PL53379B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL53379B1
PL53379B1 PL113252A PL11325266A PL53379B1 PL 53379 B1 PL53379 B1 PL 53379B1 PL 113252 A PL113252 A PL 113252A PL 11325266 A PL11325266 A PL 11325266A PL 53379 B1 PL53379 B1 PL 53379B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
layer
solution
oxalic acid
polyvinyl alcohol
layers
Prior art date
Application number
PL113252A
Other languages
English (en)
Inventor
inz. Zbigniew Lazewski mgr
Original Assignee
Instytut Geodezji I Kartografii
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Geodezji I Kartografii filed Critical Instytut Geodezji I Kartografii
Publication of PL53379B1 publication Critical patent/PL53379B1/pl

Links

Description

Opublikowano: 10.Y.1967 53379 KI. 57 d, 2/03 MKP G 03 cA\ C .YTELNIA ustm s-, Rzeezipapriftij Lidmj Twórca wynalazku: mgr inz. Zbigniew Lazewski Wlasciciel patentu: Instytut Geodezji i Kartografii, Warszawa (Polska) Sposób usuwania zagarbowanej warstwy polialkoholu winylowego i innych warstw o podobnych wlasciwosciach i Przedmiotem wynalazku jest sposób usuwania zagarbowanej warstwy polialkoholu winylowego i innych warstw ulegajacych rozkladowi pod wplywem utleniania.Znane sa zarówno sposoby mechanicznego jak i chemicznego usuwania zagarbowanej warstwy polialkoholu winylowego. Sposoby mechaniczne nie zawsze mozna stosowac ze wzgledu na mozli¬ wosc powstania uszkodzen podloza i ich praco¬ chlonnosc. Sposoby chemiczne polegaja na zwilza¬ niu warstwy (np. zanurzenie w kapieli) w jednym lub kolejno w dwóch, róznych roztworach odpo¬ wiednich substancji chemicznych.Jednak sposoby te maja rózne wady, co ograni¬ cza lub utrudnia ich zastosowanie. Niektóre wy¬ magaja duzo czasu ze wzgledu na powolny prze¬ bieg procesu (kapiel w perhydrolu trwa ok. 1 godz.), inne — stosowania kapieli o podwyzszo¬ nej temperaturze (np. roztwór kwasu szczawiowe¬ go o temp. 60°C).Znane sa równiez inne sposoby chemiczne po¬ zwalajace na szybki przebieg procesu w temp. po¬ kojowej, ale zwiazane sa z wydzielaniem sie opa¬ rów lub gazów toksycznych (np. kw. azotowy lub dwutlenek siarki).Zastosowany sposób wedlug wynalazku usuwa wymienione wady a ponadto ma szereg zalet, do których przede wszystkim naleza: szybki przebieg procesu usuwania warstwy, nie wydzielanie sie toksycznych par i gazów, odpornosc podloza na chemiczne dzialanie stosowanych kapieli oraz 20 30 uzyskiwanie powierzchni bez zadrapan i zadnych osadów substancji obcych.Sposób wedlug wynalazku polega na dokladnym zwilzeniu warstwy 3—5°/o roztworem nadmanga¬ nianu potasu, splukaniu i ponownym zwilzeniu 5—8°/o roztworem kwasu szczawiowego lub roz¬ tworem soli kwasu szczawiowego. Koncowe splu¬ kanie woda, przy jednoczesnym delikatnym prze¬ cieraniu miekka szczotka, powoduje calkowite usuniecie warstwy. W wyniku zastosowania tych zabiegów na odwarstwionym podlozu nie pozosta¬ ja zadne slady substancji obcych ani uszkodzenia mechaniczne podloza.Sposób wedlug wynalazku mozna stosowac do usuwania zagarbowanej warstwy z powierzchni tworzyw sztucznych np. warstw na foliach prze¬ zroczystych, masek pozytywowych stosowanych w reprodukcji kartograficznej, warstw z powierzchni metali np. plytek z obwodami drukowanymi, z sia¬ tek do sitodruku i innych, gdzie zachodzi koniecz¬ nosc usuniecia zagarbowanej warstwy polialkoho¬ lu winylowego. Poniewaz sposób wedlug wynalaz¬ ku polega na wykorzystaniu procesu utleniania substancji warstwotwórczej, moze byc równiez stosowany do usuwania innych substancji nie ko¬ niecznie bedacych polialkoholem winylowym, ule¬ gajacych utlenianiu pod wplywem wymienionych roztworów. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób usuwania zagarbowanej warstwy polial¬ koholu winylowego i innych warstw o podobnych 53 37953 379 wlasciwosciach chemicznych z powierzchni two¬ rzyw sztucznych lub innych, znamienny tym, ze warstwe poddaje sie kolejno dzialaniu 3—5% roz¬ tworu nadmanganianu potasu, splukaniu a na¬ stepnie dzialaniu 5—8% roztworu kwasu szcza¬ wiowego lub roztworu soli kwasu szczawiowego i ponownym splukaniu woda przy jednoczesnym delikatnym przecieraniu miekka szczotka. ! Bttk 1401/67 r. 250 egz. A4 PL
PL113252A 1966-03-01 PL53379B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL53379B1 true PL53379B1 (pl) 1967-04-25

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3879041D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum aetzen von halbleiteroberflaechen.
KR950021173A (ko) 드라이에칭 장치의 에칭실을 클리닝하는 방법
JPS5949539A (ja) ストリッピング組成物
ES2034088T5 (es) Procedimiento para la descontaminacion de superficies.
JP2020084304A5 (pl)
PL53379B1 (pl)
US4588471A (en) Process for etching composite chrome layers
DE69624830T2 (de) Verfahren zum Trocknen von Substraten
CA1147246A (en) Process for cleaning copper-containing metal surfaces
US3542612A (en) Photolithographic masks and methods for their manufacture
US4654116A (en) Method for producing high resolution etched circuit patterns from clad laminates
BRPI0612427A2 (pt) composição de solução aquosa para o tratamento de superfìcies de cobre, uso da dita composição, método para melhorar a aderência de polìmeros orgãnicos a superfìcies de cobre, artigo e método para preparar tal artigo
DE602004024850D1 (de) Verfahren zur Entfernung der Verbundbeschichtung von einem keramischen Substrat
DE3625597A1 (de) Aetzmittel zum entfernen abgeschiedener materialien von geraeten und zubehoer zur chemischen dampfabscheidung und reinigungsverfahren fuer diese gegenstaende
US3737314A (en) Manufacture of printing elements by a photoresist chemical etching system
JPS5924849A (ja) フオトマスクの洗浄方法
CN108221040A (zh) 一种不锈钢银亮电化学图文标记工艺
JP2651652B2 (ja) フッ素化アルコール系洗浄剤
US3380921A (en) Process for desmutting metal
US2375613A (en) Method for producing designs on stainless steel
DE2015336A1 (de) Reinigen und Aufhellen von mit Blei-Zinn-Legierungen abgedeckten Schaltkreisplatten
DE649635C (de) Verfahren zur Bildung von Schutzschichten auf photographischen Bildern, insbesondereReihenbildern
JPS5453966A (en) Development method of electron beam resist
SU139536A1 (ru) Способ химической очистки от продуктов коррозии цинковых или оцинкованных предметов
US20070248895A1 (en) Method for reduction of photomask defects