PL96826B1 - Urzadzenie kasetowe do epitaksji z fazy cieklej w ukladzie otwartym - Google Patents

Urzadzenie kasetowe do epitaksji z fazy cieklej w ukladzie otwartym Download PDF

Info

Publication number
PL96826B1
PL96826B1 PL18618275A PL18618275A PL96826B1 PL 96826 B1 PL96826 B1 PL 96826B1 PL 18618275 A PL18618275 A PL 18618275A PL 18618275 A PL18618275 A PL 18618275A PL 96826 B1 PL96826 B1 PL 96826B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
base
epitaxial
seat
plates
solution
Prior art date
Application number
PL18618275A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL18618275A priority Critical patent/PL96826B1/pl
Publication of PL96826B1 publication Critical patent/PL96826B1/pl

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest urzadzenie kasetowe do epitaksji z fazy cieklej w ukladzie otwartym, pozwalajace prowadzic proces wzrostu epitaksjalnego na wielu plytkach podlozowych.Stan techniki. Proces epitaksji z fazy cieklej polega, upraszczajac bardzo zagadnienie, na zalaniu w wysokiej temperaturze plytki podlozowej roztworem epitaksjalnym, skladajacym sie z materialu rozpuszczajacego, na przyklad galu i rozpuszczonego w nim materialu zródla. Na zalanej roztworem epitaksjalnym plytce podlozo¬ wej, w czasie obnizenia temperatury, narasta warstwa epitaksjalna. Spowodowane jest to zmniejszaniem sie rozpuszczalnosci zródla (na przyklad galu) wraz z obnizeniem temperatury ukladu.Znane rozwiazanie urzadzenia kasetowego do wytwarzania warstw epitaksjalnych w procesie epitaksji z fazy cieklej skladajace sie z czesci górnej (zbiorniki) i dolnej (podstawa z plytkami podlozowymi w gniazdach) przesuwanych wzgledem siebie, charakteryzujac sie tym, ze plytki podlozowe ulozone sa poziomo jednoszerego- wo w podstawie kasety. Zalewanie tych plytek roztworem epitaksjalnym nastepuje jednoczesnie przez przesunie¬ cie o scisle okreslona odleglosc odpowiednio rozmieszczonych w czesci górnej zbiorników z roztworem epitaksja¬ lnym na plytki podlozowe, znajdujace sie w gniazdach czesci dolnej. Wada tego urzadzenia jest to, ze w jednym procesie epitaksji stosuje sie niewielka ilosc plytek podlozowych, a ponadto w procesie takim zuzywa sie duze ilosci drogich skladników roztworu epitaksjalnego. Wymaga on równiez duzej pracochlonnosci przygotowania urzadzenia do procesu oraz wysokiej precyzji przy przesuwaniu jego czesci górnej wzgledem dolnej.Inne znane rozwiazanie urzadzenia kasetowego sklada sie z czesci dolnej, w której w odpowiednich gniazdach sa umieszczone jednoszeregowo poziomo ulozone plytki podlozowe, a w czesci górnej znajduje sie jeden zbiornik z roztworem epitaksjalnym. Zalewanie plytek nastepuje przez przesuniecie ponad plytkami zbiornika z roztworem. Podstawowa wada tego rozwiazania technicznego jest to, ze stosuje sie równiez mala ilosc plytek podlozowych w jednym procesie epitaksjalnym oraz to, ze istnieje mozliwosc niezupelnego zalania wszystkich plytek podlozowych, co jest spowodowane krótkim okresem czasu przebywania zbiornika z roztwo¬ rem epitaksjalnym nad plytka podlozowa.Istota wynalazku. Urzadzenie kasetowe wedlug wynalazku sklada sie ze zbiornika i podstawy, polaczo¬ nych ze soba suwliwie poziomo za pomoca prowadnic. Na jednym koncu podstawy znajduje sie gniazdo2 96 826 z plytkami podlozowymi, ustawionymi parami pionowo, a na drugim koncu usytuowany jest ten zbiornik z roztworem epitaksjalnym do procesu epitaksjalnego. Zbiornik ten posiada dno pochyle, w którym w najnizej polozonej czesci wykonany jest otwór prostokatny, umozliwiajacy swobodne splywanie roztworu epitaksjalnego do gniazda z plytkami podlozowymi. Te ostatnie mocowane sa pionowo parami w gniezdzie podstawy, przy pomocy przekladek, dociskanych sruba mocujaca, przechodzaca przez otwory przekladkowe.Natomiast sama sruba mocujaca jest wkrecana jednym swym koncem w gwintowany otwór podstawy, a drugi jej koniec jest jednoczesnie wsuwany w otwór ustalajacy tejze podstawy. I wreszcie ta podstawa posiada otwór mocujacy w czolowym swym boku, stanowiacym równoczesnie scianke gniazda, dla zamontowania znanego preta kwarcowego, którym jest dokonywany przesuw technologiczny tej podstawy dla przesuniecia jej gniazda z plytkami pod unieruchomiony kolkiem oporowym zbiornik z roztworem epitaksjalnym w celu zalania nim plytek podlozowych. Moze byc dokonany przesuw technologiczny w przeciwnym kierunku do poprzednie¬ go—zbiornika z roztworem epitaksjalnym (przy pomocy tego preta zamontowanego dla odmiany w otworze mocujacym w tym zbiorniku), wykonany wzgledem unieruchomionej podstawy za posrednictwem kolka oporowego, wspawanetjo odpowiednio korzystnie w lawe kwarcowa znana jednym koncem i opartego drugim koncem o scianke czolowa gniazda podstawy urzadzenia wedlug wynalazku dla dokonania procesu epitaksjalne- •* ¦ -•*«¦ ¦&¦ go, ¦••**¦-.Urzadzenie to pozwala stosowac wielokrotnie wiecej plytek podlozowych w jednym procesie epitaksjal¬ nym w odniesieniu do znanych urzadzen kasetowych wykorzystujacych poziome ulozenie plytek podlozowych.Mniej zuzywa sie drogich skladników roztworu epitaksjalnego na jedna warstwe epitaksjalna.Mniejsze jest zuzycie materialu na wykonanie urzadzenia wedlug wynalazku w porównaniu ze znanymi urzadzeniami wykorzystujacymi poziome ulozenie plytek podlozowych.Dalej przedmiotowe urzadzenie pozwala na zwiekszenie powierzchni uzytecznej plytek podlozowych ze wzgledu na mniejsze straty na ich mocowanie i mniejsze prawdopodobienstwo na zwilzanie tych plytek roztworem epitaksjalnym.Pewnosc i latwosc poslugiwania sie urzadzeniem wedlug wynalazku podczas prowadzenia procesu.Przyklad wykonania. Urzadzenie wedlug wynalazku jest przedstawione na rysunku, na którym fig. 1 — po¬ kazuje widok z góry, fig. 2 — przekrój podluzny wedlug linii przekroju A—A, fig. 3 — przekrój poprzeczny B-B przez gniazdo z zamocowanymi plytkami podlozowymi, fig. 4 - przekrój poprzeczny — C—C a fig. 5 — przekrój podluzny wsunietego w rure reakcyjna kwarcowa urzadzenia kasetowego z roztworem epitaksjalnym w zbiorni¬ ku i plytkami podlozowymi w gniezdzie w piecu oporowym.Urzadzenie kasetowe wykonane jest z materialu odpornego na temperature i nie wprowadzajacego zanieczyszczen podczas procesu epitaksji. Takie warunki spelniaja na przyklad grafit o odpowiedniej czystosci i azotek boru.W podstawie 1 w jednym jej koncu wykonane jest gniazdo 5, w którym umieszczone sa pionowo parami plytki podlozowe 3. Kazda para plytek podlozowych 3 posiada nie pokazano na rysunku wykonana z grafitu lub kwarcu cienka wkladke, wlaczona miedzy plytki podlozowe 3 kazdej pary, przy czym powierzchnia wkladki jest taka sama jak powierzchnia plytki podlozowej. Wkladki te zapobiegaja zrastaniu sie plytek podlozowych 3 podczas procesu epitaksjalnego.Jak pokazano na fig. 1 i 2 rysunku zlozone parami plytki podlozowe 3 umocowane sa przy pomocy przekladek 4, sciskanych sruba mocujaca 6 która jednym koncem wkrecona jest w otwór gwintowany 7, przechodzi przez otwory w przekladkach 11, a drugi jej koniec wchodzi jednoczesnie w otwór ustalajacy 8.Na drugim przeciwleglym do usytuowanego gniazda 5 koncu podstawy 1 umieszczony jest suwliwie przy pomocy wzdluznych prowadnic zbiornik 2 na roztwór epitaksjalny 15. Zbiornik ten posiada dno pochyle 9, z otworem prostokatnym 10 w najnizej polozonym jego miejscu, jak przedstawione jest na fig. 3 i 4 rysunku* Na figurze 5 przedstawione jest urzadzenie kasetowe do epitaksji umieszczone w piecu oporowym znanym 14 w znanej rurze reakcyjnej kwarcowej 13 na znanej lawie kwarcowej 19. Ta rura jest wykonana w ten sposób, ze istnieje mozliwosc przepuszczania przez nia gazu obojetnego oraz zamkniecie tejze rury pokrywa 18 celem zapewnienia odpowiedniej szczelnosci ukladu. Wzajemne ulozenie podstawy 1 z gniazdem 5 z jego plytkami podlozowymi 3 i zbiornika 2 z roztworem epitaksjalnym 15 w pozycji wyjsciowej do procesu epitaksjalnego jest pokazane na fig. 5 rysunku.Gdy temperatura pieca ustali sie na zadanej wartosci, przesuwa sie o wyskalowana odleglosc w prawo wedlug fig. 5 rysunku-podstawe 1 z przygotowanymi plytkami podlozowymi 3 w gniezdzie 5 wzgledem zbiornika 2, unieruchomionego kolkiem oporowym 16. Wskutek tego przesuniecia zbiornik 2 znajdzie sie nad gniazdem 5. W tym momencie przygotowany roztwór epitaksjalny 15 przeleje sie ze zbiornika 2 do tego gniazda, zalewajac plytki podlozowe 3. Otwór prostokatny 10 i dno pochyle 9 tego zbiornika zapewniaja równomierne zalanie tych plytek podlozowych oraz calkowite wylanie roztworu epitaksjalnego 15 z powyzszego zbiornika.96 826 3 Przesuwu podstawy 1 wzgledem unieruchomionego zbiornika 2 dokonuje sie mechaniczne lub elektroma¬ gnetycznie w obydwu kierunkach przy pomocy znanego preta kwarcowego 17, zamontowanego jednym swym koncem w otworze mocujacym 12 i przechodzacego drugim swym koncem przez pokrywe zamykajaca 18. Ten przesuw moze byc,wykonany przeciwnie w lewo wedlug fig. 5 rysunku, to jest, przesuwny jest zbiornik 2, przy pomocy tego preta kwarcowego polaczonego z tym zbiornikiem nad gniazdo 5 z plytkami podlozowymi unieruchomionej analogicznie podstawy 1 za pomoca kolka oporowego znanego 16, zamocowanego w znanej lawie kwarcowej 19.Powolne obnizanie temperatury powoduje narastanie z roztworu epitaksjalnego 15 warstw epitaksjalnych na plytkach podlozowych 13.Po zakonczeniu procesu epitaksji zdjecie pokrywy zamykajacej 18 z rury reakcyjnej kwarcowej 13 pozwala na wyjecie z rury urzadzenia kasetowego i nastepnie wyjecie plytek podlozowych 3 z,gniazda 5 podstawy 1 urzadzenia wedlug wynalazku. PL

Claims (5)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Urzadzenia kasetowe do epitaksji z fazy cieklej w ukladzie otwartym, pozwalajace prowadzic proces wzrostu epitaksjalnego na wielu plytkach podlozowych, posiadajace czesc górna ze zbiornikami jednoszeregowo ustawionymi na roztwór epitaksjalny, nasuwna przy pomocy prowadnic na czesc dolna z analogicznymi jednoszeregowymi gniazdami na plytki podlozowe dla zalania tych ostatnich roztworem epitaksjalnym, znamienne tym, ze zbiornik (2) polaczony jest suwliwie za pomoca wzdluznych prowadnic z podstawa (1) w jednym koncu której jest wykonane gniazdo (5) z ustawionymi pionowo plytkami podlozowymi (3), zas na drugim jej koncu jest usytuowany ten zbiornik z roztworem epitaksjalnym (15) do procesu epitaksjalnego.
  2. 2. Urzadzenie wedlug zastrz. 1,znamienne tym, ze zbiornik (2) posiada dno pochyle (9), w którym w najnizszej czesci wykonany jest otwór prostokatny (10), umozliwiajacy swobodne splywanie roztworu epitaksjalnego (15) do gniazda (5) z plytkami podlozowymi (3).
  3. 3. Urzadzenie wedlug zastrz. 1 albo 2, znamienne tym, ze plytki podlozowe (3) mocowane sa parami w gniezdzie (5) podstawy (1) pionowo przy pomocy przekladek (4), dociskanych sruba mocujaca (6), przechodzaca przez otwory przekladkowe (11).
  4. 4. Urzadzenie wedlug zastrz. 1 albo 2, albo 3, znamienne t y m, ze sruba mocujaca (6) jest wkrecana jednym swym koncem w gwintowany otwór (7) podstawy (1), a drugi jej koniec jest jednoczesnie wsuwany do otworu ustalajacego (8) tej podstawy.
  5. 5. Urzadzenie wedlug zastrz. 1 albo 2, znamienne tym, ze w czolowej sciance gniazda (5) podsta¬ wy (1) jest wykonany otwór mocujacy (12) dla zamontowania znanego preta kwarcowego (17), którym dokony¬ wany jest przesuw technologiczny tej podstawy wzgledem unieruchomionego zbiornika (2) znanym kolkiem oporowym (16), wspawanym w znanej rurze reakcyjnej (13) i odwrotnie ten przesuw moze byc dokonany wzgle¬ dem unieruchomionej podstawy (1) zbiornika (2) z roztworem epitaksjalnym w stosunku do unieruchomionej podstawy (1) w przeciwnym kierunku po odpowiednim przestawieniu znanych preta kwarcowego (17) pola¬ czonego z tym zbiornikiem i kolka oporowego (16) wspawanego korzystnie w lawe kwarcowa (19) od strony gniazda (5) podstawy (1) opierajacego sie o czolowa scianke tego gniazda.96 326 Prac. Poligraf. UP PRL naklad 120 + 18 Cena Ab zl PL
PL18618275A 1975-12-31 1975-12-31 Urzadzenie kasetowe do epitaksji z fazy cieklej w ukladzie otwartym PL96826B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL18618275A PL96826B1 (pl) 1975-12-31 1975-12-31 Urzadzenie kasetowe do epitaksji z fazy cieklej w ukladzie otwartym

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL18618275A PL96826B1 (pl) 1975-12-31 1975-12-31 Urzadzenie kasetowe do epitaksji z fazy cieklej w ukladzie otwartym

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL96826B1 true PL96826B1 (pl) 1978-01-31

Family

ID=19975090

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL18618275A PL96826B1 (pl) 1975-12-31 1975-12-31 Urzadzenie kasetowe do epitaksji z fazy cieklej w ukladzie otwartym

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL96826B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69623962T2 (de) Verfahren und vorrichtung zum epitaktischen wachstum mittels cvd
EP2126161B1 (de) Vorrichtung und verfahren zum abscheiden kristalliner schichten wahlweise mittels mocvd oder hvpe
DE69325983T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Dampfabscheidung
DE3901042A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines halbleiter-schichtsystems
CN101578386A (zh) 将前体层转换成光伏吸收体的方法和装置
US4501636A (en) Apparatus for etching vertical junction solar cell wafers
Wald Crystal Growth of Silicon Ribbons: For Terrestrial Solar Cells by the EFG Method
PL96826B1 (pl) Urzadzenie kasetowe do epitaksji z fazy cieklej w ukladzie otwartym
Beneking et al. Characterization of GaAs epitaxial layers grown in a radiation heated Mo-CVD reactor
US4334948A (en) Method of and apparatus for growing crystal ribbon
US4338877A (en) Apparatus for making semiconductor devices
CN111962146A (zh) 水平液相外延石墨舟、生长系统、外延方法和生长方法
GB2036590A (en) Process and apparatus for the production of ga a1 as:si epitaxial coatings
JPS55163835A (en) Selective liquid phase growth of on semiconductor region
Benz et al. Growth of binary III–V semiconductors from metallic solutions
CN120231121B (zh) 一种用于镓铟系合金液相外延生长的石墨舟
RU2610050C2 (ru) Установка для выращивания из жидкой фазы наногетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками
JPS6311597A (ja) 液相エピタキシヤル成長方法及びその装置
DE19700867A1 (de) Vorrichtung zur Halbleiterherstellung
JPS58120600A (ja) 3―v族化合物半導体のエピタキシカル成長方法
KR830002291B1 (ko) 반도체 재료의 에피택샬층 형성장치
DE2334306A1 (de) Vorrichtung zur herstellung von epitaktischen schichten auf substraten aus verbindungshalbleiter-material
JPS5651823A (en) Liquid-phase growth apparatus
JPS63159290A (ja) 液相エピタキシャル成長方法
JPS56114316A (en) Boat for liquid phase epitaxial growth