SU527988A1

SU527988A1 - Способ изготовлени омических контактов

Info

Publication number: SU527988A1
Application number: SU742083946A
Authority: SU
Inventors: Н.Н. Герасименко; А.В. Двуреченский; Л.П. Потапова; Л.С. Смирнов
Original assignee: Институт Физики Полупроводников Со Ан Ссср
Priority date: 1974-12-17
Filing date: 1974-12-17
Publication date: 1986-09-30

Abstract

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ, включающий легирование полупроводника при внедрении ионов легирующей примеси до больших доз (более 4-10*'* см'*) и при повьппенных плотност х тока (более 4 мкА/см'^ ), отличающийс тем, что, с целью снижени сопротивлени контактов, перед внедрением на полупроводник нанос т пленку металла, дающего тот же тип проводимости в полупроводнике, что и внедр ема примесь» причем толщина пленки равна или меньше длины пробега ионов.

Description

Изобретение относится к способам изготовления низкоомных омических контактов к полупроводниковым структурам и интегральным схемам.

Известны различные способы соз- 5 цания омических контактов к полупроводникам. Наиболее широко применяется в связи с развитием планарной технологии вакуумное напыление металлов на полупроводниковую подложку с последующим их вжиганием при 500-900°С.

Для уменьшения переходного сопротивления контакта осуществляют подлегирование приповерхностного слоя полупроводника либо диффузией, либо ионным внедрением примеси в полупроводник с последующим отжигом при 500-900°С дефектов, образующихся в процессе имплантации.

Высокотемпературная обработка структур в процессе изготовления контактов приводит к нежелательным, эффектам: диффузии посторонних примесей с поверхности полупроводника, резкому увеличению обратных токов р-п-переходов и т.д.

Известен способ изготовления омического контакта, включающий легирование полупроводника при внедрении ионов легирующей при_меси^до больших доз (более 4*10 ‘см ) и при повышенных плотностях тока (более 4 мкА/см'² ). Этот способ исключает необходимость последующей высо» котемпературной обработки.

Однако известный способ не позволяет существенно понизить переходное сопротивление металлического контакта и полупроводника.

Целью изобретения является' снижение сопротивления контактов.

Цель достигается тем, что перед внедрением на полупроводник наносят пленку металла, дающего тот же тип проводимости в полупроводнике, что и внедряемая примесь, причем толщина пленки равна или меньше длины пробега ионов.

Процесс изготовления контакта предлагается проводить по следующей схеме.

5-27988 . ³

На выбранную полупроводниковую структуру через шаблон наносят пленку контактного металла или сплава необходимой толщины напылением в вакууме или.любым другим способом. Полученную структуру облучают ионами легирующей примеси (например, В⁺,Р⁺, As⁺, Sb⁺ и т.д.) такой энергии, чтобы проекция пробега ионов в металле 10 была приблизительно равна или больше толщины металлической пленки, а падающая на пластину мощность излучения не превышала 1 Вт/см², так как в этом случае, как известно, нагре15 вание пластины во время облучения при любом способе ее закрепления не превышает 80°С.

Режим процесса внедрения обеспе₂₀ чивает рекристаллизацию образовавшегося во время ионной бомбардировки аморфного слоя и активацию внедренной примеси без дополнительного отжига при повышенных температурах.

Вследствие столкновений внедряемых ионов с атомами металла происходит размытие границы металл - полупроводник, что приводит к высокой механической прочности контактов.

Полученные таким спосабом контакты обладают низким переходным сопротивлением и линейностью вольтамперной характеристики до 5 А/см² по постоянному току.

Пример. На полупроводниковую пластину из кремния марки КЭФ4,5 через шаблон наносят пленку олова 4Q толщиной 360 А. Структуру облучают ионами фосфора энергией 60 кэВ (проекция пробега ионов такой энергии в олове ~ 425 А) до дозы 6<10*см'²при плотности тока пучка ионов ~8 мкА/см² .· Облучение проводят на ионной пушке ИЛУ” при комнатной температуре и давлении 10~^?мм рт.ст. Получены контакты с переходным сопротивлением 0,1 Ом·см². Вольтампер50 ные характеристики линейны до плотности тока 5 А/см². Механическая прочность контактов высокая.

ВНИИПИ Заказ 5256/2 Тираж 643

Подписное

Произв.-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Claims

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ, включающий леги рование полупроводника при внедрении ионов легирующей примеси до больших доэ (более 4 ·1θ⁶ см'^г) и при повышенных плотностях тока (более 4 мкА/см'²), отличающийся тем, что, с целью снижения сопротивления контактов, перед внедрением на полупроводник наносят пленку металла, дающего тот же тип проводимости в полупроводнике, что и внедряемая примесь, причем толщина пленки равна или меньше длины пробега ионов.

и*

S м