PL90827B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL90827B1 PL90827B1 PL16887974A PL16887974A PL90827B1 PL 90827 B1 PL90827 B1 PL 90827B1 PL 16887974 A PL16887974 A PL 16887974A PL 16887974 A PL16887974 A PL 16887974A PL 90827 B1 PL90827 B1 PL 90827B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- transistor
- input
- collective
- signal
- analog signal
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest uklad formowania zbior¬ czego sygnalu analogowego z dowolnej ilosci sygnalów wejsciowych.Znane uklady formowania zbiorczego sygnalu analogo¬ wego z kilku badz kilkunastu sygnalów wejsciowych skla¬ daja sie z zespolu zestyków hermetycznych zalaczajacych zaleznie od sygnalu sterujacego odpowiedni sygnal na szyny zbiorcze skad zbiorczy sygnal analogowy przekazy¬ wany jest dalej. Uklad taki charakteryzuje sie duza iloscia elementów stykowych co z uwagi na niezawodnosc i szyb¬ kosc pracy ogranicza jego zastosowanie wrozbudowanych wielowejsciowyeh ukladach formowania zbiorczego sy¬ gnalu analogowego.Uklad wedlug wynalazku charakteryzuje sie tym, ze zbudowany jest jako bezstykowy na elementach pólprze¬ wodnikowych. Uklad posiada dowolna liczbe obwodów wejsciowych, z których kazdy sklada sie z tranzystora sterowanego przez rezystor wejsciowym sygnalem analo¬ gowym, zespolu rezystorów ustalajacych punkt pracy tego tranzystora, dwóch diodpolaczonyehszeregowo laczacych emiter tranzystora wejsciowego z baza tranzystora zbior¬ czego, do którego dochodza sygnaly ze wszystkich obwo¬ dów wejsciowych. Dopunktulaczacegowspomniane diody wlaczony jest kolektor tranzystora sterujacego, do którego sygnal sterujacydochodzi poprzez rezystor polaczony z je¬ go baza.Przyklad wykonania wynalazku jest odtworzony na ry¬ sunku, który jest schematem ideowym elektronicznego ukladu formowania, Uklad posiada 10 obwodów wejsciowych, z których kazdy sklada sie z tranzystora T sterowanego przez rezys¬ tor Ri odpowiednim sygnalem analogowym 10, II, 12,..., 19 z czujnika pomiarowego. Punkt pracy tranzystora T usta¬ lony jest poprzez rezystory R2 i R3 laczace odpowiednio emiter i kolektor tranzystora I z biegunami zasilania.Emiter tranzystora I polaczony jest poprzez dwie szerego¬ we diody Di i D2 z baza tranzystora zbiorczego Z, do którego dochodza sygnaly ze wszystkich 10 obwodów wej¬ sciowych. Do punktu laczacego wspomniane diody wla¬ czony jest kolektor tranzystora sterujacego K, do którego sygnal sterujacy S0, SI, S2,..., S9 dochodzi poprzez rezys¬ tor R4 polaczony z jego baza. Cyfrowe sygnaly sterujace wybieraja jeden sygnal analogowy z dziesieciu obwodów wejsciowych. Wybrany sygnal podawanyjestna baze tran¬ zystora Z. Dla wybranego wejscia analogowego sygnal sterujacy wynosi zera logiczne, a dla wszystkich pozosta¬ lych logiczna jedynke. W zwiazku z tym sygnal wyjsciowy I bedzie mial wartosc jednego z sygnalów 10, II, 12, . ., 19 zaleznie od wartosci sygnalów sterujacych S0, SI, S2, ..., S9: Uklad wedlug wynalazku specjalnie nadaje sie do wyboru punktów pomiarowych w systemach centralnej rejestracji pomiarów. ,) wejscio¬ wym sygna.em analogowym (10, II, 12,.... IN), przy czym emiter wspomnianego tranzystora (T) polaczony jest po- przez dwie szeregowe diody (DO i (D2) z baza tranzystora » zbiorczego (Z), do którego doprowadzane sa sygnaly ze wszystkich obwodów wejsciowych, a wspólny zacisk obu diod polaczony jest z kolektorem tranzystora (K) sterowa¬ nego sygnalem cyfrowym poprzez rezystor (B<) polaczony z baza wspomnianego tranzystora (K).Sklad wykonano w DSP, zam. 123U Druk w UP PRL, naklad 125 + 20 egz. rna »l 10 - PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Uklad formowania zbiorczego sygnalu analogowego z wybieraniem cyfrowym zbudowany na elementach pól- 30 przewodnikowych, znamienny tym, ze posiada dowolna 9082790827 liczbe obwodów wejsciowych, z których kazdy sklada s.e z ranzystora (T) sterowanego przez rezystor (* PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL16887974A PL90827B1 (pl) | 1974-02-18 | 1974-02-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL16887974A PL90827B1 (pl) | 1974-02-18 | 1974-02-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL90827B1 true PL90827B1 (pl) | 1977-01-31 |
Family
ID=19966114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL16887974A PL90827B1 (pl) | 1974-02-18 | 1974-02-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL90827B1 (pl) |
-
1974
- 1974-02-18 PL PL16887974A patent/PL90827B1/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3750674D1 (de) | Halbleiterintegrierte Schaltung mit Prüffunktion. | |
| CA985739A (en) | Contacting integrated circuit chip terminal through the wafer kerf | |
| FR2472270B1 (fr) | Circuit integre semi-conducteur ayant des circuits generateurs de signaux de commande | |
| DE3788586D1 (de) | Schaltung zur Prüfung des Eingangsspannungssignals für eine halbleiterintegrierte Schaltung. | |
| DE3773078D1 (de) | Integrierte halbleiterschaltung mit testschaltung. | |
| DE3882445D1 (de) | Halbleiterspeichergeraet mit fehlerpruefschaltung. | |
| JPS52101910A (en) | Signal converting ic circuit dependent on writing state | |
| FR2293746A1 (fr) | Circuit de controle de la temperature d'un semi-conducteur | |
| DE3879813D1 (de) | Integrierte halbleiterschaltung mit signallinien. | |
| DE3787357D1 (de) | Steuerschaltung für Halbleiterspeicher. | |
| DE3889584D1 (de) | Ausgangspuffer für MOS-integrierte Halbleiterschaltung. | |
| PL90827B1 (pl) | ||
| DE3853980D1 (de) | Taktsteuerung für digitale integrierte Schaltung hoher Geschwindigkeit. | |
| DE3853615D1 (de) | Integrierte Halbleiterschaltung mit mehreren Taktschaltkreisen. | |
| SE412671B (sv) | Halvledarkrets. | |
| FR2544859B1 (fr) | Dispositif autoalimente de commutation sensible a un gradient de temperature | |
| DE68909748D1 (de) | Integriertes Schaltungsgerät auf Halbleiterscheibenskala. | |
| JPS54161381A (en) | Temperature detector | |
| NL174600C (nl) | Geintegreerde halfgeleiderversterkerschakeling. | |
| JPS57133644A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| SU387293A1 (ru) | Матричный регистратор гальванических | |
| SU394851A1 (ru) | УСТРОЙСТВО дл УПРАВЛЕНИЯ БУКВЕННО-ЦИФРОВЫЛ! ИНДИКАТОРОМ | |
| JPS5378131A (en) | Semiconductor memory element | |
| ATE84169T1 (de) | Schaltungsanordung zur identifikation integrierter halbleiterschaltkreise. | |
| SU1174917A1 (ru) | Устройство дл ввода информации |