PL89916B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL89916B1
PL89916B1 PL17330174A PL17330174A PL89916B1 PL 89916 B1 PL89916 B1 PL 89916B1 PL 17330174 A PL17330174 A PL 17330174A PL 17330174 A PL17330174 A PL 17330174A PL 89916 B1 PL89916 B1 PL 89916B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
circuit
transistor
resonant circuit
capacitance
power
Prior art date
Application number
PL17330174A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL17330174A priority Critical patent/PL89916B1/pl
Publication of PL89916B1 publication Critical patent/PL89916B1/pl

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)
  • Transmitters (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest wzmacniacz mocy wielkiej czestotliwosci, stosowany zwlaszcza w radiokomu¬ nikacji.
Znany jest wzmacniacz mocy wielkiej czestotliwosci, zawierajacy tranzystor sterujacy polaczony z konco¬ wym tranzystorem mocy za pomoca obwodu rezonansowego skladajacego sie z równolegle polaczonej pojemnos¬ ci z cewka o regulowanej indukcyjnosci, wlaczonego w obwód kolektora tranzystora sterujacego, zas suwak cewki o regulowanej indukcyjnosci jest polaczony, poprzez dzielnik pojemnosciowy oraz cewke o regulowanej indukcyjnosci, z baza koncowego tranzystora mocy. Obwód wyjsciowy koncowego tranzystora mocy, stanowi czwórnik typu n, którego galaz wzdluzna polaczona z kolektorem koncowego tranzystora mocy sklada sie z szeregowego obwodu rezonansowego zawierajacego cewke o regulowanej indukcyjnosci oraz pojemnosci, zas jedna galaz poprzeczna zawiera pojemnosc a druga galaz cewke indukcyjna.
Wada tego wzmacniacza jest male wykorzystanie wlasnosci wzmacniajacych tranzystorów, co powoduje, ze sprawnosc energetyczna takiego wzmacniacza jest stosunkowo niewielka.
Celem wynalazku jest skonstruowanie wzmacniacza mocy wielkiej czestotliwosci, umozliwiajacego zastoso¬ wanie prostego obwodu wyjsciowego dla tranzystora mocy, przy zapewnieniu optymalnych warunków wspólpra¬ cy tranzystora sterujacego i koncowego tranzystora mocy. Cel ten zostal osiagniety w wzmacniaczu wedlug wynalazku, który charakteryzuje sie tym, ze równolegly obwód rezonansowy wlaczony w obwód kolektora tranzystora sterujacego, posiada wspólny punkt dzielonej pojemnosci, polaczony z pojemnoscia szeregowego obwodu rezonansowego, wlaczonego w obwód bazy koncowego tranzystora mocy. Obwód wyjsciowy koncowe¬ go tranzystora mocy stanowi obwód rezonansowy typu L, zawierajacy jeden element strojony.
Tego typu rozwiazanie umozliwia zapewnienie wlasciwych warunków wspólpracy obu tranzystorów przy maksymalnym wykorzystaniu ich wlasciwosci wzmacniajacych. Zastosowanie dwóch dzielonych prostych obwodów rezonansowych sprawia, ze konstrukcja jest bardzo prosta w uruchamianiu. Kazdy z obwodów spelnia scisle okreslona funkcje, a laczne funkcje obu obwodów sa zbiezne. Dlatego tez proces strojenia i dopasowania ukladu jest bardzo prosty, gdyz polega tylko na obserwacji maksimum mocy wyjsciowego ukladu w czasie2 89 916 strojenia obwodów rezonansowych. Maksimum mocy wyjsciowej zapewnia dopasowanie pomiedzy obu tranzys¬ torami.
Dodatkowa zaleta ukladu jest mozliwosc zastosowania uproszczonego rozwiazania obwodu wyjsciowego tranzystora koncowego strojonego za pomoca jednego elementu. Przy zmianie warunków pracy ukladu* na przyklad przy mniejszym poziomie sygnalu sterujacego uklad nie powoduje zmiany impedancji tranzystorów, istnieje mozliwosc ponownego dopasowania pomiedzy tranzystorami bez zmiany ukladu, gdyz przedstawiona uklad posiada szeroki zakres dopasowania impedancji, czego nie zapewniaja w'tak prosty sposób stosowane co i?j pory uklady.
Wynalazek jest uwidoczniony w przykladzie wykonania na rysunku, przedstawiajacym sche/n&t ideowy ukladu wzmacniacza mocy wielkiej czestotliwosci.
Zadaniem szeregowego obwodu rezonansowego zawierajacego indukcyjnosc U i pojemnosc C3 jest skompensowanie impedancji wejsciwej tranzystora T2. Zadaniem równoleglego obwodu zawierajacego indukcyj- nosc Li, pojemnosc Ci i pojemnosc C2 jest zapewnienie warunku rezonansu oraz transformacji rezystancji wejsciowej tranzystora mocy T2 na rezystancje wyjsciowa tranzystora sterujacego Tj. Uzyskuje sie to przez dobór pojemnosci Ci, C2 obwodu rezonansowego. Skladowa bierna impedancji wyjsciowej tranzystora Ti jest skompensowana przez zmiane indukcyjnosci obwodu równoleglego.
Na podstawie ukladu wedlug wynalazku zostal wykonany nadajnik do radiotelefonu przenosnego pracujacego w pasmie czestotliwosci 150—175 kHz. Jako tranzystor sterujacy zastosowano tranzystor Ti, zas jako koncowy tranzystor mocy zastosowano tranzystor T2. Obwód rezonansowy równolegly, skladajacy sie z indukcyjnosci Li, pojemnosci Ci i pojemnosci C2 wykonano na typowym karkasie stosowanym w tym zakresie czestotliwosci. Zmiane indukcyjnosci uzyskano przez wkrecenie rdzenia ferrytowego Podobnie wykonano szeregowy obwód rezonansowy skladajacy sie z indukcyjnosci L2 i pojemnosci C3. Oba tranzystory rezonansowe zostaly umieszczone w kubkach ekranujacycn. Obwód wyjsciowy koncowego tranzystora mocy zrealizowano za pomoca dwóch cewek powietrznych L3 i L* oraz trymera C5. Pojemnosc C4 spelnia role blokady dla sygna¬ lów wielkiej czestotliwosci. S-:l Zrealizowany uklad charakteryzuje sie przede wszystkim bardzo dobrymi parametrami elektrycznymi.
Sprawnosc kolektorowa tranzystorów mocy, dzieki zastosowaniu polaczenia tranzystora sterujacego Tj z koncowym tranzystorem T2 mocy poprzez szeregowy obwód rezonansowy L2 i C3, jest nie mniejsza ni* 75%, co umozliwia osiagniecie sprawnosci energetycznej ukladu nadajnika, zawierajacego wzmacniacz mocy wielkiej czestotliwosci rzedu 50—60%. Ponadto uklad jest bardzo prosty w strojeniu, a tranzystory maja zapewnione bezpieczne warunki pracy, w pelni wykorzystane sa ich wlasciwosci wzmacniajace. 1R Cena 45 zl

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Wzmacniacz mocy wielkiej czestotliwosci zawierajacy tranzystor sterujacy sprzezony poprzez obwód rezonansowy z koncowym tranzystorem mocy, znamienny tym, ze równolegly obwód rezonansowy (Lt, Ci, C2) wlaczony w obwód kolektora tranzystora (Ti) sterujacego, posiada wspólny punkt dzielonej pojemnosci (Ci i C2) polaczony z pojemnoscia (C3) szeregowego obwodu rezonansowego (L2, C3) wlaczonego w obwód bazy koncowego tranzystora (T2) mocy, przy czym w obwód wyjsciowy koncowego tranzystora (T2) mocy jest wlaczony obwód rezonansowy (L4, C5) zawierajacy jeden element strojony. Prac. Poligraf. UP PRL naklad 120-*
PL17330174A 1974-08-07 1974-08-07 PL89916B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL17330174A PL89916B1 (pl) 1974-08-07 1974-08-07

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL17330174A PL89916B1 (pl) 1974-08-07 1974-08-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL89916B1 true PL89916B1 (pl) 1976-12-31

Family

ID=19968538

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL17330174A PL89916B1 (pl) 1974-08-07 1974-08-07

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL89916B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN207638649U (zh) 通信模块
CN101752635A (zh) 一种带宽可控的双频段带通滤波器
CN108712154B (zh) 一种宽带f类功率放大器及设计方法
JPS6439812A (en) Television radio frequency input circuit
CN201608711U (zh) 超高速短波段宽带预选器
JPS56711A (en) Antenna unit
PL89916B1 (pl)
CN114552152A (zh) 一种多模超宽带滤波器及其设计方法
CN221597860U (zh) 一种高效宽带氮化镓射频功率放大器
CN102751960A (zh) 一种应用于lte的射频低通滤波器
CN110708031B (zh) 一种基于等电阻面的微带线e类功率放大器设计方法
US4317231A (en) Microwave circuit for a parametric upper sideband down converter
CN209170310U (zh) 一种用于小型化odu发射通道的本振电路
CN101667816A (zh) 电调滤波器
CN221151321U (zh) 射频功率放大电路和无线通信设备
CN110729975A (zh) 一种磁耦合谐振式无线输电功放系统
CN212572483U (zh) 一种特高频功率放大装置
CN205081200U (zh) 具有宽带匹配的微波带状传输线环行器
CN203301436U (zh) 无源匹配电路的可变感抗器及射频功率放大器
JPS57131101A (en) Waveguide distributor
JPS572117A (en) Tuning circuit
CN213521812U (zh) 一种射频信号处理芯片的低噪声放大器电路
JPS56713A (en) Antenna unit
SU502479A1 (ru) Усилитель мощности
JPS54134976A (en) High-frequency transistor