PL66067B1 - - Google Patents

Description

Opublikowano: S1.VH.1972 66067 KI. 21g,10/02 MKp HOlg 1/02 CZYTELNIA UKD Urzodu *sm\mic Ir.* Twórca wynalazku: Zdzislaw Tadej Wlasciciel patentu: Zaklady Podzespolów Radiowych „Miflex", Kutno (Polska) Sposób hermetyzacji podzespolów elektronicznych zwlaszcza kondensatorów Przedmiotem wynalazku jest sposób hermety¬ zacji podzespolów elektronicznych zwlaszcza kon¬ densatorów.Znany jest .sposób hermetyzacji w których pod¬ zespól elektroniczny umieszcza sie w formie wyko¬ nanej z materialu antyadhezyjnego np. z kauczu¬ ku silikonowego i zalewa masa zalewowa korzyst¬ nie zywica epoksydowa. Po utwardzeniu zywicy epoksydowej, która Stanowi obudowe podzespolu elektronicznego wyjmuje sie go z formy. Znane sa równiez skladane formy, w których zalewa sie podzespól po ijej zlozeniu. Podstawowa wada tego sposobu jest klopotliwa czynnosc dozowania masy zalewowej z dokladnoscia niekiedy do ulamka gra¬ ma, jak równiez koniecznosc zalewania podzespo¬ lów po kolei.Celem wynalazku jest sposób hermetyzacji po¬ zwalajacy na jednoczesne zalewanie wiekszej ilos¬ ci podzespolów np. kilkuset z mniejsza dokladnos¬ cia dozowania masy.Sposób hermetyzacji przez zalewanie masa zale¬ wowa, odgazowywanie, a nastepnie utwardzanie wedlug wynalazku polega na tym, ze do dolnej czesci formy wypelnionej odpowiednia porcja ma¬ sy zalewowej dociska sie czesc górna w której otworach ksztaltuj acyh obudowe umieszczone sa podzespoly.Wynalazek umozliwia jednoczesne zalewanie wiekszej ilosci podzespolów np. kilkuset z mniej- 10 15 20 25 30 sza dokladnoscia dozowania np. i 1 dkg. Poza tym wynalazek umozliwia uzyskanie jednakowej wyso¬ kosci obudów podzespolów o duzym rozrzucie ga¬ barytowym.Przedmiot wynalazku jest doklaniej wyjasniony na podstawie jego przykladu zastosowania uwido¬ cznionym na rysunku gdzie fig. 1 — przedstawia forme przed zlozeniem a fig. 2 przedstawia forme po jej zlozeniu.Podzespoly elektroniczne 1 np. w postaci zwijek kondensatorów podwiesza sie za koncówki Z do plyty rastrowej 3 zawierajacej otwory 4 a nastep¬ nie umieszcza sie formy 6 w postaci plyty wykonanej z polipropyle¬ nu. Odpowiednia porcje masy zalewowej 7 w po¬ staci zywicy epoksydowej wlewa sie do dolnej czesci formy 8 o ksztalcie tacy wykonanej z alu¬ minium.Calosc przedstawiona na fig. 1 wstawia sie do komory prózniowej w której odgazowuje sie pod¬ zespoly U, mase zalewowa 7 oraz górna czesc for¬ my 6. Po odgazowywaniu opuszcza sie pod próznie górna czesc formy 6 wraz z umieszczonymi w jej otworach 5 podzespolami 1 do dolnej czesci formy 8, na skutek czego poziom masy zalewowej 7 pod¬ nosi sie pokrywajac podzespoly 1. Po osadzeniu górnej czesci formy 6 w tacy 8 wyjmuje sie calosc przedstawiona na fig. 2 z komory prózniowej i wstawia sie do komory goraca celem utwardze- 66 06766 067 nia zywicy epoksydowej 7. Po utwardzeniu zywicy 7 wyjmuje sie z tacy 8 górna czesc formy 6. Na¬ stepnie z koncówek 2 sciaga sie plyte rastrowa 3.Z kolei z górnej czesci formy 6 wyjmuje sie obu¬ dowane zywica epoksydowa 7 podzespoly 1. Jak wiec wi'dac z fig. 1 i fig. 2 górna czesc formy 6 po zanurzeniu jej w masie zalewowej 7, tworzy wraz z dolna czescia formy 8 uklad naczyn pola¬ czonych, dzieki któremu wysokosci obudowanych podzespolów 1 sa jednakowe. PL PL

Claims (2)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób hermetyzacji podzespolów elektronicz¬ nych zwlaszcza kondensatorów przez zalewanie masa zalewowa, odgazowywanie a nastepnie utwar¬ dzanie znamienny tym, ze do dolnej czesci formy (8) wypelnionej odpowiednia porcja masy zalewo¬ wej (7) dociska sie czesc górna (6) w której otwo¬ rach ksztaltujacych obudowe umieszcza sie pod¬ zespoly (1). ?w N k\^vv^v^^uu^u^u^^vv^^uv^u^v^^ Fig. 1 Fig.

2. ZF „Ruch", W-wa, zam. 624-72, nakl. 200 + 20 egz. Cena z! 10,— PL PL