PL87445B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL87445B1
PL87445B1 PL16401973A PL16401973A PL87445B1 PL 87445 B1 PL87445 B1 PL 87445B1 PL 16401973 A PL16401973 A PL 16401973A PL 16401973 A PL16401973 A PL 16401973A PL 87445 B1 PL87445 B1 PL 87445B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
gallium
purity
zone
methods
vacuum
Prior art date
Application number
PL16401973A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL16401973A priority Critical patent/PL87445B1/pl
Publication of PL87445B1 publication Critical patent/PL87445B1/pl

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób oczyszczania galu metoda topienia strefowego. Gal dzieki swym wlasnosciom fizycznochemicznym znalazl zastosowa¬ nie w wielu dziedzinach techniki, a w szczególnosci jako material pólprzewodnikowy.
W technice pólprzewodnikowej dla materialów stawiane sa bardzo wysokie wymagania odnosnie ich czystosci, stad zapotrzebowanie na gal o wyso¬ kiej czystosci.
Literatura podaje, ze gal mozna oczyszczac wie¬ loma metodami chemicznymi i fizycznymi. Tak wiec przez trawienie kwasami solnym i azotowym oraz przemywanie woda mozna zmniejszyc zawartosc: Zn, Cd, Co, Al, Mg, przez utlenianie galu tlenem w wyzszych temperaturach mozna usuwac: Fe, V, Mn, przez wygrzewanie w prózni lub destylacje prózniowa mozna zmniejszyc zawartosc: Mg, Cd, Hg, Zn, Pb, Ca, Ni, Cu, Cr, Si, Co, V.
Najbardziej rozpowszechnionymi metodami otrzy¬ mywania galu o wysokiej czystosci sa metody po¬ legajace na rafinacji elektrolitycznej, oraz metody ekstrakcyjne, polegajace na wytworzeniu wodnego roztworu chlorku galu i ekstrakcji tego chlorku odpowiednimi rozpuszczalnikami organicznymi, a na¬ stepnie redukcji do czystego galu.
Wszystkie powyzej wymienione metody posiada¬ ja zasadnicza wade taka, ze oczyszczany gal jest w kontakcie z odczynnikami, które dzialaja selekty¬ wnie na zanieczyszczenia. Odczynniki te sa niedo¬ statecznej czystosci i obserwuje sie zwrotne prze- chodzenie zanieczyszczen, a takze wprowadzanie nowych np. zanieczyszczenia czasteczkami samego od¬ czynnika. Podczas wyzarzania w prózni lub desty¬ lacji prózniowej istnieje duze niebezpieczenstwo wprowadzenia nowych zanieczyszczen, pochodzacych z materialów tyglowych.
Stosowane metody umozliwiaja otrzymanie galu o czystosci 5N (99,999%) lub przy stosowaniu kom¬ binacji metod — 6N (99,9999%). Otrzymywanie ty¬ mi metodami galu o wyzszej czystosci jest prakty¬ cznie niemozliwe.
Znane jest równiez oczyszczanie metali metoda topienia strefowego. Metoda ta jednak do galu nie znalazla zastosowania, z powodu braku odpowie¬ dnich rozwiazan aparaturowych i technologicznych, przydatnych do oczyszczania na skale techniczna.
Ze wzgledu na wyjatkowo niska temperature top¬ nienia galu i zdolnosci do przechladzania sie o kil¬ kadziesiat stopni, rozwiazania aparaturowe znane z literatury fachowej okazaly sie niemozliwe do wy¬ korzystania w praktyce lub wykazywaly szereg isto¬ tnych wad jak np. niemozliwosc uzyskania waskiej strefy, brak mozliwosci obserwacji i regulacji szero¬ kosci strefy, niestabilnosci szerokosci strefy, brak mozliwosci wykonywania i czyszczenia luznych par¬ tii. Wad takich nie posiada aparatura i sposób oczyszczania wg wynalazku.
Sposób otrzymywania galu o czystosci 7N (99,99999%) metoda topienia strefowego wedlug wy¬ nalazku polega na umieszczeniu materialu wyjscio- 87 44587 445 wego o czystosci 5 N lub 6 N w ampule z chlodnica i plaszczem prózniowym. Chlodnica ta ma za za¬ danie przechlodzenia galu w czasie jego krzepniecia, jest to niezbedne ze wzgledu na niska temperature topienia galu wynoszaca ok. 30°C i sklonnosc do przechadzania sie nawet o kilkadziesiat stopni w porównaniu z temperatura topnienia. Plaszcz próz¬ niowy ma za zadanie zmniejszenie wymiany ciepla, pomiedzy chlodnica i otoczeniem, oraz zabezpiecze¬ nie przed kondensacja pary wodnej z powietrza na chlodnicy. Niezaleznie od tego umozliwia obserwa¬ cje i kontrole szerokosci strefy topionej.
Proces oczyszczania galu prowadzi sie w atmo¬ sferze wodorowej. Stosowanie tej atmosfery ma na celu nie tyle zabezpieczenie materialu przed utle¬ nianiem ale przede wszystkim przenoszenie ciepla przez czasteczki wodoru od galu do scianek chlo¬ dnicy. Ampule z wsadem zamontowuje sie na urza¬ dzeniu go. toniemystrefowego z grzaniem indukcyj¬ nym pradami wysokiej czestotliwosci. Przedstawiony sposób chlodzenia i grzania przy odpowiednio do¬ branej temperaturze czynnika chlodzacego powo¬ duje dobre wymieszanie materialu w stopionej stre¬ fie, zapewnia uzyskanie optymalnego gradientu temperatury na froncie krystalizacji i w efekcie prowadzi do bardzo dobrego rozdzialu i usuwania zanieczyszczen. Po wielokrotnym (w zaleznosci od potrzeb) przemieszczaniu stopionej strefy wzdluz wlewka, usuwa sie konce wlewka, które maja wie¬ ksza koncentracje zanieczyszczen niz czesc srodko¬ wa.
Sposób wedlug wynalazku prowadzi sie w niskiej temperaturze a material styka sie jedynie z nie- zwilzalna powierzchnia lódki, dzieki czemu nie ma mozliwosci zanieczyszczenia sie galu od samej lód- s ki ani innych materialów czy odczynników i uzys¬ kuje sie gal o czystosci 7 N. Sposobem tym mozna równiez oczyscic gal o wiekszej ilosci zanieczyszczen np. 3 N lub 4 N lecz wówczas proces moze byc mniej ekonomiczny.
Przyklad. Gal o czystosci 5N lub 6Numieszcza sie w lódce teflonowej, która nastepnie laduje sie do ampuly z chlodnica i plaszczem prózniowym.
Chlodnica polaczona jest ze zbiornikiem cieczy o temperaturze ponizej 0°C. Nastepnie ampule zamon- towuje sie w urzadzeniu do topienia strefowego metali wyposazonego w element grzejny w postaci pierscieniowego wzbudnika indukcyjnego. W am¬ pule wytwarza sie atmosfere wodorowa, wlacza grzanie i posuw grzejnika (ok. 5cm/godz.) Proces M oczyszczania prowadzi sie przez kilkakrotne prze¬ mieszczanie stopionej strefy wzdluz wlewka. Po wyjeciu wlewka z urzadzenia odcina sie jego konce.

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób oczyszczania galu metoda topienia strefo¬ wego, znamienny tym, ze gal o czystosci 5 N lub 6 N topi sie strefowo w ampule z chlodnica za¬ opatrzona W plaszcz prózniowy, przy czym otrzy¬ muje sie gal o czystosci 7 N. WDL. Zam. 3351. 105 Cena zl 10
PL16401973A 1973-07-12 1973-07-12 PL87445B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16401973A PL87445B1 (pl) 1973-07-12 1973-07-12

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16401973A PL87445B1 (pl) 1973-07-12 1973-07-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL87445B1 true PL87445B1 (pl) 1976-06-30

Family

ID=19963436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL16401973A PL87445B1 (pl) 1973-07-12 1973-07-12

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL87445B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU1782247C (ru) Способ очистки галли
JP2012508154A (ja) 冶金級シリコンを精錬してソーラー級シリコンを生産するための方法及び装置
US3069240A (en) Method of obtaining pure silicon by fractional crystallization
Nakamura et al. Refining of 18% Cr-8% Ni Steel with Ca-CaF2 Solution
US2121084A (en) Production of beryllium
JPH07206420A (ja) 高純度ケイ素の製造方法
PL87445B1 (pl)
JP4484700B2 (ja) 金属の結晶分別方法
Hulme et al. The Role of Evaporation in Zone Refining Indium Antimonide
JPH0457603B2 (pl)
JP2017001947A (ja) シリコン溶融物の精製のための耐火性るつぼの表面のためのライニングおよび当該るつぼを使用するシリコン溶融物の精製方法
JP3763254B2 (ja) アルミニウムの精製方法及びその用途
US5009866A (en) Fused salt process for purifying zirconium and/or hafnium tetrachlorides
Kawahara et al. Crystallization and dissolution of metallic components for copper slag
SE448164B (sv) Forfarande for att tillhandahalla en bedd av renade kiselkristaller
US4758271A (en) Continuous copper drossing of lead
JPH061607A (ja) 高純度塩化アルミニウムの製造方法
JPH0465122B2 (pl)
KR100684983B1 (ko) 세정을 포함한 경막결정화에 의한 인산의 정제방법
FI78124B (fi) Foerfarande foer rening av bly.
JP3695287B2 (ja) アルミニウムの精製方法およびその用途
JPS59169908A (ja) テルルの精製方法
Suh et al. Cryolite-metal Oxide Binary Phase Diagrams and Purification of Lead Bullion and Blister Copper
JPH0734146A (ja) カドミウム含有低融点金属の揮発精製装置及び揮発精製方法
CN120208168A (zh) 一种高纯碲的制备方法