PL61689B1 - - Google Patents

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 1.XII.1970 61689 KI. 21 g, 11/02 MKP H 011,7/02 Wspóltwórcy wynalazku: Zdzislaw Majewski, Janusz Zak Wlasciciel patentu: Polska Akademia Nauk (Instytut TechnologiiElektro¬ nowej), Warszawa (Polska) Sposób wykonania zlacza powierzchniowego metal — pólprzewodnik Przedmiotem wynalazku jest sposób wykonania zlacza powierzchniowego metal-pólprzewodnik zwlaszcza w diodzie z bariera powierzchniowa nie- tal^pólipirzewodnik w celu zmniejszenia pradu wstecznegodiody. 5 Dotychczasowe sposoby zmniejszenia pradu wstecznego diody z bariera powierzchniowa pole¬ gaja na odpowiedniej modyfikacji konfiguracji dio¬ dy lufo na odpowiedniej Obróbce powierzchni pól¬ przewodnika. Znanym sposobem zmiany konfigu- io racji jest wprowadzenie pierscienia zlaczowego p+ — in, które otacza zlacze metal-pólprzewodnik i w ten sposób izoluje go od 'wplywu powierzchni pólprzewodnika. Jest to jednak sposób technolo¬ gicznie klopotliwy, szczególnie wtedy, gdy dotyczy 15 diod mikrofalowych, których zlacze robocze musi miec jak najmniejsza powierzchnie (zwykle sredni¬ ca 50 jutm).Celem wynalazku jest zmniejszenie pradu ' - ir 20 wstecznego diody z bariera powierzchniowa metal- pólprzewodnik.Cel -ten losiagnieto przez wyftworzenie odpowied¬ nich wlasciwosci powierzchni pólprzewodnika.Istota wynalazku polega na tym, ze powierzchnie 25 pólprzewodnikowa pokrywa sie warstwa izolacyj¬ na, na przyklad w procesie pyrolitycznym, a na¬ stepnie wytrawia jonowo te czesc powierzchni, któ¬ ra ma byc pokryta metalem, i pokrywa sie ta czesc metalem. Warstwa izolacyjna moze byc amor- ,0 fiezny azotek krzemu lub kolejno nalozony tlenek i azotek krzemu.Ptrzyklad wynalazku zostanie objasniony w opar¬ ciu o rysunek, na którym fig. 1 przedstawia kon¬ figuracje diody z bariera powierzchniowa metal- pólprzewodnik, fig. 2 — diode ze zmieniona konfi¬ guracja za pomoca wprowadzenia zlacza pierscie¬ niowego p+ — n, fig. 3 — zlacze (powierzchniowe meftalnpóliprzewodnik otrzymane sposobem wedlug wynalazku.Dioda przedstawiona na fig. 1 ma zlacze metal- pólprzewodnik 1 otoczone powierzchnia pólprze¬ wodnika 2. Powierzchnie (pólprzewodnika 2 pokry¬ wa sie zazwyczaj cienka warstwa izolacyjna 3.Warstwa ta powinna eliminowac /powstawanie ka¬ nalu powierzchniowego bezposrednio pod (powierz¬ chnia pólprzewodnika, oraz zapewniac stabiflne wla¬ sciwosci powierzchni w warunkach normalnego od¬ dzialywania atmosfery otaczajacej diode. Linia przerywana oznaczone sa granice obszarów ladunku przestrzennego zlacza 4 i powierzchni 5. Oba te obszary granicza ze soba wzdluz obwodu zlacza powodujac powstawanie niekorzystnych zjawisk krawedziowych, przejawiajacych sie wzrostem pra¬ du uplywnosci 6 w diodzie. Wymieniona skladowa pradu powoduje niekorzystny wzrost aprajdu wstecz¬ nego diody i zalezy zarówno od wlasciwosci barie¬ ry powierzchniowej jak i od wlasciwosci powierzch¬ ni pólprzewodnika. iNa fig. 2 rysunku przedstawiona jest zmiana kon- 6168961689 3 figuracji diody -przez wprowadzenie pierscienia zlaczonego p+ '— n, które otacza zlacze metal-pól- przewodnik i w ten sposób izoluje go od wplywu powierzchni pólprzewodnika. Jednak jak juz wspo¬ mniano, jest to technollogicznie klopotliwy sposób zmniejszenia pradu wstecznego diody.Sposób wedlug wynalazku eliminuje omówiony pierscien zlaczowy. Otrzymane sposobem wedlug wynalazku zlacze stosowane w diodzie, przedsta¬ wiono na fig. 3. Pólprzewodnik i pokrywa sie war¬ stwa izolacyjna Z, na przyklad w procesie pyro- litycznym. Warstwa izoiLacyjna 2 powinna byc od¬ porna na wplyw zmian wilgotnosci srodowiska zew¬ netrznego oraz odporna na dyfuzje jonów mogacych domieszkowac warstwe pod 'Wplywem pola elek¬ trycznego i zmieniac jej parametry elektryczne.Nastepnie wytrawia sie rjonowo te czesc powierzch¬ ni, która ma byc pokryta metalem, a nastepnie w celu wytworzenia zlacza powierzchniowego metal- pólprzewodmik, pokrywa sie wytrawiony obszar me- 15 20 talem 3. Warstwa izolacyjna moze byc przyklado¬ wo amorficzny azotek krzemu lub warstwa z ko¬ lejnego nalozenia tlenku i azotku krzemu. PL PL

Claims (2)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wykonania izlaoza powierzchniowego metai-pólprzewodnik, znamienny tym, .ze po¬ wierzchnie pólprzewodnika (1) pokrywa sie war¬ stwa izolacyjna (£), na przyklad w procesie pyro- litycznym, a nastepnie wytrawia Jonowo te czesc powierzchni, która ima byc pokryta metalem i wy¬ trawiony obszar pokrywa sie metalem (3).

2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze jako warstwe izolacyjna (2) odporna na wplyw zmian wilgotnosci srodowiska zewnetrznego oraz odporna na dylfuzje jonów mogacych domieszkowac warstwe pod wplywem pola elektrycznego — sto¬ suje sie amorficzny azotek krzemu lub warstwe z kolejnego nalozenia 'tlenku i azotku krzemu. Dokonano jednej pop Fig.1 Fig2 2 3 Fig.3 ZG „Ruch" W-wa, zam. 1180-70 nakl. 250 egz. PL PL