SU437221A1 - Полупроводниковый ключ - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к радиотехнике и может быть использовано в дискретных фазовых устройствах и в системах многоканальной св зи дл  коммутации высокочастотных синусоидальных и импульсных сигналов в электрических цеп х.

Известны полупроводниковые ключи, содержащие последовательно соединенные эмиттерные повторители, причем база транзистора первого эмиттерного повторител  подсоединена к шине питани  через два последовательно соединенных резистора, и схему коммутации сигнала, состо щую из коммутирующего транзистора и сложного инвертора, выполненного на двух транзисторах, коллекторы которых через резисторы соединены с щиной питани , эмиттер первого транзистора через диод соединен с базой второго транзистора сложного инвертора , эмиттер которого соединен с общей шиной, а между базой и эмиттером второго транзистора сложного инвертора включен резистор , при этом коллектор коммутирующего транзистора подсоединен к базе транзистора второго эмиттерного повторител , эмиттер подсоединен к общей шине, а база - к коллекгору второго транзистора сложного инвертора.

Однако известные ключи характеризуютс  недостаточной температурной компенсацией.

Целью изобретени   вл етс  улучшение температурной компенсации.

Дл  этого база первого транзистора сложного инвертора подключена к точке соединени  двух резисторов, включенных между базой транзистора первого эмиттерного повторител  и шиной питани .

Изобретение по снено чертежом.

На чертеже приведена принципиальна  электрическа  схема ключа.

Полупроводниковый ключ содержит схему прохождени  сигнала, выполненную на транзисторах 1-3, включенных по схеме эмиттерных повторителей, и схему коммутации сигнала , состо шую из коммутирующего транзистора 4 и сложного инвертора, выполненного на транзисторах 5, 6 и диоде 7.

Режим работы транзисторов задаетс  резисторами 8-17.

Полупроводниковый ключ работает следующим образом.

При подаче на сигнальный вход синусоидального или импульсного сигнала, а на вход управлепи  - высокого уровн  напр жени  транзисторы 5 и 6 открыты, а транзистор 4 закрыт и входной сигнал проходит через транзисторы 1-3 на выход.

При подаче на вход управлени  низкого уровн  напр жени  транзисторы 5, 6 закрываютс , а транзистор 4 открываетс  и шунтирует базовую цепь транзистора 2, что приводит к запиранию транзистора 2 и, соотвегственно , транзистора 3.

В этом случае входной сигнал не проходит на выход ключа.

Температурна  компенсаци  выходного сигнала осуществл етс  за счет трех температурно-зависимых элементов р-л-переходов база-змиттер транзисторов 5, 6 и диода 7.

Предмет изобретени 

Полупроводниковый ключ, содержащий последовательно соединенные эмиттерные повторители , причем база транзистора первого эмиттерного повторител  подсоединена к щине питани  через два последовательно соединенных резистора, и схему коммутации сигнала , состо щую из коммутирующего транзистора и сложного инвертора, выполненного на

двух транзисторах, коллекторы которых через резисторы соединены с щиной питани , эмиттер первого транзистора через диод соединен с базой второго транзистора сложного инвертора , эмиттер которого соединен с общей шиной , а между базой и эмиттером второго транзистора сложного инвертора включен резистор , при этом коллектор коммутирующего транзистора подсоединен к базе транзистора

второго эмиттерного повторител , эмиттер подсоединен к общей шине, а база - к коллектору второго транзистора сложного инвертора, отличающийс  тем, что, с целью улучшени  температурной ком-пенсации, база первого

транзистора сложного инвертора через резистор подключена к точке соединени  двух ре зисторов, включенных между базой транзистора первого эмиттерното повторител  и шиной питани .