PL50824B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL50824B1
PL50824B1 PL105117A PL10511764A PL50824B1 PL 50824 B1 PL50824 B1 PL 50824B1 PL 105117 A PL105117 A PL 105117A PL 10511764 A PL10511764 A PL 10511764A PL 50824 B1 PL50824 B1 PL 50824B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
cadmium
tellurium
tellurite
hydrogen
solution
Prior art date
Application number
PL105117A
Other languages
English (en)
Inventor
inz. Bozena Gierdalska mgr
Witold Piga mgr
Original Assignee
Przemyslowy Instytut Elektroniki
Filing date
Publication date
Application filed by Przemyslowy Instytut Elektroniki filed Critical Przemyslowy Instytut Elektroniki
Publication of PL50824B1 publication Critical patent/PL50824B1/pl

Links

Description

Opublikowano: 25. IV. 1966 50824 KI. 12n 11/00 MKP C 01 g UKD 661.848 n/oo Wspóltwórcy wynalazku: mgr inz. Bozena Gierdalska, mgr Witold Piga Wlasciciel patentu: Przemyslowy Instytut Elektroniki, Warszawa (Polska) Sposób wytwarzania tellurku kadmu Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarza¬ nia tellurku kadmu w postaci drobnokrystalicznego proszku stosowanego do produkcji elementów pól¬ przewodnikowych czulych na promieniowanie pod¬ czerwone.Znane sa sposoby otrzymywania drobnokrysta- licznych chalkogenków to jest siarczków, selenków lub tellurków metali takich jak na przyklad kadm, cynk, olów itp.Jeden z tych sposobów polega na wytracaniu chalkogenków z roztworu soli odpowiednich me¬ tali dzialaniem gazowego chalkogenowodoru. Inny znany sposób polega na stracaniu chalkogenków z roztworów odpowiednich soli dzialaniem chal¬ kogenku amonu lub potasu. Potrzebny w tym celu chalkogenek amonu lub potasu otrzymuje sie przez redukcje sproszkowanego chalkogenu (siarki, se¬ lenu, telluru) pylem glinowym w srodowisku wo¬ dy amoniakalnej, lub cynkiem w roztworze wodo¬ rotlenku potasu.Zwiazki uzyskane tymi sposobami zanieczyszczo¬ ne sa ubocznymi produktami dysocjacji i utlenia¬ nia chalkogenowodoru badz tez chalkogenku amo¬ nu a takze produktami utleniania i hydrolizy wy¬ traconego chalkogenku i dlatego nie pozwalaja otrzymac fotooporników o dobrych wlasciwosciach, gdyz na skutek powstawania produktów ubocz¬ nych otrzymany produkt glówny nie wykazuje skladu ilosciowego odpowiadajacego teoretyczne- 10 15 20 25 30 mu. Dotyczy to zwlaszcza sposobów otrzymywania selenków oraz tellurków, których sklad znacznie odbiega od teoretycznego.Znany jest równiez sposób otrzymywania tellur¬ ku kadmu na drodze bezposredniej syntezy, przez stapianie oczyszczonego kadmu i telluru wzietych w odpowiednich proporcjach, jednakze tym sposo¬ bem uzyskuje sie tellurek kadmu w poslaci twar¬ dej polikrystalicznej, masy, która nastepnie nale¬ zy rozdrobnic co najczesciej jest zwiazane z wpro¬ wadzaniem zanieczyszczen zmieniajacych nieko¬ rzystnie wlasnosci fotooporników wytwarzanych przy uzyciu takiego materialu.Trudnosci wyzej wymienione usuwa sposób we¬ dlug wynalazku. Pozwala on na otrzymanie drob¬ nokrystalicznego sproszkowanego tellurku kadmu o duzej czystosci i skladzie ilosciowym bardzo zblizonym do teoretycznego. Sposób ten polega na redukcji tellurynu kadmu wodorem w tempera¬ turze zawartej w przedziale 550—650°C.W celu uzyskania, tellurynu kadmu, sproszkowa¬ ny tellur utlenia sie do dwutlenku telluru (Te02) dzialaniem kwasu azotowego o stezeniu okolo 40%.Poniewaz zanieczyszczenia zawarte w tellurze po¬ zostaja w roztworze a nie przechodza do tworza¬ cego sie dwutlenku telluru, mozna stosowac tellur nieoczyszczony, co jest zaleta sposobu.Otrzymany osad dwutlenku telluru odsacza sie, przemywa i suszy, a nastepnie rozpuszcza sie 5082450824 3 4 w roztworze wodorotlenku potasu lub sodu, w wy¬ niku czego otrzymuje sie roztwór tellurynu potasu lub sodu. Z otrzymanego w ten sposób roztworu tellurynu sodu lub potasu przez wkraplanie roz¬ tworu soli kadmu, straca sie telluryn kadmu, któ¬ ry w postaci osadu opada na dno naczynia. Sól" kadmu przed wkropleniem nalezy oczyscic z me¬ tali ciezkich jednym ze znanych sposobów stoso¬ wanych na przyklad w technologii otrzymywania ?\:k ^pólproduktów do celów syntezy luminoforów.% '*¦¦' " *Osad tellurynu kadmu odsacza sie, przemywa, suszy a nastepnie przesiewa sie przez gesta gaze.Uzyskany w ten sposób sproszkowany telluryn kadmu poddaje sie redukcji gazem redukujacym w podwyzszonej temperaturze. Przy uzyciu do re¬ dukcji wodoru najlepsze rezultaty uzyskuje sie w przedziale temperatur 550—^650°C.Otrzymany w wyniku redukcji tellurek kadmu daje sie latwo rozgniatac i przesiewac przez gaze o drobnych oczkach. Otrzymany produkt jest szczególnie przydatny do wytwarzania fotooporni- ków czulych na podczerwien.Przyklad. Do naczynia zawierajacego 500 gra¬ mów sproszkowanego telluru wlewa sie 7,5 litra kwasu azotowego o stezeniu 40%. Zawartosc na¬ czynia podgrzewa sie i jednoczesnie miesza, wsku¬ tek czego tellur utlenia sie do dwutlenku telluru, który tworzy bialy osad na dnie naczynia. Po za¬ konczeniu reakcji utleniania zawartosc naczynia studzi sie i rozciencza zimna woda destylowana.Osad dwutlenku telluru Te02 odsacza sie, prze¬ mywa sie woda destylowana i suszy w tempera¬ turze 150oC, Otrzymany w ten sposób dwutlenek telluru rozpuszcza sie na goraco w dwumolarnym roztworze wodorotlenku potasu w proporcji: na 100 gramów dwutlenku telluru 625 mililitrów roz¬ tworu wodorotlenku potasu. Otrzymuje sie w ten sposób jednomolarny roztwór tellurynu potasu. Do tego roztworu wkrapla sie w toku mieszania rów¬ nowazna ilosc jednomolarnego roztworu siarczanu kadmu CdS04, uprzednio oczyszczonego od metali ciezkich. Wytraca sie osad tellurynu kadmu, któ¬ ry odsacza sie i przemywa goraca woda destylowana w celu usuniecia jonów 1SO4-2. Przemyty osad su¬ szy sie w temperaturze 150°C, rozciera sie na pro- 5 szek i przesiewa przez gaze o wymiarach oczek 100 X 100 mikronów.Otrzymany w ten sposób telluryn kadmu pod¬ daje sie redukcji w porcjach po 100 gramów. Kaz¬ da porcje umieszcza sie w rurze kwarcowej o wy¬ miarach: okolo 50 X 500 milimetrów i wsuwa sie do pieca rurowego ogrzanego do tempertury 600°C.Przez piec przepuszcza sie azot w ciagu 10 minut z predkoscia przeplywu okolo 2 litry azotu na minute. Zamyka sie doplyw azotu i przepuszcza sie wodór w ciagu 30 minut z predkoscia prze¬ plywu okolo'2 litry wodoru na minute. Zamyka sie doplyw wodoru, wylacza piec i przepuszcza sie ponownie azot w ciagu 10 minut z szybkoscia przeplywu okolo 2 litry azotu na minute. Zamy¬ ka sie doplyw azotu i .wyjmuje sie z pieca rure z otrzymanym tellurkiem kadmu, który przesiewa sie przez gaze o wymiarach oczek 100X100 mi¬ kronów.Srednia wydajnosc procesu otrzymywania tellur- ku kadmu wynosi okolo 50%. PL

Claims (2)

  1. Za s*t rzezenia patentowe 1. -1. Sposób wytwarzania tellurku kadmu w postaci drobnokrystalicznego proszku o wysokiej czy¬ stosci, zwlaszcza do produkcji elementów pól¬ przewodnikowych czulych na promieniowanie podczerwone, znamienny tym, ze telluryn kadmu redukuje sie wodorem w temperaturze 550—650°C.
  2. 2. Sposób wedlug zastrz. 1 znamienny tym, ze re¬ dukcji poddaje sie telluryn kadmu uzyskiwany przez utlenianie telluru kwasem azotowym do dwutlenku telluru i przez nastepne przeprowa¬ dzenie tego zwiazku znanym sposobem w sól kadmowa. 15 20 25 30 35 „Prasa", wr. 5177/66, Nakl. 270 egz. PL
PL105117A 1964-07-07 PL50824B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL50824B1 true PL50824B1 (pl) 1966-02-25

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107723799B (zh) 一种四元硫化物半导体材料及其制备方法和用途
CN101973587A (zh) 一种钛白粉副产物七水硫酸亚铁的提纯方法
WO2017080245A1 (zh) 一种利用锶渣制备高纯氢氧化锶的方法
US3661521A (en) Refining of cubic boron nitride
PL50824B1 (pl)
JPH01172226A (ja) 高純度パラタングステン酸アンモニウム結晶の製造方法
US2354742A (en) Process of producing alkali-metal sulphides, selenides, and tellurides
Wagner et al. Gallium
Klepp et al. On the phase CrTe3
US3058802A (en) Method for the preparation of inorganic selenides and tellurides
US1389862A (en) Manufacture of potassium sulfate
CN109516502B (zh) 一种从高危固废铜砷滤饼中提取铼酸铵的方法
CN115072671A (zh) 一种锗铋碲基热电材料及其制备方法
US1923618A (en) Preparation of amino derivatives of the anthraquinone series
JP3137226B2 (ja) 高純度塩化ストロンチウムの製造法
US599310A (en) Henry robert angel
JPH042618A (ja) 弗化タンタルカリウムの精製方法
RU2781920C1 (ru) Способ переработки металлического висмута с получением висмута оксалата основного
JPS5814841B2 (ja) 微粒亜鉛の製造法
SU126971A1 (ru) Способ получени селенида кадми
JP5696989B2 (ja) 硝酸塩形成可能金属及びGeの酸化物の製造方法
US1270842A (en) Production of metallic tungsten powder.
US1366301A (en) Process for transforming free or combined ammonia into ammonium sulfate
JPS60221538A (ja) モリブデンの精製方法
SU1181999A1 (ru) Способ получени порошкообразных пирониобатов кальци и стронци