PL78357B2 - - Google Patents

Description

Pierwszenstwo: 06.09.1972 (P. 157606) Zgloszenie ogloszono: 30.05.1973 Opis patentowy opublikowano: 10.06.1975 78357 H- 21gf 11/02 MKP' H01I1/08 Twórcawynalazku: Jerzy Stosik Uprawniony z patentu tymczasowego: Zaklad Doswiadczalny Pólprzewodników przy Instytucie Technologii Elektronowej, TnrnnfPnkkal Urzadzenie do wykonywania obudów diod pólprzewodnikowych Przedmiotem wynalazku jest urzadzenie do wykonywania obudów diod pólprzewodnikowych zwlaszcza caloszklanych.Znane sposoby wykonywania diodowych obudów caloszklanych polegaja najczesciej na ogrzewaniu plo¬ mieniem gazowym lub grzejnikiem elektrycznym umieszczonym w pewnej odleglosci od zestawionych odpowied¬ nio elementów, az do stopienia szkla i trwalego polaczenia tych elementów.Ogrzewanie laczonych elementów goracym strumieniem gazu lub promieniowaniem podczerwonym utrud¬ nia konstrukcje urzadzen do jednoczesnego wykonywania wielu elementów, ze wzgledu na koniecznosc ograni¬ czenia stref grzejnych nagrzewanych elementów. Znacznie korzystniejsze jest ogrzewanie kontaktowe stapianych elementów materialem niezwilzanym przez plynna mase szklana np. grafitem. Indukcyjnie lub oporowo grzane kasety grafitowe stosowane sa do wykonywania przepustów metal — szklo.Wykonywanie przepustów metal - szklo jest ulatwione topieniem calej masy szklanej, której ostateczny ksztalt jest wynikiem zwilzania metalu oraz wielkosci napiecia powierzchniowego stopionej masy szklanej. Wyko¬ nywanie caloszklanych obudów diod pólprzewodnikowych wymaga odmiennych sposobów ogrzewania umozli¬ wiajacych zachowanie okreslonego ksztaltu geometrycznego przez splywajaca mase szklana.Urzadzenie wedlug wynalazku umozliwia równoczesne wykonywanie wielu obudów diod, zwlaszcza calo¬ szklanych.Urzadzenie wedlug wynalazku sklada sie zasadniczo z trzech równoleglych plyt, z których jedna stano¬ wiaca podstawe, jest czescia grzejna, ksztaltujaca i centrujaca, natomiast dwie pozostale zapewniaja utrzymanie wlasciwej pozycji i nacisk na zatapiane elementy umieszczone w otworach plyt. Ilosc i uksztaltowanie otworów w plytach zalezy od profilu produkcyjnego. Urzadzenie moze byc ogrzewane indukowanymi pradami wirowymi lub oporowo.Urzadzenie wedlug wynalazku wyróznia sie prosta konstrukcja i umozliwia wytworzenie wielu obudów diod pólprzewodnikowych w jednym cyklu technologicznym.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykladzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przed¬ stawia przekrój urzadzenia z elementami przygotowanymi do procesu, fig. 2 przekrój urzadzenia po zakonczeniu zatapiania.2 78 357 Plyta grzewcza 1 wykonana z materialu przewodzacego prad stanowiaca podstawe urzadzenia polaczona jest z plyta posrednia 3 za pomoca elementów konstrukcyjnych 5. Plyta dociskowa 2 umieszczona jest suwliwie w kolkach 4 umocowanych w plycie 1. Z wyjatkiem plyty 1 wszystkie czesci urzadzenia wykonane sa z ma¬ terialu nieprzewodzacego pradu elektrycznego. W plytach wykonane sa otwory, w których umieszcza sie zesta¬ wione elementy diod pólprzewodnikowych w rurkach szklanych, oczywiscie po zdjeciu plyty 2. Po umieszcze¬ niu elementów plyte 2 ustawia sie w kolkach 4 i wlacza prad elektryczny. Po zakonczeniu procesu podnosi sie plyte 2 i wyjmuje zatopione diody. Speczony przepust metalowy 6 po procesie tworzy z rurka szklana 7 element obudowy diodowej tak zwany „balon" 12. Speczony przepust metalowy obtopiony koralikiem szklanym 8 tworzy „balon" 13. „Balon" 14 powstaje ze speczonego przepustu 6, rurki 7 i szklanego koralika &• Zamontowany w caloszklanej obudowie przyrzad pólprzewodnikowy z dwoma wyprowadzeniami np. dio¬ da, warikap, fotodioda 15 wytwarza sie ze speczonego przepustu metalowego, ksztaltowanego, obtopionego koralikiem szklanym 10 oraz czesci obudowy diodowej z wlutowana struktura „balonu" 11. W przypadku ogrze¬ wania plyty grzejnej 1 oporowo plyty 2 i 3 moga byc wykonane z przewodników pradu elektrycznego. PL PL

Claims (2)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Urzadzenie do wykonywania obudów diod pólprzewodnikowych zwlaszcza caloszklanych, znamienne tym, ze sklada sie zasadniczo z trzech równoleglych plyt, z których jedna stanowiaca podstawe (1) jest czescia grzejna, ksztaltujaca i centrujaca, natomiast dwie pozostale wykonane z izolatorów zapewniaja utrzymanie wlas¬ ciwej pozycji i nacisk na stapiane elementy, przy czym plyta srodkowa (3) jest polaczona z podstawa (1) nierozlacznie za pomoca elementów (5), a plyta dociskowa (2) suwliwie kolkiem (4).

2. Urzadzenie wedlug zastrz. 1, znamienne tym, ze w plytach (1, 2, 3) sa odpowiednie otwory, w których umieszcza sie przygotowane zestawy diod pólprzewodnikowych do zatapiania. Fig.1 il 13 14 15 Rg.I Prac. Poligraf. UP PRL. zam. 2420/75 naklad 120+18 Cena 10 zl PL PL