PL65133B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL65133B1 PL65133B1 PL139570A PL13957070A PL65133B1 PL 65133 B1 PL65133 B1 PL 65133B1 PL 139570 A PL139570 A PL 139570A PL 13957070 A PL13957070 A PL 13957070A PL 65133 B1 PL65133 B1 PL 65133B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- semiconductor material
- electrode
- fused
- high frequency
- discharge
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 6
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- -1 for example Chemical class 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Description
Pierwszenstwo: Opublikowano: 20.VH.1972 65133 KI. 12 g, 17/10 MKP B 01 j, 17/10 UKD Wspóltwórcy wynalazku: Wlodzimierz Ryczek, Waclaw Niewczas Wlasciciel patentu: Zaklady Azotowe im. F. Dzierzynskiego, Tarnów (Polska) Sposób zapoczatkowywania procesu beztyglowego strefowego topienia materialu pólprzewodnikowego Przedmiotem wynalazku jest sposób zapoczatkowywa¬ nia procesu strefowego topienia materialu pólprzewod¬ nikowego prowadzonego beztyglowo przy pomocy ogrze¬ wania indukcyjnego. Realizacja procesu indukcyjnego topienia jest mozliwa po osiagnieciu przez material pól¬ przewodnikowy nieprzewodzacy w temperaturze pokojo¬ wej, przewodnosci elektrycznej uzyskanej dzieki ogrza¬ niu.W znanych sposobach podgrzewania materialów pól¬ przewodnikowych w celu zapoczatkowania topienia me¬ toda indukcyjna strefowa stosuje sie najczesciej podgrze¬ wacze wykonane z materialów przewodzacych. Sa to elementy grzejne w postaci zacisków, pretów podporo¬ wych, pierscieni i inne nakladane na material stapiany lub zarodkowy, dotykajace ich lub umieszczone w malej od nich odleglosci.Ogrzewajac indukcyjnie podgrzewacz powoduje sie, ze cieplo przechodzi do materialu roztapianego, który w odpowiedniej temperaturze sam uzyskuje wymagana przewodnosc i moze byc ogrzewany indukcyjnie az do stopienia. Podgrzewacze sa wykonywane z metali ta¬ kich jak na przyklad molibden, tantal lub z niemetali na przyklad z grafitu.Sposoby te obarczone sa szeregiem wad, z których naj¬ powazniejsza polega na tym, ze do materialu roztapia¬ nego przechodzi material podgrzewacza w wyniku czego niemozliwe jest uzyskanie wymaganej jakosci przerabia¬ nego materialu. Znane jest tez stosowanie podgrzewacza wykonanego z materialu pólprzewodnikowego przewo¬ dzacego prad elektryczny w temperaturze otoczenia. 10 15 20 25 30 I tak na przyklad przy obróbce krzemu proponowano stosowanie podgrzewacza wykonanego z krzemu malo- oporowego. O przewodnosci takiego podgrzewacza w temperaturze otoczenia decyduja zawarte w nim do¬ mieszki. Przejscie tych domieszek do materialu przera¬ bianego jest albo w ogóle niepozadane, albo korzystne w scisle okreslonych ilosciach.Calkowite unikniecie przejscia domieszek z ogrzewa¬ nego podgrzewacza jest bardzo trudne, chyba ze czesc wsadu lub zarodzi, na której spoczywa podgrzewacz wy¬ eliminuje sie z przerobu. Natomiast scisle kontrolowane¬ go przejscia okreslonych ilosci domieszek nie mozna w tych warunkach w praktyce zrealizowac. Tak wiec ma sie do czynienia albo ze stratami materialu przerabiane¬ go lub zarodzi, albo uzyskuje sie z przerobu material niedostatecznej jakosci. Ponadto w sposobie tym istnieje koniecznosc poddania zarówno materialu przerabianego jak i materialu podgrzewacza obróbce przygotowawczej, która zawsze pociaga za soba niebezpieczenstwo wpro¬ wadzenia zanieczyszczen.Celem wynalazku jest zrealizowanie wolnego od nie¬ dogodnosci zwiazanych ze stosowaniem podgrzewaczy sposobu szybkiego nagrzewania materialów pólprzewod¬ nikowych do indukcyjnego topienia strefowego.Sposób wedlug wynalazku polega na tym, ze do sta¬ pianego materialu pólprzewodnikowego uziemionego do¬ tyka sie i nastepnie nieco oddala elektrode z tego same¬ go materialu lub z materialu zblizonego, podlaczona do zródla napiecia, wywolujac miedzy elektroda i stapianym materialem pólprzewodnikowym wyladowanie elektrycz- 6513365133 ne, przy czym stapiany material pólprzewodnikowy pod¬ daje sie w czasie wyladowania dzialaniu pola wielkiej czestotliwosci. Wywolane w tych warunkach wyladowa¬ nie elektryczne powoduje szybkie nagrzanie przeznaczo¬ nego do topienia wsadu.W szczególnym przypadku elektrode moze stanowic wzbudnik generatora wielkiej czestotliwosci, pokryty w warunkach pracy napylona warstwa materialu pólprze¬ wodnikowego. Aby podgrzac stapiany wsad, wystarczy dotknac go wzbudnikiem przy pracujacym generatorze i nastepnie nieco oddalic. Wywolane wyladowanie rozgrze¬ je stapiany material w czasie od 0,5 do 5 minut.Sposób wedlug wynalazku umozliwia rozgrzewanie wsadów pólprzewodnikowych do topienia indukcyjnego bez wzgledu na to w jakiej znajduja sie pozycji, a wiec moze byc stosowany do procesów monokrystalizacji bez- tyglowej, do strefowego oczyszczania i do otrzymywania pretów losadczych. Sposób wedlug wynalazku pozwala uzyskac material pólprzewodnikowy charakteryzujacy sie wysoka jakoscia. 10 15 20 PL
Claims (2)
- Zastrzezenia patentowe 1. Sposób zapoczatkowywania procesu beztyglowego strefowego topienia materialu pólprzewodnikowego, pro¬ wadzonego za pomoca ogrzewania indukcyjnego, zna¬ mienny tym, ze do stapianego materialu pólprzewodni¬ kowego uziemionego dotyka sie i nastepnie nieco oddala elektrode z tego materialu lub z materialu zblizonego podlaczona do zródla napiecia wywolujac miedzy elek¬ troda i stapianym materialem pólprzewodnikowym wy¬ ladowanie elektryczne, przy czym material ten poddaje^ sie w czasie wyladowania dzialaniu pola wielkiej czeJ stotliwosci.
- 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze jako elektrode stosuje sie wzbudnik generatora wielkiej cze¬ stotliwosci pokryty napylona warstwa materialu pólprze¬ wodnikowego. WDA-l. Zam. 2765, naklad 205 egz. Cena zt 10,— PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL65133B1 true PL65133B1 (pl) | 1972-02-29 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2930098A (en) | Production of sintered bodies from powdered crystalline materials | |
| US2972525A (en) | Crucible-free zone melting method and apparatus for producing and processing a rod-shaped body of crystalline substance, particularly semiconductor substance | |
| ATE123535T1 (de) | Behandlung von schlacken in einem lichtbogendrehofen. | |
| US2125912A (en) | Electrical heating | |
| PL65133B1 (pl) | ||
| US3773499A (en) | Method of zonal melting of materials | |
| US3179593A (en) | Method for producing monocrystalline semiconductor material | |
| JPS5822526B2 (ja) | 金属材料の連続熱処理装置 | |
| US1676926A (en) | High-frequency furnace | |
| US1538365A (en) | Electbic ftjrnace | |
| US587138A (en) | Process of and apparatus for manufacturing metallic carbids | |
| US2304016A (en) | Salt-bath furnace | |
| US726860A (en) | Electric furnace. | |
| SU975609A1 (ru) | Устройство дл ломки стекл нных изделий | |
| DE1031521B (de) | Heizvorrichtung zum Schmelzen hochreiner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen | |
| SU981393A1 (ru) | Способ электроконтактного нагрева изделий | |
| JP2003090685A (ja) | 基板上に形成された機能膜材料の熱処理炉 | |
| US3090673A (en) | Method and material for heat treating fusible material | |
| SU138008A1 (ru) | Способ спаивани стекла с металлом, керамикой и другими материалами | |
| US1337305A (en) | A coxpqbation oe con | |
| PL55270B1 (pl) | ||
| DE976672C (de) | Verfahren und Einrichtung zum tiegellosen Schmelzen von stabfoermigen Koerpern | |
| SU132308A1 (ru) | Способ термообработки изделий из углеродистых материалов | |
| US1925292A (en) | Method of sintering metallic bodies | |
| SU440429A1 (ru) | Способ электроконтактного нагрева изделий |