PL61034B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL61034B1
PL61034B1 PL130762A PL13076268A PL61034B1 PL 61034 B1 PL61034 B1 PL 61034B1 PL 130762 A PL130762 A PL 130762A PL 13076268 A PL13076268 A PL 13076268A PL 61034 B1 PL61034 B1 PL 61034B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
transistor
collector
base
input
controlled
Prior art date
Application number
PL130762A
Other languages
English (en)
Inventor
Fabrycy Marian
Original Assignee
Przemyslowy Instytut Automatyki I Pomiarów
Filing date
Publication date
Application filed by Przemyslowy Instytut Automatyki I Pomiarów filed Critical Przemyslowy Instytut Automatyki I Pomiarów
Publication of PL61034B1 publication Critical patent/PL61034B1/pl

Links

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 15.X.1970 61034 KI. 21 a1, 36/02 MKPH03k,17/6 UKD Twórca wynalazku: Marian Fabrycy Wlasciciel patentu: Przemyslowy Instytut Automatyki i Pomiarów, Warszawa (Polska) Uklad polaczen pólprzewodnikowego przerzutnika statycznego i Przedmiotem wynalazku jest uklad polaczen pólprzewodnikowego przerzutnika statycznego, przewidziany w szczególnosci jako uniwersalny uklad wyjsciowy czujników do sterowania liczy¬ del elektromechanicznych przy niskich czestotli¬ wosciach lub do formowania impulsów dla wspól¬ pracy z licznikami elektronicznymi w szerokim pasmie czestotliwosci.Obecnie znane uklady wzmacniaczy przelaczaja¬ cych sa bardzo rozbudowane ukladowo, a to ze wzgledu na koniecznosc zapewnienia dostatecznie duzego wzmocnienia, dla uzyskania odpowiednio szybkiego czasu przelaczania. Zwiekszenie wzmoc¬ nienia przez zastosowanie dodatniego sprzezenia zwrotnego uniemozliwia w istniejacych ukladach samoczynny powrót do stanu wyjsciowego po za¬ niku sygnalu wyzwalajacego.Celem wynalazku jest opracowanie ukladu pól¬ przewodnikowego przerzutnika statycznego zapew¬ niajacego duze wzmocnienie przy malej ilosci tran¬ zystorów, a wiec i szybkie przelaczanie, a który ze wzgledu na czas przerzutu zalezny od czasu wystepowania sygnalu wyzwalajacego moze byc stosowany do sterowania elektromechanicznych ukladów przekaznikowych przy niskich czestotli¬ wosciach jak i sterowania ukladów elektronicznych dla wiekszych czestotliwosci, zapewniajac uniwer¬ salnosc ukladu na przyklad w bezdotykowych urzadzeniach do zliczania czesci.Istota wynalazku polega na zrealizowaniu w przerzutniku galwanicznego sprzezenia zwrotnego, o czasie przerzutu zaleznym od czasu trwania syg¬ nalu wyzwalajacego, przez polaczenie punktu srod- 5 kowego dzielnika oporowego w kolektorze jednego tranzystora przerzutnika z kolektorem tranzystora wejsciowego na którego baze przykladany jest syg¬ nal wejsciowy, a jednoczesnie punkt srodkowy dzielnika jest polaczony z dzielnikiem oporowym io z którego punktu srodkowego sterowana jest baza drugiego tranzystora przerzutnika statycznego. Z kolektora tego tranzystora jest sterowany przez polaczenie galwaniczne w bazie pierwszy tranzy¬ stor przerzutnika. 15 Przyklad polaczen ukladu pólprzewodnikowego przerzutnika statycznego wedlug wynalazku przed¬ stawiony jest schematycznie na rysunku, na któ¬ rym punkt pracy tranzystora wejsciowego 1 usta¬ lony jest opornikiem 2, jego kolektor jest wlaczony 20 w dzielnik oporowy skladajacy sie z opornika 3 i opornika 4, które daja opornosc w ko¬ lektorze tranzystora pierwszego 5. Baza tranzy¬ stora 5 sterowana jest bezposrednio z kolektora tranzystora drugiego 6. Tranzystor drugi 6 stero- 25 wany jest sygnalem z kolektora tranzystora wej¬ sciowego 1 przez opofnik 8. Tranzystor drugi 6 po¬ siada w kolektorze opornik 9. Wejscie 10 dolaczo¬ ne do bazy tranzystora wejsciowego 1 i wyjscie 11 z kolektora tranzystora pierwszego 5, moga byc 30 realizowane wedlug znanych rozwiazan.. 6103461034 Dzialanie pólprzewodnikowego przerzutnika sta¬ tycznego wedlug wynalazku jest nastepujace, przy tranzystorze drugim 6 ustalonym statycznie w sta¬ nie przewodzenia, tranzystor pierwszy 5 -jest w stanie zatkania. Dodatni sygnal sterujacy przylo¬ zony do wejscia 10 zostaje wzmocniony przez tran¬ zystor wejsciowy 1 na którego kolektorze nastapil spadek potencjalu. Spadek ten przez oporonik 8 przesteruje tranzystor drugi 6, na którego kolek¬ torze nastapi wzrost potencjalu. Wzrost ten otwo¬ rzy tranzystor pierwszy 5 a wiec spowoduje spa¬ dek potencjalu na kolektorze tranzystora wej¬ sciowego 1, z którego jest sterowany tranzystor drugi 6 poprzez opornik 8. Jak wynika z dzialania, pomiedzy tranzystorem pierwszym 5 i tranzystorem drugim 6 jest sprzezenie dodatnie.Przy calkowitym otwarciu tranzystora pierwsze¬ go 5 na kolektorze tranzystora wejsciowego 1 pow¬ staje potencjal o wielkosci okreslonej dzielnikiem powstalym z opornika 3 i opornika 4, który umo¬ zliwia dalsza prace tranzystora Iw ukladzie wzmacniacza a wiec i sterowanie odwrotne. Gdy uklad przerzutnikowy zaprojektowany jest tak ze tranzystor drugi 6 statycznie jest w stanie zam- 10 20 knietym to uklad bedzie Wyzwalany sygnalem uje¬ mnym. Zaleta ukladu jest otrzymywanie duzego wzmocnienia za pomoca malej ilosci elementów co z kolei pozwala na uzyskanie malych czasów na- rostu czy przerzutu, oraz przez wlaczenie tranzy¬ stora wejsciowego 1 w dzielnik opornosci kolek¬ tora tranzystora pierwszego 5 zapewnia male cza¬ sy przerzutu przy zaniku sygnalu sterujacego. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Uklad polaczen pólprzewodnikowego przerzutni¬ ka statycznego z galwanicznym sprzezeniem zwrot¬ nym o czasie przerzutu zaleznym od czasu trwa¬ nia sygnalu wyzwalajacego, znamienny tym, ze punkt srodkowy dzielnika oporowego w kolektorze tranzystora pierwszego (5) przerzutnika jest pola¬ czony z kolektorem tranzystora wejsciowego (1), na którego baze przykladany jest sygnal wejscio¬ wy, a jednoczesnie do punktu tego polaczony jest dzielnik zlozony z oporów (7) i (8) z którego srod¬ ka sterowana jest baza tranzystora drugiego (6) przy czym z kolektora tranzystora drugiego (6) sterowany jest, przez polaczenie galwaniczne w bazie tranzystor pierwszy (5). PZG w Pab., zam. 870-70, nakl. 220 egz. PL
PL130762A 1968-12-21 PL61034B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL61034B1 true PL61034B1 (pl) 1970-08-25

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3753011A (en) Power supply settable bi-stable circuit
US3448293A (en) Field effect switching circuit
ES389110A1 (es) Perfeccionamientos en dispositivos de conexion electronica a semiconductores.
PL61034B1 (pl)
KR880004645A (ko) 반도체 집적회로
CA1261917A (en) Power circuit and trigger device comprising same
US3239695A (en) Semiconductor triggers
US4074206A (en) Linear output amplifier for charge-coupled devices
US2982869A (en) Semiconductor trigger circuit
GB1267441A (en) Fluid flow metering method and system
US3350577A (en) Solid state gating circuit
GB631884A (en) Improvements in and relating to pulse signalling systems
US3700924A (en) Differential snap acting switching circuit
SU594905A3 (ru) Электронный переключатель
SU750586A1 (ru) Устройство управлени полупроводниковыми фазовращател ми
GB1168810A (en) Semiconductor Detector Circuit
SU372696A1 (ru) ДВУХПОЗИЦИОННЫЙ ключ КОММУТАЦИИ ИМПУЛЬСНЫХ СИГНАЛОВ
SU612401A1 (ru) Устройство задержки импульсов
SU437221A1 (ru) Полупроводниковый ключ
SU507917A1 (ru) Устройство формировани импульсных последовательностей
US3254305A (en) Sense amplifier including a negative resistance diode and control circuitry therefor
SU420102A1 (ru) Триггер с регулируемой петлей гистерезиса
US3353113A (en) Digital frequency standard
SU474920A1 (ru) Формирователь импульсов
SU448603A1 (ru) Диодно-транзисторный ключ