PL99136B1 - Niskoszumny tranzystorowy wzmacniacz wielkiej czestotliwosci z regulacja wzmocnienia i czestotliwosci - Google Patents

Niskoszumny tranzystorowy wzmacniacz wielkiej czestotliwosci z regulacja wzmocnienia i czestotliwosci Download PDF

Info

Publication number
PL99136B1
PL99136B1 PL18883776A PL18883776A PL99136B1 PL 99136 B1 PL99136 B1 PL 99136B1 PL 18883776 A PL18883776 A PL 18883776A PL 18883776 A PL18883776 A PL 18883776A PL 99136 B1 PL99136 B1 PL 99136B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
frequency
gain
control signal
low
output
Prior art date
Application number
PL18883776A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL18883776A priority Critical patent/PL99136B1/pl
Publication of PL99136B1 publication Critical patent/PL99136B1/pl

Links

Landscapes

  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest niskoszumny tran¬ zystorowy wzmacniacz wielkiej czestotliwosci z re¬ gulacja wzmocnienia i czestotliwosci, stosowany w radiokomunikacyjnym torze odbiorczym.W konwencjonalnym torze odbiorczym urzadzen radiokomunikacyjnych niskoszumny wzmacniacz wielkiej czestotliwosci (w.cz.) jest umieszczony na wejsciu, przed mieszaczem i stopniami posredniej czestotliwosci.Najwazniejszymi parametrami toru odbiorczego sa: czulosc — okreslana najmniejszym wykrywal¬ nym przez tor sygnalem w.cz., dynamika — okre¬ slana stosunkiem odbieranych sygnalów: maksy¬ malnego i minimalnego, oraz zakres czestotliwosci odbieranych sygnalów. O parametrach tych decy¬ duje konstrukcja stosowanego wzmacniacza w.cz.Najczesciej wzmacniacz ten jest wykonany w opar¬ ciu o niskoszumne tranzystory i posiada na wejsciu i wyjsciu oraz pomiedzy poszczególnymi stopniami wzmacniajacymi obwody dopasowujace, bedace szerokopasmowymi transformatorami impedancji.Istotnym problemem toru odbiorczego jest sposób regulacji wzmocnienia i czestotliwosci w zakresie odbieranych sygnalów oraz sposób zabezpieczenia od przeciazen energetyczno-mocowych niskoszum¬ nyeh tranzystorów wzmacniacza.Znanym rozwiazaniem toru odbiorczego w.cz., umozliwiajacym realizacje manipulacji wzmocnienia i czestotliwosci oraz zabezpieczajacym tranzystory przed zbyt silnym sygnalem jest uW-1 TTT którym szeregowo wystepuja: ogranicznik mocy, nisko¬ szumny wzmacniacz, filtr z regulacja pasma prze¬ noszonych czestotliwosci oraz tlumik w.cz. Limitery tj.: ogranicznik na wejsciu wzmacniacza oraz tlumik na jego wyjsciu sa zrealizowane na linii transmi¬ syjnej, przewaznie 50-omowej, do której sa równo¬ legle dolaczone co cwierc dlugosci fali diody p-i-n.Zmiana impedancji tych diod, spowodowana zmiana ich napiecia polaryzacji powoduje w miejscu wla¬ czenia diod zmiane impedancji toru przesylowego, a zatem wzrost wspólczynnika odbicia w tym miejscu. Efekt ten jest tym silniejszy im wiecej diod posiada limiter, czyli im wieksza zmiane impedancji toru wywoluja te diody.Tlumik umieszczony na wyjsciu toru odbiorczego nie wplywa na wspólczynnik szumów ukladu przy duzych wzmocnieniach toru. Ogranicznik mocy po¬ woduje z reguly nieznaczne pogorszenie wspólczyn¬ nika szumów o wartosc wynikajaca z tlumienia i z szumów zastosowanych elementów.Filtr umieszczony po wzmacniaczu jest przestra- jany badz mechanicznie — strojnikiem, badz elek¬ trycznie — waraktorem, badz tez magnetycznie -r- granatem typu Y.I.G.Opisana konstrukcja toru niskoszumnego odbior¬ nika w.cz. jest mocno rozbudowana, przez co jest malo efektowna i nieekonomiczna.Niskoszumny wzmacniacz we.dlug wynalazku sklada sie z co najmniej jednego stopnia tranzysto¬ rowego i posiada co najmniej jedna galaz doprowa- 991363 99136 4 dzajaca sygnal regulacji wzmocnienia bezposrednio do wejscia baza-emiter tranzystora dowolnego stop¬ nia wzmacniajacego oraz co najmniej jeden zespól sterujacy, dolaczony do wejscia lub wyjscia tran¬ zystora dowolnego stopnia wzmacniajacego, przy czym zespól sterujacy jest takze polaczony z inna galezia doprowadzajaca sygnal regulacji wzmoc¬ nienia i/lub z galezia doprowadzajaca sygnal regu¬ lacji czestotliwosci. W zespole sterujacym znajduje sie co najmniej jeden element o zmiennej w funkcji zmian sygnalu regulacji wzmocnienia impedancji wlasnej, najkorzystniej dioda p-i-n. i/lub znajduje sie co najmniej jeden element o zmiennej w funkcji zmian sygnalu regulacji czestotliwosci impedancji wlasnej, najkorzystniej waraktor.Wzmacniacz wedlug wynalazku umozliwia uzy¬ skanie w tanszym i bardziej uproszczonym ukladzie takich samych parametrów toru oraz takiego sa¬ mego zakresu regulacji wzmocnienia i czestotliwosci jak w przypadku opisanego toru odbiorczego z ogra¬ nicznikiem na wejsciu oraz z tlumikiem i filtrem na wyjsciu.Wynalazek jest pokazany na przykladzie wyko¬ nania odtworzonym na rysunku, na którym fig 1 przedstawia schemat blokowy wzmacniacza dwu¬ stopniowego, zawierajacego galaz doprowadzajaca sygnal regulacji wzmocnienia bezposrednio do wej¬ scia baza-emiter tranzystora pierwszego stopnia wzmacniajacego oraz posiadajacego zespól sterujacy dolaczony do wyjscia tranzystora drugiego stopnia, a fig. 2 przedstawia schemat ideowy tegoz zespolu sterujacego.Z zaciskiem wejsciowym WE jest polaczony ob¬ wód wejsciowy Zl. Wyjscie tego obwodu jest do¬ laczone do bazy tranzystora Tl pierwszego stopnia wzmacniajacego oraz do galezi 1, zawierajacej sze¬ regowo polaczone: dlawik Dll w.cz. i rezystor Rl.Galaz ta jest dolaczona do zacisku a,-, do którego jest doprowadzony sygnal regulacji wzmocnienia.Kolektor tranzystora Tl jest polaczony poprzez obwód dopasowujacy Z2 z baza tranzystora T2 dru¬ giego stopnia wzmacniajacego. Do kolektora tran¬ zystora T2 jest dolaczony inny obwód dopasowu¬ jacy Z3. Jedno wyjscie tego obwodu jest polaczone poprzez kondensator sprzedajacy Cl z obwodem Z4 zawierajacym diode p-i-n. D, którego jedno wyjscie jest polaczone z masa ukladu, zas drugie z inna galezia 2, zawierajaca szeregowo polaczone: dlawik Dl2 w.cz. oraz rezystor R2, przy czym galaz ta jest dolaczona do zacisku a.Drugie wyjscie obwodu Z3 jest dolaczone, poprzez inny kondensator sprzegajacy C2, do obwodu Z5 zawierajacego waraktor W, przy czym jedno wyjscie obwodu Z5 jest dolaczone do zacisku wyjsciowego WY wzmacniacza, drugie zas jest polaczone z ga¬ lezia 3, do której zacisku b jest doprowadzony syg¬ nal regulacji czestotliwosci. W galezi 3 znajduja sie szeregowo polaczone: dlawik Dl3 w.cz. oraz rezystor R3. Obwody Z3, Z4, Z5 wraz z kondensa¬ torami sprzegajacymi Cl i C2 tworza zespól steru¬ jacy K, który lacznie z tranzystorami Tl i T2 i ob¬ wodami Zl i Z2 stanowi tor wielkiej czestotliwosci wzmacniacza.W przedstawionym przykladzie wzmacniacza obwód wejsciowy Zl jest transformatorem dopaso¬ wujacym szerokopasmowo impedancje zródla zasi¬ lania do optymalnej" impedancji, przy której pier¬ wszy stopien wzmacniacza posiada najmniejszy wspólczynnik szumów, zas obwód Z2 jest szeroko- S pasmowym transformatorem dopasowujacym impe¬ dancje wyjsciowa pierwszego stopnia wzmacniaja¬ cego do impedancji wejsciowej stopnia drugiego.Obwód dopasowujacy Z3, bedacy równiez szero¬ kopasmowym transformatorem impedancji oraz io obwód Z4 realizuja dopasowanie energetyczne toru w.cz. na wyjsciu tranzystora T2, przy czym obwód Z4 steruje to dopasowanie w funkcji zmian sygnalu regulacji wzmocnienia. Elementem czynnym, od¬ dzialywujacym na impedancje toru widziana na wyjsciu tranzystora T2 moze byc praktycznie kazdy element zmieniajacy wlasna impedancje w funkcji zmian sygnalu regulacji wzmocnienia. Najlepiej do tego celu nadajacym sie elementem jest dioda p-i-n.Obwód Z5 jest wyjsciowym waskopasmowym fil- trem w.cz. ksztaltujacym charakterystyke przeno¬ szenia wzmacniacza, przestrajanym waraktorem W w funkcji zmian doprowadzonego do zacisku b sy¬ gnalu regulacji czestotliwosci, dopasowanym na wejsciu i wyjsciu poprzez transformatory impe- dancji nie uwidocznione na rysunku.Schemat ideowy zespolu sterujacego K jest przed¬ stawiony na fig. 2. Zespól ten zawiera jedna diode p-i-n. D, sluzaca do regulacji wzmocnienia oraz jeden waraktor W do regulacji czestotliwosci toru.Transformatory o przekladniach 1: ni i 1: m dopa¬ sowuja rezystancje dynamiczna zespolu K do obcia¬ zen, odpowiednio: na jego wejsciu i wyjsciu. Na¬ tomiast transformator o przekladni 1: m separuje wplyw oddzialywania regulacji wzmocnienia na regulacje czestotliwosci i odwrotnie, przy czym ni, n2 i n3 sa liczbami rzeczywistymi.Bezposrednie umieszczenie diody p-i-n. w torze wzmacniacza pozwala zwiekszyc efekty tlumienia w stosunku do tlumienia wystepujacego przy zasto- 40 sowaniu tej samej diody zarówno w tlumiku jak i w ograniczniku znanego toru odbiorczego, o war¬ tosc wynikajaca z przekladni transformatorów do¬ pasowujacych zespolu sterujacego K. Efekt ten jest dodatkowo poprawiony dzieki zastosowaniu galezi ^ doprowadzajacej sygnal regulacji wzmocnienia bez¬ posrednio do wejscia baza-emiter tranzystora dowol¬ nego stopnia wzmacniajacego.Dowolnosc w doborze wartosci rezystorów Rl i R2 dzielnika toru regulacji wzmocnienia pozwala _- ustalic kompromis miedzy wartosciami wspólczyn- nika szumów a wartosciami wzmocnienia toru w.cz.Ponadto uklad wedlug wynalazku daje mozliwosc wprowadzenia automatyki przy regulacji wzmoc¬ nienia i czestotliwosci, co stwarza szeroki zakres jego zastosowania. Miedzy innymi uklad ten moze byc uzyty jako czynny filtr z idealnie plaska cha¬ rakterystyka przenoszenia sygnalu w.cz. PL

Claims (3)

  1. Zastrzezenia patentowe 60 1. Niskoszumny tranzystorowy wzmacniacz wiel¬ kiej czestotliwosci z regulacja wzmocnienia i czesto¬ tliwosci, skladajacy sie z co najmniej jednego stopnia wzmacniajacego oraz z wejsciowego i wyjsciowego g obwodu dopasowujacego, znamienny tym, ze posiada99 136 co najmniej jedna galaz (1) doprowadzajaca sygnal regulacji wzmocnienia b2zposrednio do wejscia baza-emiter tranzystora (Tl) dowolnego stopnia wzmacniajacego, oraz co najmniej jeden zespól ste¬ rujacy (K) dolaczony do wejscia lub wyjscia tran¬ zystora (T2) dowolnego stopnia wzmacniajacego, przy czym zespól sterujacy (K) jest ponadto po¬ laczony z inna galezia (2) doprowadzajaca sygnal regulacji wzmocnienia i/lub z galezia (3) doprowa¬ dzajaca sygnal regulacji czestotliwosci.
  2. 2. Niskoszumny wzmacniacz wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze zespól sterujacy (K) zawiera co najmniej jeden element (D) o zmiennej w funkcji zmian sygnalu regulacji wzmocnienia impedancji wlasnej, najkorzystniej diode p-i-n. i/lub co naj¬ mniej jeden element (W) o zmiennej w funkcji zmian sygnalu regulacji czestotliwosci impedancji wlasnej, najkorzystniej waraktor. 10 ^1 fL9.1 i-a, LC4 4 (Ik ,C2 4 nL i 2* fi
  3. 3.Z PL
PL18883776A 1976-04-15 1976-04-15 Niskoszumny tranzystorowy wzmacniacz wielkiej czestotliwosci z regulacja wzmocnienia i czestotliwosci PL99136B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL18883776A PL99136B1 (pl) 1976-04-15 1976-04-15 Niskoszumny tranzystorowy wzmacniacz wielkiej czestotliwosci z regulacja wzmocnienia i czestotliwosci

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL18883776A PL99136B1 (pl) 1976-04-15 1976-04-15 Niskoszumny tranzystorowy wzmacniacz wielkiej czestotliwosci z regulacja wzmocnienia i czestotliwosci

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL99136B1 true PL99136B1 (pl) 1978-06-30

Family

ID=19976454

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL18883776A PL99136B1 (pl) 1976-04-15 1976-04-15 Niskoszumny tranzystorowy wzmacniacz wielkiej czestotliwosci z regulacja wzmocnienia i czestotliwosci

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL99136B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100480071B1 (ko) 가변 감쇠기
JP3041806B2 (ja) Fetのソース‐ドレイン伝導路を使用した非線形性発生器
US4158814A (en) Automatic overload protection system
EP1618653B1 (en) Radio frequency limiter circuit
US5307026A (en) Variable gain RF amplifier with linear gain control
EP2008361B1 (en) Variable attenuation of broadband differential signals using pin diodes
US4378536A (en) High power, low frequency, electronically adjustable attenuator
JPH0541627A (ja) 高周波減衰回路
CN108233892A (zh) 电压可变衰减器、集成电路和衰减方法
PL99136B1 (pl) Niskoszumny tranzystorowy wzmacniacz wielkiej czestotliwosci z regulacja wzmocnienia i czestotliwosci
US4725767A (en) Phase shifter
US20010028282A1 (en) High-frequency variable attenuator having a controllable reference voltage
JP3442834B2 (ja) 周波数変換装置
EP0601740B1 (en) RF amplifier with linear gain control
US4348643A (en) Constant phase limiter
US4331927A (en) Noninverting amplifier circuit with low input impedance
KR100354166B1 (ko) 저잡음 증폭 장치
US4287491A (en) Circuit for selectively obtaining automatic dynamic compression or expansion
US20060293020A1 (en) Radio frequency receiver including a limiter and related methods
JPH0563624A (ja) セルラー受信機
US3970949A (en) High-frequency automatic gain control circuit
US5892401A (en) Solid state power amplifier with low distortion noise protection limiter
US3503002A (en) Transistor negative impedance amplifier,stable in short circuit,particularly for telephone systems
SU1197050A1 (ru) Широкополосный усилитель
KR0133541Y1 (ko) 가변 감쇄기