PL65952B1 - - Google Patents

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 30.XII.1972 65952 KI. 21e,33/06 MKP G01r33/06 czytelnia! Urzedu Pofc«*t«(*«go Wspóltwórcy wynalazku: Stanislaw Andrzej Ignatowicz, Andrzej Dajna Wlasciciel patentu: Naukowo-Produkcyjne Centrum Pólprzewodników (Instytut Technologii Elektronowej), Warszawa (Polska) Hallotron Przedmiotem wynalazku jest hallotron do po¬ miaru natezenia pola magnetycznego, w szczegól¬ nosci pola w waskich, a takze krzywoliniowych szczelinach. Moze on takze znalezc zastosowanie w ukladach do pomiaru rezystancji przy pradzie zmiennym, ukladach realizujacych pewne funkcje matematyczne itp.Stosowanie dwóch oddzielnych hallotronów umie¬ szczonych w polu magnetycznym w waskiej szcze¬ linie, lub w jednej cewce wytwarzajacej pole ma¬ gnetyczne ma te niedogodnosc, ze uniemozliwia wy¬ eliminowanie nierównomiernego ich nagrzewania sie, gdyz nie jest praktycznie mozliwym dokladne nalozenie na siebie obu hallotronów. Nierównomier¬ ne zas nagrzewanie sie hallotronów wywoluje po¬ wstanie szkodliwych napiec termoelektrycznych.Niekorzystny wplyw ma równiez znaczna odleglosc miedzy hallotronami wynikajaca z podwójnego pod¬ loza warstw czynnych. Odleglosc ta powoduje, ze oba hallotrony znajduja sie w róznych warunkach termicznych, co jest niepozadane z punktu widzenia ukladu, w którym one pracuja.Celem wynalazku jest wiec taki hallotron, który zastepowac bedzie dwa oddzielne hallotrony i który zapewni jednakowe warunki termiczne pracy obu hallotronów skladowych oraz sprowadzi do mini¬ mum powstawanie w nich szkodliwych napiec ter¬ moelektrycznych.Wytyczony cel osiagniety zostal w hallotronie we- 10 15 30 dlug niniejszego wynalazku, a to dzieki temu, ze ma on warstwy pólprzewodnikowe oraz elektrody la¬ czace te warstwy z przewodami naniesione po obu stronach cienkiej warstwy miki, a naniesione obu¬ stronnie warstwy pólprzewodnika i elektrod sa so¬ bie odpowiadajace.Blizsze objasnienie istoty wynalazku podane jest ponizej, a przykladowe jego wykonanie pokazane na rysunkach, na których fig. 1 przedstawia hallo¬ tron w widoku z boku, a fig. 2 — w widoku z góry.Hallotron wedlug wynalazku sklada sie z cienkiej warstwy miki 1, na której po obu stronach nanie¬ sione sa, na przyklad przez naparowanie, warstwy pólprzewodnika 2 i 3 oraz warstwy elektrod 4 i 5.Dla zabezpieczenia naniesionych warstw przed uszkodzeniami mechanicznymi i wplywem czynni¬ ków atmosferycznych sa one pokryte cienka, ela¬ styczna warstwa metakrylanu etylu.Naniesione obustronnie na mike 1 warstwy pól¬ przewodnika 2 i 3 i elektrod 4 i 5 sa sobie odpo¬ wiadajace, z tym jednak, ze wyprowadzenia ele¬ ktrod sa dla kazdej strony oddzielne, tworzac przez to dwa oddzielne uklady hallotronów.Dzieki naniesieniu warstw pólprzewodnika 2 i 3 po obu stronach jednego podloza uzyskuje sie stale wzajemne polozenie tych warstw. Dokladnosc ich wzajemnego pokrycia sie zalezna jest jedynie od dokladnosci naparowania, stosunkowo latwej do realizacji. Otrzymany w ten sposób uklad dwóch 6595265952 hallotronów skladowych zapewnia jednakowe wa¬ runki termiczne ich pracy i sprowadza do minimum powstawanie szkodliwych napiec termoelektrycz¬ nych. PL PL

Claims (2)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Hallotron wykonany na podlozu z miki, prze¬ znaczony do pomiaru natezenia pola magnetyczne¬ go, w szczególnosci w waskich, a takze krzywo¬ liniowych szczelinach, znamienny tym, ze warstwy pólprzewodnikowe (2, 3) oraz elektrody (4, 5) lacza¬ ce te warstwy z przewodami ma naniesione po obu stronach cienkiej warstwy miki (1). 2. Hallotron wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze naniesione na mike (1) obustronne warstwy pól¬ przewodnika (2, 3) i elektrod (4, 5) sa sobie odpo¬ wiadajace. \//////A&//A///\//////;///s//////s//////s/77m ty/y/s/z/Jy/A/A;/;;/;;;;///;/;/;;///, y///////////A//A/////////////y ////////////77777r, f/g.f -W, 4 Fig.

2. Errata W opisie patentowym na pierwszej stronie mylnie wy¬ drukowano MKP jest: MKP GOlr 3/06 powinno byc: MKP GOlr 33/06 KZG 1, z. 280/72 — 200 Cena zl 10.— PL PL