PL49462B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL49462B1 PL49462B1 PL102009A PL10200963A PL49462B1 PL 49462 B1 PL49462 B1 PL 49462B1 PL 102009 A PL102009 A PL 102009A PL 10200963 A PL10200963 A PL 10200963A PL 49462 B1 PL49462 B1 PL 49462B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- modification
- weight
- alloy
- phosphorus
- silicon
- Prior art date
Links
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 19
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 19
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 5
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 5
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 4
- 235000002639 sodium chloride Nutrition 0.000 description 4
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 229910000551 Silumin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021364 Al-Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIRXDDRGHVUXNJ-UHFFFAOYSA-N [Cu].[P] Chemical compound [Cu].[P] RIRXDDRGHVUXNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000288 alkali metal carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008041 alkali metal carbonates Chemical class 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 239000012297 crystallization seed Substances 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 150000004673 fluoride salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002715 modification method Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- UHZYTMXLRWXGPK-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentachloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)(Cl)Cl UHZYTMXLRWXGPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Description
Pierwszenstwo: Opublikowano: 22.Y.1965 49462 KI. lUh, IC UO Id Zl/Ol] MKP C 22 c UKD 669.245 BIBLIdTEKA Urzedu Potento* Wspóltwórcy wynalazku: praf. di- inz. Aleksander Krupkowski, doc. dr |N)sfcieJ Rzeczypespolitel Luftnf inz. Zdzislaw Poniewierski, inz. Stefan Stoika Wlasciciel patentu: Politechnika Warszawska (Katedra Materialoznaw¬ stwa), Warszawa (Polska) Sposób dwustopniowej modyfikacji siluminów nadeulektycznych W siluminach nadeutektycznych glównym celem modyfikacji jest uzyskanie maksymalnego roz¬ drobnienia twardych krysztalów pierwotnych krze¬ mu, uniemozliwiajacych obróbke skrawaniem te¬ go materialu. Zasada modyfikacji polega w tym przypadku na tak zwanej „kierowanej krystaliza¬ cji", to jest na wytworzeniu w cieklym stopie aktywnych osrodków krystalizacyjnych, ulatwiaja¬ cych, podczas krzepniecia stopu w formie odlew¬ niczej, powstawanie duzej liczby drobnych i rów¬ nomiernie rozmieszczonych krysztalów pierwotnych krzemu o ksztalcie poliedrycznym. Do tego celu wykorzystuje sie fosfor, który po wprowadzeniu do stopu tworzy zwiazek Al-P. Zwiazek ten cha¬ rakteryzuje sie analogia pod wzgledem struktury sieciowej oraz zblizonymi parametrami sieciowymi w stosunku do krzemu, dzieki czemu w procesie krzepniecia spelnia role aktywnych sztucznych za¬ rodków krystalizacyjnych. W praktyce modyfikacje przeprowadza sie albo fosforem elementarnym, albo jego zwiazkami, na przyklad pieciochlorkiem fosforu, wzglednie miedzia fosforowa. Preparaty stosowane do modyfikacji moga zawierac obok fo¬ sforu równiez zwiazki tytanu i boru.Z licznych publikacji na temat modyfikacji si¬ luminów nadeutektycznych wynika, ze sposród mo¬ dyfikatorów zalecanych do tych stopów nalezy wy¬ kluczyc sód, gdyz jego dzialanie w kierunku usu¬ wania zarodków krystalizacyjnych sprzyja powsta¬ waniu duzych krysztalów pierwotnych krzemu. W 10 15 20 25 30 opisie patentowym nr 17032 przy omawianiu mo¬ zliwosci zastosowania „mieszaniny reakcyjnej", zlo¬ zonej z fluorków i weglanów metali alkalicznych, do „uszlachetniania" stopów zawierajacych glin, wymienia sie równiez „uszlachetnianie" tym spo¬ sobem, typowym dla modyfikacji siluminów eutek- tycznych i podeutektycznych, siluminów nadeutek¬ tycznych. Efekt „uszlachetniania" poteguje sie przez dodatek sodu lub innego metalu alkaliczne¬ go do stopu pokrytego mieszanina wymienionych wyzej soli.Jako przyklad przedstawiono mozliwosc uzyska¬ nia tym sposobem budowy czysto eutektycznej w stopie Al-Si zawierajacym 17°/o krzemu. Ten spo¬ sób „uszlachetniania" siluminów nadeutektycznych nie pokrywa sie jednak z procesem ich modyfika¬ cji na zasadzie „kierowanej krystalizacji", polega¬ jacej na wytwarzaniu w stopie aktywnych sztucz¬ nych zarodków krystalizacyjnych i zachowaniu pierwotnych krysztalów krzemu rozdrobnionych i równomiernie rozmieszczonych w strukturze od¬ lewu. Obecnosc takich krysztalów o ksztalcie po¬ liedrycznym jest konieczna ze wzgledu na zapew¬ nienie dobrych wlasnosci slizgowych siluminów nadeutektycznych, jako materialu glównie tloko¬ wego i lozyskowego.W znanych dotychczas sposobach modyfikacji si¬ luminów nadeutektycznych nie poddaje sie stopu odpowiedniemu przygotowaniu przed wprowadze¬ niem modyfikatora. Uzyskiwana przecietnie sred- 494624W62 nia wielkosc ziarn krzemu wynosi 20—60 mikro¬ nów. Ze wzgledu na tworzenie sie niezmodyfiko- wanej, gruboziarnistej eutektyki Al-Si, wlasnosci wytrzymalosciowe sa naskie, na przyklad Rr rze¬ du 10—12 kG/mm2 i a5 ofeofo fl,9°/o dla stopu za¬ wierajacej okolo 22%) krzemu po modyfikacji tylko fosforem. W warunkach produkcyjnych ist¬ nieja czestokroc powazae trudnosci w opanowaniu technologii modyfikacji i uzyskiwaniu powtarzal¬ nosci wyników.Sposób modyfikacji siluminów nadeutektycznych wedlug wynalazku polega na zastosowaniu dwóch zabiegów technologicznych.W pierwszym zabiegu wprowadza sie do stopu weglan sadtowy, w mieszaninie z chlorkiem sodo¬ wym lub inymi solami obnizajacymi jego tempera¬ ture topnienia. W dru^m zabiegu stosuje sie mo¬ dyfikacje fosforem.Zaleca sie stosowanie bezwodnego weglanu so¬ dowego {sody kateynowasiej} w mieszaninie z chlor¬ kiem sodowym (sola kuchenna) w stosunku wago¬ wym 2:1, która to mieszanine w ilosci wagowo okolo 5°/o w stounku do ciezaru stopu nalezy wprowadzic na dno tygla wyjrelnionego cieklym stopem, przy temperaturze 770—870°C. Czas trwa¬ nia pierwszego zabiegu wynosi 10—40 minut, po czym bezposrednio przeprowadza sie modyfikacje fosforem.Rola weglanu sodowego w pierwszym zabiegu dwustopniowej modyfikacji polega glównie na odgazowaniu stopu wydzielanym tlenkiem wegla w wyniku zachodzacych reakcji chemicznych oraz na równoleglym usunieciu ze stopu wiekszosci ob¬ cych wtracen, stanowiacych niepozadane osrodki krystalizacyjne, zaklócajace proces wlasciwej mo¬ dyfikacji fosforem. Obok itlenfkiu wregla pradmktem reakcji chemicznych miedzy weglanem sodu a alu¬ minium oraz krzemem jest sód, wprowadzany do stopu i modyfikujacy osnowe eutektyczna w struk- -5 twrse ^dlewfcw, wzrost ich wla«nasri wytrzymalosciowych.Efektem dwustopniowej modyfikacji wedlug wy¬ nalazku jest uzyskanie maksymalna©© iroBdttWbnienia pierwotnych krysztalów krzemu (o pawaej sred- io niej wielkosci ziarn rzedm 10—20 imdteomów) oraz optymalnych wlasnosci wytrzymalosciowych (np. dla stopu ^awifiraj^oego wagowo okolo 20°/o Si — — Rr = 17—15 kG/mm2 i a^ = 3,5—4%) dla odlewów z siluminów nadeutektycznych, jak równiez skró- 15 cenie czasu procesu modyfikacji, w porównaniu do znanych sposobów.Sposób dwustopniowej modyfikacji nadaje sie do stopów Al-.Si dwm i wieloskladnikowych, za¬ wierajacych wagowo 16 do 26% krzemu. £0 PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Sposób dw^flBtbopsmowej modyfikacji siluminów nadeutektycznych dwu lub wieloskladnikowych, zawierajacych wagowo 1j6 do 26% krzemu, przy 25 zastosowaniu w pierwszym stopniu modyfikacji mieszaniny weglanu sodowego z chlorkiem sodo¬ wym lub z innymi substancjami obnizajacymi temperature topnienia weglanu sodowego, a w drugim stopniu modyfikacji przy zastosowaniu fo¬ so sforu, znamienny tym,, ze modyfikacja w pierw¬ szym stopniu trwa 10—40 minut w temperaturze 770—870°C, przy czym ilosc uzytej mieszaniny wy¬ nosi wagowo 2,5—7% modyfikowanego stopu, a udzial weglanu sodowego w tej mieszaninie wy- 35 nosi wagowo 60—80%. PZG w Pab. 321-65 300 szt. f. A-4 PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL49462B1 true PL49462B1 (pl) | 1965-04-15 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5923117B2 (ja) | 金属合金の微細化方法 | |
| US10988830B2 (en) | Scandium master alloy production | |
| US2750284A (en) | Process for producing nodular graphite iron | |
| RU2421537C2 (ru) | Способ получения алюмоскандийсодержащей лигатуры и шихта для получения алюмоскандийсодержащей лигатуры | |
| PL49462B1 (pl) | ||
| US2013926A (en) | Modification of aluminum, aluminum alloys, and alloys containing aluminum | |
| RU2016112C1 (ru) | Способ модифицирования алюминиевых сплавов | |
| JPH0849025A (ja) | アルミニウム含有マグネシウム基合金製造用Al−Mn母合金添加剤 | |
| HUP0001543A2 (hu) | Anyagkeverék és eljárás AlSi ötvözetek előötvözővel történő kezelésére, vagy öntöttvas beoltására | |
| US1981798A (en) | Composition of matter for treating aluminum alloys | |
| Al-Helal | New approaches to casting hypereutectic Al-Si alloys to achieve simultaneous refinement of primary silicon and modification of eutectic silicon | |
| SU608843A1 (ru) | Способ обработки алюминиево-кремниевых сплавов | |
| RU2849509C1 (ru) | Состав таблетированного модификатора для алюминиевых сплавов | |
| SU1705384A1 (ru) | Способ обработки алюминиевых сплавов | |
| US3151980A (en) | Process for improving aluminum silicon alloys | |
| Pekguleryuz | Melting, alloying and refining | |
| US2349190A (en) | Recovery of finely divided magnesium scrap | |
| SU840178A1 (ru) | Флюс дл обработки алюминиевых сплавов | |
| US2213197A (en) | Removing bismuth from lead | |
| JPS6128005B2 (pl) | ||
| JPS5931581B2 (ja) | アルミニウム合金の脱マグネシウム処理方法 | |
| SU712451A1 (ru) | Способ обработки алюминиево-кремниевых сплавов | |
| SU899698A1 (ru) | Способ рафинировани и модифицировани алюминиевокремниевых сплавов | |
| SU616316A1 (ru) | Универсальный флюс дл обработки алюминиево-кремниевых сплавов | |
| CZ20014114A3 (cs) | Způsob odstraňování nečistot z taveniny kovů nebo slitin |