, WO03045246, por exemplo);
- Fotodetectores em Silício amorfo (EP1475649 e W00160236, entre outros);
- Tubos fotomultiplicadores (WO9614593 e US5410156, entre outros) ;
- Fotodíodos de avalanche (US6448559 e US5763903, entre outros);
- Tecnologia CMOS (WO03/032839 e US6069935, entre outras) . Nestas aplicações, os conversores analógicos digitais são colocados fora da matriz activa de pixels.
Quanto à acoplação entre fotodetectores e cintiladores, tal como nesta invenção, existem algumas patentes que propõem arquitecturas baseadas em guias de luz. 0 seu processo de fabrico é baseado em diversas técnicas tais como a fabricação de microcavidades, que depois são preenchidas com um material cintilador. As cavidades podem ser fabricadas por corrosão química (US2004251420), com um laser (US2004042585) ou por DRIE (US6744052). O contrário também é possível: abrir rasgos num cristal cintilador e preenchê-los com um material reflector (US2002163992) . A presente invenção diferencia-se destas soluções, já que a técnica de fabrico da matriz de cintiladores embebidos em paredes reflectoras é baseado num processo fotolitográfico, permitindo a sua rápida fabricação e colocação no topo da matriz de fotodetectores.
Quanto aos circuitos electrónicos de leitura das matrizes de fotodetectores, que também constam do âmbito do presente invento, todas as aplicações conhecidas colocam os conversores analógicos digitais fora da matriz activa de pixels. Existem algumas aplicações em tecnologia CMOS (US2005173640 e US6894283, entre outras) e em tecnologia bipolar (US2003105397). A presente invenção diferencia-se destas soluções, já que a matriz de fotodetectores contém um conversor analógico digital para cada pixel, o que permite obter à sua saída um sinal digital, imune às fontes de ruído características dos sistemas analógicos.
Breve descrição das figuras
A figura 1 mostra uma vista em corte do detector de raios-x proposto.
As figuras 2 a 6 mostram diferentes etapas do processo de fabrico.
A figura 7 mostra um diagrama de blocos da matriz de fotodetectores.
A figura 8 mostra um diagrama de blocos de cada um dos pixels (22) da matriz de fotodetectores.
A figura 9 mostra o circuito do fotodetector (21) , do amplificador (23) e do integrador (24).
A figura 10 mostra o circuito do conversor analógico digital de um bit.
A figura 11 mostra o circuito do conversor digital analógico de um bit.
Descrição detalhada da invenção
A figura 1 mostra uma vista em corte da matriz de detectores de raios-x que consiste num sensor de imagem (20) , formado por uma matriz de fotodetectores (21), sobre a qual é colocada a matriz de cintiladores (30), embebidos nos reflectores (10). A radiação, proveniente de uma fonte de radiação colocada sobre o detector, vai penetrar no material reflector (10) e atingir os cintiladores (30). Os cintiladores (30) vão converter a radiação em luz visível que é emitida em todas as direcções. Após um maior ou menor número de reflexões, a luz visível atinge os fotodetectores (21) , onde é detectada.
As guias de luz evitam a dispersão da luz visível produzida pelos cintiladores e a consequente interferência entre cada pixel e os seus vizinhos. Pode provar-se que a utilização das guias de luz implica uma resolução espacial muito mais elevada, bem como uma amplitude mais elevada do sinal luminoso que atinge o fotodetector. Como é conseguida uma amplitude mais elevada do sinal luminoso, esta técnica permite a redução da dose de radiação necessária para que o dispositivo funcione.
Por outro lado, o amplificador e o conversor analógico digital estão localizados em cada pixel, em vez de estarem na periferia da matriz, o que permite uma redução do ruído electrónico gerado por processos térmicos ou induzido nas linhas de transporte dos sinais. Como consequência, a relação sinal ruído irá aumentar, permitindo uma redução extra na radiação necessária para que o dispositivo funcione.
O processo de fabrico da matriz de cintiladores dentro das paredes reflectoras está representado nas figuras 2 a 6.
Na figura 2, o sensor de imagem (20) constituído pela matriz de fotodetectores fabricado em tecnologia CMOS (21) é revestido pelo verniz sensível à luz SU-8 (40). Por cima do verniz sensível à luz é colocada uma máscara sobre a qual é aplicada luz ultravioleta. As partes do verniz expostas à luz ficam endurecidas, sendo então possível remover as restantes, dando origem ao padrão da figura 3. Também é válido o uso de uma máscara negativa com um verniz fotossensivel negativo.
passo seguinte será colocar o material cintilador, CsI:Tl (Iodeto de Césio dopado com Tálio) (30) de modo a preencher as cavidades (31). Este cintilador pode ser colocado por evaporação, através de uma pressão mecânica a quente ou a frio, sob a forma de pó cristalino ou outra. Em alguns casos, depois de o cintilador ser colocado, é necessário efectuar uma operação de polimento, de modo a que o resultado seja o representado na figura 4. Depois deste passo, o verniz sensível à luz (40) é totalmente removido e nas cavidades resultantes é colocado um material reflector, alumínio, (10), por evaporação, pulverização catódica, ou outro processo de deposição de material. No final deste passo é necessária uma operação de polimento para que o resultado seja o da figura 1.
Outro processo de fabricar o dispositivo da figura 1 consiste em usar uma máscara construída a partir do negativo da usada na figura 3 ou em alternativa um verniz sensível à luz com comportamento oposto ao descrito na figura 3. Neste caso, depois da exposição à luz e da remoção do verniz fotossensível não endurecido, o resultado será o da figura 5. Depois deste passo, as cavidades (32) são preenchidas com material reflector (10), originando o dispositivo da figura 6. Mais uma vez, dependendo do método de deposição do reflector, para o dispositivo ficar com o aspecto da figura 6, pode ser necessário efectuar o polimento do seu topo depois da deposição. Depois disto, o verniz fotossensível (40) deve ser removido e colocado o cintilador (30) no seu lugar. Neste caso, será necessário um passo adicional para colocar o material reflector no topo do dispositivo, para este ficar com o aspecto da figura 1.
O processo de fabrico da matriz de cintiladores deverá ser efectuado por cima da matriz de fotodetectores, previamente fabricada em tecnologia CMOS.
Esta matriz de fotodetectores, fabricada em tecnologia CMOS usa um conversor analógico digital para cada pixel.
Na figura 7 é mostrado um diagrama de blocos da matriz com um conversor analógico digital por pixel. Cada pixel (22) é constituído por um fotodetector (21) e um conversor analógico digital. 0 endereçamento das colunas é feito usando sinais de relógio, Ci, C2, . . . , Cnr desfasados no tempo, sendo cada pixel (22) ligado a uma linha de saída. Cada bloco de um pixel (22) converte a intensidade da luz que recebe, proveniente do cintilador (30), num código digital. Este bloco é mostrado em detalhe na figura 8. Como o sinal de saida de cada coluna está desfasado do das restantes, cada linha de saída pode ser partilhada pelos respectivos pixels. 0 princípio de funcionamento da matriz é o seguinte: o sinal eléctrico proveniente dos fotodetectores (21) é amplificado pelo amplificador (23) e aplicado ao conversor analógico digital. Para que este último tenha um bom desempenho, deve inicializar-se o integrador (24) usando a linha R, para que o conversor analógico digital parta de um estado conhecido. Depois da radiação incidir nos cintiladores (30), e uma imagem ser focada nos fotodetectores (21), os conversores analógicos digitais do tipo sigma-delta iniciam a conversão sendo o seu resultado lido em todas as linhas em simultâneo. A frequência de sobreamostragem do conversor sigma-delta é determinada pela relação sinal-ruído pretendida.
O circuito pode dividir-se em três partes: o integrador (24), o conversor analógico digital de um bit (25) e o conversor digital analógico de um bit (26).
Os circuitos do amplificador (23) e do integrador (24) são baseados num único espelho de corrente, conforme está ilustrado na figura 9. A corrente do fotodetector circula por Mi. Uma vez que as tensões entre as portas e as fontes de Mi e M2 são iguais, idealmente uma corrente proporcional a- Jj circula em M2, se os dois transístores estiverem a operar na zona de saturação. Desprezando a modulação do comprimento do canal, a corrente no dreno de Mx é dada por:
(.1) enquanto que a corrente de saída, assumindo que M2 está à saturação, é dada por:
-^02
(2) em que ID1 e ID2 são as correntes de dreno dos transístores
Μγ e M2 respectivamente, VGS1 e
VGS2 são as suas tensões entre a porta e a fonte, k é o parâmetro de transcondutância do transístor de canal p e
Vtp é a tensão de limiar de condução do transístor de canal p. Uma vez que
Vgsi = VgS2, a relação entre as duas correntes é dada por:
ID2 _ W2 !L2
IDX W-JL,/ (3)
A equação 3 mostra que, ajustando as larguras (fV) e os comprimentos (L) dos canais dos transístores, consegue-se amplificar a corrente do fotodetector (21) . Uma vez que esta corrente vai carregar o condensador e a tensão aos seus terminais é proporcional ao integral da corrente, o circuito também funciona como integrador.
A tensão máxima de saída é limitada pelo facto de que M2 deve permanecer à saturação, ou seja, ® -11 <4 >
A resistência de saída do espelho de corrente é dacla pela resistência de M2r ou seja,
em que λ é o parâmetro da modulação do comprimento do canal.
Ainda no circuito da figura 9, Mj é usado para inicializar o integrador, para que o conversor sigma-delta comece a operar a partir de um estado conhecido.
A figura 10 mostra o diagrama esquemático do conversor analógico digital de um bit (25) . Os transístores M5 e M6 formam um par diferencial que amplifica a diferença entre Ví θ Vi,i, em que Vi é a tensão de saída do integrador (24) e Vbi é uma tensão de referência. O sinal desta diferença é armazenado na memória formada por e Mç, nas transições negativas do sinal de relógio Cn. O estado desta memória é mantido enquanto ΜΊ estiver ao corte, ou seja, enquanto o sinal de Cn estiver no nível lógico baixo.
O diagrama esquemático do conversor digital analógico de um bit (26) está na figura 11. O funcionamento do circuito é em tudo idêntico ao do conversor analógico digital de um bit. Nas entradas Vn e Vi2 são ligados os sinais provenientes de V01 e Vo2 do conversor analógico digital de um bit (25). Existe apenas o transístor Mí6 que funciona como conversor tensão corrente, ou seja, converte a tensão digital de saída numa corrente que irá descarregar o condensador do integrador, quando tal se justificar.
Lisboa, 2 0 OUT. 2005

Claims (14)

  1. REIVINDICAÇÕES
    1 Detector de radiação ou de partículas de alta energia composto por uma matriz de cintiladores embebidos em paredes fabricadas a partir de um material reflector, e uma matriz de elementos de imagem (pixels), caracterizado por a matriz de cintiladores (30) embebidos em paredes reflectoras (10) ser fabricada a partir de um processo fotolitográfico e cada pixel da matriz de fotodetectores ser constituído por um fotodetector (21), um amplificador (23) e um conversor analógico digital.
  2. 2 Um detector de radiação ou de partículas de alta energia, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por as paredes fabricadas, a partir do material reflector (10), formarem guias de luz para direccionarem a luz visível produzida pelos cintiladores (30) contidos na matriz.
  3. 3 Um detector de radiação ou de partículas de alta energia, de acordo com as reivindicações anteriores, caracterizado por o fotodetector (21) poder ser um fotodíodo, um fototransístor ou outro, fabricado em tecnologia CMOS, bipolar ou outra.
  4. 4 Um detector de radiação ou de partículas de alta energia, de acordo com as reivindicações anteriores, caracterizado por o amplificador (23) poder ser baseado num espelho de corrente ou noutro circuito e fabricado em tecnologia CMOS, bipolar ou outra.
  5. 5 Um detector de radiação ou de partículas de alta energia, de acordo com as reivindicações anteriores, caracterizado por o conversor analógico digital poder ser do tipo sigma-delta, conversor luz-frequência, conversor flash, de rampa ou de outro tipo, fabricado em tecnologia CMOS, bipolar ou outra.
  6. 6 Um detector de radiação ou de partículas de alta energia, de acordo com as reivindicações anteriores, caracterizado por o amplificador (23) e o conversor analógico digital estarem localizados em cada pixel, em vez de estarem na periferia da matriz de elementos de imagem.
  7. 7 Matriz, de fotodetectores para a obtenção de imagens a partir de radiação ou de partículas de alta energia, de acordo com as reivindicações anteriores, caracterizada por ser constituída por um fotodíodo, um amplificador (23) baseado num espelho de corrente e um conversor analógico digital do tipo sigma-delta, fabricados em tecnologia CMOS.
  8. 8 Processo de fabrico de detectores de radiação ou de partículas de alta energia, de acordo com as reivindicações anteriores, baseado no método indirecto caracterizado por a radiação ou as partículas de alta energia serem primeiro convertidas em luz visível, por intermédio de cintiladores (30), consistindo num processo fotolitográfico, com formação de cavidades num verniz fotossensível (40), por intermédio de uma máscara e luz ultravioleta.
  9. 9 Um processo de fabrico de detectores de radiação ou de partículas de alta energia, de acordo com a reivindicação anterior, caracterizado por consistir nos seguintes passos:
    colocação dos cintiladores nas cavidades do verniz fotossensível;
    - substituição do verniz fotossensível por um material reflector;
    colocação do material reflector sobre o cintilador.
  10. 10 Um processo de fabrico de detectores de radiação ou de partículas de alta energia, de acordo com a reivindicação 8, caracterizado por consistir nos seguintes passos:
    colocação do material reflector nas cavidades; substituição do verniz fotossensível por material cintilador;
    - colocação do material reflector sobre o cintilador.
  11. 11 Um processo de fabrico de detectores de radiação ou de partículas de alta energia, de acordo com as reivindicações 9 e 10, caracterizado por o cintilador poder ser colocado por evaporação, por pressão a quente ou a frio, ou por outra técnica de deposição de material, e pelo reflector também poder ser colocado por evaporação, pulverização catódica, ou por outra técnica de deposição de material.
  12. 12 Utilização de matrizes, de acordo com a reivindicação 7, caracterizada por ser aplicada no fabrico de dispositivos detectores de radiação ou de partículas de alta energia.
  13. 13 Utilização dos dispositivos detectores de radiação ou de partículas de alta energia, de acordo com as reivindicações anteriores, caracterizada por se aplicar à obtenção de imagens radiográficas digitais.
  14. 14 Utilização dos dispositivos detectores de radiação ou de partículas de alta energia, de acordo com as reivindicações anteriores, caracterizada por ser aplicável à análise de imagens radiológicas digitais, no campo da medicina, investigação científica, como por exemplo, mas não exclusivamente à biologia molecular, e dos testes industriais não destrutivos.
    Lisboa, 2 0 0UT. 2005
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