PL62120B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL62120B1 PL62120B1 PL129586A PL12958668A PL62120B1 PL 62120 B1 PL62120 B1 PL 62120B1 PL 129586 A PL129586 A PL 129586A PL 12958668 A PL12958668 A PL 12958668A PL 62120 B1 PL62120 B1 PL 62120B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- transistor
- input
- collector
- emitter
- circuit
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
Description
Pierwszenstwo: Opublikowano: 20. I. 1971 62120 21 p, 1f% o KI. n-aV 18/08- MKPH 03 f, 1/32 UKD Wspóltwórcy wynalazku: Boguslaw Jackiewicz, Wojciech Michalowski Wlasciciel patentu: Zjednoczone Zaklady Elektronicznej Aparatury Po¬ miarowej „Elpo,,, Warszawa (Polska) Tranzystorowy transformator impedancji Przedmiotem wynalazku jest tranzystorowy trans¬ formator impedancji, zapewniajacy uzyskanie duzej impedancji wejsciowej i plaskiej charakterystyki przenoszenia w szerokim zakresie czestotliwoscio¬ wym stosowany w ukladach elektronicznych, zwla¬ szcza w elektronicznych przyrzadach pomiarowych.Znane uklady transformatorów impedancji dzia¬ laja na zasadzie wtórników emiterowych, pola¬ czonych z jednym lub z wieksza iloscia stopni wzmacniajacych, objetych ujemnym sprzezeniem zwrotnym.Opornosc wejsciowa wtórnika emiterowego moze byc przedstawiona jako równolegle polaczenie opor¬ nosci kolektora uzytego tranzystora i przetransfor- mowanej na wejscie opornosci obciazenia. Wplyw obciazenia na opornosc wejsciowa ukladu mozna zmniejszyc, laczac kaskadowo dwa lub wieksza ilosc wtórników emiterowych, jednakze nawet wte¬ dy impedancja wejsciowa ukladu pozostaje ograni¬ czona opornoscia kolektora i przetransformowana na wejscie opornoscia opornika emiterowego pierw¬ szego wtórnika, która w przypadku ukladu przezna¬ czonego do pracy w szerokim zakresie czestotli¬ wosci, nie moze byc duza.Znane z literatury technicznej uklady, skladajace sie z wtórników emiterowych i ze wzmacniaczy z ujemnym sprzezeniem zwrotnym, pozwalaja uzy¬ skac bardzo duza wartosc opornosci wejsciowej, jed¬ nak ich zastosowanie jest ograniczone wylacznie do zakresu malych czestotliwosci. Znaczne przesunie- 15 20 25 30 cia fazowe, proporcjonalne do ilosci stopni wzma¬ cniajacych objetych sprzezeniem zwrotnym, oraz do¬ datkowe przesuniecia wystepujace na licznych ele¬ mentach sprzegajacych, niezbednych we wszystkich znanych ukladach, nie pozwalaja zapewnic wystar¬ czajacej stabilnosci sprzezenia zwrotnego w szero¬ kim zakresie czestotliwosciowym.Celem wynalazku jest zbudowanie ukladu trans¬ formatora impedancji zapewniajacego uzyskanie du¬ zej impedancji wejsciowej i plaskiej charaktery¬ styki przenoszenia w szerokim zakresie czestotli¬ wosci.Cel ten zostal, zgodnie z wynalazkiem, osiagniety przez zrealizowanie ukladu stanowiacego polaczenie wtórnika emiterowego, uzytego jako stopien wej¬ sciowy, z dwustopniowym wzmacniaczem tranzy¬ storowym, objetym silnym ujemnym sprzezeniem zwrotnym, w którym to ukladzie emiter wejscio¬ wego tranzystora jest polaczony przez opornik, a ko¬ lektor przez kondensator, z kolektorem tranzystora wyjsciowego, polaczonego bezposrednio z zacis¬ kiem wyjsciowym ukladu, do którego jest równiez podlaczony, przez równolegly uklad opornika i kon¬ densatora, emiter drugiego tranzystora. Kolektory dwóch pierwszych tranzystorów oraz emiter tran¬ zystora wyjsciowego, majacego przeciwstawna prze¬ wodnosc w stosunku do obu pozostalych tranzysto¬ rów, sa polaczone z masa przyrzadu, a kolektor dru¬ giego tranzystora jest polaczony przez dwa inne oporniki z baza tranzystora wejsciowego. 621203 62120 4 W zastosowanym stopniu wejsciowym, opornik emiterowy, oraz dla napiec zmiennych kolektor tranzystora sa dolaczone do potencjalu zacisku wyj¬ sciowego, co przy wzmocnieniu ukladu bliskim jed¬ nosci, zapewnia radykalne zmniejszenie pradów ply¬ nacych przez opornik emiterowy oraz przez prze¬ wodnosc baza-kolektor tranzystora pod wplywem sygnalu wejsciowego.Rozwiazanie takie umozliwia wiec dobra elimina¬ cje wplywu wartosci opornika emiterowego oraz przewodnosci baza-kolektor tranzystora stopnia wejsciowego na opornosc wejsciowa ukladu, a tym samym uzyskanie duzej impedancji wejsciowej transformatora w szerokim zakresie czestotliwosci.Wykonanie ukladu wzmacniacza na tranzystorach o przeciwstawnych przewodnosciach umozliwilo zrealizowanie ukladu z napieciowym, szeregowym sprzezeniem zwrotnym, o wspólczynniku sprzezenia równym jednosci, bez uzycia dodatkowych elemen¬ tów, wyrównujacych potencjaly w obwodzie sprze¬ zenia.Przyklad wykonania ukladu wedlug wynalazku jest uwidoczniony na zalaczonym rysunku.Wejscie ukladu jest polaczone przez kondensator Ci z baza wejsciowego tranzystora Ti, pracujacego w ukladzie wtórnika emiterowego.Emiter tego tranzystora jest polaczony bezposre¬ dnio z baza drugiego tranzystora T2, wchodzacego w sklad dwustopniowego wzmacniacza oraz przez opornik R3 z kolektorem wyjsciowego tranzystora T3, stanowiacego drugi stopien wzmacniacza. Ko¬ lektor wejsciowego tranzystora Ti jest polaczony przez kondensator C3 z kolektorem wyjsciowego tranzystora T3 oraz przez opornik R4 z masa przy¬ rzadu.Emiter drugiego tranzystora T2 jest polaczony, przez równolegly uklad opornika R5 i kondensatora C4, z kolektorem, a kolektor tego tranzystora z ba¬ za, wyjsciowego tranzystora T3.Wspólny punkt kolektor-baza tranzystorów T2, T3 jest polaczony przez opornik R7 z masa przy¬ rzadu oraz przez szeregowy uklad oporników Ri, R2 z baza wejsciowego tranzystora Ti, przy czym, punkt polaczenia tych oporników jest polaczony, przez kondensator C2, z kolektorem wyjsciowego tranzystora T3.Kolektor wyjsciowego tranzystora T3 jest polaczo¬ ny bezposrednio z zaciskiem wyjsciowym ukladu oraz, przez opornik R6, z ujemnym biegunem zró¬ dla zasilania, natomiast jego emiter jest polaczony przez opornik Rg z masa przyrzadu. Ujemne sprze¬ zenie zwrotne wzmacniacza zbudowanego na drugim tranzystorze T2 i wyjsciowym tranzystorze T3 jest zrealizowane przez opornik Rg laczacy wyjscie wzmacniacza z ujemnym biegunem zródla zasilania.Dzialanie ukladu jest nastepujace. Sygnal wej¬ sciowy jest podawany przez kondensator Ci na baze wejsciowego tranzystora Ti pracujacego na opor¬ nik emiterowy R3. Opornik emiterowy R3 oraz ko¬ lektor wejsciowego tranzystora Ti polaczone sa dla napiec z punktem o potencjale zacisku wyjsciowe¬ go, przy czym, kolektor polaczony jest przez kon¬ densator C3.Potencjal zacisku wyjsciowego ukladu, w wyniku zastosowania dwustopniowego wzmacniacza o sil- 5 nym ujemnym sprzezeniu zwrotnym, jest bliski po¬ tencjalowi zacisku wejsciowego, a wiec wzmocnie¬ nie ukladu bliskie jest jednosci.W wyniku tego, kolektor wejsciowego tranzystora Ti ma potencjal bliski potencjalowi wejscia i prady zmienne plynace przez emiterowy opornik R3 oraz przez zlacze baza-kolektor wejsciowego tranzystora Ti sa wywolane tak mala róznica potencjalów, ze praktycznie nie maja wplywu na opornosc wejscio¬ wa ukladu.Opornik R4 umieszczony w kolektorze wejscio¬ wego tranzystora 'Ti, przez który przeplywa skla¬ dowa stala pradu kolektora wejsciowego tranzy¬ stora Ti jest dla napiec zmiennych polaczony rów¬ nolegle z opornoscia obciazenia i jego wplyw na opornosc wejsciowa ukladu jest równiez niewielki.Prad bazy wejsciowego tranzystora Ti jest usta¬ lony przez oporniki Ri i R2 wlaczone pomiedzy te baze, a punkt kolektor-baza tranzystorów T2 i T3 wzmacniacza. Kondensator C2 zapewnia, w punkcie polaczenia tych oporników, potencjal bliski poten¬ cjalowi wyjscia i eliminuje w ten sposób wplyw opornika Ri na opornosc wejsciowa ukladu. PL PL
Claims (2)
1. Zastrzezenia patentowe 1. Tranzystorowy transformator impedancji, za¬ pewniajacy uzyskanie duzej impedancji wej¬ sciowej i plaskiej charakterystyki przenoszenia w szerokim zakresie czestotliwosciowym stoso¬ wany w ukladach elektronicznych, zwlaszcza w elektronicznych przyrzadach pomiarowych, skladajacy sie z wtórnika emiterowego uzytego jako stopien wejsciowy polaczonego z dwustop¬ niowym wzmacniaczem objetym silnym ujem¬ nym sprzezeniem zwrotnym, znamienny tym, ze emiter wejsciowego tranzystora (Ti) jest pola¬ czony przez opornik (R3), a kolektor przez kon¬ densator (C3), z kolektorem wyjsciowego tran¬ zystora (T3), polaczonego bezposrednio z zacis¬ kiem wyjsciowym ukladu, do którego jest rów¬ niez podlaczony, przez równolegly uklad opor¬ nika (R5) i kondensatora (C4), emiter dru¬ giego tranzystora (T2), przy czym, kolektory dwu pierwszych tranzystorów (Ti, T2) oraz emiter wyjsciowego tranzystora (T3), o przeciwstawnej przewodnosci w stosunku do obu pozostalych tranzystorów, sa polaczone z masa przyrzadu, a kolektor drugiego tranzystora (T2) jest pola¬ czony przez dwa inne oporniki (Ri i R2) z baza wejsciowego tranzystora (Ti).
2. Tranzystorowy transformator impedancji zna¬ mienny tym, ze zawiera kondensator (C2) lacza¬ cy wspólny punkt oporników, wlaczonych miedzy kolektor drugiego tranzystora (T2) a baze wej¬ sciowego tranzystora (Ti), z zaciskiem wyjscio¬ wym ukladu. 15 20 25 30 35 40 45 50 55KI. 21 a2, 18/08 62120 MKP H 03 f, 1/32 |Rf l Ri ~r r o. T°» L wy -O we o- Ti R4 T3 Rb J PL PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL62120B1 true PL62120B1 (pl) | 1970-12-30 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2926307A (en) | Series energized cascaded transistor amplifier | |
| GB700237A (en) | Improvements in semiconductor amplifier circuits | |
| CN104935270B (zh) | 自适应偏置电路 | |
| PL90334B1 (pl) | ||
| US3260947A (en) | Differential current amplifier with common-mode rejection and multiple feedback paths | |
| GB496872A (en) | Improvements in or relating to thermionic valve amplifiers | |
| Chenette et al. | Accurate noise measurements on transistors | |
| PL62120B1 (pl) | ||
| US3040265A (en) | Transistor amplifiers having low input impedance | |
| US3582681A (en) | Variable loss device | |
| US3379987A (en) | Admittance neutralizer | |
| Faulkner | Optimum design of low-noise amplifiers | |
| NO124403B (pl) | ||
| US3005956A (en) | Current amplifier for low impedance outputs | |
| SU1078340A1 (ru) | Входное устройство тракта вертикального отклонени осциллографа | |
| GB2040626A (en) | High frequency transistor amplifier | |
| US3156873A (en) | Differential amplifier | |
| US3303354A (en) | Temperature stable low frequency filter without inductance | |
| Pritchard | Small-signal parameters for transistors | |
| GB758991A (en) | Improvements in and relating to semi conductor amplifiers | |
| SU1589073A1 (ru) | Фотоэлектрический преобразователь | |
| PL67615B1 (pl) | ||
| Basu et al. | A digitally controlled variable-gain amplifier | |
| PL130317B1 (en) | Transistor follower circuit | |
| Brand et al. | The Reactatron-A Low-Noise, Semiconductor Diode, Microwave Amplifier |