PL62120B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL62120B1
PL62120B1 PL129586A PL12958668A PL62120B1 PL 62120 B1 PL62120 B1 PL 62120B1 PL 129586 A PL129586 A PL 129586A PL 12958668 A PL12958668 A PL 12958668A PL 62120 B1 PL62120 B1 PL 62120B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
transistor
input
collector
emitter
circuit
Prior art date
Application number
PL129586A
Other languages
English (en)
Inventor
Jackiewicz Boguslaw
Michalowski Wojciech
Original Assignee
Zjednoczone Zaklady Elektronicznej Aparatury Po¬Miarowej „Elpo
Filing date
Publication date
Application filed by Zjednoczone Zaklady Elektronicznej Aparatury Po¬Miarowej „Elpo filed Critical Zjednoczone Zaklady Elektronicznej Aparatury Po¬Miarowej „Elpo
Publication of PL62120B1 publication Critical patent/PL62120B1/pl

Links

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 20. I. 1971 62120 21 p, 1f% o KI. n-aV 18/08- MKPH 03 f, 1/32 UKD Wspóltwórcy wynalazku: Boguslaw Jackiewicz, Wojciech Michalowski Wlasciciel patentu: Zjednoczone Zaklady Elektronicznej Aparatury Po¬ miarowej „Elpo,,, Warszawa (Polska) Tranzystorowy transformator impedancji Przedmiotem wynalazku jest tranzystorowy trans¬ formator impedancji, zapewniajacy uzyskanie duzej impedancji wejsciowej i plaskiej charakterystyki przenoszenia w szerokim zakresie czestotliwoscio¬ wym stosowany w ukladach elektronicznych, zwla¬ szcza w elektronicznych przyrzadach pomiarowych.Znane uklady transformatorów impedancji dzia¬ laja na zasadzie wtórników emiterowych, pola¬ czonych z jednym lub z wieksza iloscia stopni wzmacniajacych, objetych ujemnym sprzezeniem zwrotnym.Opornosc wejsciowa wtórnika emiterowego moze byc przedstawiona jako równolegle polaczenie opor¬ nosci kolektora uzytego tranzystora i przetransfor- mowanej na wejscie opornosci obciazenia. Wplyw obciazenia na opornosc wejsciowa ukladu mozna zmniejszyc, laczac kaskadowo dwa lub wieksza ilosc wtórników emiterowych, jednakze nawet wte¬ dy impedancja wejsciowa ukladu pozostaje ograni¬ czona opornoscia kolektora i przetransformowana na wejscie opornoscia opornika emiterowego pierw¬ szego wtórnika, która w przypadku ukladu przezna¬ czonego do pracy w szerokim zakresie czestotli¬ wosci, nie moze byc duza.Znane z literatury technicznej uklady, skladajace sie z wtórników emiterowych i ze wzmacniaczy z ujemnym sprzezeniem zwrotnym, pozwalaja uzy¬ skac bardzo duza wartosc opornosci wejsciowej, jed¬ nak ich zastosowanie jest ograniczone wylacznie do zakresu malych czestotliwosci. Znaczne przesunie- 15 20 25 30 cia fazowe, proporcjonalne do ilosci stopni wzma¬ cniajacych objetych sprzezeniem zwrotnym, oraz do¬ datkowe przesuniecia wystepujace na licznych ele¬ mentach sprzegajacych, niezbednych we wszystkich znanych ukladach, nie pozwalaja zapewnic wystar¬ czajacej stabilnosci sprzezenia zwrotnego w szero¬ kim zakresie czestotliwosciowym.Celem wynalazku jest zbudowanie ukladu trans¬ formatora impedancji zapewniajacego uzyskanie du¬ zej impedancji wejsciowej i plaskiej charaktery¬ styki przenoszenia w szerokim zakresie czestotli¬ wosci.Cel ten zostal, zgodnie z wynalazkiem, osiagniety przez zrealizowanie ukladu stanowiacego polaczenie wtórnika emiterowego, uzytego jako stopien wej¬ sciowy, z dwustopniowym wzmacniaczem tranzy¬ storowym, objetym silnym ujemnym sprzezeniem zwrotnym, w którym to ukladzie emiter wejscio¬ wego tranzystora jest polaczony przez opornik, a ko¬ lektor przez kondensator, z kolektorem tranzystora wyjsciowego, polaczonego bezposrednio z zacis¬ kiem wyjsciowym ukladu, do którego jest równiez podlaczony, przez równolegly uklad opornika i kon¬ densatora, emiter drugiego tranzystora. Kolektory dwóch pierwszych tranzystorów oraz emiter tran¬ zystora wyjsciowego, majacego przeciwstawna prze¬ wodnosc w stosunku do obu pozostalych tranzysto¬ rów, sa polaczone z masa przyrzadu, a kolektor dru¬ giego tranzystora jest polaczony przez dwa inne oporniki z baza tranzystora wejsciowego. 621203 62120 4 W zastosowanym stopniu wejsciowym, opornik emiterowy, oraz dla napiec zmiennych kolektor tranzystora sa dolaczone do potencjalu zacisku wyj¬ sciowego, co przy wzmocnieniu ukladu bliskim jed¬ nosci, zapewnia radykalne zmniejszenie pradów ply¬ nacych przez opornik emiterowy oraz przez prze¬ wodnosc baza-kolektor tranzystora pod wplywem sygnalu wejsciowego.Rozwiazanie takie umozliwia wiec dobra elimina¬ cje wplywu wartosci opornika emiterowego oraz przewodnosci baza-kolektor tranzystora stopnia wejsciowego na opornosc wejsciowa ukladu, a tym samym uzyskanie duzej impedancji wejsciowej transformatora w szerokim zakresie czestotliwosci.Wykonanie ukladu wzmacniacza na tranzystorach o przeciwstawnych przewodnosciach umozliwilo zrealizowanie ukladu z napieciowym, szeregowym sprzezeniem zwrotnym, o wspólczynniku sprzezenia równym jednosci, bez uzycia dodatkowych elemen¬ tów, wyrównujacych potencjaly w obwodzie sprze¬ zenia.Przyklad wykonania ukladu wedlug wynalazku jest uwidoczniony na zalaczonym rysunku.Wejscie ukladu jest polaczone przez kondensator Ci z baza wejsciowego tranzystora Ti, pracujacego w ukladzie wtórnika emiterowego.Emiter tego tranzystora jest polaczony bezposre¬ dnio z baza drugiego tranzystora T2, wchodzacego w sklad dwustopniowego wzmacniacza oraz przez opornik R3 z kolektorem wyjsciowego tranzystora T3, stanowiacego drugi stopien wzmacniacza. Ko¬ lektor wejsciowego tranzystora Ti jest polaczony przez kondensator C3 z kolektorem wyjsciowego tranzystora T3 oraz przez opornik R4 z masa przy¬ rzadu.Emiter drugiego tranzystora T2 jest polaczony, przez równolegly uklad opornika R5 i kondensatora C4, z kolektorem, a kolektor tego tranzystora z ba¬ za, wyjsciowego tranzystora T3.Wspólny punkt kolektor-baza tranzystorów T2, T3 jest polaczony przez opornik R7 z masa przy¬ rzadu oraz przez szeregowy uklad oporników Ri, R2 z baza wejsciowego tranzystora Ti, przy czym, punkt polaczenia tych oporników jest polaczony, przez kondensator C2, z kolektorem wyjsciowego tranzystora T3.Kolektor wyjsciowego tranzystora T3 jest polaczo¬ ny bezposrednio z zaciskiem wyjsciowym ukladu oraz, przez opornik R6, z ujemnym biegunem zró¬ dla zasilania, natomiast jego emiter jest polaczony przez opornik Rg z masa przyrzadu. Ujemne sprze¬ zenie zwrotne wzmacniacza zbudowanego na drugim tranzystorze T2 i wyjsciowym tranzystorze T3 jest zrealizowane przez opornik Rg laczacy wyjscie wzmacniacza z ujemnym biegunem zródla zasilania.Dzialanie ukladu jest nastepujace. Sygnal wej¬ sciowy jest podawany przez kondensator Ci na baze wejsciowego tranzystora Ti pracujacego na opor¬ nik emiterowy R3. Opornik emiterowy R3 oraz ko¬ lektor wejsciowego tranzystora Ti polaczone sa dla napiec z punktem o potencjale zacisku wyjsciowe¬ go, przy czym, kolektor polaczony jest przez kon¬ densator C3.Potencjal zacisku wyjsciowego ukladu, w wyniku zastosowania dwustopniowego wzmacniacza o sil- 5 nym ujemnym sprzezeniu zwrotnym, jest bliski po¬ tencjalowi zacisku wejsciowego, a wiec wzmocnie¬ nie ukladu bliskie jest jednosci.W wyniku tego, kolektor wejsciowego tranzystora Ti ma potencjal bliski potencjalowi wejscia i prady zmienne plynace przez emiterowy opornik R3 oraz przez zlacze baza-kolektor wejsciowego tranzystora Ti sa wywolane tak mala róznica potencjalów, ze praktycznie nie maja wplywu na opornosc wejscio¬ wa ukladu.Opornik R4 umieszczony w kolektorze wejscio¬ wego tranzystora 'Ti, przez który przeplywa skla¬ dowa stala pradu kolektora wejsciowego tranzy¬ stora Ti jest dla napiec zmiennych polaczony rów¬ nolegle z opornoscia obciazenia i jego wplyw na opornosc wejsciowa ukladu jest równiez niewielki.Prad bazy wejsciowego tranzystora Ti jest usta¬ lony przez oporniki Ri i R2 wlaczone pomiedzy te baze, a punkt kolektor-baza tranzystorów T2 i T3 wzmacniacza. Kondensator C2 zapewnia, w punkcie polaczenia tych oporników, potencjal bliski poten¬ cjalowi wyjscia i eliminuje w ten sposób wplyw opornika Ri na opornosc wejsciowa ukladu. PL PL

Claims (2)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Tranzystorowy transformator impedancji, za¬ pewniajacy uzyskanie duzej impedancji wej¬ sciowej i plaskiej charakterystyki przenoszenia w szerokim zakresie czestotliwosciowym stoso¬ wany w ukladach elektronicznych, zwlaszcza w elektronicznych przyrzadach pomiarowych, skladajacy sie z wtórnika emiterowego uzytego jako stopien wejsciowy polaczonego z dwustop¬ niowym wzmacniaczem objetym silnym ujem¬ nym sprzezeniem zwrotnym, znamienny tym, ze emiter wejsciowego tranzystora (Ti) jest pola¬ czony przez opornik (R3), a kolektor przez kon¬ densator (C3), z kolektorem wyjsciowego tran¬ zystora (T3), polaczonego bezposrednio z zacis¬ kiem wyjsciowym ukladu, do którego jest rów¬ niez podlaczony, przez równolegly uklad opor¬ nika (R5) i kondensatora (C4), emiter dru¬ giego tranzystora (T2), przy czym, kolektory dwu pierwszych tranzystorów (Ti, T2) oraz emiter wyjsciowego tranzystora (T3), o przeciwstawnej przewodnosci w stosunku do obu pozostalych tranzystorów, sa polaczone z masa przyrzadu, a kolektor drugiego tranzystora (T2) jest pola¬ czony przez dwa inne oporniki (Ri i R2) z baza wejsciowego tranzystora (Ti).
2. Tranzystorowy transformator impedancji zna¬ mienny tym, ze zawiera kondensator (C2) lacza¬ cy wspólny punkt oporników, wlaczonych miedzy kolektor drugiego tranzystora (T2) a baze wej¬ sciowego tranzystora (Ti), z zaciskiem wyjscio¬ wym ukladu. 15 20 25 30 35 40 45 50 55KI. 21 a2, 18/08 62120 MKP H 03 f, 1/32 |Rf l Ri ~r r o. T°» L wy -O we o- Ti R4 T3 Rb J PL PL
PL129586A 1968-10-17 PL62120B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL62120B1 true PL62120B1 (pl) 1970-12-30

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2926307A (en) Series energized cascaded transistor amplifier
GB700237A (en) Improvements in semiconductor amplifier circuits
CN104935270B (zh) 自适应偏置电路
PL90334B1 (pl)
US3260947A (en) Differential current amplifier with common-mode rejection and multiple feedback paths
GB496872A (en) Improvements in or relating to thermionic valve amplifiers
Chenette et al. Accurate noise measurements on transistors
PL62120B1 (pl)
US3040265A (en) Transistor amplifiers having low input impedance
US3582681A (en) Variable loss device
US3379987A (en) Admittance neutralizer
Faulkner Optimum design of low-noise amplifiers
NO124403B (pl)
US3005956A (en) Current amplifier for low impedance outputs
SU1078340A1 (ru) Входное устройство тракта вертикального отклонени осциллографа
GB2040626A (en) High frequency transistor amplifier
US3156873A (en) Differential amplifier
US3303354A (en) Temperature stable low frequency filter without inductance
Pritchard Small-signal parameters for transistors
GB758991A (en) Improvements in and relating to semi conductor amplifiers
SU1589073A1 (ru) Фотоэлектрический преобразователь
PL67615B1 (pl)
Basu et al. A digitally controlled variable-gain amplifier
PL130317B1 (en) Transistor follower circuit
Brand et al. The Reactatron-A Low-Noise, Semiconductor Diode, Microwave Amplifier