PL48725B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL48725B1 PL48725B1 PL101340A PL10134063A PL48725B1 PL 48725 B1 PL48725 B1 PL 48725B1 PL 101340 A PL101340 A PL 101340A PL 10134063 A PL10134063 A PL 10134063A PL 48725 B1 PL48725 B1 PL 48725B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- selenium
- plates
- layers
- clutch
- armature
- Prior art date
Links
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 21
- 239000012190 activator Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 150000003342 selenium Chemical class 0.000 description 1
Description
Opublikowano: 5.XII.1964 48725 KI MKP UKD 21 g, 11/02 hoii gfoz T-^Z^l il;V.*X' Wspóltwórcy wynalazku: mgr inz. Aleksander Janik, mgr inz. Krystyna Konwerska, prof. dr Witold Laniecki, mgr inz.Stanislaw Nowosielski Wlasciciel patentu: Politechnika Warszawska (Katedra Budowy Apara¬ tów Elektromedycznych), Warszawa (Polska) Sposób wytwarzania selenowych plytek prostowniczych oraz urzadzenie do stosowania tego sposobu Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarza¬ nia selenowych plytek prostowniczych polegajacy na nalozeniu na metalowe podloze co najmniej dwóch warstw selenu o zróznicowanej aktywacji oraz urzadzenie do stosowania tego sposobu.Prostowniki selenowe wytwarzane znanymi do¬ tychczas sposobami, które polegaja na nalozeniu lub naparowaniu na plytke metalowa warstwy se¬ lenu aktywowanego np. bromem i oddaniu dal¬ szym znanym procesom, maja szereg wad. Pro¬ stowniki te maja male stosunkowo napiecie prze¬ bicia oraz ograniczona gestosc pradu.Sposób wytwarzania selenowych plytek prostow¬ niczych wedlug wynalazku pozwala na znaczne zwiekszenie napiecia przebicia i gestosci pradu.Istota wynalazku polega na • nalozeniu lub na¬ parowaniu na metalowe podloze na przyklad alu¬ miniowe co najmniej dwóch warstw selenu o róz¬ nej aktywacji. Pierwsza warstwe bezposrednio na¬ lozona, lub naparowana na podloze metalowe na- przyklad aluminiowe, stanowi warstwa selenu ak¬ tywowanego na przyklad bromem lub innym ak¬ tywatorem, przy czym zawartosc aktywatora wy¬ nosi kilka procent.Druga warstwe stanowi czysty selen bez do¬ mieszki aktywatora lub z niewielka domieszka ma¬ terialu aktywujacego. Przez zmiane grubosci po¬ szczególnych warstw selenu otrzymuje sie plytki pozwalajace na przepuszczanie pradu o wiekszej gestosci. Zmieniajac natomiast procentowa zawar- 20 25 tosc aktywatora w poszczególnych warstwach uzy¬ skuje sie plytki prostownicze o wiekszym napie¬ ciu przebicia i pracy w stosunku do plytek otrzy¬ mywanych dotychczasowymi sposobami, przy czym zawartosc aktywatora w poszczególnych warstwach powinna stopniowo malec, liczac od elektrody pod¬ stawowej. W niektórych przypadkach korzystnym jest, aby plytki zawieraly trzy warstwy selenu.Szczególnie korzystnym jest, jezeli idzie o uzys¬ kanie plytek o wiekszym napieciu pracy — w przy¬ padku dwu warstw — aby druga warstwe stanowil selen o wysokiej czystosci.Na podstawie rysunku zostanie objasniony bli¬ zej wynalazek, gdzie fig. 1 przedstawia ogólny widok urzadzenia wedlug wynalazku z czesciowym przekrojem sprzegla i zbiornika, a fig. 2 przed¬ stawia ogólny widok urzadzenia sluzacego do her¬ metycznego zamkniecia zbiornika.Urzadzenie sklada sie ze zbiornika prózniowego 1, który jest zamykany pokrywa 2 zawieszona ela¬ stycznie na dwóch czopach 3 i 4. Docisk pokrywy 2 do zbiornika 1 odbywa sie za pomoca sworznia 21 co gwarantuje równomierny nacisk na calym ob¬ wodzie. Zamykanie pokrywy odbywa sie za po¬ moca mimosrodowego zamka 6 (fig. 1 i fig. 2) przy czym dzwignia 7 wraz z mimosrodem 9 obraca sie na czopie 8 zamocowanym na stale do zbiornika 1.Przy zamykaniu zamka za pomoca dzwigni 7 (ruch dzwigni 7 przeciwny do kierunku strzalki na fig. 2) nastepuje zablokowanie obrotu pierscie- 4872548725 3 nia 10 przez oparcie wystepu 11 o kolek 12, a na¬ stepnie zaczepienie glówki zamka 6 za rygiel 5 i przy dalszym spuszczeniu dzwigni 7 glówka 6 do¬ ciagana jest razem z ryglem 5 i mimosrodem 9 do czopu 8 zbiornika 1 (fig.1). 5 Wewnatrz zbiornika prózniowego 1 umieszczona jest wieloboczna klatka 13 z uchwytami do zarao- cowywania plyt naparowywanych selenem. Pod klatka 13 zamocowane sa grzejniki 15 do podgrze¬ wania lódek 14, które zawieraja selen o róznej ak- 10 tywacji.Klatka 13 sprzegnieta jest z napedem za pomoca sprzegla klowego 16 polaczonego ze zwora 17 sprzegla magnetycznego. Komora prózniowa sprze¬ gla bezstykowego w której znajduje sie zwora 17 15 jest oddzielona przepona antymagnetyczna 18 w ksztalcie stozka scietego od drugiej czesci komory, w której jest umieszczony elektromagnes sprzegla bezstykowego 19 i w której panuje cisnienie at¬ mosferyczne. 20 Elektromagnes 19 sprzegla bezstykowego zasila¬ ny jest napieciem stalym. Naped sprzegla odby¬ wa sie za pomoca jednofazowego silnika 20 po¬ przez uklad przekladni. Zastosowanie tego rodzaju sprzegla pozwala na uzyskanie lepszej prózni i eli- 25 minuje stosowanie silników wewnatrz zbiornika 1.Sposób wytwarzania plytek wedlug wynalazku jest nastepujacy.Na obwodzie klatki 13 zamocowuje sie o zada¬ nych wymiarach plytki metalowe np, aluminio- 30 we, które stanowia podloze. Klatke 13 wsuwa sie do zbiornika 1 a nastepnie napelnia sie lódki 14 selenem o odpowiedniej koncentracji aktywatora.Lódek 14 jest tyle, ile beda zawieraly dane plyt¬ ki prostownicze warstw selenu o róznej aktywacji. 35 Nastepnie wlacza sie pompe obrotowa 23 i dy¬ fuzyjna 22. Po uzyskaniu odpowiedniej prózni zo¬ staje wprawiona w ruch obrotowy za pomoca sil¬ nika 20 poprzez sprzeglo magnetyczne i klowe klatka 13 i wlacza sie grzejnik 15, który najpierw 40 podgrzewa lódke z selenem o najwiekszej zawar¬ tosci aktywatora, a po jego wyparowaniu nastepna lódke z selenem o mniejszej zawartosci akty¬ watora.W przypadku gdy plytki beda zawieraly trzy 45 warstwy róznie aktywowanego selenu wówczas urzadzenie jest zaopatrzone w trzecia lódke.Sposób i urzadzenie wedlug wynalazku pozwa¬ la na uzyskanie równomiernej grubosci poszcze¬ gólnych warstw selenu oraz daje mozliwosc re- 50 gulacji parametrów plytek przez dobór koncen¬ tracji aktywatora w selenie i grubosci poszczegól¬ nych warstw. PL
Claims (3)
- Zastrzezenia patentowe 55 1. Sposób wytwarzania selenowych plytek pro¬ stowniczych znamienny tym, ze na plytke me¬ talowa na przyklad aluminiowa nanosi sie przez naparowanie lub nalozenie co najmniej dwie «o warstwy selenu o róznej zawartosci aktywato¬ ra, np. bromu, przy czym zawartosc aktywa¬ tora w poszczególnych warstwach jest-stopnio- wo malejaca, liczac od elektrody podstawowej. ZG „Ruch" W-wa, zam. 4
- 2. Urzadzenie do stosowania sposobu wedlug zastrz. 1 zawierajace pompe obrotowa i dyfu¬ zyjna, znamienne tym, ze do zbiornika próznio¬ wego (1) jest zamocowany czop (8), na którym jest umieszczona obrotowa dzwignia (7) wraz z mimosrodem (9) i pierscieniem (10) w ten sposób, ze przez sprowadzenie dzwigni w polo¬ zenie poziome nastepuje zaczepienie glówki zamka (6) za rygiel (5) powodujac jego dociag¬ niecie do zbiornika (1), a tym samym równo¬ mierny docisk pokrywy (2) na calym obwodzie.
- 3. Urzadzenie wedlug zastrz. 1 i 2, znamienne tym, ze ma obrotowa klatke (13) z uchwytami do zamocowania naparowan^ch plyt napedza¬ na silnikiem (20) poprzez sprzeglo klowe (16), które jest polaczone ze zwora (17) sprzegla elek¬ tromagnetycznego, przy czym komora próznio¬ wa, w której jest umieszczona zwora (17) jest oddzielona przepona antymagnetyczna (18) w ksztalcie stozka scietego od drugiej komory, . w której jest umieszczony elektromagnes (19) i w której panuje cisnienie atmosferyczne. [BIBLIOrr . 1264-64 naklad 400 egi. ! j . :.;towegoj PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL48725B1 true PL48725B1 (pl) | 1964-10-15 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Yahalom et al. | Formation of composition-modulated alloys by electrodeposition | |
| US2737541A (en) | Storage battery electrodes and method of making the same | |
| US3492167A (en) | Photovoltaic cell and method of making the same | |
| TWI245808B (en) | Organic EL of evaporation device for evaporation | |
| Tosatti et al. | On the nature of the low-temperature phase of 1T-TaS2 | |
| CA2473600A1 (en) | Metal implant with biocidal metal ions absorbed in the surface | |
| PL48725B1 (pl) | ||
| Yin et al. | Mass transport effects on the electrodeposition of iron-nickel alloys at the presence of additives | |
| Carbonio et al. | A transition in the kinetics of the Ni (OH) 2/NiOOH electrode reaction | |
| CN106865621B (zh) | 一种珊瑚状的铁酸锂粉体及其制备方法 | |
| US600693A (en) | Jules julien | |
| Fukami et al. | Mechanism of oscillatory electrodeposition of zinc, revealed by microscopic inspection of dendritic deposits during the oscillation | |
| GB713929A (en) | Selenium rectifiers and method of manufacture | |
| CN209113980U (zh) | 蒸镀装置 | |
| JPS6145200A (ja) | 水素貯蔵装置 | |
| US415331A (en) | Secondary battery | |
| Yacamán | Role of Ca++ impurities in the evaporation kinetics of NaCl and KCl crystals | |
| ES2270512T3 (es) | Producto para el tratamiento bactericida de fluidos. | |
| JPS5896872A (ja) | 真空蒸着部 | |
| CN202139320U (zh) | 制备金刚石/金属复合层状结构的双旋转电镀装置 | |
| JPS58141382A (ja) | イオンプレ−テイング装置 | |
| JPS58100672A (ja) | 薄膜形成法及びその装置 | |
| US2111047A (en) | Device for rectifying alternating current | |
| Lifanova et al. | The Formation and Structure of the Crystal Lattice of Thin Films of Rare Earth Metals Under the Influence of Low-Energy Ion Bombardment | |
| JPS5714279A (en) | Diaphragm plate for speaker |