PL67615B1 - - Google Patents

Description

Opublikowano: 15.XI.1973 67615 KI. 21a2,18/02 MKP H03f 3/34 IIILIOTEKA \nm ******** Wspóltwórcy wynalazku: Boguslaw Jackiewicz, Marek Orzylowski, Maciej Pa- lyska Wlasciciel patentu: Zjednoczone Zaklady Elektronicznej Aparatury Pomiarowej „Elpo", Warszawa (Polska) Wzmacniacz napiecia stalego zwlaszcza do woltomierzy elektronicznych Przedmiotem wynalazku jest wzmacniacz napiecia sta¬ lego zwlaszcza do woltomierzy elektronicznych, którego stopien wejsciowy jest zbudowany na tranzystorze po¬ lowym.Znane wzmacniacze napiecia stalego z tranzystorami polowymi typu zlaczowego w stopniach wejsciowych, stosowane w woltomierzach elektronicznych odznaczaja sie duzym pradem bramki, plynacym przez spolaryzo¬ wane zaporowo zlacze bramka-kanal pod wplywem po¬ tencjalów drenu i zródla, powodujacym zaleznosc wska¬ zan woltomierza elektronicznego od opornosci zródla mierzonego napiecia.Prad bramki typowego zlaczowego tranzystora polo¬ wego jest rzedu lO^-O ampera w warunkach odniesienia i wskazuje znaczna zaleznosc temperaturowa, wzrasta¬ jac w przyblizeniu dziesieciokrotnie przy podwyzszaniu temperatury zlacza do plus piecdziesieciu stopni Celsju¬ sza. Prad ten plynac calkowicie przez opornosc zródla mierzonego napiecia, dolaczona do wejscia wzmacnia¬ cza, powoduje niestabilnosc wskazan i ogranicza war¬ tosc opornosci wejsciowej woltomierza elektronicznego.Celem wynalazku jest wyeliminowanie wad znanych ukladów wzmacniaczy napiecia stalego, zbudowanych na tranzystorze polowym typu zlaczowego.Cel ten zostal osiagniety przez dolaczenie do bramki polowego tranzystora opornika, przez który plynie kom¬ pensujacy prad stanowiacy okreslona czesc pradu ply¬ nacego przez pólprzewodnikowe zlacze, polaczone z tym opornikiem szeregowo, spolaryzowane zaporowo napie¬ ciem zlozonym z sumy wyjsciowego napiecia ukladu 20 25 wzmacniacza i czesci napiecia zasilajacego, przy czym czesc pradu pólprzewodnikowego zlacza plynie przez regulowany opornik dolaczony do punktu o potencjale zerowym.Wynalazek realizuje kompensacje pradu bramki polo¬ wego tranzystora, na którym jest zbudowany wejsciowy stopien wzmacniacza napiecia stalego i umozliwia znacz¬ ne zwiekszenie wartosci opornosci wejsciowej woltomie¬ rza elektronicznego, przy czym kompensacja pradu bramki polowego tranzystora jest skuteczna w szerokim zakresie temperatury otoczenia.Uproszczony uklad wzmacniacza napiecia stalego, w przykladzie wykonania wedlug wynalazku, jest przedsta¬ wiony na rysunku.Stopien wejsciowy wzmacniacza napiecia stalego jest zbudowany na polowym tranzystorze Ti, którego bram¬ ka jest polaczona z pierwszym wejsciowym zaciskiem 1 i z dziesietnym opornikiem Rio- Zródlo polowego tran¬ zystora Ti jest polaczone z wejsciem ukladu A dowol¬ nych wzmacniaczy napiecia stalego, zas poprzez pierw¬ szy opornik Ri jest polaczone z dodatnim biegunem pierwszego zródla napiecia zasilania EE. Dren polowe¬ go tranzystora Ti jest polaczony, poprzez drugi opornik R2, z dodatnim biegunem pierwszego zródla napiecia zasilania EB i poprzez trzeci opornik R3 z ujemnym biegunem pierwszego zródla napiecia zasilania EB i z dodatnim biegunem drugiego zródla napiecia zasilania E.Dziesiaty opornik Rio, drugim swym koncem jest po¬ laczony z katoda pólprzewodnikowej diody Di i z re¬ gulowanym dziewiatym opornikiem R9, stanowiacym 6761567615 bocznik pólprzewodnikowej diody Di. Anoda pólprze¬ wodnikowej diody Di jest polaczona z punktem polacze¬ nia siódmego opornika R7 i ósmego opornika Rg, które tworza oporowy dzielnik R7, Rg napiecia drugiego zró¬ dla zasilania E, przy czym siódmy opornik R7 jest po¬ laczony z ujemnym biegunem pierwszego zródla napie¬ cia zasilania EB i z dodatnim biegunem drugiego zró¬ dla napiecia zasilania E, zas ósmy opornik Rg jest po¬ laczony z ujemnym biegunem drugiego zródla napiecia zasilania E.Dziewiaty opornik R9, drugim swoim koncem jest po¬ laczony z siódmym opornikiem R7, a tym samym jest polaczony z trzecim opornikiem K3 oraz z ujemnym biegunem pierwszego zródla napiecia zasilania EB i do¬ datnim biegunem drugiego zródla napiecia zasilania E.Uklad A dowolnych wzmacniaczy napiecia stalego jest zasilany odpowiednio z pierwszego zródla napiecia zasilania' EB i drugiego zródla napiecia zasilania E.Dzielnik R4, R5 ukladu stabilizacji temperaturowej do¬ wolnych wzmacniaczy napiecia stalego, skladajacy sie z czwartego opornika R4 i szeregowo z nim polaczonego piatego opornika R5, jest podlaczony do ujemnego bie¬ guna pierwszego zródla napiecia zasilania E)B, a z dru¬ giej strony do dodatniego bieguna tego zródla EB. Dru¬ gi wejsciowy zacisk 2 jest polaczony z masa przyrzadu.Do masy przyrzadu jest podlaczone równiez wyjscie ukladu A dowolnych wzmacniaczy napiecia stalego i pierwszy wyjsciowy zacisk 3. Do pierwszego wyjsciowe¬ go zacisku 3 jest podlaczony wskaznik M, który jest po¬ laczony szeregowo z szóstym opornikiem Rb, a ten ostatni jest polaczony z drugim wyjsciowym zaciskiem 4.Drugi wyjsciowy zacisk 4 jest polaczony z ujemnym biegunem pierwszego zródla napiecia zasilania E*B i do¬ datnim biegunem drugiego zródla napiecia zasilania E.Przedstawiony na rysunku uklad wzmacniacza napie¬ cia stalego dziala nastepujaco.Polowy tranzystor Ti, lacznie z pierwszym, drugim i trzecim opornikiem stanowi stopien wejsciowy wzmac¬ niacza napiecia stalego, dzialajacy w ukladzie niesyme¬ trycznym. Dalsze stopnie wzmacniajace, które moga byc wykonane w dowolnym ukladzie, przedstawiono na ry¬ sunku symbolicznie w postaci ukladu A.Sygnal wejsciowy iUwe jest przylozony do bramki po¬ lowego tranzystora Ti oraz do wyjscia ukladu A dowol¬ nych wzmacniaczy napiecia stalego, realizujac ujemne szeregowe sprzezenie zwrotne, redukujace wzmocnienie napieciowe calego ukladu wzmacniacza do jednosci.Obciazenie wzmacniacza stanowi wskaznik M, któ¬ rym jest magnetoelektryczny miernik wychylowy, pola¬ czony szeregowo z szóstym opornikiem Rg. Zródla na¬ piec zasilania E i EB sa polaczone z czwartym zaci¬ skiem 4 wyjsciowym ukladu, zapewniajac niezaleznosc punktów pracy wzmacniacza od wartosci sygnalu wej¬ sciowego Uwe- Prad IB bramki polowego tranzystora Ti jest kom¬ pensowany pradem Ii, stanowiacym okreslona czesc pradu ID plynacego przez pólprzewodnikowa diode Di pod wplywem polaryzujacego ja zaporowo napiecia UD, uzyskanego z punktu polaczenia siódmego opornika R7 i ósmego opornika Rg oporowego dzielnika R7, Rs dru¬ giego zródla napiecia zasilania E. Prad ID pólprzewod¬ nikowej diody Di ma taka sama zaleznosc temperaturo¬ wa jak prad IB bramki polowego tranzystora Ti. Dobra¬ nie odpowiedniej wartosci opornosci dziewiatego opor¬ nika R9 powoduje, ze wejsciowy prad Iwe wzmacniacza, bedacy róznica pradu IB bramki polowego tranzystora Ti i pradu Ii plynacego przez dziesiaty opornik Rio, zachowuje niewielka wartosc w szerokim zakresie tem- 20 peratury otoczenia. Poniewaz wartosc wyjsciowego na¬ piecia Uwy jest prawie równa wartosci wejsciowego syg¬ nalu Uwe, a pólprzewodnikowa dioda Di jest dolaczona do punktu o potencjale stanowiacym sume napiec UD + Uwy, to rozplyw pradów i kompensacja wejscio- 25 wego pradu Iwe wzmacniacza sa niezalezne od wartosci sygnalu sterujacego Uwe.Powyzsza wlasciwosc przedstawionego ukladu sprawia równiez, ze dolaczenie dziesietnego opornika Rio do bramki polowego tranzystora Ti praktycznie nie powo- 30 duje zmniejszenia opornosci wejsciowej wzmacniacza. PL PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Wzmacniacz napiecia stalego zwlaszcza do woltomie- 35 rzy elektronicznych skladajacy sie z ukladu wejsciowe¬ go, zbudowanego na polowym tranzystorze i z dalszych stopni wzmacniajacych, znamienny tym, ze do bramki polowego tranzystora (Ti) jest dolaczony opornik (Rio) przez który plynie kompensujacy prad (Ii) stanowiacy ^ okreslona czesc pradu (ID) plynacego przez pólprzewod¬ nikowe zlacze (Di) polaczone z tym opornikiem (Rio) szeregowo i spolaryzowane zaporowo napieciem (UD + Uwy), zlozonym z sumy wyjsciowego napiecia (Uwy) ukladu wzmacniacza i czesci zasilajacego napie- 45 cia (UD), przy czym czesc pradu (ID) pólprzewodnikowe¬ go zlacza (Di) plynie przez regulowany opornik (R9), dolaczony do punktu o potencjale zerowym.KI. 21a2,18/02 67615 MKPH03f3/34 i} 4 "'U A PL PL