PL59981B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL59981B1 PL59981B1 PL130859A PL13085968A PL59981B1 PL 59981 B1 PL59981 B1 PL 59981B1 PL 130859 A PL130859 A PL 130859A PL 13085968 A PL13085968 A PL 13085968A PL 59981 B1 PL59981 B1 PL 59981B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- cathode
- oxygen
- glass
- tin
- antimony
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 6
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001245 Sb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002140 antimony alloy Substances 0.000 description 1
- GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N antimony tin Chemical compound [Sn].[Sb] GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
Pierwszenstwo: Opublikowano: 20. IV. 1970 59981 KI. 48 b, 15/00 W MKP € 2^e UKD 621. 793.12 Wspóltwórcy wynalazku: dr Mieczyslaw Jachimowski, dr Edward Leja, mgr Adam Czapla Wlasciciel patentu: Akademia Górniczo-Hutnicza (Katedra Fizyki), Kra¬ ków (Polska) Sposób nanoszenia oporowych warstw przepuszczajacych swiatlo, zwlaszcza na powierzchnie szklane i ceramiczne i Przedmiotem' wynalazku jest sposób nanoszenia oporowych warstw przepuszczajacych swiatlo, zwlaszcza na powierzchnie szklane i ceramiczne, znajdujacy zastosowanie w produkcji elektrod do komórek elektroluminescencyjnych, lamp analizu- 5 jacych obraz i do innych urzadzen elektro- optycznych.Znany dotychczas chemiczny sposób nanoszenia oporowych warstw przepuszczajacych swiatlo na podloze szklane lub ceramiczne polega na wdmu- io chiwaniu do przelotowego pieca grzewczego, z umieszczonym w nim elementem, na którym ma byc wytworzona warstwa, przepuszczajaca swia¬ tlo, rozpylonej mieszaniny, zlozonej z czterochlor¬ ku cyny i alkoholu rozpuszczonego w wodzie. W 15 temperaturze wnetrza pieca, wynoszacej okolo 450°C„ nastepuje osadzanie sie warstwy dwutlen¬ ku cyny na powierzchni elementu.Wada tej metody jest trudna kontrola przebie¬ gu procesu. Powstala warstwa jest na ogól nie- 20 jednorodna, ma rózna grubosc oraz niepowtarzal¬ ne parametry elektryczne i optyczne, a przepusz¬ czalnosc jej dla swiatla w obszarze widzialnym wynosi okolo 70%.Znany sposób reaktywnego katodowego nano- 25 szenia kadmowych warstw, przepuszczajacych swiatlo, na podloze szklane lub ceramiczne, pole¬ ga na doprowadzaniu do prózniowej komory ka¬ todowej mieszaniny argonu i tlenu. Przy ujem¬ nym napieciu katody, wynoszacym okolo 1500 V 30 i cisnieniu 10_1Tr nastepuje bombardowanie ka¬ tody jonami argonu, w wyniku czego z katody' wyzwalaja sie atomy kadmu. Atomy te, laczac sie z atomami tlenku, osadzaja sie na powierzchni usytuowanego na przeciw katody elementu, prze¬ znaczonego do pokrycia warstwa tlenku kadmu.Wada tego sposobu jest zóltawe zabarwienie uzy¬ skanych warstw, przy którym przepuszczalnosc swiatla w obszarze widzialnym wynosi okolo 70%.Warstwy te sa ponadto malo stabilne.Celem wynalazku jest umozliwienie nanoszenia, zwlaszcza na podloze szklane lub ceramiczne cien¬ kich oporowych warstw z dwutlenku cyny, prze¬ puszczajacych swiatlo.Cel ten zostal, osiagniety w sposobie nanoszenia oporowych warstw przepuszczajacych swiatlo, zwlaszcza na powierzchnie szklane i ceramiczne, wedlug wynalazku, który polega na reaktywnym, katodowym rozpylaniu metalicznej cyny, "zawie¬ rajacej domieszke antymonu. Proces przeprowadza sie w komorze prózniowej w atmosferze tlenu lub tlenu z argonem pod cisnieniem od 10_1Tr do 5 • 10"2Tr przy napieciu, wynoszacym od 1000 V do 1500 V. Element przeznaczony do pokrycia warstwa • dwutlenku cyny umieszcza sie na prze¬ ciw chlodzonej katody, wykonanej ze stopu cyny z antymonem i podgrzewa do temperatury okolo 250°C Sposób nanoszenia oporowych warstw przepusz¬ czajacych swiatlo, zwlaszcza na powierzchnie 59981599S1 szklane lub ceramiczne, wedlug wynalazku, prze¬ prowadza sie w komorze prózniowej, w której mocuje sie na kadlubie, wyposazonym w uklad chlodzenia, katode, wykonana ze stopu cyny z an¬ tymonem, zawierajacego 1—10% antymonu. Na przeciw katody umieszcza sie element, przezna¬ czony do pokrycia oporowa warstwa, przepuszcza¬ jaca swiatlo. Katode i scianki komory prózniowej, stanowiace anode, laczy sie z obwodem wysokie¬ go napiecia, wynoszacego od 1000 V do 1500 V.Nastepnie komore prózniowa laczy sie z jednej strony ze zbiornikiem tlenu lub tlenu z argonem, a z drugiej strony z pompa prózniowa, wytwa¬ rzajaca wewnatrz komory cisnienie od 10-1 Tr do 5 • lO-2 Tr. Przy napieciu U pradu, pomiedzy ka¬ toda a sciankami zbiornika, wynoszacym 1000 V lub 1500 V i przy cisnieniu p. wewnatrz próznio¬ wej komory równym 10"1 Tr lub 5 • 10~2 Tr, opór naniesionej warstwy przepuszczajacej swiatlo R [Q/B] oraz wspólczynnik temperaturowy opornosci Ar zaleza od procentowej zawartosci anty- RoAt monu w stopie cyna—antymon, z którego jest wy¬ konana katoda. Zaleznosc oporu warstwy R i. wspólczynnika temperaturowego opornosci a od procentowej zawartosci antymonu przedstawiono w ponizszym zestawieniu.Zaleta sposobu nanoszenia oporowych warstw przepuszczajacych swiatlo zwlaszcza na powierz¬ chnie szklane i ceramiczne wedlug wynalazku, jest duza przepuszczalnosc warstw dla swiatla w obszarze widzialnym, wynoszaca okolo 95%. Na¬ niesione warstwy sa odporne na dzialanie czyn¬ ników chemicznych i bardzo trudno scieralne. 10 15 20 25 30 U [V] 1000 1700 P [Tr] io-i 5.10-2 #Sb 1,8.10-1 1,8 5 11 1,8.10-1 1,8 5 11 4 Rq [a/B] 5-105 7 • IO3 5-102 1,2 • 102 3-105 6-103 2-102 90 L. " A* ro a lO"2 io-4 lO"5 ' io-2 io-5 io-5 io-6 gdzie B — pole przekroju poprzecznego warstwy. PL
Claims (2)
- Zastrzezenia patentowe 1. Sposób nanoszenia oporowych warstw prze¬ puszczajacych swiatlo, zwlaszcza na powierz¬ chnie szklane i ceramiczne przez reaktywne katodowe rozpylanie, znamienny tym, ze od¬ bywa sie w atmosferze tlenu lub tlenu z argo¬ nem, pod cisnieniem od 10_1 Tr do 5 • IO-2 Tr,. przy napieciu wynoszacym od 1000 V do 1500 V, przy uzyciu katody, wyposazonej w uklad chlo¬ dzenia, przy czym element przeznaczony da pokrycia warstwa cyny, podgrzewa sie do tem¬ peratury okolo 250°C.
- 2. Sposób wedlug zastrz. 1 znamienny tym, ze ka¬ tode stanowi stop cyny z antymonem, zawiera¬ jacy 1—10% antymonu. PZG w Pab., zam. 198-70, nakl. 250 egz. PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL59981B1 true PL59981B1 (pl) | 1970-02-26 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5171413A (en) | Methods for manufacturing solid state ionic devices | |
| FI112555B (fi) | Elektroluminoiva laite, menetelmä sen valmistamiseksi ja elektroluminoivien laitteiden järjestelmä | |
| US3419487A (en) | Method of growing thin film semiconductors using an electron beam | |
| CN105278198B (zh) | 互补型无机全固态电致变色器件及其制备方法 | |
| KR101238926B1 (ko) | 투명 도전막의 성막 방법 및 성막 장치 | |
| Kaneko et al. | Physical properties of antimony‐doped tin oxide thick films | |
| CN105821378B (zh) | 一种铌掺杂二氧化锡透明导电膜及其制备方法 | |
| JPS599482B2 (ja) | 耐空気性の結晶性窒化リチウム、その製造法およびそれより成るイオン導電体 | |
| KR20080071973A (ko) | 스퍼터링에 의한 코팅 증착법 | |
| US20170069861A1 (en) | Transparent Conducting Oxide As Top-Electrode In Perovskite Solar Cell By Non-Sputtering Process | |
| CN101476111A (zh) | 一种透明导电薄膜及其制备方法 | |
| US2177705A (en) | Electric lamp | |
| US4428810A (en) | Method and apparatus for depositing conducting oxide on a substrate | |
| KR20120028887A (ko) | 광전 소자 및 그의 제조 방법 | |
| US2948635A (en) | Phosphor evaporation method and apparatus | |
| PL59981B1 (pl) | ||
| US3418229A (en) | Method of forming films of compounds having at least two anions by cathode sputtering | |
| US3219868A (en) | Articles of fused silica | |
| US3681222A (en) | Method of producing luminescent screens by the electrophoretic process | |
| US3074816A (en) | Light-transmitting, electrically conducting element | |
| Karim et al. | Deposition of tin-doped indium oxide films by a modified reactive magnetron sputtering process | |
| JP2628519B2 (ja) | 電子電熱変換材料の製造方法および電子電熱変換材料 | |
| US3673006A (en) | Method and apparatus for surface coating articles | |
| CN100359340C (zh) | 一种硫化钐全息记录光学薄膜的制备方法 | |
| CN104480441A (zh) | 金属合金靶材制备含氢氧化锌铝透明导电薄膜的方法 |