PL48727B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL48727B1
PL48727B1 PL101341A PL10134163A PL48727B1 PL 48727 B1 PL48727 B1 PL 48727B1 PL 101341 A PL101341 A PL 101341A PL 10134163 A PL10134163 A PL 10134163A PL 48727 B1 PL48727 B1 PL 48727B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
plates
circuit
voltage
plate
pulses
Prior art date
Application number
PL101341A
Other languages
English (en)
Inventor
inz. Krystyna Konwerska mgr
dr. WitoldLaniecki prof.
inz. Czeslaw Makowski mgr
inz.Ignacy Nowosielski mgr
inz. Stanislaw Nowo¬sielski mgr
Witold Sierant inz.
Original Assignee
Politechnika Warszawska
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika Warszawska filed Critical Politechnika Warszawska
Publication of PL48727B1 publication Critical patent/PL48727B1/pl

Links

Description

Przedmiotem niniejszego wynalazku jest sposób elektrycznego formowania selenowych plytek pro¬ stowniczych, polegajacy na formowaniu plytek prostowniczych impulsami elektrycznymi o napie¬ ciu wyzszym od napiecia pracy plytki prostowni¬ czej, oraz sposób segregacji, który pozwala na rozróznienie strony plytki, stabilizacje parametrów, klasyfikacje plytek na odpowiednie klasy oraz urzadzenie do stosowania tego sposobu.Stosowane dotychczas sposoby formowania elek¬ trycznego selenowych plytek prostowniczych po¬ legaja na dlugotrwalym poddawaniu plytek dzia¬ laniu pradu po uprzednim przepaleniu mikrozwarc pradem stalym o napieciu kilkakrotnie wyzszym od napiecia pracy.Najczesciej formowanie odbywa sie pradem zmiennym przy plytkach zlozonych przeciwsobnie warstwami zaporowymi. Wówczas w kazdej polów¬ ce okresu pradu inna warstwa zaporowa staje sie zabezpieczeniem przed przetezeniem mogacym zniszczyc warstwe przewodzaca.Wobec wielogodzinnych procesów formowania, co jest zasadnicza wada, byly podejmowane próby w celu skrócenia tego czasu. Miedzy innymi stoso¬ wano odpowiedni dobór skladników, zwlaszcza na elektrode nakrywkowa przez dodanie talu. Zna¬ ny jest równiez sposób skracania czasu formowa¬ nia przez podtrzymywanie podczas formowania stalej temperatury plytek, np. 60°C. Wszystkie zna¬ ne dotychczas sposoby nie pozwolily jednak na 20 znaczne skrócenie czasu formowania. Równiez do¬ tychczasowe sposoby segregacji plytek prostowni¬ czych, oparte na subiektywnej ocenie, posiadaja wie¬ le wad, gdyz nie pozwalaja na zaklasyfikowanie wszystkich plytek do odpowiednich klas ze wzgle¬ du na to, ze nie maja ustabilizowanych parame¬ trów elektrycznych.Wady zwiazane z dotychczasowymi sposobami formowania i segregacji usuwa sposób wedlug wy¬ nalazku oraz urzadzenie do stosowania tego spo¬ sobu.Istota wynalazku polega na tym, ze plytka pro¬ stownicza poddawana jest dzialaniu impulsów na¬ piecia wyprostowanego o amplitudzie co najmniej równej, a najkorzystniej kilkakrotnie wiekszej od napiecia pracy plytki, przy czym korzystne jest po¬ dzielenie impulsów na serie, na przyklad po 50 im¬ pulsów. Sumaryczna ilosc impulsów napiecia uzalez¬ niona jest od stopnia czystosci skladników selenu i aktywatorów oraz od wielkosci powierzchni ply¬ tek. Dzialanie napieciem pulsujacym na plytki pro¬ stownicze selenowe powoduje przepalanie mikro¬ zwarc i formowanie elektryczne. Podwyzszenie na¬ piecia impulsów oraz skrócenie ich czasu trwania zmniejsza czas formowania np. ponizej dwóch mi¬ nut bez efektu termicznego. Stwierdzono ponadto, ze bardziej skutecznie formuja plytke jednokie¬ runkowe impulsy elektryczne dzialajace w kierun¬ ku zaporowym. Okazalo sie równiez szczególnie ko- 4872748727 rzystnym, aby impulsy formujace pochodzily z roz¬ ladowujacego sie kondensatora.Sposób formowania i segregacji zostanie objas¬ niony blizej na< podstawie urzadzenia przedstawio¬ nego na zalaczonym, rysunku.Istota urzadzenia jest zastosowanie dwóch tarcz o przeciwnych kierunkach obrotu. W tarczach sa wykonane otwory do których spadaja plytki prze¬ znaczone do formowania i segregacji. Ponadto urzadzenie zawiera uklad elektryczny A przezna¬ czony do formowania i uklad elektryczny B prze¬ znaczony do segregacji. Tarcze 38 i 39 sa nape¬ dzane skokowo silnikiem 46 poprzez krzyz maltan¬ ski oraz uklad kól zebatych 43 i 44.Dzialanie urzadzenia jest nastepujace. Plytki prostownicze umieszczane sa w podajniku 1 zamo¬ cowanym na plycie 47 z którego plytki sa wysu¬ wane pojedynczo za pomoca zaczepów 3 i wpadaja do otworów tarczy 38. Tarcza 38 obraca sie zgod¬ nie ze strzalka przedstawiona na rysunku prze¬ suwajac jednoczesnie plytki po nieruchomej i uziemionej tarczy 40. W otworach 4, 5 i 6 tarczy 38 plytki poddawane sa impulsom napiecia z kon¬ densatora 31 ladowanego napieciem stalym za po¬ moca przelacznika wibratorowego 30 lub ukladu elektronowego. Na rysunku jest pokazany tylko jeden uklad z elektroda 48 na którym bedzie ob¬ jasnione dzialanie.Przeplyw pradu z kondensatora 31 o podwyzszo¬ nym napieciu usuwa mikrozwarcia powstale na skutek zanieczyszczen lub zwarc. Gdy plytka znaj¬ duje sie pod elektroda 50, w otworze 7 tarczy 38 zostanie zmierzony prad zaporowy lub przewo¬ dzenia plytki za pomoca ukladu B. Uklad pomia¬ rowy B sklada sie z tyratronu 33 lub tranzystora iz przekaznikiem 32 w obwodzie anodowym, z opo¬ rów siatkowych 35 i 34 oraz prostownika 51. Nor¬ malnie tyratron pali sie i przekaznik 32 jest ak¬ tywny.Gdy w otworze 7 znajduje sie plytka zla lub od¬ wrócona strona przewodnictwa, poplynie wtedy z prostownika 51 duzy prad i wywola duzy spa¬ dek napiecia na oporach 34 i 35 powodujac zgas¬ niecie tyratronu. Wtedy przekaznik 32 zwolni, po¬ wodujac swym biernym zestykiem 32a zamkniecie obwodu zasilania przekaznika 36, który zadziala odsuwajac zasuwke 37, wskutek czego plytka prze¬ leci przez otwór w plycie 40 i wpadnie do otworu synchronicznie poruszajacej sie tarczy 39. W otwo¬ rze 18 plyty 39 plytka jest mierzona powtórnie za pomoca drugiego takiego samego ukladu B z tym, ze elektroda pomiarowa 52 ma potencjal odwrotny do potencjalu elektrody 50. Gdy plytka jest zla na przyklad zwarta, to prad przeplywajacy przez plyt¬ ke wywoluje taki spadek napiecia na oporach 34 i 35, ze tyratron 33 gasnie i przekaznik swymi sty¬ kami biernymi 32b zamyka obwód zasilania prze¬ kaznika 48. Przekaznik odciaga zasuwke 49 i zla plytka spada do pojemnika 42.Gdy w otworze 7 znajduje sie plytka dobra i od¬ wrócona do góry strona zaporowa to znaczy elek¬ troda podstawowa, to wtedy prad plynacy z zasila¬ cza 51 jest maly i spadek napiecia na oporach 34 i 35 nie wywola zgaszenia tyratronu 33 i plytka przesunieta zostanie dalej przez poruszajaca sie skokowo tarcze 38 z predkoscia 1 skok/sek. Dobre plytki przesuwane sa równiez dalej na tarczy 39.W otworach tarcz 38 i 39 niewidocznych na ry¬ sunku z powodu wykroju oraz w otworach 12 i 13 5 tarczy 38 plytki poddawane sa formowaniu im¬ pulsami pradu o podwyzszonym napieciu w sto¬ sunku do napiecia pracy z ukladów takich samych jak uklad A. Natomiast w otworach 14, 15 i 16 tar¬ czy 38 oraz 26, 27 i 28 tarczy 39 nastepuje segre- 10 ga:cja plytek na klasy wedlug wielkosci pradu za¬ porowego — za pomoca ukladów takich samych jak uklad B. Wartosc pradu, a zatem wielkosc napie¬ cia zatykajacego tyratron jest regulowana poten¬ cjometrem 35. Wielkosc oporu 35 jest tak dobrana, 15 aby w otworach 15 i 26 odpadaly plytki o naj¬ wiekszym pradzie zaporowym, a w nastepnych otworach o stopniowo mniejszym pradzie zaporo¬ wym. Wyrzucanie plytek przy segregacji o jed¬ nakowych parametrach odbywa sie tak samo jak 20 przy segregacji w otworze 18 tarczy 39 przez od¬ slanianie otworów w tarczach 43 i 41 za pomoca przekazników i zasuwek. 25 30 35 PL

Claims (5)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób formowania i segregacji selenowych plytek prostowniczych, w którym do przepalania mikrozwarc stosuje sie prad wyprostowany o podwyzszonym napieciu, znamienny tym, ze plytke prostownicza poddaje sie dzialaniu serii jednokierunkowych, krótkotrwalych impulsów napiecia, najkorzystniej w kierunku zaporo¬ wym, o amplitudzie co najmniej równej, a naj¬ korzystniej kilkakrotnie wiekszej od amplitudy napiecia pracy plytki, a nastepnie dokonuje sie pomiaru i segregacji plytek wedlug wielkosci ich pradu zaporowego.
  2. 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze jako zródlo impulsów jednokierunkowych sto¬ suje sie naladowany kondensator.
  3. 3. Urzadzenie do stosowania sposobu wedlug zastrz. 1 i 2, znamienne tym, ze zawiera dwie tarcze (38 i 39), przeciwnie obracane skokowo za pomoca silnika (46) poprzez krzyz maltanski i uklad kól zebatych (43 i 44), umieszczone na dwóch nieruchomych tarczach (40 i 41) i przesu¬ niete wzgledem siebie w plaszczyznie pionowej w ten sposób, ze dwa sposród wspólsrodkowo wykonanych otworów na obu tarczach zawsze 50 sie pokrywaja oraz podajnik (1) zamocowany do plyty (47) z którego sa wysuwane plytki (2) za pomoca kolków (3) do otworów tarczy (38), a ponadto zawiera przekazniki (36 i 48) sluzace do odciagania zasuwek (37 i 49) zakrywajace otwory umieszczone w nieruchomych tarczach (40 i 41) jak równiez uklad lub uklady (A) prze¬ znaczone do wytwarzania jednokierunkowych impulsów formujacych i usuwajacych mikro¬ zwarcia i uklad lub uklady (B) przeznaczone do 60 rozrózniania kierunku przewodzenia i zaporo¬ wego plytek przez pomiar pradu przewodzenia i wstecznego.
  4. 4. Urzadzenie wedlug zastrz. 3, znamienne tym, ze uklad (A) do wytwarzania jednokierunkowych 65 impulsów zawiera kondensator (31), który jest 40 45 .55487: 5 ladowany napieciem stalym za pomoca przelacz¬ nika wibratorowego (30) lub elektronowego.
  5. 5. Urzadzenie wedlug zastrz. 3, znamienne tym, ze uklad (B) do rozrózniania kierunku przewodze- 6 nia i zaporowego, zawiera prostownik (51), któ¬ rego jedno wyjscie jest polaczone poprzez opory (34 i 35) z elektroda (50) a drugie jest uzie¬ mione.48727 ZG „Ruch" W-wa, zam. 1264-64 naklad 400 egz. PL
PL101341A 1963-04-19 PL48727B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL48727B1 true PL48727B1 (pl) 1964-10-15

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19738158A1 (de) Integrale Kupfersäule mit Lotkontakthöcker-Flip-Chip
DE3923433A1 (de) Verfahren zum schweissen von blechen
DE102020133680A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE4316964C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer heizbaren Verbundglasscheibe mit in der thermoplastischen Zwischenschicht angeordneten Metalldrähten und Verwendung einer elektronischen Schaltung zur Durchführung des Verfahrens
EP0340509A3 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Anteile der Komponenten eines Gemisches
PL48727B1 (pl)
DE2255095C2 (de) Detektor für ionisierende Strahlung
DE1564371B2 (de) Gleichrichter aus einer Vielzahl von Halbleiterdioden
EP0148312A3 (de) Scahltungsanordnung zum Überprüfen der Lage von Elektroden
DE2528090C2 (de) Mehrphasen-Stoßspannungsunterdrücker
DE68908222T2 (de) Vorrichtung für die selektive Verzinnungen der Leiterbahnen eines Trägers einer integrierten Schaltung mit hoher Dichte und ein eine derartige Vorrichtung verwendendes Verzinnungsverfahren.
DE3740174A1 (de) Strahlungsanalysator mit josephson-uebergang
US2613301A (en) Process of manufacturing photoelectric cells
DE102014105683B4 (de) Stromkreisschutzvorrichtung
DE1589527A1 (de) Halbleiter-Dosimeter
DE4400118A1 (de) Verfahren zum Durchführen von Burn-in-Prozeduren an Halbleiterchips
DE2027545A1 (de) Schaltungsanordnung zur Erfassung einer Temperaturanderung
DE102019129728B4 (de) Verfahren, Vorrichtung und Computerprogramm zum Überwachen zumindest eines Halbbrücken-Leistungsmoduls eines Umrichters
DE1613891B2 (de) Schutzschaltung gegen thermische ueberlastung von impuls steuerungen fuer elektrische antriebe
DE939220C (de) Verfahren zum Herstellen von Trockengleichrichtern, insbesondere Selengleichrichtern mit Cadmiumelektrode
DE102004004596B4 (de) Verfahren zur Bestimmung des Programmierzustands einer Antifuse
DE1764663B2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
DE3141956C2 (pl)
Owen et al. On the Shape of the Positron Spectrum of Cu 61
DE1613891C (de) Schutzschaltung gegen thermische Über lastung von Impulssteuerungen fur elektri sehe Antriebe