CN109244047A - 电路基板 - Google Patents

电路基板 Download PDF

Info

Publication number
CN109244047A
CN109244047A CN201810745744.4A CN201810745744A CN109244047A CN 109244047 A CN109244047 A CN 109244047A CN 201810745744 A CN201810745744 A CN 201810745744A CN 109244047 A CN109244047 A CN 109244047A
Authority
CN
China
Prior art keywords
region
circuit substrate
slit
metallic film
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810745744.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109244047B (zh
Inventor
桥诘和幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Publication of CN109244047A publication Critical patent/CN109244047A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109244047B publication Critical patent/CN109244047B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/492—Bases or plates or solder therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45475—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using IC blocks as the active amplifying circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H05K1/0209—External configuration of printed circuit board adapted for heat dissipation, e.g. lay-out of conductors, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/129—Indexing scheme relating to amplifiers there being a feedback over the complete amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45116—Feedback coupled to the input of the differential amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45528—Indexing scheme relating to differential amplifiers the FBC comprising one or more passive resistors and being coupled between the LC and the IC
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45594—Indexing scheme relating to differential amplifiers the IC comprising one or more resistors, which are not biasing resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/06—Thermal details
    • H05K2201/062—Means for thermal insulation, e.g. for protection of parts
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10022—Non-printed resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10151—Sensor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10409—Screws
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431—Details of mounted components
    • H05K2201/10507—Involving several components
    • H05K2201/10522—Adjacent components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

在电路基板(1)中，基板主体(100)的表面(101)形成有金属薄膜(10)。通过形成直线状的狭缝(13)，金属薄膜(10)夹着狭缝(13)而被分离成第1区域(11)以及第2区域(12)。电路基板(1)具备：热源(例如集成电路20)，配置在第1区域(11)；元件(40)，配置在第2区域(12)。在元件(40)中，电流在相对于狭缝(13)平行的方向上流动。

Description

电路基板
技术领域
本发明涉及在基板主体的表面形成有金属薄膜的电路基板。
背景技术
在例如热分析装置等的、测量从检测器输出的微小信号从而进行分析的装置中，装备了电路基板，所述电路基板安装了对来自检测器的信号进行放大的放大器。在这样的电路基板中，除了放大器之外，还安装了电阻或电容等各种元件。
在将各元件安装到电路基板时，例如通过焊接等将设置在各元件的端子相对于电路基板连接。此时，由于不同种类的金属彼此连接，所以在该连接点产生热电偶效应，随着温度变化在连接点产生电动势。这种电动势会成为噪声或漂移的原因，特别是在检测微小信号的检测电路中，无法无视电动势的影响(例如，参照下述专利文献1)。
一直以来，通过将电路基板的周围隔热，或是对基板自身进行温度调整，或是隔开热源与重要零件的距离，谋求用于避免上述那样的电动势的产生的手段。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第2903005号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
但是，在进行电路基板周围的隔热，或是对基板自身进行温度调整的情况下，由于追加了零件等，存在结构变得复杂而导致装置大型化之类的问题。此外，还存在不能够充分地降低热电动势对微小信号的影响之类的问题。此外，即便在隔开热源与重要零件的距离的情况下，也同样地存在装置大型化之类的问题。
本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的是提供一种电路基板，能够用简单的构成抑制来自热源的热引起的电动势的影响。此外，本发明的另外的目的是提供一种电路基板，能够防止装置的大型化，并且能够较大地抑制来自热源的热引起的电动势的影响。
用于解决上述技术问题的方案
(1)本发明的电路基板是在基板主体的表面或者内层形成有金属薄膜的电路基板，通过在所述金属薄膜形成直线状的狭缝，使得所述金属薄膜夹着所述狭缝而被分离成第1区域以及第2区域。所述电路基板具备：热源，配置于所述第1区域；元件，配置于所述第2区域。在所述元件中，电流在相对于所述狭缝平行的方向上流动。
根据这样的构成，由于金属薄膜通过直线状的狭缝被分离成第1区域以及第2区域，所以在来自热源的热从第1区域到达狭缝时，沿着该狭缝被直线状地均匀化。因此，从第1区域经由狭缝传递到第2区域的热，以保持相对于狭缝平行的等温线的状态在第2区域中传递。由此，在配置于第2区域的元件中流动的电流方向，变得相对于等温线平行，因此热电偶效应引起的电动势的影响被抑制。
像这样地，在金属薄膜形成直线状的狭缝，以电流在相对于该狭缝平行的方向上流动的方式配置元件，能够用简单的构成抑制来自热源的热引起的电动势的影响。此外，若使第1区域以及第2区域夹着狭缝而接近地配置，则能够防止装置的大型化，且能够较大地抑制来自热源的热引起的电动势的影响。
(2)也可以是，所述元件具有用于进行电连接的一对连接部。在这种情况下，优选为，所述一对连接部，排列在相对于所述狭缝平行的方向上。
根据这样的构成，元件所配备的一对连接部排列在相对于第2区域中的等温线平行的方向上。因此，即便是在由一对连接部构成不同种类金属彼此的连接点的情况下，由于这些连接点沿等温线排列，所以热电偶效应引起的电动势的影响也被抑制。
(3)也可以是，所述元件是处理20nV以下的微小电压的元件。更优选为，所述元件是处理10nV以下的微小电压的元件，且进一步优选为，所述元件是处理1nV以下的微小电压的元件。
根据这样的构成，在处理微小电压的元件中，由于热电偶效应引起的电动势的影响被抑制，所以能够防止电动势造成噪声或漂移而带来的较大影响。
(4)也可以是，所述电路基板还具备放大器，对经由所述元件被输入的信号进行放大。
根据这样的构成，由于能够防止噪声或漂移影响被放大器放大前的微小信号，所以能够有效地防止热偶效应引起的电动势作为噪声或漂移而带来的较大影响。
(5)也可以是，所述热源是集成电路。
根据这样的构成，能够防止从集成电路产生的热成为引起电动势的原因。
(6)也可以是，所述元件是电阻。
根据这样的构成，由于在配置于第2区域的电阻中流动的电流的方向，变得相对于等温线平行，所以能够防止该电阻中的电动势的影响。
(7)也可以是，所述第1区域以及所述第2区域分别接地。
根据这样的构成，由于第1区域以及第2区域的热阻较小，所以来自热源的热沿着狭缝良好地均匀化，并且经由狭缝从第1区域传递至第2区域的热以保持相对于狭缝平行的等温线的状态地在第2区域中传递。此外，不仅对来自基板上的热源的影响有效果，而且对热由于周围温度的变化从装置壳体经由接地点流入至基板也有效果。另外，也可以是，所述第2区域在温度上被充分分离的前提下与所述第1区域连接。
发明效果
根据本发明，在金属薄膜形成直线状的狭缝，以电流在相对于该狭缝平行的方向上流动的方式配置元件，由此能够用简单的构成抑制来自热源的热引起的电动势的影响。此外，根据本发明，通过使第1区域以及第2区域夹着狭缝而接近地配置，能够防止装置的大型化，且能够较大地抑制来自热源的热引起的电动势的影响。
附图说明
图1是示出本发明的一实施方式的电路基板的构成例的概略俯视图。
图2是示出了设置在第2区域的电气电路的一部分的电路图。
图3是示出了接通电源后使输入短路的情况下、来自电路基板的输出信号的变化的图。
图4是示出了使恒温槽内的周围环境温度变化，在使输入短路的情况下、来自电路基板的输出信号的变化的图。
具体实施方式
1.电路基板的整体构成
图1是示出本发明的一实施方式的电路基板1的构成例的概略俯视图。该电路基板1例如是由多层绝缘体层叠得到的层叠体构成的多层基板，由层叠体构成的基板主体100的两表面形成有导电体，并且在基板主体100的内部各绝缘体之间适当地形成有导电层。该电路基板例如用于热分析装置，构成用于处理从检测器(未图示)输出的微小信号的电路。
上述绝缘体例如是由玻璃环氧树脂等树脂形成的板状的部件。在各绝缘体中适当地形成贯通孔，并将导电体埋设至该贯通孔，由此电气地导通形成在各绝缘体之间的导电层，从而能够构成期望的电气电路。
在图1中，以俯视图示出了构成电路基板1的基板主体100的一侧的表面101。在该基板主体100的表面101，例如由铜等的导电材料形成金属薄膜10。金属薄膜10具有均匀的厚度，并且构成电路基板1的各种元件配置在金属薄膜10上。但是，金属薄膜10并不限于是形成在基板主体100的表面101的构成，也可以是，形成在基板主体100的内层(层叠的绝缘体之间)的构成。
金属薄膜10被分割成第1区域11以及第2区域12。具体地说，通过形成相对于金属薄膜10以直线状延伸的狭缝13，第1区域以及第2区域间夹着狭缝13而被电气地分离。狭缝13的宽度，即第1区域11与第2区域12之间的间隔，例如是1～数mm左右。在该例中，基板主体100形成为在边角部具有切口的矩形形状，虽然狭缝13形成为相对于基板主体100的任一边平行地延伸，但是也可以是，狭缝13向相对于基板主体100的各边倾斜的方向延伸。
例如由矩形形状的区域构成第1区域11，且配置有集成电路(IntegratedCircuit)20等各种电气零件。此外，至少在第1区域11的一部分(在该例中为四个边角部)形成有贯通孔，基板主体100通过插通于该贯通孔的螺纹件等的固定件30而被固定在固定位置(金属板等)。配置于第1区域的集成电路20等的电气零件或连接于固定位置的固定件30是能够成为热源的零件，如图1的箭头所示，热从这些热源传递至第1区域11。但是，热源并不限于集成电路20或固定件30，也可以是随着装置的动作而产生热的其他零件。
例如由比第1区域11小的矩形形状的区域构成第2区域12，且配置有电阻等的元件40。在各元件40设置有一对连接部41，通过将这些连接部41焊接到形成在基板主体100的表面101的焊盘(未图示)，进行不同种类的金属的彼此的电连接。焊盘相对于第2区域12被电气地分离。由此，各元件40相对于在基板主体100中的各绝缘体之间形成的导电层电气地导通，由该元件40构成电气电路的一部分。
各元件40中的一对连接部41，排列在相对于狭缝13的延伸方向D平行的方向上。在该例中，多个(例如两个)元件40的各连接部41，沿着上述平行方向排列在同一条直线上。由此，在各元件40中，电流在相对于狭缝13的延伸方向D平行的方向上流动。
但是，第2区域12不限于具有比第1区域11小的面积的区域，也可以是，具有和第1区域11相同面积的区域，或者是具有比第1区域11大的面积的区域。此外，元件40不限于电阻，也可以是电流在恒定方向上流动的其他元件。优选为，第2区域12的沿着狭缝13的横向宽度为第1区域11的横向宽度以下。
在本实施方式中，第1区域11以及第2区域12，通过分别接地而构成接地层(groundlayer)。由于这样的第1区域11的热阻较小，从集成电路20或固定件30之类的第1区域11上的热源产生的热，虽然以扩散的方式传递到第1区域11整体，但是在与热阻比第1区域11的大的基板主体100的表面101的边界处被均匀化。因此，在第1区域11的狭缝13一侧的边111中，等温线沿着该边111以直线状延伸。
来自第1区域11的热，从狭缝13一侧的边111通过狭缝13(基板主体100的表面101)传递到第2区域12。由此，从第1区域11经由狭缝13传递到第2区域12的热，以相对于狭缝13保持平行的等温线的状态被传递到第2区域12。因此，如图1的虚线所示，在第2区域12上配置了各元件40的区域中，等温线L相对于狭缝13的延伸方向D平行地延伸。
2.具体的电路构成
图2是示出了设置在第2区域12的电气电路200的一部分的电路图。信号从两个输入部201、202被输入至该电气电路200，这些输入信号的电压差作为差分信号由放大器203放大。被放大器203放大前的差分信号优选由20nV以下(进一步优选为1nV以下)的微小电压构成。
电阻204连接在一个输入部201与放大器203之间。此外，电阻205连接在另一个输入部202与放大器203之间。来自各输入部201、202的信号，经由各电阻204、205输入至放大器203，并由该放大器203放大。在这种情况下，各电阻204、205优选是处理20nV以下(更加优选是10nV以下，进一步优选是1nV以下)的微小电压的元件。
在该例中，各电阻204、205构成了图1中的各元件40。即，各电阻204、205的两端部，构成了图1中各元件40的连接部41。通过以如图1所示的各元件40的配置来设置各电阻204、205，能够使电流在各电阻204、205中，在相对于狭缝13的延伸方向D平行的方向上流动。
3.实验结果
图3是示出了接通电源后使输入短路的情况下、来自电路基板的输出信号的变化的图。在图3中示出了：准备8个本发明的电路基板，分别在其中接通电源后，对来自设置在25℃的恒温槽内的电路基板的输出信号进行测量的结果。
根据图3所示的测量结果，输出信号在接通电源后的1分钟内稳定，且到稳定为止的输出信号的变动在10nV左右。在使用了未应用本发明的以往的电路基板的情况下，输出信号到稳定为止会花费2～3小时，且到稳定为止的输出信号的变动也在200nV左右，因此可知通过本发明，能够在短时间内使来自电路基板的输出信号稳定，并且能够抑制输出信号的变动。
图4是示出了使恒温槽内的周围环境温度变化并使输入短路的情况下、来自电路基板的输出信号的变化的图。在图4中示出了：准备8个本发明的电路基板，分别在其中使恒温槽的温度稳定为5℃后，花费1个小时使其升温到60℃时，来自电路基板的输出信号的测量结果。
根据图4所示的测量结果，在使电路基板的周围环境温度变化时、来自电路基板的输出信号的变化量为0.8nV/℃左右。在使用了未应用本发明的以往的电路基板的情况下，同样的周围环境温度的变化下，来自电路基板的输出信号的变化量为100nV/℃左右，因此可知通过本发明，能够减小来自电路基板的输出信号的漂移，并且基线变得难以偏移。
4.作用效果
(1)在本实施方式中，如图1所示，金属薄膜10通过直线状的狭缝13被分离为第1区域11以及第2区域12。为此，来自热源(集成电路20等)的热，在从第1区域11到达狭缝13时，在第1区域11的狭缝13一侧的边111中，沿着该狭缝13以直线状均匀化。因此，经由狭缝13从第1区域11传递至第2区域12的热，以保持相对于狭缝13平行的等温线L的状态被传递至第2区域12。由此，由于在配置于第2区域12的元件40中流动的电流的方向变成与相对于等温线L平行，所以能够抑制热电偶效应引起的电动势的影响。
像这样地，在金属薄膜10形成直线状的狭缝13，以电流在相对于该狭缝13平行的方向上流动的方式配置元件40，由此能够用简单的构成抑制热源的热引起的电动势的影响。此外，使第1区域11以及第2区域12夹着狭缝13而接近地配置，能够防止装置的大型化，并且能够较大地抑制来自热源的热引起的电动势的影响。
(2)此外，在本实施方式中，如图1所示，各元件40所具备的一对连接部41，在相对于在第2区域12中的等温线L平行的方向上排列。因此，即便是由一对连接部41构成不同种类金属彼此的连接点的情况，由于这些连接点沿着等温线L排列，所以也抑制了热电偶效应引起的电动势的影响。
(3)特别是，在本实施方式中，在处理20nV以下(更优选为10nV以下，进一步优选为1nV以下)的微小电压的元件40中，由于抑制了热电偶效应引起的电动势的影响，所以能够防止电动势作为噪声或漂移而带来的较大影响。
(4)此外，如图2所示，在本实施方式中，由于能够防止噪声和漂移对由放大器203放大前的微小信号(差分信号)的影响，所以能够有效地防止热电偶效应引起的电动势作为噪声或漂移而带来的较大影响。
(5)此外，如图1所示，在本实施方式中，能够防止从作为热源的集成电路20产生的热成为电动势的原因。
(6)进而，如图1以及图2所示，在本实施方式中，在作为配置在第2区域12的元件40的电阻204、205中流动的电流的方向变得相对于等温线L平行，所以能够防止该电阻204、205中电动势的影响。
(7)此外，在本实施方式中，由于分别接地的第1区域11以及第2区域12的热阻较小，所以来自热源的热沿着狭缝13良好地均匀化，并且经由狭缝13从第1区域11传递到第2区域12的热以保持相对于狭缝13平行的等温线L的状态被良好地传递到第2区域12。
5.变形例
在以上的实施方式中，关于金属薄膜10通过一条狭缝13被分离成第1区域11以及第2区域12这两个区域的构成进行了说明。但是，本发明并不限于这样的构成，也可以是例如通过形成两条以上的狭缝13而将金属薄膜10分离成3个以上的区域。
电路基板1的基板主体100，并不限于是由多层基板构成的基板，也可以例如是单层基板。此外，本发明的电路基板1并不限于应用于热分析装置，也可以应用于其他各种装置。
附图标记说明
1 电路基板
10 金属薄膜
11 第1区域
12 第2区域
13 狭缝
20 集成电路
30 固定件
40 元件
41 连接部
100 基板主体
101 表面
111 边
200 电气电路
201 输入部
202 输入部
203 放大器
204 电阻
205 电阻

Claims (7)

1.一种电路基板，在基板主体的表面或者内层形成有金属薄膜，其特征在于，通过在所述金属薄膜形成直线状的狭缝，使得所述金属薄膜夹着所述狭缝被分离成第1区域以及第2区域，
所述电路基板具备：
热源，配置在所述第1区域；
元件，配置在所述第2区域，且电流在相对于所述狭缝平行的方向上流过所述元件。
2.如权利要求1所述的电路基板，其特征在于，所述元件具有用于进行电连接的一对连接部；
所述一对连接部，排列在相对于所述狭缝平行的方向上。
3.如权利要求1所述的电路基板，其特征在于，所述元件处理20nV以下的微小电压。
4.如权利要求1所述的电路基板，其特征在于，还具备放大器，所述放大器对经由所述元件输入的信号进行放大。
5.如权利要求1所述的电路基板，其特征在于，所述热源为集成电路。
6.如权利要求1所述的电路基板，其特征在于，所述元件为电阻。
7.如权利要求1所述的电路基板，其特征在于，所述第1区域以及所述第2区域分别接地。
CN201810745744.4A 2017-07-11 2018-07-09 电路基板 Active CN109244047B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017135244A JP6881115B2 (ja) 2017-07-11 2017-07-11 回路基板
JP2017-135244 2017-07-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109244047A true CN109244047A (zh) 2019-01-18
CN109244047B CN109244047B (zh) 2022-06-21

Family

ID=64999803

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810745744.4A Active CN109244047B (zh) 2017-07-11 2018-07-09 电路基板

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10477669B2 (zh)
JP (1) JP6881115B2 (zh)
CN (1) CN109244047B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI750717B (zh) * 2020-06-30 2021-12-21 崇濬科技股份有限公司 隔熱件以及加熱組件

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101951485A (zh) * 2009-07-10 2011-01-19 夏普株式会社 调谐器单元和平面屏幕电视接收机
CN103229357A (zh) * 2010-11-30 2013-07-31 三菱综合材料株式会社 天线装置
CN104080325A (zh) * 2013-03-27 2014-10-01 日本电产三协株式会社 安装基板

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2903005B2 (ja) 1997-01-20 1999-06-07 アジアエレクトロニクス株式会社 プリント回路基板に搭載された半導体装置の放熱機構

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101951485A (zh) * 2009-07-10 2011-01-19 夏普株式会社 调谐器单元和平面屏幕电视接收机
CN103229357A (zh) * 2010-11-30 2013-07-31 三菱综合材料株式会社 天线装置
CN104080325A (zh) * 2013-03-27 2014-10-01 日本电产三协株式会社 安装基板

Also Published As

Publication number Publication date
US10477669B2 (en) 2019-11-12
CN109244047B (zh) 2022-06-21
US20190021160A1 (en) 2019-01-17
JP6881115B2 (ja) 2021-06-02
JP2019016758A (ja) 2019-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Meier et al. Longitudinal spin Seebeck effect contribution in transverse spin Seebeck effect experiments in Pt/YIG and Pt/NFO
Sola et al. Longitudinal spin Seebeck coefficient: heat flux vs. temperature difference method
EP3376244B1 (en) Magnetic sensor
US7084342B2 (en) Semi-compensated pins for cold junction compensation
RU2543690C2 (ru) Электрический штекерный соединитель для термоэлемента и способ его изготовления
CN110007123A (zh) 偏移电流传感器结构
US9433074B2 (en) Printed wiring boards having thermal management features and thermal management apparatuses comprising the same
JP2017530561A (ja) 抵抗器、特に低抵抗の電流測定用抵抗器
CN103323486B (zh) 一种高阻值材料的塞贝克系数的测试芯片
KR20120132400A (ko) 접촉식 온도계용 온도 검출기
Arakawa et al. Cryogenic amplifier for shot noise measurement at 20 mK
Schneider et al. Integrating GMR field detectors for high-bandwidth current sensing in power electronic modules
CN109244047A (zh) 电路基板
CN107710001A (zh) 用于高压/中压/低压电流测量的装置
US6639395B2 (en) Current sensor with input/output isolation
He et al. A new method for simultaneous measurement of Seebeck coefficient and resistivity
Lopes et al. MgO magnetic tunnel junction electrical current sensor with integrated Ru thermal sensor
JP6927044B2 (ja) 磁気センサ
JP5638871B2 (ja) 熱流センサ
FI117876B (fi) Kytkentä ja menetelmä transitioreunabolometrejä varten
Höfflin et al. Subthreshold CMOS transistors are largely immune to magnetic field effects when operated above 11 T
Werner et al. Novel, low-cost device to simultaneously measure the electrical conductivity and the Hall coefficient from room temperature up to 600∘ C
WO2009052920A3 (de) Thermoelektrischer generator
JP2008157892A (ja) 電流検出器、電流検出用具及び電流検出方法
Mukheriee et al. Precision Thermocouple Amplifier for substrate temperature monitoring in an ECR-PE nano-film deposition system

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant