PL89916B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL89916B1 PL89916B1 PL17330174A PL17330174A PL89916B1 PL 89916 B1 PL89916 B1 PL 89916B1 PL 17330174 A PL17330174 A PL 17330174A PL 17330174 A PL17330174 A PL 17330174A PL 89916 B1 PL89916 B1 PL 89916B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- circuit
- transistor
- resonant circuit
- capacitance
- power
- Prior art date
Links
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001256 tonic effect Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
- Transmitters (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest wzmacniacz mocy wielkiej czestotliwosci, stosowany zwlaszcza w radiokomu¬
nikacji.
Znany jest wzmacniacz mocy wielkiej czestotliwosci, zawierajacy tranzystor sterujacy polaczony z konco¬
wym tranzystorem mocy za pomoca obwodu rezonansowego skladajacego sie z równolegle polaczonej pojemnos¬
ci z cewka o regulowanej indukcyjnosci, wlaczonego w obwód kolektora tranzystora sterujacego, zas suwak
cewki o regulowanej indukcyjnosci jest polaczony, poprzez dzielnik pojemnosciowy oraz cewke o regulowanej
indukcyjnosci, z baza koncowego tranzystora mocy. Obwód wyjsciowy koncowego tranzystora mocy, stanowi
czwórnik typu n, którego galaz wzdluzna polaczona z kolektorem koncowego tranzystora mocy sklada sie
z szeregowego obwodu rezonansowego zawierajacego cewke o regulowanej indukcyjnosci oraz pojemnosci, zas
jedna galaz poprzeczna zawiera pojemnosc a druga galaz cewke indukcyjna.
Wada tego wzmacniacza jest male wykorzystanie wlasnosci wzmacniajacych tranzystorów, co powoduje, ze
sprawnosc energetyczna takiego wzmacniacza jest stosunkowo niewielka.
Celem wynalazku jest skonstruowanie wzmacniacza mocy wielkiej czestotliwosci, umozliwiajacego zastoso¬
wanie prostego obwodu wyjsciowego dla tranzystora mocy, przy zapewnieniu optymalnych warunków wspólpra¬
cy tranzystora sterujacego i koncowego tranzystora mocy. Cel ten zostal osiagniety w wzmacniaczu wedlug
wynalazku, który charakteryzuje sie tym, ze równolegly obwód rezonansowy wlaczony w obwód kolektora
tranzystora sterujacego, posiada wspólny punkt dzielonej pojemnosci, polaczony z pojemnoscia szeregowego
obwodu rezonansowego, wlaczonego w obwód bazy koncowego tranzystora mocy. Obwód wyjsciowy koncowe¬
go tranzystora mocy stanowi obwód rezonansowy typu L, zawierajacy jeden element strojony.
Tego typu rozwiazanie umozliwia zapewnienie wlasciwych warunków wspólpracy obu tranzystorów przy
maksymalnym wykorzystaniu ich wlasciwosci wzmacniajacych. Zastosowanie dwóch dzielonych prostych
obwodów rezonansowych sprawia, ze konstrukcja jest bardzo prosta w uruchamianiu. Kazdy z obwodów spelnia
scisle okreslona funkcje, a laczne funkcje obu obwodów sa zbiezne. Dlatego tez proces strojenia i dopasowania
ukladu jest bardzo prosty, gdyz polega tylko na obserwacji maksimum mocy wyjsciowego ukladu w czasie2 89 916
strojenia obwodów rezonansowych. Maksimum mocy wyjsciowej zapewnia dopasowanie pomiedzy obu tranzys¬
torami.
Dodatkowa zaleta ukladu jest mozliwosc zastosowania uproszczonego rozwiazania obwodu wyjsciowego
tranzystora koncowego strojonego za pomoca jednego elementu. Przy zmianie warunków pracy ukladu* na
przyklad przy mniejszym poziomie sygnalu sterujacego uklad nie powoduje zmiany impedancji tranzystorów,
istnieje mozliwosc ponownego dopasowania pomiedzy tranzystorami bez zmiany ukladu, gdyz przedstawiona
uklad posiada szeroki zakres dopasowania impedancji, czego nie zapewniaja w'tak prosty sposób stosowane co i?j
pory uklady.
Wynalazek jest uwidoczniony w przykladzie wykonania na rysunku, przedstawiajacym sche/n&t ideowy
ukladu wzmacniacza mocy wielkiej czestotliwosci.
Zadaniem szeregowego obwodu rezonansowego zawierajacego indukcyjnosc U i pojemnosc C3 jest
skompensowanie impedancji wejsciwej tranzystora T2. Zadaniem równoleglego obwodu zawierajacego indukcyj-
nosc Li, pojemnosc Ci i pojemnosc C2 jest zapewnienie warunku rezonansu oraz transformacji rezystancji
wejsciowej tranzystora mocy T2 na rezystancje wyjsciowa tranzystora sterujacego Tj. Uzyskuje sie to przez
dobór pojemnosci Ci, C2 obwodu rezonansowego. Skladowa bierna impedancji wyjsciowej tranzystora Ti jest
skompensowana przez zmiane indukcyjnosci obwodu równoleglego.
Na podstawie ukladu wedlug wynalazku zostal wykonany nadajnik do radiotelefonu przenosnego
pracujacego w pasmie czestotliwosci 150—175 kHz. Jako tranzystor sterujacy zastosowano tranzystor Ti, zas
jako koncowy tranzystor mocy zastosowano tranzystor T2. Obwód rezonansowy równolegly, skladajacy sie
z indukcyjnosci Li, pojemnosci Ci i pojemnosci C2 wykonano na typowym karkasie stosowanym w tym zakresie
czestotliwosci. Zmiane indukcyjnosci uzyskano przez wkrecenie rdzenia ferrytowego Podobnie wykonano
szeregowy obwód rezonansowy skladajacy sie z indukcyjnosci L2 i pojemnosci C3. Oba tranzystory rezonansowe
zostaly umieszczone w kubkach ekranujacycn. Obwód wyjsciowy koncowego tranzystora mocy zrealizowano za
pomoca dwóch cewek powietrznych L3 i L* oraz trymera C5. Pojemnosc C4 spelnia role blokady dla sygna¬
lów wielkiej czestotliwosci. S-:l
Zrealizowany uklad charakteryzuje sie przede wszystkim bardzo dobrymi parametrami elektrycznymi.
Sprawnosc kolektorowa tranzystorów mocy, dzieki zastosowaniu polaczenia tranzystora sterujacego Tj
z koncowym tranzystorem T2 mocy poprzez szeregowy obwód rezonansowy L2 i C3, jest nie mniejsza ni* 75%,
co umozliwia osiagniecie sprawnosci energetycznej ukladu nadajnika, zawierajacego wzmacniacz mocy wielkiej
czestotliwosci rzedu 50—60%. Ponadto uklad jest bardzo prosty w strojeniu, a tranzystory maja zapewnione
bezpieczne warunki pracy, w pelni wykorzystane sa ich wlasciwosci wzmacniajace.
1R
Cena 45 zl
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Wzmacniacz mocy wielkiej czestotliwosci zawierajacy tranzystor sterujacy sprzezony poprzez obwód rezonansowy z koncowym tranzystorem mocy, znamienny tym, ze równolegly obwód rezonansowy (Lt, Ci, C2) wlaczony w obwód kolektora tranzystora (Ti) sterujacego, posiada wspólny punkt dzielonej pojemnosci (Ci i C2) polaczony z pojemnoscia (C3) szeregowego obwodu rezonansowego (L2, C3) wlaczonego w obwód bazy koncowego tranzystora (T2) mocy, przy czym w obwód wyjsciowy koncowego tranzystora (T2) mocy jest wlaczony obwód rezonansowy (L4, C5) zawierajacy jeden element strojony. Prac. Poligraf. UP PRL naklad 120-*
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL17330174A PL89916B1 (pl) | 1974-08-07 | 1974-08-07 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL17330174A PL89916B1 (pl) | 1974-08-07 | 1974-08-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL89916B1 true PL89916B1 (pl) | 1976-12-31 |
Family
ID=19968538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL17330174A PL89916B1 (pl) | 1974-08-07 | 1974-08-07 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL89916B1 (pl) |
-
1974
- 1974-08-07 PL PL17330174A patent/PL89916B1/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN207638649U (zh) | 通信模块 | |
| CN101752635A (zh) | 一种带宽可控的双频段带通滤波器 | |
| CN108712154B (zh) | 一种宽带f类功率放大器及设计方法 | |
| JPS6439812A (en) | Television radio frequency input circuit | |
| CN201608711U (zh) | 超高速短波段宽带预选器 | |
| JPS56711A (en) | Antenna unit | |
| PL89916B1 (pl) | ||
| CN114552152A (zh) | 一种多模超宽带滤波器及其设计方法 | |
| CN221597860U (zh) | 一种高效宽带氮化镓射频功率放大器 | |
| CN102751960A (zh) | 一种应用于lte的射频低通滤波器 | |
| CN110708031B (zh) | 一种基于等电阻面的微带线e类功率放大器设计方法 | |
| US4317231A (en) | Microwave circuit for a parametric upper sideband down converter | |
| CN209170310U (zh) | 一种用于小型化odu发射通道的本振电路 | |
| CN101667816A (zh) | 电调滤波器 | |
| CN221151321U (zh) | 射频功率放大电路和无线通信设备 | |
| CN110729975A (zh) | 一种磁耦合谐振式无线输电功放系统 | |
| CN212572483U (zh) | 一种特高频功率放大装置 | |
| CN205081200U (zh) | 具有宽带匹配的微波带状传输线环行器 | |
| CN203301436U (zh) | 无源匹配电路的可变感抗器及射频功率放大器 | |
| JPS57131101A (en) | Waveguide distributor | |
| JPS572117A (en) | Tuning circuit | |
| CN213521812U (zh) | 一种射频信号处理芯片的低噪声放大器电路 | |
| JPS56713A (en) | Antenna unit | |
| SU502479A1 (ru) | Усилитель мощности | |
| JPS54134976A (en) | High-frequency transistor |