PL85805B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL85805B1
PL85805B1 PL17098374A PL17098374A PL85805B1 PL 85805 B1 PL85805 B1 PL 85805B1 PL 17098374 A PL17098374 A PL 17098374A PL 17098374 A PL17098374 A PL 17098374A PL 85805 B1 PL85805 B1 PL 85805B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
copper
weight
amount
hydrogen peroxide
sulfuric acid
Prior art date
Application number
PL17098374A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL17098374A priority Critical patent/PL85805B1/pl
Publication of PL85805B1 publication Critical patent/PL85805B1/pl

Links

Landscapes

  • Electrolytic Production Of Metals (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest srodek do usuwania powloki miedzianej osadzonej galwanicznie lub w inny sposób na wyrobach z tworzyw odpornych na dzialanie roztworów kwasnych i utleniajacych, a zwlaszcza na wyrobach weglowych, weglowo-grafitowych i grafitowych, takich jak elektrody klinowe i spawalnicze.Znane sposoby usuwania powloki miedzianej polegaja na utlenianiu jej tlenem powietrza do tlenków miedzi, które z kolei rozpuszcza sie w roztworach kwasów, lub tez stosuje sie roztwór kwasu azotowego w celu utlenienia miedzi. Inne srodki do rozpuszczania warstwy miedzi — to roztwory kwasne zawierajace tlenek chromu* i kwas siarkowy.Opisane sposoby chemicznego rozpuszczania warstwy powloki miedzianej sa zazwyczaj skomplikowane w realizacji i nie zapewniaja szybkiego usuniecia warstwy miedzi. Regeneracja zas roztworów odmiedziowujacych i odzyskanie miedzi w postaci zwiazku przydatnego do bezposredniego zastosowania sa równiez dosc klopotliwe.Znane sa równiez sposoby usuwania warstwy miedzi polegajace na mechanicznym zdzieraniu, które poza tym, ze jest operacja pracochlonna, nie nadaje sie do usuwania cienkich powlok osadzonych na drobnych wyrobach. Ponadto stosuje sie usuwanie powloki miedzianej przez termiczne wytapianie miedzi w temperaturach powyzej 1100°C. Jednakze w tak wysokich temperaturach czesc miedzi ulega utlenieniu i pozostaje w wyrobie, a ponadto odzyskana miedz zawiera zanieczyszczenia, które czynia ja nieprzydatna do bezposredniego zastosowa¬ nia przy powlekaniu metoda galwaniczna.Celem wynalazku jest opracowanie skladu roztworu od miedziowujacego, który pozwala w szybki i prosty sposób usunac powloke miedziana z elektrod kinowych i spawalniczych z równoczesnym otrzymaniem zwiazku miedzi nadajacego sie do bezposredniego zastosowania.Cel ten zgodnie z wynalazkiem osiagnieto dzieki temu, ze do sporzadzenia srodka do usuwania powloki miedzianej zastosowano stezony kwas siarkowy w ilosci od 1,5 do 20% wagowych, pieciowodny siarczan miedzi w ilosci od 0 do 30% wagowych oraz 30% roztwór nadtlenku wodoru w ilosci 1 do 28% wagowych. Ponadto jako inhibitory zapobiegajace rozkladowi nadtlenku wodoru zastosowano pochodna chinoliny w ilosci od 1 do2 85805 3 • 10~5% wagowych oraz produkt sulfonowania kompozycji kleju i zelatyny w ilosci od 1 do 3 • 1(T5% wago¬ wych.Zastosowanie srodka do usuwania powloki miedzianej wedlug wynalazku pozwala przede wszystkim na prowadzenie procesu odmiedziowania w cyklu zamknietym. Ponadto umozliwia szybie oraz skuteczne usuwanie powloki miedzianej z maksymalna wydajnoscia, przy czym nie wymaga stosowania skomplikowanej aparatury i kosztownych odczynników, a ponadto powierzchnia odmiedziowana wyrobów poddanych dzialaniu srodka wedlug wynalazku nie podlega zadnym niekorzystnym zmianom. Proponowany srodek do odmiedziowania moze byc równiez wykorzystany do usuwania powloki miedzianej osadzonej na wyrobach z tworzyw sztucznych.Dodatkowa zaleta stosowania srodka odmiedziowujacego wedlug wynalazku jest mozliwosc utylizacji otrzyma¬ nych nienasyconych roztworów przez poddanie ich elektrolizie z zastosowaniem nierozpuszczalnych anod.Zródlem jonów Cu2+ potrzebnych w procesie miedziowania jest wówczas siarczan miedzi. Po osiagnieciu przez te roztwory dolnej dopuszczalnej granicy stezenia siarczanu miedzi zawraca sie je do odmiedziowania, wzglednie wzbogaca w jony Cu2+ przez dodanie krysztalów pieciowodnego siarczanu miedzi lub jego roztworów i poddaje procesowi galwanizacji.W celu sporzadzenia srodka odmiedziowujacego wedlug wynalazku wprowadza sie do wanny karitowej w pierwszej kolejnosci od 1,5 do 200 g/1 stezonego kwasu siarkowego, nastepnie od 0 do 300 g/l pieciowodnego siarczanu miedzi oraz 30% roztwór nadtlenku wodoru w ilosci od 4 do 320 g/l wraz z inhibitorami w ilosci od 0,2 xco 0,5 mg/l. Nalezy przestrzegac, aby temperatura roztworu, wzrastajaca w wyniku zachodzacej reakcji, nie przekroczyla 80°C. Do tak przygotowanego roztworu zanurza sie pokryte miedzia wyroby, umieszczone w po¬ jemniku z materialu weglowego lub tworzywa sztucznego. Proces odmiedziowania trwa od 10 minut do 3 godzin, w zaleznosci od grubosci powloki miedzianej, po czym pojemnik z odmiedziowanymi wyrobami wyjmuje sie z wanny, splukuje strumieniem wody i wyroby suszy w temperaturze okolo 100°C. Uzyskany roztwór przepom¬ powuje sie do zbiornika krystalizacyjnego, .gdzie bez odparowywania nastepuje wykrystalizowanie siarczanu miedzi w postaci pieciowodnego CuS04, który oddziela sie od roztworu przez dekantacje, a nasycony siarcza¬ nem miedzi roztwór macierzysty zawraca sie dc wanny reakcyjnej, gdzie po uzupelnieniu obliczona iloscia kwasu siarkowego i nadtlenku wodoru nastepuje nowy cykl odmiedziowania swiezej partii wyrobów. Objetosc dodawa¬ nych kazdorazowo roztworów kwasu siarkowego, nadtlenku wodoru i inhibitorów jest w przyblizeniu równa objetosci wykrystalizowanego CuS04 • 5 H20.Ponizej podano przyklady optymalnych skladów srodka do usuwania powloki miedzianej wedlug wyna¬ lazku.Przyklad Tv — pieciowodny siarczan miedzi — kwas siarkowy — nadtlenek wodoru — pochodna chinoliny — produkt sulfonowania kompozycji kleju i zelatyny % wagowych % wagowych % wagowych 3* 10"5% wagowych 3 • 10"5% wagowych Przyklad II. — kwas siarkowy 18% wagowych — nadtlenekwodoru 4% wagowych — pochodnachinoliny 2* 10"5% wagowych — produkt sulfonowania kompozycji kleju izelatyny 2-10"5% wagowych Do sporzadzania roztworów wedlug przykladów I i II zaleca sie stosowac kwas siarkowy stezony oraz 30% roztwór nadtlenku wodoru. PL

Claims (2)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Srodek do usuwania powloki miedzianej z wyrobów z tworzyw odpornych na dzialanie roztworów kwas¬ nych i utleniajacych, z n a m i,e n n y tym, ze zawiera kwas siarkowy w ilosci od 1,5 do 20% wagowych, pieciowodny siarczan miedzi w ilosci od Odo 30% wagowych, nadtlenek wodoru w ilosci od 1 do 10% wagowych oraz inhibitory rozkladu nadtlenku wodoru.85805 3
  2. 2. Srodek wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze jako inhibitory rozkladu nadtlenku wodoru stosuje sie pochodna, chinoliny w ilosci od 1 do 3 • 10_5% wagowych oraz produkt sulfonowania kompozycji kleju i zelatyny w ilosci od 1 do 3 • 10~5% wagowych PL
PL17098374A 1974-05-10 1974-05-10 PL85805B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL17098374A PL85805B1 (pl) 1974-05-10 1974-05-10

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL17098374A PL85805B1 (pl) 1974-05-10 1974-05-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL85805B1 true PL85805B1 (pl) 1976-04-30

Family

ID=19967257

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL17098374A PL85805B1 (pl) 1974-05-10 1974-05-10

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL85805B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4244833A (en) Composition and process for chemically stripping metallic deposits
CN105177578B (zh) 用于铜基钯镍合金镀层退镀的退镀液及退镀方法
US2596307A (en) Process of electrostripping electrodeposited metals
US3242090A (en) Compositions for and methods of removing gold deposits by chemical action
US3649489A (en) Process for electrolytically stripping coatings and bath therefor
US3163524A (en) Selective stripping of electroplated metals
US2457059A (en) Method for bonding a nickel electrodeposit to a nickel surface
US3935005A (en) Composition and method for stripping gold and silver
PL85805B1 (pl)
CN103628122A (zh) 镀铜线剥挂工艺
RU2537346C1 (ru) Способ электролитно-плазменной обработки поверхности металлов
CA1211691A (en) Thallium-containing composition for stripping palladium
US3406108A (en) Regeneration of spent ammonium persulfate etching solutions
US2706171A (en) Stripping chromium plating from zinc electrolytically
DD211129B1 (de) Kreislaufverfahren zum beizen von kupfer und kupferlegierungen
RU2549037C2 (ru) Способ подготовки поверхности изделий из нержавеющей стали перед гальваническим меднением
PT102045B (pt) Aditivos de acido poliacrilico para electro-refinacao e electroextraccao de cobre
PL224014B1 (pl) Sposób regeneracji kąpieli trawiącej w procesie usuwania powłoki miedzi z podłoża stalowego
JP2015001001A (ja) 錫めっき剥離廃液からの銅の回収方法
US827180A (en) Process of electrolytically removing scale and producing iron sulfate.
US3075894A (en) Method of electroplating on aluminum surfaces
US2352625A (en) Method of refining lead
DE19820001C2 (de) Verfahren zur Entfernung von Metallschichten auf Metall, Glas, Keramik und Kunststoffteilen
JPS6047913B2 (ja) ステンレス鋼に直接金メツキを施す方法
JPH0146591B2 (pl)