PL87445B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL87445B1 PL87445B1 PL16401973A PL16401973A PL87445B1 PL 87445 B1 PL87445 B1 PL 87445B1 PL 16401973 A PL16401973 A PL 16401973A PL 16401973 A PL16401973 A PL 16401973A PL 87445 B1 PL87445 B1 PL 87445B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- gallium
- purity
- zone
- methods
- vacuum
- Prior art date
Links
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 239000003708 ampul Substances 0.000 claims description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 4
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000531897 Loma Species 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical class O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000029087 digestion Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób oczyszczania
galu metoda topienia strefowego. Gal dzieki swym
wlasnosciom fizycznochemicznym znalazl zastosowa¬
nie w wielu dziedzinach techniki, a w szczególnosci
jako material pólprzewodnikowy.
W technice pólprzewodnikowej dla materialów
stawiane sa bardzo wysokie wymagania odnosnie
ich czystosci, stad zapotrzebowanie na gal o wyso¬
kiej czystosci.
Literatura podaje, ze gal mozna oczyszczac wie¬
loma metodami chemicznymi i fizycznymi. Tak wiec
przez trawienie kwasami solnym i azotowym oraz
przemywanie woda mozna zmniejszyc zawartosc:
Zn, Cd, Co, Al, Mg, przez utlenianie galu tlenem
w wyzszych temperaturach mozna usuwac: Fe, V,
Mn, przez wygrzewanie w prózni lub destylacje
prózniowa mozna zmniejszyc zawartosc: Mg, Cd,
Hg, Zn, Pb, Ca, Ni, Cu, Cr, Si, Co, V.
Najbardziej rozpowszechnionymi metodami otrzy¬
mywania galu o wysokiej czystosci sa metody po¬
legajace na rafinacji elektrolitycznej, oraz metody
ekstrakcyjne, polegajace na wytworzeniu wodnego
roztworu chlorku galu i ekstrakcji tego chlorku
odpowiednimi rozpuszczalnikami organicznymi, a na¬
stepnie redukcji do czystego galu.
Wszystkie powyzej wymienione metody posiada¬
ja zasadnicza wade taka, ze oczyszczany gal jest w
kontakcie z odczynnikami, które dzialaja selekty¬
wnie na zanieczyszczenia. Odczynniki te sa niedo¬
statecznej czystosci i obserwuje sie zwrotne prze-
chodzenie zanieczyszczen, a takze wprowadzanie
nowych np. zanieczyszczenia czasteczkami samego od¬
czynnika. Podczas wyzarzania w prózni lub desty¬
lacji prózniowej istnieje duze niebezpieczenstwo
wprowadzenia nowych zanieczyszczen, pochodzacych
z materialów tyglowych.
Stosowane metody umozliwiaja otrzymanie galu
o czystosci 5N (99,999%) lub przy stosowaniu kom¬
binacji metod — 6N (99,9999%). Otrzymywanie ty¬
mi metodami galu o wyzszej czystosci jest prakty¬
cznie niemozliwe.
Znane jest równiez oczyszczanie metali metoda
topienia strefowego. Metoda ta jednak do galu nie
znalazla zastosowania, z powodu braku odpowie¬
dnich rozwiazan aparaturowych i technologicznych,
przydatnych do oczyszczania na skale techniczna.
Ze wzgledu na wyjatkowo niska temperature top¬
nienia galu i zdolnosci do przechladzania sie o kil¬
kadziesiat stopni, rozwiazania aparaturowe znane
z literatury fachowej okazaly sie niemozliwe do wy¬
korzystania w praktyce lub wykazywaly szereg isto¬
tnych wad jak np. niemozliwosc uzyskania waskiej
strefy, brak mozliwosci obserwacji i regulacji szero¬
kosci strefy, niestabilnosci szerokosci strefy, brak
mozliwosci wykonywania i czyszczenia luznych par¬
tii. Wad takich nie posiada aparatura i sposób
oczyszczania wg wynalazku.
Sposób otrzymywania galu o czystosci 7N
(99,99999%) metoda topienia strefowego wedlug wy¬
nalazku polega na umieszczeniu materialu wyjscio-
87 44587 445
wego o czystosci 5 N lub 6 N w ampule z chlodnica
i plaszczem prózniowym. Chlodnica ta ma za za¬
danie przechlodzenia galu w czasie jego krzepniecia,
jest to niezbedne ze wzgledu na niska temperature
topienia galu wynoszaca ok. 30°C i sklonnosc do
przechadzania sie nawet o kilkadziesiat stopni w
porównaniu z temperatura topnienia. Plaszcz próz¬
niowy ma za zadanie zmniejszenie wymiany ciepla,
pomiedzy chlodnica i otoczeniem, oraz zabezpiecze¬
nie przed kondensacja pary wodnej z powietrza na
chlodnicy. Niezaleznie od tego umozliwia obserwa¬
cje i kontrole szerokosci strefy topionej.
Proces oczyszczania galu prowadzi sie w atmo¬
sferze wodorowej. Stosowanie tej atmosfery ma na
celu nie tyle zabezpieczenie materialu przed utle¬
nianiem ale przede wszystkim przenoszenie ciepla
przez czasteczki wodoru od galu do scianek chlo¬
dnicy. Ampule z wsadem zamontowuje sie na urza¬
dzeniu go. toniemystrefowego z grzaniem indukcyj¬
nym pradami wysokiej czestotliwosci. Przedstawiony
sposób chlodzenia i grzania przy odpowiednio do¬
branej temperaturze czynnika chlodzacego powo¬
duje dobre wymieszanie materialu w stopionej stre¬
fie, zapewnia uzyskanie optymalnego gradientu
temperatury na froncie krystalizacji i w efekcie
prowadzi do bardzo dobrego rozdzialu i usuwania
zanieczyszczen. Po wielokrotnym (w zaleznosci od
potrzeb) przemieszczaniu stopionej strefy wzdluz
wlewka, usuwa sie konce wlewka, które maja wie¬
ksza koncentracje zanieczyszczen niz czesc srodko¬
wa.
Sposób wedlug wynalazku prowadzi sie w niskiej
temperaturze a material styka sie jedynie z nie-
zwilzalna powierzchnia lódki, dzieki czemu nie ma
mozliwosci zanieczyszczenia sie galu od samej lód-
s ki ani innych materialów czy odczynników i uzys¬
kuje sie gal o czystosci 7 N. Sposobem tym mozna
równiez oczyscic gal o wiekszej ilosci zanieczyszczen
np. 3 N lub 4 N lecz wówczas proces moze byc
mniej ekonomiczny.
Przyklad. Gal o czystosci 5N lub 6Numieszcza
sie w lódce teflonowej, która nastepnie laduje sie
do ampuly z chlodnica i plaszczem prózniowym.
Chlodnica polaczona jest ze zbiornikiem cieczy o
temperaturze ponizej 0°C. Nastepnie ampule zamon-
towuje sie w urzadzeniu do topienia strefowego
metali wyposazonego w element grzejny w postaci
pierscieniowego wzbudnika indukcyjnego. W am¬
pule wytwarza sie atmosfere wodorowa, wlacza
grzanie i posuw grzejnika (ok. 5cm/godz.) Proces
M oczyszczania prowadzi sie przez kilkakrotne prze¬
mieszczanie stopionej strefy wzdluz wlewka. Po
wyjeciu wlewka z urzadzenia odcina sie jego konce.
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Sposób oczyszczania galu metoda topienia strefo¬ wego, znamienny tym, ze gal o czystosci 5 N lub 6 N topi sie strefowo w ampule z chlodnica za¬ opatrzona W plaszcz prózniowy, przy czym otrzy¬ muje sie gal o czystosci 7 N. WDL. Zam. 3351. 105 Cena zl 10
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL16401973A PL87445B1 (pl) | 1973-07-12 | 1973-07-12 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL16401973A PL87445B1 (pl) | 1973-07-12 | 1973-07-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL87445B1 true PL87445B1 (pl) | 1976-06-30 |
Family
ID=19963436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL16401973A PL87445B1 (pl) | 1973-07-12 | 1973-07-12 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL87445B1 (pl) |
-
1973
- 1973-07-12 PL PL16401973A patent/PL87445B1/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU1782247C (ru) | Способ очистки галли | |
| JP2012508154A (ja) | 冶金級シリコンを精錬してソーラー級シリコンを生産するための方法及び装置 | |
| US3069240A (en) | Method of obtaining pure silicon by fractional crystallization | |
| Nakamura et al. | Refining of 18% Cr-8% Ni Steel with Ca-CaF2 Solution | |
| US2121084A (en) | Production of beryllium | |
| JPH07206420A (ja) | 高純度ケイ素の製造方法 | |
| PL87445B1 (pl) | ||
| JP4484700B2 (ja) | 金属の結晶分別方法 | |
| Hulme et al. | The Role of Evaporation in Zone Refining Indium Antimonide | |
| JPH0457603B2 (pl) | ||
| JP2017001947A (ja) | シリコン溶融物の精製のための耐火性るつぼの表面のためのライニングおよび当該るつぼを使用するシリコン溶融物の精製方法 | |
| JP3763254B2 (ja) | アルミニウムの精製方法及びその用途 | |
| US5009866A (en) | Fused salt process for purifying zirconium and/or hafnium tetrachlorides | |
| Kawahara et al. | Crystallization and dissolution of metallic components for copper slag | |
| SE448164B (sv) | Forfarande for att tillhandahalla en bedd av renade kiselkristaller | |
| US4758271A (en) | Continuous copper drossing of lead | |
| JPH061607A (ja) | 高純度塩化アルミニウムの製造方法 | |
| JPH0465122B2 (pl) | ||
| KR100684983B1 (ko) | 세정을 포함한 경막결정화에 의한 인산의 정제방법 | |
| FI78124B (fi) | Foerfarande foer rening av bly. | |
| JP3695287B2 (ja) | アルミニウムの精製方法およびその用途 | |
| JPS59169908A (ja) | テルルの精製方法 | |
| Suh et al. | Cryolite-metal Oxide Binary Phase Diagrams and Purification of Lead Bullion and Blister Copper | |
| JPH0734146A (ja) | カドミウム含有低融点金属の揮発精製装置及び揮発精製方法 | |
| CN120208168A (zh) | 一种高纯碲的制备方法 |