PL49150B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL49150B1
PL49150B1 PL100654A PL10065463A PL49150B1 PL 49150 B1 PL49150 B1 PL 49150B1 PL 100654 A PL100654 A PL 100654A PL 10065463 A PL10065463 A PL 10065463A PL 49150 B1 PL49150 B1 PL 49150B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
sulfur
crust
liquid
refined
crystals
Prior art date
Application number
PL100654A
Other languages
English (en)
Inventor
Leszczynski Stanislaw
Plebankiewicz Marian
Sosnowski Mieczyslaw
Juros Wojciech
Original Assignee
Zaklad Wzbogacania Kopalnych Surowców Chemicz¬Nych „Ogorzelec"
Filing date
Publication date
Application filed by Zaklad Wzbogacania Kopalnych Surowców Chemicz¬Nych „Ogorzelec" filed Critical Zaklad Wzbogacania Kopalnych Surowców Chemicz¬Nych „Ogorzelec"
Publication of PL49150B1 publication Critical patent/PL49150B1/pl

Links

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 15. II. 1956 49150 KL AZ l W/02 MKP UKD Wspóltwórcy wynalazku: Stanislaw Leszczynski, Marian Plebankiewicz, Mieczyslaw Sosnowski, Wojciech Juros Wlasciciel patentu: Zaklad Wzbogacania Kopalnych Surowców Chemicz¬ nych „Ogorzelec", Ogorzelec (Polska) Sposób otrzymywania siarki krystalicznej o wysokiej czystosci Przedmiotem wynalazku jest otrzymywanie siarki krystalicznej o wysokiej czystosci z siarki rafino¬ wanej. Jak wiadomo siarke rafinowana otrzymuje sie przez wytapianie koncentratów siarkowych uzy¬ skanych z materialów siarkonosnych np. na drodze flotacji, oddzielenia cieklej siarki od zloza np. w filtrach cisnieniowych i nastepnie zestalenia cie¬ klego produktu, który stanowi cenny surowiec do produkcji kwasu siarkowego. Rafinowana opisanym • sposobem siarka zawiera 99,76% S; 0,03% popiolu, 0,02% bitumów i 0,04% wilgoci. Znane sa sposoby otrzymywania siarki krystalicznej o wysokiej czy¬ stosci na drodze krystalizacji siarki rafinowanej z rozpuszczalników organicznych jak np. CS2. Me¬ tody te sa jednak kosztowne.Stwierdzono, ze oczyszczenie siarki mozna prze¬ prowadzic w sposób prosty i tani, bez potrzeby instalowania specjalnych urzadzen.Sposób wedlug wynalazku polega na oczyszczeniu siarki rafinowanej na drodze jej krystalizacji w specjalnie dobranych warunkach.Wiadomo, ze w przypadku stopienia siarki w ty¬ glu, ostudzenia jej do utworzenia sie na jej po¬ wierzchni skorupy, przebicia tej skorupy i powol¬ nego wylania cieklej zawartosci z tygla, na brzegu tygla osadzaja sie krysztaly siarki jednoskosnej, stanowiacej odmiane wyzej krzepnacej siarki kry¬ stalicznej. Fakt ten nie zostal jednak dotychczas praktycznie wykorzystany. 10 13 20 25 30 Stwierdzono, ze mozna wykorzystac w sposób przemyslowy zdolnosc krystalizowania sianka zaskle¬ pionej w skorupie, przez jej powolne wypuszcza¬ nie z wnetrza tej skorupy, przy czym otrzymuje sie krysztaly o wysokiej czystosci.Sposób wedlug wynalazku polega na tym, ze cie¬ kla rafinowana siarke wylewa sie na podloze oto¬ czone walem i pozostawia, do skrzepniecia jej warstwy zewnetrznej. Po utworzeniu skorupy z ze¬ stalonej siarki, skorupe przebija sie, po czym wolno wypuszcza z wnetrza powstalej bryly ciekla siarke.Przy powolnie prowadzonym procesie na wewnetrz¬ nych scianach skorupy narasta mieszanina kryszta¬ lów siarki jednoskosnej o temperaturze topnienia okolo 119 °C i rombowej o temperaturze topnienia okolo 112 °C, przy czym im wolniej odpuszcza sie ciekla siarke, tym wieksze otrzymuje sie krysztaly, dochodzace nawet do dlugosci 7 cm. Czystosc otrzy¬ manej tym sposobem siarki krystalicznej wynosi 99,99%.Sposób wedlug wynalazku mozna korzystnie wy¬ konac przez usypanie na gladkim podkladzie walu ze sproszkowanej rafinowanej siarki o wysokosci kilkunastu centymetrów, tworzacego zamknieta fi¬ gure geometryczna, mp. prostokat lub kolo. We¬ wnatrz otoczonej walem powierzchni wiewa sie roztopiona siarke. Po przeniknieciu cieklej siarki do usypanego walu powstaje szybko zastygla sko¬ rupa. Na skorupie tej usypuje sie znowu kilku- 4915049150 nastocentymetrowy wal ^ siarki rafinowanej i zno- wu zalewa ciekla siarka. W ten sposób otrzymac mozna bryle o dowolnych wymiarach, której sciany utworzone sa z zastyglej skorupy siarki a wnetrze wypelnione jest ciekla siarka. Po uplywie 12 do 48 godzin w zaleznosci od wielkosci utworzonej bryly i od temperatury otoczenia skorupe przebija sie i wypuszcza powoli ciekla siarke. Na wewne¬ trznych scianach skorupy osadzaja sie krysztaly w ilosci kilku procent w stosunku do wylanej siarki.Ze skorupy usuwa sie osadzone na niej krysztaly mechanicznie np. za pomoca grac i lopat. Zamiast usypywac wal z rafinowanej siarki mozna otoczyc podklad obmurzem, lub ijleskamL 2 m. Wylano lacznie okolo 300 ton siarki. Po uply¬ wie 12 godzin od ostatniego wylewu przebito otwór w scianie bryly na wysokosci okolo 50 cm od jej podstawy i zaczeto wypuszczac ciekla siarke z szyb¬ koscia 20 l/minute. Proces wypuszczania cieklej siarki w ilosci okolo 80 ton trwal okolo 3 dni, po czym rozbito lomami skorupe i przy pomocy grac i lopat usunieto osadzone na jej wewnetrznej po¬ wierzchni krysztaly. Otrzymano w ten sposób 12 ton siarki krystalicznej o skladzie 99,99% S; 0,004% popiolu; 0,0003% wilgoci i nieznaczne slady bitu¬ mów. Siarka odprowadzona z wnetrza skorupy, jak tez sama skorupa stanowia siarke rafinowana.Przyklad. Przy sredniej dobowej tempera¬ turze otoczenia okolo +5 °C usypano na podkladzie zestalacza wal ze sproszkowanej siarki o wymia¬ rach 10 m X 8 m i wysokosci 15 cm, przy szero¬ kosci walu wynoszacej 30 cm, po czym do srodka wlano roztopiona rafinowana siarke o temperaturze 130 °C. Po czterech godzinach na zewnetrznej po¬ wierzchni utworzyla sie skorupa. Usypano na niej nowy wal w wysokosci 15 cm i w odleglosci okolo 15 cm od zewnetrznych brzegów, po czym wlano znowu stopiona siarke. Proces sypania walów sy¬ stemem kaskadowym, to znaczy o coraz mniejszym obwodzie oraz wlewanie goracej siarki prowadzono cztery dni, przy czym bryla osiagnela wysokosc PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe 2{ Sposób otrzymywania siarki krystalicznej o wy¬ sokiej czystosci z siarki rafinowanej, znamienny tym, ze ciekla siarke wylewa sie na podloze oto¬ czone walem ze sproszkowanej siarki lub otoczone obmurzem lub deskami, pozostawia do skrzepniecia 25 jej warstwy zewnetrznej, po czym skorupe zesta¬ lonej siarki przebija sie i wolno wypuszcza z jej wnetrza ciekla siarke, nastepnie rozbija sie sko¬ rupe i usuwa mechanicznie narosla na jej wewne¬ trznej stronie mieszanine krysztalów siarki o wy- 30 sokiej czystosci. RSW „Prasa". W-w. Zam. 3110/64. Naklad 250 egz. PL
PL100654A 1963-02-01 PL49150B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL49150B1 true PL49150B1 (pl) 1965-02-15

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
HU210639B (en) Procedure for operating of glass-melting furnace
JPS6028761B2 (ja) 結晶珪素の製造方法
US3795728A (en) Process for manufacturing phosphoric acid and substantially alkalisilico-fluoride-free gypsum
DE3208878A1 (de) Semikontinuierliches verfahren zur herstellung von reinem silicium
US3239899A (en) Separating metals from alloys
PL49150B1 (pl)
DE102019004576A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Kaliumsulfat aus polymineralischen Hartsalzen ohne umweltbelastende Abprodukte und Notwendigkeit von Salzhalden
DE819689C (de) Verfahren zur Herstellung von festem Calciumchlorid
US3480387A (en) Method for producing gypsum pellets
NO122301B (pl)
US2209752A (en) Magnesium carbonate composition and process for the preparation thereof
DE3008194A1 (de) Verfahren zur herstellung von phosphorpentachlorid
CN109136575A (zh) 一种湿法处理多金属粉尘的工艺方法
CN114408944A (zh) 一种从含钾固体废弃物中制备氯化钾的方法
RU2218452C2 (ru) Способ получения магния из синтетического карналлита
US3082064A (en) Production of aluminium sulphate
US1952289A (en) Process of extracting salts from minerals
DE942730C (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen duenner Schuppen einer hochreaktionsfaehigen Natrium-Blei-Legierung
US1336957A (en) Dry lime and sulfur product and method of making the same
DE2252788C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Tonerdezementklinker
CN203653270U (zh) 一种用于湿法磷酸生产的硫酸钙结晶装置
US1411696A (en) Process for the production of fertilizers containing phosphoric acid and potassium
US2452024A (en) Preparation of aluminum sulfate
SU496312A1 (ru) Способ окислительного рафинировани свинца
US2993000A (en) Complex titanium composition