PL90827B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL90827B1
PL90827B1 PL16887974A PL16887974A PL90827B1 PL 90827 B1 PL90827 B1 PL 90827B1 PL 16887974 A PL16887974 A PL 16887974A PL 16887974 A PL16887974 A PL 16887974A PL 90827 B1 PL90827 B1 PL 90827B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
transistor
input
collective
signal
analog signal
Prior art date
Application number
PL16887974A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL16887974A priority Critical patent/PL90827B1/pl
Publication of PL90827B1 publication Critical patent/PL90827B1/pl

Links

Landscapes

  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest uklad formowania zbior¬ czego sygnalu analogowego z dowolnej ilosci sygnalów wejsciowych.Znane uklady formowania zbiorczego sygnalu analogo¬ wego z kilku badz kilkunastu sygnalów wejsciowych skla¬ daja sie z zespolu zestyków hermetycznych zalaczajacych zaleznie od sygnalu sterujacego odpowiedni sygnal na szyny zbiorcze skad zbiorczy sygnal analogowy przekazy¬ wany jest dalej. Uklad taki charakteryzuje sie duza iloscia elementów stykowych co z uwagi na niezawodnosc i szyb¬ kosc pracy ogranicza jego zastosowanie wrozbudowanych wielowejsciowyeh ukladach formowania zbiorczego sy¬ gnalu analogowego.Uklad wedlug wynalazku charakteryzuje sie tym, ze zbudowany jest jako bezstykowy na elementach pólprze¬ wodnikowych. Uklad posiada dowolna liczbe obwodów wejsciowych, z których kazdy sklada sie z tranzystora sterowanego przez rezystor wejsciowym sygnalem analo¬ gowym, zespolu rezystorów ustalajacych punkt pracy tego tranzystora, dwóch diodpolaczonyehszeregowo laczacych emiter tranzystora wejsciowego z baza tranzystora zbior¬ czego, do którego dochodza sygnaly ze wszystkich obwo¬ dów wejsciowych. Dopunktulaczacegowspomniane diody wlaczony jest kolektor tranzystora sterujacego, do którego sygnal sterujacydochodzi poprzez rezystor polaczony z je¬ go baza.Przyklad wykonania wynalazku jest odtworzony na ry¬ sunku, który jest schematem ideowym elektronicznego ukladu formowania, Uklad posiada 10 obwodów wejsciowych, z których kazdy sklada sie z tranzystora T sterowanego przez rezys¬ tor Ri odpowiednim sygnalem analogowym 10, II, 12,..., 19 z czujnika pomiarowego. Punkt pracy tranzystora T usta¬ lony jest poprzez rezystory R2 i R3 laczace odpowiednio emiter i kolektor tranzystora I z biegunami zasilania.Emiter tranzystora I polaczony jest poprzez dwie szerego¬ we diody Di i D2 z baza tranzystora zbiorczego Z, do którego dochodza sygnaly ze wszystkich 10 obwodów wej¬ sciowych. Do punktu laczacego wspomniane diody wla¬ czony jest kolektor tranzystora sterujacego K, do którego sygnal sterujacy S0, SI, S2,..., S9 dochodzi poprzez rezys¬ tor R4 polaczony z jego baza. Cyfrowe sygnaly sterujace wybieraja jeden sygnal analogowy z dziesieciu obwodów wejsciowych. Wybrany sygnal podawanyjestna baze tran¬ zystora Z. Dla wybranego wejscia analogowego sygnal sterujacy wynosi zera logiczne, a dla wszystkich pozosta¬ lych logiczna jedynke. W zwiazku z tym sygnal wyjsciowy I bedzie mial wartosc jednego z sygnalów 10, II, 12, . ., 19 zaleznie od wartosci sygnalów sterujacych S0, SI, S2, ..., S9: Uklad wedlug wynalazku specjalnie nadaje sie do wyboru punktów pomiarowych w systemach centralnej rejestracji pomiarów. ,) wejscio¬ wym sygna.em analogowym (10, II, 12,.... IN), przy czym emiter wspomnianego tranzystora (T) polaczony jest po- przez dwie szeregowe diody (DO i (D2) z baza tranzystora » zbiorczego (Z), do którego doprowadzane sa sygnaly ze wszystkich obwodów wejsciowych, a wspólny zacisk obu diod polaczony jest z kolektorem tranzystora (K) sterowa¬ nego sygnalem cyfrowym poprzez rezystor (B<) polaczony z baza wspomnianego tranzystora (K).Sklad wykonano w DSP, zam. 123U Druk w UP PRL, naklad 125 + 20 egz. rna »l 10 - PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Uklad formowania zbiorczego sygnalu analogowego z wybieraniem cyfrowym zbudowany na elementach pól- 30 przewodnikowych, znamienny tym, ze posiada dowolna 9082790827 liczbe obwodów wejsciowych, z których kazdy sklada s.e z ranzystora (T) sterowanego przez rezystor (* PL
PL16887974A 1974-02-18 1974-02-18 PL90827B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16887974A PL90827B1 (pl) 1974-02-18 1974-02-18

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16887974A PL90827B1 (pl) 1974-02-18 1974-02-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL90827B1 true PL90827B1 (pl) 1977-01-31

Family

ID=19966114

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL16887974A PL90827B1 (pl) 1974-02-18 1974-02-18

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL90827B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3750674D1 (de) Halbleiterintegrierte Schaltung mit Prüffunktion.
CA985739A (en) Contacting integrated circuit chip terminal through the wafer kerf
FR2472270B1 (fr) Circuit integre semi-conducteur ayant des circuits generateurs de signaux de commande
DE3788586D1 (de) Schaltung zur Prüfung des Eingangsspannungssignals für eine halbleiterintegrierte Schaltung.
DE3773078D1 (de) Integrierte halbleiterschaltung mit testschaltung.
DE3882445D1 (de) Halbleiterspeichergeraet mit fehlerpruefschaltung.
JPS52101910A (en) Signal converting ic circuit dependent on writing state
FR2293746A1 (fr) Circuit de controle de la temperature d&#39;un semi-conducteur
DE3879813D1 (de) Integrierte halbleiterschaltung mit signallinien.
DE3787357D1 (de) Steuerschaltung für Halbleiterspeicher.
DE3889584D1 (de) Ausgangspuffer für MOS-integrierte Halbleiterschaltung.
PL90827B1 (pl)
DE3853980D1 (de) Taktsteuerung für digitale integrierte Schaltung hoher Geschwindigkeit.
DE3853615D1 (de) Integrierte Halbleiterschaltung mit mehreren Taktschaltkreisen.
SE412671B (sv) Halvledarkrets.
FR2544859B1 (fr) Dispositif autoalimente de commutation sensible a un gradient de temperature
DE68909748D1 (de) Integriertes Schaltungsgerät auf Halbleiterscheibenskala.
JPS54161381A (en) Temperature detector
NL174600C (nl) Geintegreerde halfgeleiderversterkerschakeling.
JPS57133644A (en) Semiconductor integrated circuit device
SU387293A1 (ru) Матричный регистратор гальванических
SU394851A1 (ru) УСТРОЙСТВО дл УПРАВЛЕНИЯ БУКВЕННО-ЦИФРОВЫЛ! ИНДИКАТОРОМ
JPS5378131A (en) Semiconductor memory element
ATE84169T1 (de) Schaltungsanordung zur identifikation integrierter halbleiterschaltkreise.
SU1174917A1 (ru) Устройство дл ввода информации