PL48725B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL48725B1
PL48725B1 PL101340A PL10134063A PL48725B1 PL 48725 B1 PL48725 B1 PL 48725B1 PL 101340 A PL101340 A PL 101340A PL 10134063 A PL10134063 A PL 10134063A PL 48725 B1 PL48725 B1 PL 48725B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
selenium
plates
layers
clutch
armature
Prior art date
Application number
PL101340A
Other languages
English (en)
Inventor
inz. Aleksander Janik mgr
inz. KrystynaKonwerska mgr
dr Witold Laniecki prof.
inz.Stanislaw Nowosielski mgr
Original Assignee
Politechnika Warszawska
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika Warszawska filed Critical Politechnika Warszawska
Publication of PL48725B1 publication Critical patent/PL48725B1/pl

Links

Description

Opublikowano: 5.XII.1964 48725 KI MKP UKD 21 g, 11/02 hoii gfoz T-^Z^l il;V.*X' Wspóltwórcy wynalazku: mgr inz. Aleksander Janik, mgr inz. Krystyna Konwerska, prof. dr Witold Laniecki, mgr inz.Stanislaw Nowosielski Wlasciciel patentu: Politechnika Warszawska (Katedra Budowy Apara¬ tów Elektromedycznych), Warszawa (Polska) Sposób wytwarzania selenowych plytek prostowniczych oraz urzadzenie do stosowania tego sposobu Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarza¬ nia selenowych plytek prostowniczych polegajacy na nalozeniu na metalowe podloze co najmniej dwóch warstw selenu o zróznicowanej aktywacji oraz urzadzenie do stosowania tego sposobu.Prostowniki selenowe wytwarzane znanymi do¬ tychczas sposobami, które polegaja na nalozeniu lub naparowaniu na plytke metalowa warstwy se¬ lenu aktywowanego np. bromem i oddaniu dal¬ szym znanym procesom, maja szereg wad. Pro¬ stowniki te maja male stosunkowo napiecie prze¬ bicia oraz ograniczona gestosc pradu.Sposób wytwarzania selenowych plytek prostow¬ niczych wedlug wynalazku pozwala na znaczne zwiekszenie napiecia przebicia i gestosci pradu.Istota wynalazku polega na • nalozeniu lub na¬ parowaniu na metalowe podloze na przyklad alu¬ miniowe co najmniej dwóch warstw selenu o róz¬ nej aktywacji. Pierwsza warstwe bezposrednio na¬ lozona, lub naparowana na podloze metalowe na- przyklad aluminiowe, stanowi warstwa selenu ak¬ tywowanego na przyklad bromem lub innym ak¬ tywatorem, przy czym zawartosc aktywatora wy¬ nosi kilka procent.Druga warstwe stanowi czysty selen bez do¬ mieszki aktywatora lub z niewielka domieszka ma¬ terialu aktywujacego. Przez zmiane grubosci po¬ szczególnych warstw selenu otrzymuje sie plytki pozwalajace na przepuszczanie pradu o wiekszej gestosci. Zmieniajac natomiast procentowa zawar- 20 25 tosc aktywatora w poszczególnych warstwach uzy¬ skuje sie plytki prostownicze o wiekszym napie¬ ciu przebicia i pracy w stosunku do plytek otrzy¬ mywanych dotychczasowymi sposobami, przy czym zawartosc aktywatora w poszczególnych warstwach powinna stopniowo malec, liczac od elektrody pod¬ stawowej. W niektórych przypadkach korzystnym jest, aby plytki zawieraly trzy warstwy selenu.Szczególnie korzystnym jest, jezeli idzie o uzys¬ kanie plytek o wiekszym napieciu pracy — w przy¬ padku dwu warstw — aby druga warstwe stanowil selen o wysokiej czystosci.Na podstawie rysunku zostanie objasniony bli¬ zej wynalazek, gdzie fig. 1 przedstawia ogólny widok urzadzenia wedlug wynalazku z czesciowym przekrojem sprzegla i zbiornika, a fig. 2 przed¬ stawia ogólny widok urzadzenia sluzacego do her¬ metycznego zamkniecia zbiornika.Urzadzenie sklada sie ze zbiornika prózniowego 1, który jest zamykany pokrywa 2 zawieszona ela¬ stycznie na dwóch czopach 3 i 4. Docisk pokrywy 2 do zbiornika 1 odbywa sie za pomoca sworznia 21 co gwarantuje równomierny nacisk na calym ob¬ wodzie. Zamykanie pokrywy odbywa sie za po¬ moca mimosrodowego zamka 6 (fig. 1 i fig. 2) przy czym dzwignia 7 wraz z mimosrodem 9 obraca sie na czopie 8 zamocowanym na stale do zbiornika 1.Przy zamykaniu zamka za pomoca dzwigni 7 (ruch dzwigni 7 przeciwny do kierunku strzalki na fig. 2) nastepuje zablokowanie obrotu pierscie- 4872548725 3 nia 10 przez oparcie wystepu 11 o kolek 12, a na¬ stepnie zaczepienie glówki zamka 6 za rygiel 5 i przy dalszym spuszczeniu dzwigni 7 glówka 6 do¬ ciagana jest razem z ryglem 5 i mimosrodem 9 do czopu 8 zbiornika 1 (fig.1). 5 Wewnatrz zbiornika prózniowego 1 umieszczona jest wieloboczna klatka 13 z uchwytami do zarao- cowywania plyt naparowywanych selenem. Pod klatka 13 zamocowane sa grzejniki 15 do podgrze¬ wania lódek 14, które zawieraja selen o róznej ak- 10 tywacji.Klatka 13 sprzegnieta jest z napedem za pomoca sprzegla klowego 16 polaczonego ze zwora 17 sprzegla magnetycznego. Komora prózniowa sprze¬ gla bezstykowego w której znajduje sie zwora 17 15 jest oddzielona przepona antymagnetyczna 18 w ksztalcie stozka scietego od drugiej czesci komory, w której jest umieszczony elektromagnes sprzegla bezstykowego 19 i w której panuje cisnienie at¬ mosferyczne. 20 Elektromagnes 19 sprzegla bezstykowego zasila¬ ny jest napieciem stalym. Naped sprzegla odby¬ wa sie za pomoca jednofazowego silnika 20 po¬ przez uklad przekladni. Zastosowanie tego rodzaju sprzegla pozwala na uzyskanie lepszej prózni i eli- 25 minuje stosowanie silników wewnatrz zbiornika 1.Sposób wytwarzania plytek wedlug wynalazku jest nastepujacy.Na obwodzie klatki 13 zamocowuje sie o zada¬ nych wymiarach plytki metalowe np, aluminio- 30 we, które stanowia podloze. Klatke 13 wsuwa sie do zbiornika 1 a nastepnie napelnia sie lódki 14 selenem o odpowiedniej koncentracji aktywatora.Lódek 14 jest tyle, ile beda zawieraly dane plyt¬ ki prostownicze warstw selenu o róznej aktywacji. 35 Nastepnie wlacza sie pompe obrotowa 23 i dy¬ fuzyjna 22. Po uzyskaniu odpowiedniej prózni zo¬ staje wprawiona w ruch obrotowy za pomoca sil¬ nika 20 poprzez sprzeglo magnetyczne i klowe klatka 13 i wlacza sie grzejnik 15, który najpierw 40 podgrzewa lódke z selenem o najwiekszej zawar¬ tosci aktywatora, a po jego wyparowaniu nastepna lódke z selenem o mniejszej zawartosci akty¬ watora.W przypadku gdy plytki beda zawieraly trzy 45 warstwy róznie aktywowanego selenu wówczas urzadzenie jest zaopatrzone w trzecia lódke.Sposób i urzadzenie wedlug wynalazku pozwa¬ la na uzyskanie równomiernej grubosci poszcze¬ gólnych warstw selenu oraz daje mozliwosc re- 50 gulacji parametrów plytek przez dobór koncen¬ tracji aktywatora w selenie i grubosci poszczegól¬ nych warstw. PL

Claims (3)

  1. Zastrzezenia patentowe 55 1. Sposób wytwarzania selenowych plytek pro¬ stowniczych znamienny tym, ze na plytke me¬ talowa na przyklad aluminiowa nanosi sie przez naparowanie lub nalozenie co najmniej dwie «o warstwy selenu o róznej zawartosci aktywato¬ ra, np. bromu, przy czym zawartosc aktywa¬ tora w poszczególnych warstwach jest-stopnio- wo malejaca, liczac od elektrody podstawowej. ZG „Ruch" W-wa, zam. 4
  2. 2. Urzadzenie do stosowania sposobu wedlug zastrz. 1 zawierajace pompe obrotowa i dyfu¬ zyjna, znamienne tym, ze do zbiornika próznio¬ wego (1) jest zamocowany czop (8), na którym jest umieszczona obrotowa dzwignia (7) wraz z mimosrodem (9) i pierscieniem (10) w ten sposób, ze przez sprowadzenie dzwigni w polo¬ zenie poziome nastepuje zaczepienie glówki zamka (6) za rygiel (5) powodujac jego dociag¬ niecie do zbiornika (1), a tym samym równo¬ mierny docisk pokrywy (2) na calym obwodzie.
  3. 3. Urzadzenie wedlug zastrz. 1 i 2, znamienne tym, ze ma obrotowa klatke (13) z uchwytami do zamocowania naparowan^ch plyt napedza¬ na silnikiem (20) poprzez sprzeglo klowe (16), które jest polaczone ze zwora (17) sprzegla elek¬ tromagnetycznego, przy czym komora próznio¬ wa, w której jest umieszczona zwora (17) jest oddzielona przepona antymagnetyczna (18) w ksztalcie stozka scietego od drugiej komory, . w której jest umieszczony elektromagnes (19) i w której panuje cisnienie atmosferyczne. [BIBLIOrr . 1264-64 naklad 400 egi. ! j . :.;towegoj PL
PL101340A 1963-04-19 PL48725B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL48725B1 true PL48725B1 (pl) 1964-10-15

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Yahalom et al. Formation of composition-modulated alloys by electrodeposition
US2737541A (en) Storage battery electrodes and method of making the same
US3492167A (en) Photovoltaic cell and method of making the same
TWI245808B (en) Organic EL of evaporation device for evaporation
Tosatti et al. On the nature of the low-temperature phase of 1T-TaS2
CA2473600A1 (en) Metal implant with biocidal metal ions absorbed in the surface
PL48725B1 (pl)
Yin et al. Mass transport effects on the electrodeposition of iron-nickel alloys at the presence of additives
Carbonio et al. A transition in the kinetics of the Ni (OH) 2/NiOOH electrode reaction
CN106865621B (zh) 一种珊瑚状的铁酸锂粉体及其制备方法
US600693A (en) Jules julien
Fukami et al. Mechanism of oscillatory electrodeposition of zinc, revealed by microscopic inspection of dendritic deposits during the oscillation
GB713929A (en) Selenium rectifiers and method of manufacture
CN209113980U (zh) 蒸镀装置
JPS6145200A (ja) 水素貯蔵装置
US415331A (en) Secondary battery
Yacamán Role of Ca++ impurities in the evaporation kinetics of NaCl and KCl crystals
ES2270512T3 (es) Producto para el tratamiento bactericida de fluidos.
JPS5896872A (ja) 真空蒸着部
CN202139320U (zh) 制备金刚石/金属复合层状结构的双旋转电镀装置
JPS58141382A (ja) イオンプレ−テイング装置
JPS58100672A (ja) 薄膜形成法及びその装置
US2111047A (en) Device for rectifying alternating current
Lifanova et al. The Formation and Structure of the Crystal Lattice of Thin Films of Rare Earth Metals Under the Influence of Low-Energy Ion Bombardment
JPS5714279A (en) Diaphragm plate for speaker