PL61034B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL61034B1 PL61034B1 PL130762A PL13076268A PL61034B1 PL 61034 B1 PL61034 B1 PL 61034B1 PL 130762 A PL130762 A PL 130762A PL 13076268 A PL13076268 A PL 13076268A PL 61034 B1 PL61034 B1 PL 61034B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- transistor
- collector
- base
- input
- controlled
- Prior art date
Links
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000013641 positive control Substances 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Description
Pierwszenstwo: Opublikowano: 15.X.1970 61034 KI. 21 a1, 36/02 MKPH03k,17/6 UKD Twórca wynalazku: Marian Fabrycy Wlasciciel patentu: Przemyslowy Instytut Automatyki i Pomiarów, Warszawa (Polska) Uklad polaczen pólprzewodnikowego przerzutnika statycznego i Przedmiotem wynalazku jest uklad polaczen pólprzewodnikowego przerzutnika statycznego, przewidziany w szczególnosci jako uniwersalny uklad wyjsciowy czujników do sterowania liczy¬ del elektromechanicznych przy niskich czestotli¬ wosciach lub do formowania impulsów dla wspól¬ pracy z licznikami elektronicznymi w szerokim pasmie czestotliwosci.Obecnie znane uklady wzmacniaczy przelaczaja¬ cych sa bardzo rozbudowane ukladowo, a to ze wzgledu na koniecznosc zapewnienia dostatecznie duzego wzmocnienia, dla uzyskania odpowiednio szybkiego czasu przelaczania. Zwiekszenie wzmoc¬ nienia przez zastosowanie dodatniego sprzezenia zwrotnego uniemozliwia w istniejacych ukladach samoczynny powrót do stanu wyjsciowego po za¬ niku sygnalu wyzwalajacego.Celem wynalazku jest opracowanie ukladu pól¬ przewodnikowego przerzutnika statycznego zapew¬ niajacego duze wzmocnienie przy malej ilosci tran¬ zystorów, a wiec i szybkie przelaczanie, a który ze wzgledu na czas przerzutu zalezny od czasu wystepowania sygnalu wyzwalajacego moze byc stosowany do sterowania elektromechanicznych ukladów przekaznikowych przy niskich czestotli¬ wosciach jak i sterowania ukladów elektronicznych dla wiekszych czestotliwosci, zapewniajac uniwer¬ salnosc ukladu na przyklad w bezdotykowych urzadzeniach do zliczania czesci.Istota wynalazku polega na zrealizowaniu w przerzutniku galwanicznego sprzezenia zwrotnego, o czasie przerzutu zaleznym od czasu trwania syg¬ nalu wyzwalajacego, przez polaczenie punktu srod- 5 kowego dzielnika oporowego w kolektorze jednego tranzystora przerzutnika z kolektorem tranzystora wejsciowego na którego baze przykladany jest syg¬ nal wejsciowy, a jednoczesnie punkt srodkowy dzielnika jest polaczony z dzielnikiem oporowym io z którego punktu srodkowego sterowana jest baza drugiego tranzystora przerzutnika statycznego. Z kolektora tego tranzystora jest sterowany przez polaczenie galwaniczne w bazie pierwszy tranzy¬ stor przerzutnika. 15 Przyklad polaczen ukladu pólprzewodnikowego przerzutnika statycznego wedlug wynalazku przed¬ stawiony jest schematycznie na rysunku, na któ¬ rym punkt pracy tranzystora wejsciowego 1 usta¬ lony jest opornikiem 2, jego kolektor jest wlaczony 20 w dzielnik oporowy skladajacy sie z opornika 3 i opornika 4, które daja opornosc w ko¬ lektorze tranzystora pierwszego 5. Baza tranzy¬ stora 5 sterowana jest bezposrednio z kolektora tranzystora drugiego 6. Tranzystor drugi 6 stero- 25 wany jest sygnalem z kolektora tranzystora wej¬ sciowego 1 przez opofnik 8. Tranzystor drugi 6 po¬ siada w kolektorze opornik 9. Wejscie 10 dolaczo¬ ne do bazy tranzystora wejsciowego 1 i wyjscie 11 z kolektora tranzystora pierwszego 5, moga byc 30 realizowane wedlug znanych rozwiazan.. 6103461034 Dzialanie pólprzewodnikowego przerzutnika sta¬ tycznego wedlug wynalazku jest nastepujace, przy tranzystorze drugim 6 ustalonym statycznie w sta¬ nie przewodzenia, tranzystor pierwszy 5 -jest w stanie zatkania. Dodatni sygnal sterujacy przylo¬ zony do wejscia 10 zostaje wzmocniony przez tran¬ zystor wejsciowy 1 na którego kolektorze nastapil spadek potencjalu. Spadek ten przez oporonik 8 przesteruje tranzystor drugi 6, na którego kolek¬ torze nastapi wzrost potencjalu. Wzrost ten otwo¬ rzy tranzystor pierwszy 5 a wiec spowoduje spa¬ dek potencjalu na kolektorze tranzystora wej¬ sciowego 1, z którego jest sterowany tranzystor drugi 6 poprzez opornik 8. Jak wynika z dzialania, pomiedzy tranzystorem pierwszym 5 i tranzystorem drugim 6 jest sprzezenie dodatnie.Przy calkowitym otwarciu tranzystora pierwsze¬ go 5 na kolektorze tranzystora wejsciowego 1 pow¬ staje potencjal o wielkosci okreslonej dzielnikiem powstalym z opornika 3 i opornika 4, który umo¬ zliwia dalsza prace tranzystora Iw ukladzie wzmacniacza a wiec i sterowanie odwrotne. Gdy uklad przerzutnikowy zaprojektowany jest tak ze tranzystor drugi 6 statycznie jest w stanie zam- 10 20 knietym to uklad bedzie Wyzwalany sygnalem uje¬ mnym. Zaleta ukladu jest otrzymywanie duzego wzmocnienia za pomoca malej ilosci elementów co z kolei pozwala na uzyskanie malych czasów na- rostu czy przerzutu, oraz przez wlaczenie tranzy¬ stora wejsciowego 1 w dzielnik opornosci kolek¬ tora tranzystora pierwszego 5 zapewnia male cza¬ sy przerzutu przy zaniku sygnalu sterujacego. PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Uklad polaczen pólprzewodnikowego przerzutni¬ ka statycznego z galwanicznym sprzezeniem zwrot¬ nym o czasie przerzutu zaleznym od czasu trwa¬ nia sygnalu wyzwalajacego, znamienny tym, ze punkt srodkowy dzielnika oporowego w kolektorze tranzystora pierwszego (5) przerzutnika jest pola¬ czony z kolektorem tranzystora wejsciowego (1), na którego baze przykladany jest sygnal wejscio¬ wy, a jednoczesnie do punktu tego polaczony jest dzielnik zlozony z oporów (7) i (8) z którego srod¬ ka sterowana jest baza tranzystora drugiego (6) przy czym z kolektora tranzystora drugiego (6) sterowany jest, przez polaczenie galwaniczne w bazie tranzystor pierwszy (5). PZG w Pab., zam. 870-70, nakl. 220 egz. PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL61034B1 true PL61034B1 (pl) | 1970-08-25 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3753011A (en) | Power supply settable bi-stable circuit | |
| US3448293A (en) | Field effect switching circuit | |
| ES389110A1 (es) | Perfeccionamientos en dispositivos de conexion electronica a semiconductores. | |
| PL61034B1 (pl) | ||
| KR880004645A (ko) | 반도체 집적회로 | |
| CA1261917A (en) | Power circuit and trigger device comprising same | |
| US3239695A (en) | Semiconductor triggers | |
| US4074206A (en) | Linear output amplifier for charge-coupled devices | |
| US2982869A (en) | Semiconductor trigger circuit | |
| GB1267441A (en) | Fluid flow metering method and system | |
| US3350577A (en) | Solid state gating circuit | |
| GB631884A (en) | Improvements in and relating to pulse signalling systems | |
| US3700924A (en) | Differential snap acting switching circuit | |
| SU594905A3 (ru) | Электронный переключатель | |
| SU750586A1 (ru) | Устройство управлени полупроводниковыми фазовращател ми | |
| GB1168810A (en) | Semiconductor Detector Circuit | |
| SU372696A1 (ru) | ДВУХПОЗИЦИОННЫЙ ключ КОММУТАЦИИ ИМПУЛЬСНЫХ СИГНАЛОВ | |
| SU612401A1 (ru) | Устройство задержки импульсов | |
| SU437221A1 (ru) | Полупроводниковый ключ | |
| SU507917A1 (ru) | Устройство формировани импульсных последовательностей | |
| US3254305A (en) | Sense amplifier including a negative resistance diode and control circuitry therefor | |
| SU420102A1 (ru) | Триггер с регулируемой петлей гистерезиса | |
| US3353113A (en) | Digital frequency standard | |
| SU474920A1 (ru) | Формирователь импульсов | |
| SU448603A1 (ru) | Диодно-транзисторный ключ |