PL59675B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL59675B1 PL59675B1 PL120565A PL12056567A PL59675B1 PL 59675 B1 PL59675 B1 PL 59675B1 PL 120565 A PL120565 A PL 120565A PL 12056567 A PL12056567 A PL 12056567A PL 59675 B1 PL59675 B1 PL 59675B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- transistor
- resistor
- resistance
- photoelectric element
- light source
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Description
W efekcie uzy¬ skano urzadzenie o duzej pewnosci eksploatacyj¬ nej, niezalezne od rodzaju transportowanego ma¬ terialu i calkowicie bezpieczne dla zalogi.Przedmiot wynalazku zostal uwidoczniony na zalaczonym rysunku, na którym przedstawiono przykladowo jego zasade dzialania oraz schemat elektryczny ukladu bezkontaktowej kontroli prze¬ sypów. Moze on równiez pelnic funkcje czujnika napelnienia zbiorników, ustawienia wozów, licz¬ nika wozów i tp. 596753 Cale urzadzenie wraz z zródlem swiatla nie wymaga stosowania oddzielnego zasilacza, gdyz wykorzystuje sie istniejace niskie napiecie w wy¬ laczniku kopalnianym, do którego to urzadzenie moze zostac zabudowane. Uklad bezkontaktowej 5 kontroli przesypów pracuje na znanej zasadzie przeslaniania i odslaniania wiazki zródla swiatla skierowanej na element fotoelektryczny i sklada sie z zródla swiatla 1, elementu swiatloczulego 2 oraz z pólprzewodnikowego zespolu wzmacniaja- 10 cego 16.Pólprzewodnikowy zespól wzmacniajacy 16 skla¬ da sie z dwustopniowego wzmacniacza, tranzysto¬ ra 5 wraz z opornikiem 3 polaczonym z jego baza i opornikiem 4 polaczonym z jego kolektorem, lg oraz tranzystora 10 z przynaleznym mu oporni¬ kiem 9 wlaczonym w szereg z jego emiterem.Obydwa stopnie wzmacniajace sprzezone sa ze soba elementem zwlocznym 17. Oprócz tego zespól wzmacniajacy 16 posiada bezstykowy element wy- 2Q konawczy 18 w postaci tranzystora 11 mocy, któ¬ ry swoja baza polaczony jest do emitera tranzy¬ stora 10 bedacego drugim stopniem wzmacnia¬ jacym.Po przeciwleglych bocznych scianach zsypni 13 ^ umieszczono zródlo swiatla 1 oraz element foto¬ elektryczny 2 (fotoopór lub fotodioda), który zo¬ staje polaczony do wejscia a b dwustopniowego wzmacniacza pracujacego na tranzystorach 5 i 10.Tranzysto?|gpelni funkcje zmiennego opornika w galezi ladowania kondensatora 8 tworzac wraz z opornikiem 4 i 7 uklad zwloczny 17 tego urza¬ dzenia. W celu polepszenia warunków pracy tego ukladu zwlocznego 17, drugi stopien z tranzysto¬ rem 10 zostal wykonany w ukladzie wspólnego kolektora. W ten sposób uzyskujemy duza opor¬ nosc wejsciowa tego stopnia, co powoduje, ze war¬ tosc kondensatora 8 wypada mala w stosunku do uzyskanego czasu zwloki, przy równoczesnym pel¬ nym wykorzystaniu czulosci ukladu.Bezkontaktowym elementem wykonawczym 18 40 w tym ukladzie jest tranzystor 11 mocy, który jako zmienny opornik w zaleznosci od jego wy¬ sterowania zostaje zaciskami d e wlaczony w sze¬ reg z przekaznikowym obwodem sterujacym ko¬ palnianego wylacznika napedu przenosników i 45 stamtad izasilany. W przypadku gdy urzadzenie to jest czescia rozbudowanego ukladu automaty¬ zacji przenosników, to traktujemy spadek napie¬ cia na oporniku 9 jako sygnal wyjsciowy do na¬ stepnego elementu, pomijajac tranzystor 11. 50 Opisane urzadzenie wedlug wynalazku dziala w nizej opisany sposób.Podczas pracy ciagu przenosników transporto¬ wany material dostaje sie z przenosnika podaja¬ cego 12 poprzez zsypnie 13 na przenosnik odbie- 55 rajacy 14 wzdluz calego ciagu. Element fotoelek¬ tryczny 2 oraz zródlo swiatla 1 sa zabudowane w takim miejscu kazdej zsypni 13, ze w czasie normalnej pracy przenosników material transpor¬ towany nie przeslania wiazki swiatla 15 padaja- 60 cej na element fotoelektryczny 2. W tym przypad- 4 ku, opornosc tego elementu jest mala i baza tran¬ zystora 5 jest praktycznie zwarta z masa ukladu.Przez tranzystor ten nie plynie zaden prad, a wiec na oporniku 4 nie bedzie spadku napiecia. W tej sytuacji kolektor i baza tranzystora 6 sa ujemnie spolaryzowane. Opornosc zlacza emiter-kolektor tranzystora 6 jest bardzo mala i kondensator 8 laduje sie gwaltownie poprzez opornik 4 oraz przez mala opornosc zlacza tranzystora 6.Baza tranzystora 10 tez jest ujemnie spolary¬ zowana i na oporniku 9 powstanie spadek napie¬ cia, który pobudza tranzystor mocy 11. Opornosc wyjsciowa tego tranzystora jest wtedy mala. Jego zaciski wyjsciowe d e wpina sie w obwód sterow¬ niczy wylacznika napedu. W tych warunkach wy¬ zej wymieniony obwód sterowniczy zamyka sie po¬ przez mala opornosc wyjsciowa tranzystora 11 i na¬ ped przenosnika podajacego nie zostaje zablokowa¬ ny. Natomiast przy spietrzeniu transportowanego materialu na przesypie 13, wiazka swiatla 15 zostaje przerwana. Element fotoelektryczny 2 posiada w tych warunkach duza opornosc. Baza tranzystora 1 zostaje poprzez opór 13 ujemnie spolaryzowana, co jest powodem powstania spadku napiecia na oporniku 4.W ten sposób tranzystor 6 jest zablokowany, jego opornosc staje sie duza i kondensator 8 za¬ czyna sie powoli rozladowywac, poprzez duza opornosc wejsciowa tranzystora 10 zablokowujac stopniowo tranzystor 10. Maleje spadek napiecia na oporniku 9, co równiez doprowadza do zablo¬ kowania tranzystora mocy 11. Jego opornosc wyj¬ sciowa na zaciskach d e staje sie duza, tak ze obwód sterowniczy wylacznika kopalnianego zo¬ staje przerwany. W tym przypadku uruchomienie napedu rozpatrywanego przenosnika jest niemozli¬ we, a gdy przenosnik pracowal, to zostanie za¬ trzymany.Jezeli nastapi krótkotrwale przerwanie wiazki promieni swietlnych (przejscie duzych bryl przez przesyp), to naped przenosnika nie zostaje wy¬ laczony gdyz kondensator 8 nie zdazy sie rozla¬ dowac i tranzystory 10, 11 pozostaja jeszcze w stanie pobudzonym. W zespole zwlocznym 17, za¬ miast tranzystora 6 wraz z opornikiem 7 mozna stosowac diode pólprzewodnikowa skierowana od kondensatora 8 do kolektora tranzystora 5. PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Urzadzenie do bezkontaktowej kontroli przesy¬ pów wykorzystujace w swym dzialaniu zjawisko fotoelektryczne, posiadajace zródlo swiatla oraz element fotoelektryczny usytuowane po przeciw¬ nych stronach przesypu tak, ze transportowany material w normalnych warunkach nie przesla¬ nia wiazki swiatla, wzglednie na krótki czas ja przeslania, znamienne tym, ze zawiera pólprze¬ wodnikowy zespól wzmacniajacy (16) z wbudowa¬ nym czlonem zwlocznym (17) wspólpracujacy z elementem fotoelektrycznym (2). Dokonano dwóch poprawek - MKP B 65 g PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL59675B1 true PL59675B1 (pl) | 1970-02-26 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4777387A (en) | Fast turn-off circuit for photovoltaic driven MOSFET | |
| GB2230395A (en) | Semiconductor relay circuit | |
| KR920005165A (ko) | 테스트 모드 진입을 제어하기위한 개선된 전력-온리세트 회로 | |
| KR950008448B1 (ko) | 3상태 이중 cmos 구동기회로내 출력 트랜지스터의 에미터 베이스 접합부의 역 바이어스 파괴를 최소화하기 위한 장치 | |
| US4506151A (en) | Optoelectronic logic | |
| US5278422A (en) | Normally open solid state relay with minimized response time of relay action upon being turned off | |
| PL59675B1 (pl) | ||
| KR950035091A (ko) | 반도체집적회로 | |
| US4924343A (en) | Solid state optical relay | |
| US3603813A (en) | Field effect transistor as a buffer for a small signal circuit | |
| KR840005568A (ko) | 광학적으로 격리된 제어회로 | |
| US3377507A (en) | Photoelectric latching circuit for signal lamps | |
| JPS57197911A (en) | Schmitt circuit | |
| EP0285068A3 (en) | Logic circuit | |
| JPS55133133A (en) | Malfunction prevention circuit for digital logic unit | |
| JPS57123600A (en) | Protecting circuit for memory | |
| ATE8173T1 (de) | Ueberwachungsvorrichtung fuer ein leitungssystem. | |
| RU1783557C (ru) | Устройство дл обнаружени предметов на конвейере | |
| US3514673A (en) | Remote controlled relay switch | |
| JPS54162417A (en) | Low voltage detector circuit | |
| SU414735A1 (ru) | Устройство памяти | |
| SU457166A1 (ru) | Триггер | |
| SU630522A1 (ru) | Измеритель допуска | |
| JPS5577233A (en) | Semiconductor device | |
| SU1211715A1 (ru) | Устройство дл ввода информации |