PL83268B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL83268B1 PL83268B1 PL1971147635A PL14763571A PL83268B1 PL 83268 B1 PL83268 B1 PL 83268B1 PL 1971147635 A PL1971147635 A PL 1971147635A PL 14763571 A PL14763571 A PL 14763571A PL 83268 B1 PL83268 B1 PL 83268B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- substrate
- metal
- noble metal
- argon
- platinum
- Prior art date
Links
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 61
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 26
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 17
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 13
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 claims description 7
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000446 fuel Substances 0.000 claims description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000009938 salting Methods 0.000 claims 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 21
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 6
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 5
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N [O].[Ar] Chemical compound [O].[Ar] VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 238000010410 dusting Methods 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 2
- -1 platinum group metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000000717 platinum sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010046865 Vaccinia virus infection Diseases 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010612 desalination reaction Methods 0.000 description 1
- ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L dimercury dichloride Chemical class Cl[Hg][Hg]Cl ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical group 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002574 poison Substances 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMTRSEDNJGMXLN-UHFFFAOYSA-N titanium zirconium Chemical compound [Ti].[Zr] PMTRSEDNJGMXLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000007089 vaccinia Diseases 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/44—Energy spectrometers, e.g. alpha-, beta-spectrometers
- H01J49/46—Static spectrometers
- H01J49/48—Static spectrometers using electrostatic analysers, e.g. cylindrical sector, Wien filter
- H01J49/488—Static spectrometers using electrostatic analysers, e.g. cylindrical sector, Wien filter with retarding grids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/021—Cleaning or etching treatments
- C23C14/022—Cleaning or etching treatments by means of bombardment with energetic particles or radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
- C23C14/165—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon by cathodic sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B11/00—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for
- C25B11/04—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for characterised by the material
- C25B11/051—Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier
- C25B11/073—Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier characterised by the electrocatalyst material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B11/00—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for
- C25B11/04—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for characterised by the material
- C25B11/051—Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier
- C25B11/073—Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier characterised by the electrocatalyst material
- C25B11/075—Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier characterised by the electrocatalyst material consisting of a single catalytic element or catalytic compound
- C25B11/081—Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier characterised by the electrocatalyst material consisting of a single catalytic element or catalytic compound the element being a noble metal
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Inert Electrodes (AREA)
- Electrodes For Compound Or Non-Metal Manufacture (AREA)
Description
Sposób katodowego napylania metalu szlachetnego lub jego tlenków na podloze metaliczne Wynalazek dotyczy sposobu katodowego napyla¬ nia metalu szlachetnego lub jego tlenków na pod¬ loze metaliczne, w celu nadania podlozu odpowied¬ nich wlasnosci pod wzgledem odpornosci na korozje w srodowisku elektrolitu i uzyskania aktywnosci elektrochemicznej.Wytworzony w ten sposób material moze byc sto¬ sowany jako elektroda w komorach elektrolitycz¬ nych z przepona lub z katoda rteciowa, w ogni¬ wach paliwowych, a takze w stosowanych urzadze¬ niach odsalajacych.Na ogól jako anody stosuje sie elektrody z grafitu, jednak maja one te wade, ze szybko sie zuzywaja i zwiekszaja zapotrzebowanie niezbednego napiecia do prawidlowego dzialania kapieli elektrolitycznej, wskutek zwiekszania sie odleglosci miedzy elektro¬ dami i zanieczyszczania snodowiiska reakciji.W celu usuniecia tych niedogodnosci próbowano stosowac w srodowisku procesu elektrolitycznego anody wytwarzane z metalu o dobrej wytrzymalosci na korozje pokryte metalem szlachetnym elektro¬ chemicznie aktywnym i aktywowane przez odpo¬ wiednia obróbke. Anody takie zachowuja stalosc wymiarów, a tym samym rozwiazuja powyzszy problem.Znana jest z szwajcarskiego opisu patentowego nr 236 579, anoda z cyrkonu lub stopu cyrkonu z tytanem, pokryta platyna.Znana jest równiez z opisu patentowego Stanów Zjednoczonych Ameryki nr 2 719 797, anoda z tam- 2 talu lub niobu pokryta platyna, a takze z francus¬ kiego opisu patentowego nr 1 200 841, anoda z ty¬ tanu pokryta platyna, przy czym tytan tworzy w roztworze elektrolitu ochronna warstewke tlenku 5 tytanu, zabezpieczajaca przed korozja w miejscach, w których warstwa z platyny jest porowata.Wytworzono takze elektrode metalowa z warstwa ochronna z tlenku metalu szlachetnego (patent fran¬ cuski nr 1 479 762) oraz z mieszaniny tlenków me- 1U tali szlachetnych i nieszlachetnych (patent fran¬ cuski nr 1 555 960).Znane sa rózne sposoby nakladania warstwy z metalu szlachetnego charakteryzujacej sie dobra przyczepnoscia do podloza i odpowiednia aktyw- 15 noscia elektrochemiczna, np. przez napylanie w prózni parami metali przeE termiczny rozklad zwiazków metali na drodze elektrochemicznej lub mechanicznej.Znana od dawna metoda napylania katodowego 20 r • jest szczególnie korzystna do nakladania na roznym stosowanym podlozu warstwy o równomiernej gru¬ bosci i doskonalej przyczepnosci, jednorodnosci oraz duzej czystosci chemicznej. Jednak jakosc tak uzys¬ kanych elektrod jest w wysokim stopniu uzaleznio¬ na od sposobu ich wykonania.Celem wynalazku jest ustalenie konkretnych wa¬ runków napylania katodowego1, umozliwiajacych uzyskanie elektrod doskonale dostosowanych do 30 warunków ich uzytkowania. 83 2683 83 268 Przedmiotem wynalazku jest sposób katodowego napylania metalu szlachetnego lub jego tlenków na podloze metaliczne, polegajacy na tym, ze podloze metaliczne najpierw poddaje sie bombardowaniu jonami w wysokiej prózni zawierajacej sladowe ilosci czystego' argonu lub innego gazu szlachetnego, po czym, nie dopuszczajac do obnizenia powstalej w wyniku bombardowania wysokiej .temperatury, napyla sie katodowo* podloze metalem szlachetnym lub jego tlenkiem najpierw w wysokiej prózni ze sladowa iloscia czystego argonu lub innego gazu szlachetnego, a nastepnie w wysokiej prózni ze sla¬ dowa iloscia mieszaniny argonu i tlenu. iTaki sposób katodowego1 napylania metalem pro¬ wadzi siie przez wyladowanie elektryczne w atmo¬ sferze gazu o niskim cisnieniu.Napylanie sposobem wedlug wynalazku prowadzi sie w komorze prózniowej w zestawie do wytwa¬ rzania wysokiej ¦ prózna ukladu doprowadzajacego prajd elektryczny o wysokim napieciu, z urzadze¬ niem doprowadzajacym gaz. W komorze .prózniowej stosuje sie katode z metalu szlachetnego, a jako anode podloze metalowe, które poddaje sie napy¬ laniu metalem szlachetnym lub jego tlenkiem. Ka¬ todowe nakladanie wairstwy polega na odrywaniu atomów pod wplywem bombai-dbwanla. katody jo¬ nami uzyskujacymi przyspieszenie w wyniku spad¬ ku potencjalu katodowego1.Elektrony emitowane przez katpde doprowadzona do wysokiego ujemnego napiecia ulegaja przyspie- szani/u, powodujac jonizacje czasteczek gazu wy¬ stepujacego w sladowych ilosciach w przestrzeni « miedzy elektrodami. W wyniku kazdego uderzenia takiej czasteczki wytwarza sie jon dodatni, który ulega 'poniowniie przyspieszaniu w kierunku do ka¬ tody oraz elektron zdazajacy ku anodzie.Uderzenie jonu dodatniego w katode powoduje oderwanie aitomóiwj, które nakladaja sie na podloze anodowe.Sposób taki zapewnia uzyskanie powloki o wyso¬ kim stopniu czystosci iw wyniku odgazowamia w ko¬ morze Oi wylsokiiej prózni oraz wykorzystania skladu plazmy gazoiwej wystepujajcej podczas wyladowania, wplywajac na strukture d wlasciwosci uzyskiwanej powloki.Podloze metaliczne, przed wprowadzeniem do komory prózniowej poddaje sie wstepnemu oczysz¬ czeniu przez, piaskowanie, w celu nadania metalowi rozwinietej powierzchni', korzystnej dp polepszenia wlasciwosci elektrochemicznych^ a nastepnie od¬ tluszczeniu, w celu uzyskania niezbednej czystosci.Oczyszczone podloze oraz metal szlachetny przezna¬ czony do napylania, wprowadza sie do kpmory próz¬ niowej jako- elektrody.Podczas bombardowania jonowego podloze meta¬ liczne jesit uzyte jako katoda, do której doprowadza sie wysokie napiecie ujemne i wówczas jegoi po¬ wierzchnia ulega sproszkowaniu. Metal szlachetny pqdczas tej 'fazy procesu jest chroniony ruchoma oslona przed czastkami odrywanego podloza. Bom¬ bardowanie jonowe podloza ma na celu odgazowa- nie i wytrajwienie powierzchni przeznaczonej do napylania w celu usuniecia warstwy tlenków i sla¬ dów weglowodorów, tluszczu itd. Otrzymuje sie w ten sposób podloze o powierzchni jak najbardziej 20 35 40 45 50 55 60 czystej. Bombardowanie jonowe zapoczatkowane w temperaturze otoczenia powoduje wzrost tempera¬ tury dio 3OG^4O0°C.PD wyitrawiendu powierzchni doplyw pradu prze¬ rywa sie i, zmienila jego kierunek w ten sposób, ze podloze staje sie anoda, na której po usunieciu oslo¬ ny ruchomej, odkladaja sie czajstki metalu szlachet¬ nego stanowiacego w tej fazie procesu katode. Na¬ pylanie prowadzi sie natylchmiialst, nie dopuszczajac do- obnizenia temperatury anody, która powinna wynosic okolo 300°C. Utrzymanie tej temperatury jest bardzo wazne dla zapewnienia dobrych wlasci¬ wosci elektrochemicznych wytwarzanej elektrody.W pierwszej fazie napylania, katodowego meta¬ lem szlachetnym proces prowadzi sie w wysokiej prózni* w obecnosci sladów czystego argonu, w cia¬ gu 0,5i—5 minut. Czas ten jest wystarczajacy do nadania wytwarzanej elektrodzie dobrej odpornosci na korozje, poniewaz nalozona warstewka metalu szlachetnego wskazuje bardzo duza przyczepnosc do podlpza metalicznego przez utworzenie miikro- warstwy zwiazanej z podlozem przez dyfuzje.Obecnosc sladowych ilosoi czystego argonu zapo¬ biega powstawaniu na. powierzchni podloza war¬ stewki tlenku metalu. Uzyskuje sie w ten sposób podloze o powierzchni z czystego metalu* pozba- wiionej wszelkich zanieczyszczen, pokrytej twarda i zwairta warstwa metalu 'szlachetnego.Po uzyskaniu odpowiedniej warstwy zabezpiecza¬ jacej powierzchnie metaliczna podloza przeciwko korozji przystepuje sie iw ^drugiej fazie napylania katodowego w wysokiej prózni ze sladowa iloscia mieszaniny argonu i tlenu, a czasteczkowym cis¬ nieniu tleniu 0,1—25% calkowitego cisnienia w ko- miorze prózniowej.Wproiwadzeniie tlenu w tym stadliuim procesu jest bardzo korzystne, poniewaz obecnosc jego umozli¬ wia nalozenie warstwy metalu szlachetnego lub jego tlenku o szczególnie korzystnych wlaisnosciach fi¬ zycznych, zwlaszcza o strukturze mikrokrystalicznej, porowatej, nie wymagajacej dalszej aktywacji w celu nadania jej dobrych (wlasnosci elektrochemicz¬ nych. Stwierdzono^ ze w procesie napylania meta¬ lem szlachetnym w obecinoisci malej ilosci tlenu w mieszaninie z argonem metal nie ulega utlenia¬ niu, lecz uzyskuje sie porowata warstwe metalu szlachetnego o gestosci nizszej od normalnej, w wyniku absorpcji tlenu przez metal, nie powo¬ dujac ipowstalwania itlenków.W tych warunkach z metalu szlachetnego lub z jego tlenku otrzymuje sie powloke mikrokrysta¬ liczna i O' duzej powierzchni wlasciwej. Fakt ten jest bardzo wazny poniewaz aktywnosc elektroche¬ miczna jest wprost proporcjonalna do powierzchni wlasciwej.Sposób wedlug wynalazku opisano, wymieniajac przykladowo argon, jednak inne gazy szlachetne moga byc równiez stonowane, czesciowo lub calko¬ wicie. • Jako podloze metaliczne stanowiace anode sto¬ suje sie metal tworzacy w roztworach elektro¬ litycznych warstewke ochronna, taki jak .tantal, cyrkon, niob, tytan oraz ich stopy. Mozna rów¬ niez jako podloze stosowac inne metale ule-5 gajajce nawet dosc la/two korozji w srodowisku elekitroiifcycznym^ lecz bedace doibrymai przewodni¬ kami elektrycznosci, takie jak miedz, zelazo, alu¬ minium, jednak pk uprzednim pokryciu calkowitej powierzchni pojdloza odipowliednia warstwa ochronna. 5 Jako metale szlachetne stanowiace katode, której czastki sa najpylane na anode, stosuje sie me¬ tale z grupy platyny, takie jak platyna, iryd, pal¬ lad, ruten, osm, rod, oraz dich stopy.Katodowe bombardowanie joinomi podloza me- 10 taMcznego prowadzi sie w ciagu odpowiedniego cza¬ su umozliwiajacego dobre odgazowanie i wytrawie¬ nie powierzchni metalu, na ogól w oiagu 10—30 mi¬ nut.Czas napylania katodowego w obecnosci sladb- 15 wych ilosci czystego argonu powinien byc wystar¬ czajacy do' uzyskania rn):krowarstewki zwiazanej wskutek dyfuzji z powierzchnia podloza, zaipewnia- jacej dobra ochrone poidlloza metalicznego i na ogól wynosi 0,5—5 minut. 'Przedluzenie czasu napylania 2« w tym etapie nie daje istotnych korzysci tech¬ nicznych, zwieksza natomiast izuzyoie drogiego me¬ talu szlachetnego.W drugiej fazie katodowego napylania, w obec¬ nosci mieszaniny argonu i tlenu, proces prowadzi 25 sie do uzyskania powloki z metalu szlachetnego lub jego tlenku w postaci rozproszonej i porowatej, o grubosci 0.,!;—1 [i. Grubosc tej powloki jest wy¬ starczajaca do uzyskania elektrody o odpowiednio trwalej aktywnosci i na ogól wymagany czas napy- so lamia wynosi 2<—30 minut, po czym powstala anode pozostawia sie w komorze prózniowej az do1 jej ochlodzenia.Istotna jest takze procentowa zawartosc tlenu w mieszaninie z argonem. Pewna, okreslona wyzej '^ ilosc tlenu jest niezbedna do uzyskania dobrej aktywnosci elektrody, natomiast zbyt duza ilosc tlenu n.:e wyplywa na dalsze uaktywnienie elektrody, a ponadto obniza wydajnosc napylenia metalem szlachetnym, lub jego tlenkiem oraz nadmiernie 4U przedluza czas trwania procesu napylania.Napylanie katodowe tylko w obecnosci czystego argonu mozna silosowac do nakladania ochronnej warstwy metalu na podloze z metalu o dobrej prze- 45 wodnoscr elektrycznej, takie jak miedz, zelazo lub alumiinium. W tym przypadku metal wykazuje dobra pasywacje wzgledem czynników korodujacych i sluzy jako podloze metaliczne, które powleka sie metalem szlachetnym lub jego tlenkiem przez na- 50 pylanie katodowe sposobem wedlug wynalazku.Napylanie katodowe metalem szlachetnym bez¬ posrednio w obecnosci mieszaniny argonu z tle¬ nem stosuje sie do wytwarzania elektrody bez -ochronnej mikrowarstwy zwiazanej przez dyfuzje 55 z podlozem metalicznym przy uzyciu czystego argo¬ nu w ilosci sladowej, przy czym cala powloka ma postac mikrokrystaliczna i porowata. Tak wytwo¬ rzona elektroda wykazuje prawidlowa krzywa pola¬ ryzacji w kapieli elektrolitycznej, lecz jej czas 60 uzytkowania jest zmniejszony, a aktywnosc elektro¬ chemiczna spada gwaltownie /wskutek odpryskiwa- nia tak wytworzonej (powloki. .Podobnie zachowuje sie elektroda:, jezeli po oczyszczeniu podloza bom¬ bardowaniem jonowym dopusci sie, przed napyla- 65 6 niem metalem szaaeheiinym, do aonnzenaa tempera¬ tury do okolo 50°C.Nizej podane przyklady objasniaja wynalazek, nie ograniczajac jego zakresu.- Przyklad I. Plytke z tytanu o wymiarach 30 X 50 mm oraz grubosci 3 mm oczyszczono naj¬ pierw przez piaskowanie, a nastepnie przez szczot¬ kowanie w biezacej wodzie, po czym odtluszczono parami trójchloroetylenu i przemyto alkoholem me¬ tylowym. Oczyszczona plyflke wprowadzono, do ko¬ mory prózniowej, w której cisnienie obnizono do 10-6 tor.Umieszczona w komorze prózniowej plytke z ty¬ tanu bombardowano jonami przy napieciu na za¬ ciskach 30001 V prajdu stalegoi, po uprzednim wpro¬ wadzeniu czystego argonu do uzyskania cisnienia w komorze 40 X 10 ~3 tor, przy czym katode platy¬ nowa oslaniano przesuwana oslona ruchoma. Czas wytrawiania tytanu wynosil 20 minut przy mocy pradowej 1,8 W/cm2. Po zakonczeniu procesu tra¬ wienia temperatura plytki wynosila 350°C.Po zakonczeniu wstepnej fazy wysokie napiecie natychmiast przelaczono z plytki tytanowej na ka¬ tode platynowa, nie dopuszczajac do Obnizenia temperatury plytki tytanowej, wynoszacej 300— 350°C.Pierwsza faze napylania powloki platynowej na plytke tytanowa o* temperaturze okolo 300°C pro¬ wadzono w obecnosci sladowej ilosci czystego argo¬ nu, w ciagu 2 minut, uzyskujac powloke platynowa o duzej gestosci i nieporowata.W drugiej fazie napytania do kornjory prózniowej wstrzyknieto sladowa ilosc tlenu do uzyskania mie¬ szaniny argonu z tlenem w proporcji objetosciowej 80 :20, po czym prowadzono proces napylania do uzyskania calkowitej grubosci powloki platynowej rzedu 2500 A, mierzonej profilometrem na szkla¬ nych plytkach kontrolnych, po czym plytke ostu¬ dzono!, pozostawiajac ja w komorze prózniowej w ciagu 30 minut.Obie fazy procesu napylania powloki platynowej prowadzono pod napieciem 3000 V i mocy pradowej 2 W/cm2.W drugiej fazie napylania powloki platynowej w obecnosci mieszamiiny argonu z tlenem otrzymapiio powloke platynowa w postaci zaktywowanej pla¬ tyny, charakteryzujacej sie nizsza gestoscia w sto¬ sunku do platyny metalicznej', znaczna opornoscia elektryczna i wysoko rozwinieta powierzchnia wlas¬ ciwa, warunkujaca aktywnosc katalityczna. Uaktyw¬ niona powloka platynowa poddana analizie rentge¬ nowskiej dyfrakcyjnej w swietle odbitym i prze¬ chodzacym, dyfrakcji elektronów w podczerwieni, wskazala strukture szescianów centrowanych po¬ wierzchniowo i nie zawierala tlenków.Powierzchnie powloki aktywnej zbadano pod mi¬ kroskopem elektronowym typu „Stereoscam" w zmiennej wiazce elektronów i stwierdzono struk¬ ture porowata o charakterze mikrokrystalicznym, co potwierdzaja wartosci uzyskane dla gestosci, opornosci elektrycznej i powierzchni wlasciwej.Otrzymana elektrode z tytanu pokryta platyna uzyto w kapieli elektrolitycznej zawierajacej roz¬ twór chlorku sodu o. stezeniu 300 g/l i okreslono83 268 8 jej wlasciwosci elekitrochemfczne w temperaturze 90°C krzywa polaryzacji i stopniem zuzycia¦ platyny w czasie dluzszego uzytkowania przy gestosci piradu rzedu 2 A/cm2, stwierdzajac: minimalne napiecie rozkladu chlorku sodu w odniesieniu do nasyconej 5 elektrody kalomelowej E0 = 1,054 V/ECS, (ECS oznacza nasycona elektrode kaloimelowa), opornosc polaryzacji 0,:120 oimów • cm2, zuzycie platyny ponizej 100 mg/t wytworzonego chloru. 10 SW przykladach II—IV w celu porównania zasto¬ sowano imne warunki prowadzenia, procesu niz usta¬ lono w sposobie wedlug wynalazku i przedstawiono w przykladzie I, przy czym wstepna faze bombar¬ dowania jonowego1 plytki' z, tytanu prowadzono 15 w taki sam sposób, jak opisano w przykladzie I.W przykladach tych po zakonczeniu bombardowa¬ nia jonaimi temperatura plytki wynosila 300°C i; powloke platynowa napylano w innych warun¬ kach. 20 Przyklad II. Powloke platynowa napylano natychmiast bez ochlodzenia plytki, lecz od razu w obecnosci sladowych ilosci mieszaniny argonu z tlenem w proporcji 80 :20. W tych warunkach nie uzyskano: dyfuzyjnej ochronnej mikrowarstwy 25 z platyny, o duzej gestosci i nieporo.wa.tej, lecz aktywna powloke platynowa silnie porowata. Napy¬ lanie prowadzono pod napieciem 3000 V i mocy 2 W/cm2, w ciagu 4 minut i uzyskano powloke grubosci 2200A. 30 Charakterystyke otrzymanej elektrody okreslono w takich samych warunkach jak w przykladzie I, uzyskujac: minimalne napiecie rozkladu chlorku sodu E0 = = 1,056 V/ECS opornosc polaryzaicji 0^105 omóiwcm2 zuzycie platyny 160 mig/t wytworzonego chloru.Przyklad III. Napylanie platyna rozpoczeto po uplywie 30 minut od zakonczenia bombardowa¬ nia jonami plytki osiagajac temperature poczatkowa 40 napylania 30°C. W pierwszej fazie proces najpylania prowadzono^ w ciagu 2 minut w obecnosci czystego argonu, a nastepnie w drugiej fazie w ciagu 2 mi¬ nut w mieszaninie argonu z tlenem w proporcji 80 :20, w .takich samych warunkach pradowych jak 45 w przykladzie I uzyskujac grubosc powloki platy¬ nowej 2000 A„ Charakterystyke otrzymanej elektrody okreslono w sposób jak opisano w przykladzie I i uzyskano nastepujace wyniki: minimalne napiecie rozkladu chlorku sodu E0 = = 1,065 V/ECS opornosc polairyzacji 0,135 oimów • cm2 zuzycie platyny 000 mg/t wytworzonego chloru.Przyklad IV. Napylanie platyna prowadzono po ochlodzeniu plytki do temperatury 30°C w ciagu 30 minut od razu w obecnosci mieszaniny argonu z tlenem w proporcji 80 ; 20 i w takich samych warunkach prajdowych jak w przykladzie I, uzys¬ kujac grubosc pojwloki platynowej A po uplywie 4 minut napylania,.Charakterystyke otrzymanej elektrody okreslono w sposób jak opisano w przykladzie I i uzyskano nastepujace wyniki: 35 50 '55 minimalne napiecie rozkladu chlorku sodu E0 = = 1,060 V/ECS rezystancje polaryzacji 0,105 omów • cm2 zuzycie platyny 1100 mg/t wytworzonego chlorku.Porównanie uzyskanych wyników wykazuje ko¬ rzysc wytwarzania elektrody z tytanu pokrytej pla¬ tyna w sposób opisany w przykladzie I, poniewaz dlugotrwale uzytkowanie jej w kapieli elektroli¬ tycznej powoduje minimalne zuzycie platyny.Przyklad V. Napylano platyna plytke z tan¬ talu, oi wymiarach 50 X 30 mm i grubosci 3 mm, w takich samych warunkach jak w przykladzie I, przy czym w fazie przygotowania powierzchni bom¬ bardowanie jonami prowadzonoi równiez w sposób jak opisano w przykladzie I. Calkowita grubosc napylonej powloki platynowej, mikrowarstwy dy¬ fuzyjnej i warstwy porowatej wynosi 20'00 A.Charakterystyke otrzymanej elektrody okreslono w sposób jak opisano1 w przykladzie I i. uzyskano ¦nastepujace wyniki: minimalne napiecie elektrody chlorku sodu E0 — = 1,062 V/ECS rezystancja polaryzacji 0,05il oimów • cm2 zuzycie platyny ponizej 150 mg/t wytworzonego chloru.Przyklad VI. Plytke z tytanu o takich sa¬ mych wymiarach jak w przykladzie I poddano bombardowaniu jonami w takich samych warun¬ kach jak w przykladzie I, po czym plytke o tem¬ peraturze 300°C napylano, stosujac katode z rutenu, w celu nalozenia warstewki rutenu. W pierwszej fazie napylanie prowadzono w obecnosci czystego argonu w ciagu 5 minut, przy czastkowym cisnieniu argonu 50 10 ~3 tor i mocy pradowej 2,1 W/om2, a nastepnie w obecnosci mieszaniny argonu z tle¬ nem w proporcji 98 :2, w ciagu 5 minut — o takim samym cisnienJiui czastkowym mieszaniny gazów i mocy prajdbiwej 1,9 W/cm2. W warunkach drugiej fazy napylania otrzymano powloke z tlenku rutenu o grubosci 2i700 A.Charakterystyke otrzymanej elektrody okreslono w sposób jak opisano w przykladzie I i uzyskano nastepujace wyniki: minimalne napiecie rozkladu chlorku sodu E0 = =¦ 1,066! V/ECS zuzycie rutenu 58 mg/t wytworzonego chloru rezystancje polaryzacji 0,07 omów • cm3. PL PL PL PL PL PL PL PL
Claims (7)
1. Z al s tr z e z e n i a p a. t e ni t owe i. Sposób katodowego' napylania metalu szlachet¬ nego lub jego' tlenków na podloze metaliczne, zna¬ mienny tym, ze podloze metaliczne najpierw pod¬ daje sie bombardowaniu jonami w wysokiej prózni zawierajacej sladowe ilosci czystego argonu lub innego gazu szlachetnego, po czym nie dopuszcza¬ jac do obnizenia! powstalej w wyniku bombardo¬ wania wysokiej temperatury, napyla sie katodowo metalem szlachetnym lub jegio; tlenkiem, najpierw w wysokiej prózni ze sladowa iloscia czystego argonu lub innegO' gazu szlachetnego', a nastepnie w wysokiej prózni ze sladowa iloscia mieszaniny argonu i tlenu.
2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze bombardowanie jonami podloza metalicznego' pro-9 83 268 10 wadzi sie do osiagniecia temperatury podloza 30O^H4O0°C.
3. Sposób wedlug zastrz. 1 i 2, znamienny tym, ze podloze metaiLiczine bombarduje sie jonami w cia¬ gu 10—30 miimutt.
4. Sposób wedlug zastrz. 1—3, znamienny tym, ze podloze metaliczne napyla sie katodowo metalem szlachetnym lub jego tlenkiem w obecnosci slado¬ wej ilosci czystego argonu, w ciagu 0,5—5 minut, a nastepnie w obecnosci sladowej ilosci mieszaniny argonu z tlenem o cisnieniu czastkowym tlenu 0,1—25% cisnienia mieszaniny gazów, w ciagu 2—30 minut.
5. Sposób wedlug zastirz. 1—4, znamienny tym, ze jako podloze metaliczne stosuje sie metal z grupy tantalu, cyrkonu hub tytanu lub ich stopy,
6. Sposób wedlug zastrz. 1^-5, znamienny tym, ze jako metal szlachetny napylany na podloze stosuje 5 siie metal z grupy platyny, irydu, palladu, rutenu, osmu lub rodu lub ich stopy lub tlenki pojedyncze lub ich mieszaniny.
7. Sposób wedlug zastrz. 1—6, znamienny tym, ze podloze metaliczne napyla sie katodowo metalem szlachetnym lub jego tlenkami w optymalnych wa¬ runkach procesu dla uzyskania elektrod do kapieli elektrolitycznej, ognitw paliwowych i urzadzen od¬ salajacych. 10 \ PL PL PL PL PL PL PL PL
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR7014327A FR2088659A5 (pl) | 1970-04-21 | 1970-04-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL83268B1 true PL83268B1 (pl) | 1975-12-31 |
Family
ID=9054289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL1971147635A PL83268B1 (pl) | 1970-04-21 | 1971-04-19 |
Country Status (17)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3773639A (pl) |
| JP (1) | JPS5324914B1 (pl) |
| AT (1) | AT304990B (pl) |
| BE (1) | BE766023A (pl) |
| BR (1) | BR7102391D0 (pl) |
| CA (1) | CA933881A (pl) |
| CH (1) | CH524690A (pl) |
| DE (1) | DE2119066A1 (pl) |
| ES (1) | ES390345A1 (pl) |
| FR (1) | FR2088659A5 (pl) |
| GB (1) | GB1307956A (pl) |
| IL (1) | IL36656A (pl) |
| LU (1) | LU63024A1 (pl) |
| NL (1) | NL7105157A (pl) |
| PL (1) | PL83268B1 (pl) |
| RO (1) | RO61059A (pl) |
| SE (1) | SE366345B (pl) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2320565A1 (fr) * | 1973-04-12 | 1977-03-04 | Radiotechnique Compelec | Plaque a transparence selective et son procede de fabrication |
| AU507748B2 (en) * | 1976-06-10 | 1980-02-28 | University Of Sydney, The | Reactive sputtering |
| DE2630883C2 (de) * | 1976-07-09 | 1985-02-07 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen | Verwendung einer nach dem Plasma- oder Flammspritzverfahren auf einem metallischen Träger aufgebrachten porösen anorganische Oxide enthaltenden Schicht als Diaphragma in einer Elektrolysezelle |
| AU5889880A (en) * | 1979-07-02 | 1981-01-15 | Olin Corporation | Manufacture of low overvoltage electrodes by cathodic sputtering |
| US4400255A (en) * | 1981-06-29 | 1983-08-23 | General Motors Corporation | Control of electron bombardment of the exhaust oxygen sensor during electrode sputtering |
| US4420385A (en) * | 1983-04-15 | 1983-12-13 | Gryphon Products | Apparatus and process for sputter deposition of reacted thin films |
| US5391275A (en) * | 1990-03-02 | 1995-02-21 | Applied Materials, Inc. | Method for preparing a shield to reduce particles in a physical vapor deposition chamber |
| EP0446657B1 (en) * | 1990-03-02 | 1995-07-26 | Applied Materials, Inc. | Method for preparing a shield to reduce particles in a physical vapor deposition chamber |
| US5202008A (en) * | 1990-03-02 | 1993-04-13 | Applied Materials, Inc. | Method for preparing a shield to reduce particles in a physical vapor deposition chamber |
| DE69220566T2 (de) * | 1991-11-21 | 1998-02-19 | Nisshin Steel Co Ltd | Verfahren zur bildung einer beschichtung mittels aufdampfen |
| DE69330773T2 (de) * | 1992-10-14 | 2002-07-04 | Daiki Engineering Co. Ltd., Tokio/Tokyo | Hochfeste Elektroden für die Elektrolyse und ein Verfahren für die Herstellung derselben |
| CA2154428C (fr) * | 1995-07-21 | 2005-03-22 | Robert Schulz | Alliages a base de ti, ru, fe et o et usage de ceux-ci pour la fabrication de cathodes pour la synthese electrochimique du chlorate de sodium |
| FR2861219B1 (fr) * | 2003-10-15 | 2006-04-07 | Commissariat Energie Atomique | Pile a combustible alcaline comportant une anode comprenant de l'aluminium et du zinc et procede de fabrication de l'anode |
| US20050205415A1 (en) * | 2004-03-19 | 2005-09-22 | Belousov Igor V | Multi-component deposition |
| ITMI20091621A1 (it) * | 2009-09-23 | 2011-03-24 | Industrie De Nora Spa | Elettrodo per processi elettrolitici con struttura cristallina controllata |
| JP4734664B1 (ja) * | 2010-09-17 | 2011-07-27 | 田中貴金属工業株式会社 | 電解用電極、オゾン電解生成用陽極、過硫酸電解生成用陽極及びクロム電解酸化用陽極 |
| US10654034B2 (en) | 2014-05-30 | 2020-05-19 | At Energy Llc | Method of preparing platinum-based catalyst and platinum-based catalyst |
| RU2562462C1 (ru) * | 2014-05-30 | 2015-09-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Эй Ти Энерджи", ООО "Эй Ти Энерджи" | Способ изготовления катализатора на основе платины и катализатор на основе платины |
-
1970
- 1970-04-21 FR FR7014327A patent/FR2088659A5/fr not_active Expired
-
1971
- 1971-03-15 CH CH372571A patent/CH524690A/fr not_active IP Right Cessation
- 1971-03-16 SE SE03345/71A patent/SE366345B/xx unknown
- 1971-04-05 US US00131497A patent/US3773639A/en not_active Expired - Lifetime
- 1971-04-06 RO RO66501D patent/RO61059A/ro unknown
- 1971-04-16 NL NL7105157A patent/NL7105157A/xx unknown
- 1971-04-19 JP JP2520271A patent/JPS5324914B1/ja active Pending
- 1971-04-19 GB GB2665571*A patent/GB1307956A/en not_active Expired
- 1971-04-19 CA CA110757A patent/CA933881A/en not_active Expired
- 1971-04-19 ES ES390345A patent/ES390345A1/es not_active Expired
- 1971-04-19 PL PL1971147635A patent/PL83268B1/pl unknown
- 1971-04-20 BE BE766023A patent/BE766023A/xx unknown
- 1971-04-20 DE DE19712119066 patent/DE2119066A1/de active Pending
- 1971-04-20 IL IL36656A patent/IL36656A/xx unknown
- 1971-04-20 LU LU63024D patent/LU63024A1/xx unknown
- 1971-04-21 AT AT342371A patent/AT304990B/de not_active IP Right Cessation
- 1971-04-22 BR BR2391/71A patent/BR7102391D0/pt unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1307956A (en) | 1973-02-21 |
| US3773639A (en) | 1973-11-20 |
| IL36656A (en) | 1974-01-14 |
| NL7105157A (pl) | 1971-10-25 |
| FR2088659A5 (pl) | 1972-01-07 |
| BR7102391D0 (pt) | 1973-05-03 |
| SE366345B (pl) | 1974-04-22 |
| JPS5324914B1 (pl) | 1978-07-24 |
| CA933881A (en) | 1973-09-18 |
| CH524690A (fr) | 1972-06-30 |
| DE2119066A1 (de) | 1971-11-04 |
| RO61059A (pl) | 1976-10-15 |
| BE766023A (fr) | 1971-10-20 |
| IL36656A0 (en) | 1971-06-23 |
| AT304990B (de) | 1973-02-12 |
| ES390345A1 (es) | 1973-06-01 |
| LU63024A1 (pl) | 1972-12-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| PL83268B1 (pl) | ||
| US5055169A (en) | Method of making mixed metal oxide coated substrates | |
| RU2268324C2 (ru) | Электрод для применения при получении водорода (варианты) и способ его изготовления (варианты) | |
| EP2518185B1 (en) | Cathode, electrolytic cell for electrolysis of alkali metal chloride, and method for producing the cathode | |
| JPS5917197B2 (ja) | 溶融噴霧および浸出処理したニツケルまたはコルバト被覆を有する電解用電極 | |
| PL178197B1 (pl) | Sposób wykonania elektrody | |
| US7468121B2 (en) | Conductive diamond electrode and process for producing the same | |
| JPS5944392B2 (ja) | コバルト/二酸化ジルコニウム溶融噴霧被覆を有する電解陰極 | |
| RU2045583C1 (ru) | Способ получения электрода | |
| GB2058842A (en) | Low overvoltage electrode | |
| US4963237A (en) | Method for electrochemical activation of IVD aluminum coatings | |
| JPH05171483A (ja) | 酸素発生用陽極の製法 | |
| JP3430479B2 (ja) | 酸素発生用陽極 | |
| CA1311443C (en) | Method for extending service life of a hydrogen-evolution electrode | |
| Paramasivam et al. | Influence of alloying additives on corrosion and hydrogen permeation through commercial aluminium in alkaline solution | |
| Coleman et al. | The effects of multiple electroplated zinc layers on the inhibition of hydrogen permeation through an iron membrane | |
| Hara et al. | Anodic characteristics of amorphous palladium-iridium-phosphorus alloys in a hot concentrated sodium chloride solution | |
| KR20250004236A (ko) | 전기증착을 위한 금속 중간층을 갖는 애노드 | |
| RU2577860C1 (ru) | Способ защиты от окисления биполярных пластин и коллекторов тока электролизеров и топливных элементов с твердым полимерным электролитом | |
| EP0100659A1 (en) | Process for making Raney nickel coated cathode, and product thereof | |
| JP2549962B2 (ja) | 酸化イリジウム不溶性電極とその製造方法 | |
| Akiyama et al. | The corrosion behaviour of sputter-deposited amorphous Ni Ti alloys in 1 M HCl | |
| US3574074A (en) | Surface treated platinized anodes | |
| Chernova et al. | Increasing the passivation ability and corrosion resistance of chromium steel by surface alloying with palladium | |
| JP6812606B1 (ja) | 多孔質体、電気化学セル、及び多孔質体の製造方法 |