PL65133B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL65133B1
PL65133B1 PL139570A PL13957070A PL65133B1 PL 65133 B1 PL65133 B1 PL 65133B1 PL 139570 A PL139570 A PL 139570A PL 13957070 A PL13957070 A PL 13957070A PL 65133 B1 PL65133 B1 PL 65133B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
semiconductor material
electrode
fused
high frequency
discharge
Prior art date
Application number
PL139570A
Other languages
English (en)
Inventor
Ryczek Wlodzimierz
Niewczas Waclaw
Original Assignee
Zaklady Azotowe Im F Dzierzynskiego
Filing date
Publication date
Application filed by Zaklady Azotowe Im F Dzierzynskiego filed Critical Zaklady Azotowe Im F Dzierzynskiego
Publication of PL65133B1 publication Critical patent/PL65133B1/pl

Links

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 20.VH.1972 65133 KI. 12 g, 17/10 MKP B 01 j, 17/10 UKD Wspóltwórcy wynalazku: Wlodzimierz Ryczek, Waclaw Niewczas Wlasciciel patentu: Zaklady Azotowe im. F. Dzierzynskiego, Tarnów (Polska) Sposób zapoczatkowywania procesu beztyglowego strefowego topienia materialu pólprzewodnikowego Przedmiotem wynalazku jest sposób zapoczatkowywa¬ nia procesu strefowego topienia materialu pólprzewod¬ nikowego prowadzonego beztyglowo przy pomocy ogrze¬ wania indukcyjnego. Realizacja procesu indukcyjnego topienia jest mozliwa po osiagnieciu przez material pól¬ przewodnikowy nieprzewodzacy w temperaturze pokojo¬ wej, przewodnosci elektrycznej uzyskanej dzieki ogrza¬ niu.W znanych sposobach podgrzewania materialów pól¬ przewodnikowych w celu zapoczatkowania topienia me¬ toda indukcyjna strefowa stosuje sie najczesciej podgrze¬ wacze wykonane z materialów przewodzacych. Sa to elementy grzejne w postaci zacisków, pretów podporo¬ wych, pierscieni i inne nakladane na material stapiany lub zarodkowy, dotykajace ich lub umieszczone w malej od nich odleglosci.Ogrzewajac indukcyjnie podgrzewacz powoduje sie, ze cieplo przechodzi do materialu roztapianego, który w odpowiedniej temperaturze sam uzyskuje wymagana przewodnosc i moze byc ogrzewany indukcyjnie az do stopienia. Podgrzewacze sa wykonywane z metali ta¬ kich jak na przyklad molibden, tantal lub z niemetali na przyklad z grafitu.Sposoby te obarczone sa szeregiem wad, z których naj¬ powazniejsza polega na tym, ze do materialu roztapia¬ nego przechodzi material podgrzewacza w wyniku czego niemozliwe jest uzyskanie wymaganej jakosci przerabia¬ nego materialu. Znane jest tez stosowanie podgrzewacza wykonanego z materialu pólprzewodnikowego przewo¬ dzacego prad elektryczny w temperaturze otoczenia. 10 15 20 25 30 I tak na przyklad przy obróbce krzemu proponowano stosowanie podgrzewacza wykonanego z krzemu malo- oporowego. O przewodnosci takiego podgrzewacza w temperaturze otoczenia decyduja zawarte w nim do¬ mieszki. Przejscie tych domieszek do materialu przera¬ bianego jest albo w ogóle niepozadane, albo korzystne w scisle okreslonych ilosciach.Calkowite unikniecie przejscia domieszek z ogrzewa¬ nego podgrzewacza jest bardzo trudne, chyba ze czesc wsadu lub zarodzi, na której spoczywa podgrzewacz wy¬ eliminuje sie z przerobu. Natomiast scisle kontrolowane¬ go przejscia okreslonych ilosci domieszek nie mozna w tych warunkach w praktyce zrealizowac. Tak wiec ma sie do czynienia albo ze stratami materialu przerabiane¬ go lub zarodzi, albo uzyskuje sie z przerobu material niedostatecznej jakosci. Ponadto w sposobie tym istnieje koniecznosc poddania zarówno materialu przerabianego jak i materialu podgrzewacza obróbce przygotowawczej, która zawsze pociaga za soba niebezpieczenstwo wpro¬ wadzenia zanieczyszczen.Celem wynalazku jest zrealizowanie wolnego od nie¬ dogodnosci zwiazanych ze stosowaniem podgrzewaczy sposobu szybkiego nagrzewania materialów pólprzewod¬ nikowych do indukcyjnego topienia strefowego.Sposób wedlug wynalazku polega na tym, ze do sta¬ pianego materialu pólprzewodnikowego uziemionego do¬ tyka sie i nastepnie nieco oddala elektrode z tego same¬ go materialu lub z materialu zblizonego, podlaczona do zródla napiecia, wywolujac miedzy elektroda i stapianym materialem pólprzewodnikowym wyladowanie elektrycz- 6513365133 ne, przy czym stapiany material pólprzewodnikowy pod¬ daje sie w czasie wyladowania dzialaniu pola wielkiej czestotliwosci. Wywolane w tych warunkach wyladowa¬ nie elektryczne powoduje szybkie nagrzanie przeznaczo¬ nego do topienia wsadu.W szczególnym przypadku elektrode moze stanowic wzbudnik generatora wielkiej czestotliwosci, pokryty w warunkach pracy napylona warstwa materialu pólprze¬ wodnikowego. Aby podgrzac stapiany wsad, wystarczy dotknac go wzbudnikiem przy pracujacym generatorze i nastepnie nieco oddalic. Wywolane wyladowanie rozgrze¬ je stapiany material w czasie od 0,5 do 5 minut.Sposób wedlug wynalazku umozliwia rozgrzewanie wsadów pólprzewodnikowych do topienia indukcyjnego bez wzgledu na to w jakiej znajduja sie pozycji, a wiec moze byc stosowany do procesów monokrystalizacji bez- tyglowej, do strefowego oczyszczania i do otrzymywania pretów losadczych. Sposób wedlug wynalazku pozwala uzyskac material pólprzewodnikowy charakteryzujacy sie wysoka jakoscia. 10 15 20 PL

Claims (2)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób zapoczatkowywania procesu beztyglowego strefowego topienia materialu pólprzewodnikowego, pro¬ wadzonego za pomoca ogrzewania indukcyjnego, zna¬ mienny tym, ze do stapianego materialu pólprzewodni¬ kowego uziemionego dotyka sie i nastepnie nieco oddala elektrode z tego materialu lub z materialu zblizonego podlaczona do zródla napiecia wywolujac miedzy elek¬ troda i stapianym materialem pólprzewodnikowym wy¬ ladowanie elektryczne, przy czym material ten poddaje^ sie w czasie wyladowania dzialaniu pola wielkiej czeJ stotliwosci.
  2. 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze jako elektrode stosuje sie wzbudnik generatora wielkiej cze¬ stotliwosci pokryty napylona warstwa materialu pólprze¬ wodnikowego. WDA-l. Zam. 2765, naklad 205 egz. Cena zt 10,— PL
PL139570A 1970-03-23 PL65133B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL65133B1 true PL65133B1 (pl) 1972-02-29

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2930098A (en) Production of sintered bodies from powdered crystalline materials
US2972525A (en) Crucible-free zone melting method and apparatus for producing and processing a rod-shaped body of crystalline substance, particularly semiconductor substance
ATE123535T1 (de) Behandlung von schlacken in einem lichtbogendrehofen.
US2125912A (en) Electrical heating
PL65133B1 (pl)
US3773499A (en) Method of zonal melting of materials
US3179593A (en) Method for producing monocrystalline semiconductor material
JPS5822526B2 (ja) 金属材料の連続熱処理装置
US1676926A (en) High-frequency furnace
US1538365A (en) Electbic ftjrnace
US587138A (en) Process of and apparatus for manufacturing metallic carbids
US2304016A (en) Salt-bath furnace
US726860A (en) Electric furnace.
SU975609A1 (ru) Устройство дл ломки стекл нных изделий
DE1031521B (de) Heizvorrichtung zum Schmelzen hochreiner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen
SU981393A1 (ru) Способ электроконтактного нагрева изделий
JP2003090685A (ja) 基板上に形成された機能膜材料の熱処理炉
US3090673A (en) Method and material for heat treating fusible material
SU138008A1 (ru) Способ спаивани стекла с металлом, керамикой и другими материалами
US1337305A (en) A coxpqbation oe con
PL55270B1 (pl)
DE976672C (de) Verfahren und Einrichtung zum tiegellosen Schmelzen von stabfoermigen Koerpern
SU132308A1 (ru) Способ термообработки изделий из углеродистых материалов
US1925292A (en) Method of sintering metallic bodies
SU440429A1 (ru) Способ электроконтактного нагрева изделий