PL59675B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL59675B1
PL59675B1 PL120565A PL12056567A PL59675B1 PL 59675 B1 PL59675 B1 PL 59675B1 PL 120565 A PL120565 A PL 120565A PL 12056567 A PL12056567 A PL 12056567A PL 59675 B1 PL59675 B1 PL 59675B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
transistor
resistor
resistance
photoelectric element
light source
Prior art date
Application number
PL120565A
Other languages
English (en)
Inventor
Norbert Rak inz.
Majcher Henryk
StefanUplawa
Poloczek Norbert
Original Assignee
Zaklady Konstrukcyjnomechanizacyjne Przemysluweglowego
Filing date
Publication date
Application filed by Zaklady Konstrukcyjnomechanizacyjne Przemysluweglowego filed Critical Zaklady Konstrukcyjnomechanizacyjne Przemysluweglowego
Publication of PL59675B1 publication Critical patent/PL59675B1/pl

Links

Description

W efekcie uzy¬ skano urzadzenie o duzej pewnosci eksploatacyj¬ nej, niezalezne od rodzaju transportowanego ma¬ terialu i calkowicie bezpieczne dla zalogi.Przedmiot wynalazku zostal uwidoczniony na zalaczonym rysunku, na którym przedstawiono przykladowo jego zasade dzialania oraz schemat elektryczny ukladu bezkontaktowej kontroli prze¬ sypów. Moze on równiez pelnic funkcje czujnika napelnienia zbiorników, ustawienia wozów, licz¬ nika wozów i tp. 596753 Cale urzadzenie wraz z zródlem swiatla nie wymaga stosowania oddzielnego zasilacza, gdyz wykorzystuje sie istniejace niskie napiecie w wy¬ laczniku kopalnianym, do którego to urzadzenie moze zostac zabudowane. Uklad bezkontaktowej 5 kontroli przesypów pracuje na znanej zasadzie przeslaniania i odslaniania wiazki zródla swiatla skierowanej na element fotoelektryczny i sklada sie z zródla swiatla 1, elementu swiatloczulego 2 oraz z pólprzewodnikowego zespolu wzmacniaja- 10 cego 16.Pólprzewodnikowy zespól wzmacniajacy 16 skla¬ da sie z dwustopniowego wzmacniacza, tranzysto¬ ra 5 wraz z opornikiem 3 polaczonym z jego baza i opornikiem 4 polaczonym z jego kolektorem, lg oraz tranzystora 10 z przynaleznym mu oporni¬ kiem 9 wlaczonym w szereg z jego emiterem.Obydwa stopnie wzmacniajace sprzezone sa ze soba elementem zwlocznym 17. Oprócz tego zespól wzmacniajacy 16 posiada bezstykowy element wy- 2Q konawczy 18 w postaci tranzystora 11 mocy, któ¬ ry swoja baza polaczony jest do emitera tranzy¬ stora 10 bedacego drugim stopniem wzmacnia¬ jacym.Po przeciwleglych bocznych scianach zsypni 13 ^ umieszczono zródlo swiatla 1 oraz element foto¬ elektryczny 2 (fotoopór lub fotodioda), który zo¬ staje polaczony do wejscia a b dwustopniowego wzmacniacza pracujacego na tranzystorach 5 i 10.Tranzysto?|gpelni funkcje zmiennego opornika w galezi ladowania kondensatora 8 tworzac wraz z opornikiem 4 i 7 uklad zwloczny 17 tego urza¬ dzenia. W celu polepszenia warunków pracy tego ukladu zwlocznego 17, drugi stopien z tranzysto¬ rem 10 zostal wykonany w ukladzie wspólnego kolektora. W ten sposób uzyskujemy duza opor¬ nosc wejsciowa tego stopnia, co powoduje, ze war¬ tosc kondensatora 8 wypada mala w stosunku do uzyskanego czasu zwloki, przy równoczesnym pel¬ nym wykorzystaniu czulosci ukladu.Bezkontaktowym elementem wykonawczym 18 40 w tym ukladzie jest tranzystor 11 mocy, który jako zmienny opornik w zaleznosci od jego wy¬ sterowania zostaje zaciskami d e wlaczony w sze¬ reg z przekaznikowym obwodem sterujacym ko¬ palnianego wylacznika napedu przenosników i 45 stamtad izasilany. W przypadku gdy urzadzenie to jest czescia rozbudowanego ukladu automaty¬ zacji przenosników, to traktujemy spadek napie¬ cia na oporniku 9 jako sygnal wyjsciowy do na¬ stepnego elementu, pomijajac tranzystor 11. 50 Opisane urzadzenie wedlug wynalazku dziala w nizej opisany sposób.Podczas pracy ciagu przenosników transporto¬ wany material dostaje sie z przenosnika podaja¬ cego 12 poprzez zsypnie 13 na przenosnik odbie- 55 rajacy 14 wzdluz calego ciagu. Element fotoelek¬ tryczny 2 oraz zródlo swiatla 1 sa zabudowane w takim miejscu kazdej zsypni 13, ze w czasie normalnej pracy przenosników material transpor¬ towany nie przeslania wiazki swiatla 15 padaja- 60 cej na element fotoelektryczny 2. W tym przypad- 4 ku, opornosc tego elementu jest mala i baza tran¬ zystora 5 jest praktycznie zwarta z masa ukladu.Przez tranzystor ten nie plynie zaden prad, a wiec na oporniku 4 nie bedzie spadku napiecia. W tej sytuacji kolektor i baza tranzystora 6 sa ujemnie spolaryzowane. Opornosc zlacza emiter-kolektor tranzystora 6 jest bardzo mala i kondensator 8 laduje sie gwaltownie poprzez opornik 4 oraz przez mala opornosc zlacza tranzystora 6.Baza tranzystora 10 tez jest ujemnie spolary¬ zowana i na oporniku 9 powstanie spadek napie¬ cia, który pobudza tranzystor mocy 11. Opornosc wyjsciowa tego tranzystora jest wtedy mala. Jego zaciski wyjsciowe d e wpina sie w obwód sterow¬ niczy wylacznika napedu. W tych warunkach wy¬ zej wymieniony obwód sterowniczy zamyka sie po¬ przez mala opornosc wyjsciowa tranzystora 11 i na¬ ped przenosnika podajacego nie zostaje zablokowa¬ ny. Natomiast przy spietrzeniu transportowanego materialu na przesypie 13, wiazka swiatla 15 zostaje przerwana. Element fotoelektryczny 2 posiada w tych warunkach duza opornosc. Baza tranzystora 1 zostaje poprzez opór 13 ujemnie spolaryzowana, co jest powodem powstania spadku napiecia na oporniku 4.W ten sposób tranzystor 6 jest zablokowany, jego opornosc staje sie duza i kondensator 8 za¬ czyna sie powoli rozladowywac, poprzez duza opornosc wejsciowa tranzystora 10 zablokowujac stopniowo tranzystor 10. Maleje spadek napiecia na oporniku 9, co równiez doprowadza do zablo¬ kowania tranzystora mocy 11. Jego opornosc wyj¬ sciowa na zaciskach d e staje sie duza, tak ze obwód sterowniczy wylacznika kopalnianego zo¬ staje przerwany. W tym przypadku uruchomienie napedu rozpatrywanego przenosnika jest niemozli¬ we, a gdy przenosnik pracowal, to zostanie za¬ trzymany.Jezeli nastapi krótkotrwale przerwanie wiazki promieni swietlnych (przejscie duzych bryl przez przesyp), to naped przenosnika nie zostaje wy¬ laczony gdyz kondensator 8 nie zdazy sie rozla¬ dowac i tranzystory 10, 11 pozostaja jeszcze w stanie pobudzonym. W zespole zwlocznym 17, za¬ miast tranzystora 6 wraz z opornikiem 7 mozna stosowac diode pólprzewodnikowa skierowana od kondensatora 8 do kolektora tranzystora 5. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Urzadzenie do bezkontaktowej kontroli przesy¬ pów wykorzystujace w swym dzialaniu zjawisko fotoelektryczne, posiadajace zródlo swiatla oraz element fotoelektryczny usytuowane po przeciw¬ nych stronach przesypu tak, ze transportowany material w normalnych warunkach nie przesla¬ nia wiazki swiatla, wzglednie na krótki czas ja przeslania, znamienne tym, ze zawiera pólprze¬ wodnikowy zespól wzmacniajacy (16) z wbudowa¬ nym czlonem zwlocznym (17) wspólpracujacy z elementem fotoelektrycznym (2). Dokonano dwóch poprawek - MKP B 65 g PL
PL120565A 1967-05-15 PL59675B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL59675B1 true PL59675B1 (pl) 1970-02-26

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4777387A (en) Fast turn-off circuit for photovoltaic driven MOSFET
GB2230395A (en) Semiconductor relay circuit
KR920005165A (ko) 테스트 모드 진입을 제어하기위한 개선된 전력-온리세트 회로
KR950008448B1 (ko) 3상태 이중 cmos 구동기회로내 출력 트랜지스터의 에미터 베이스 접합부의 역 바이어스 파괴를 최소화하기 위한 장치
US4506151A (en) Optoelectronic logic
US5278422A (en) Normally open solid state relay with minimized response time of relay action upon being turned off
PL59675B1 (pl)
KR950035091A (ko) 반도체집적회로
US4924343A (en) Solid state optical relay
US3603813A (en) Field effect transistor as a buffer for a small signal circuit
KR840005568A (ko) 광학적으로 격리된 제어회로
US3377507A (en) Photoelectric latching circuit for signal lamps
JPS57197911A (en) Schmitt circuit
EP0285068A3 (en) Logic circuit
JPS55133133A (en) Malfunction prevention circuit for digital logic unit
JPS57123600A (en) Protecting circuit for memory
ATE8173T1 (de) Ueberwachungsvorrichtung fuer ein leitungssystem.
RU1783557C (ru) Устройство дл обнаружени предметов на конвейере
US3514673A (en) Remote controlled relay switch
JPS54162417A (en) Low voltage detector circuit
SU414735A1 (ru) Устройство памяти
SU457166A1 (ru) Триггер
SU630522A1 (ru) Измеритель допуска
JPS5577233A (en) Semiconductor device
SU1211715A1 (ru) Устройство дл ввода информации