PL48496B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL48496B1 PL48496B1 PL102454A PL10245463A PL48496B1 PL 48496 B1 PL48496 B1 PL 48496B1 PL 102454 A PL102454 A PL 102454A PL 10245463 A PL10245463 A PL 10245463A PL 48496 B1 PL48496 B1 PL 48496B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- zns
- polymethyl methacrylate
- chloroform
- scintillation
- content
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000006101 laboratory sample Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
Opublikowano: 26.X.1964 48496 KI. 21 g 29/10 MKP & 01 j GOA4 l/up UKD Twórca wynalazku: inz. Waldemar Scharf Wlasciciel patentu: Biuro Urzadzen Techniki Jadrowej (Zaklad Do¬ swiadczalny), Warszawa (Polska) Sposób wytwarzania cienkich warstewek scyntylacyjnych Niniejszy sposób dotyczy wytwarzania cienkich warstewek scyntylacyjnych z siarczku cynku akty¬ wowanego srebrem lub innym pierwiastkiem, któ¬ re sa przeznaczone do detekcji czastek alfa w tech¬ nice jadrowej, np. przy pomiarach skazen po¬ wierzchniowych, pomiarach aktywnosci próbek la¬ boratoryjnych itp.Stosowane dotychczas sposoby wytwarzania scyntylatorów, polegajace na posypywaniu lumi¬ noforu na podkladke pokryta warstwa kleju lub przez nalewanie na podkladke mieszaniny kleju z luminoforem ZnS(Ag), maja szereg wad. W pier¬ wszym przypadku w stosunkowo grubej warstew¬ ce kleju nastepuje pochlanianie znacznej czesci czastek a i zwiazane z tym zmniejszenie wydajno¬ sci pomiarów. Drugi sposób co prawda eliminuje powyzsza wade, ale grubosc warstewki jest nie¬ równomierna, co stwarza duze trudnosci w uzyska¬ niu jednakowych egzemplarzy.Znany jest równiez ,sposób polegajacy na zasto¬ sowaniu sedymentacji a nastepnie utrwaleniu otrzymanej warstewki; pozwala on na uzyskanie scisle okreslonej .grubosci warstewki i dobrego ulo¬ zenia ziarn. Scyntylatory wytwarzane tym sposo¬ bem ,sa jednak malo odporne na dzialanie wply¬ wów mechanicznych jak np. wstrzasy, wystepuja¬ ce w przyrzadach przenosnych i noszonych, prze¬ znaczonych do pomiarów skazen powierzchnio¬ wych. Poprawe wlasnosci mechanicznych warste¬ wek wytwarzanych tym sposobem mozna wpraw¬ dzie osiagnac przez utrwalenie sedymentowanej warstewki, wymaga to jednak zastosowania do¬ datkowej operacji technologicznej. Utrwalenie to przeprowadza sie 'np. za pomoca par chloroformu, 5 które nadtapiaja podkladke wykonana zwykle ze szkla organicznego. Jezeli warstewke z ZnS(Ag) wykonuje sie na podkladkach za scyntylatorów plastykowych (wytwarzanie scyntylatorów pod¬ wójnych, przeznaczonych do jednoczesnej detekcji 10 promieniowania a oraa promieniowania /?, y), to utrwalenie przez poddawanie dzialaniu par chlo¬ roformu nie daje zadawalajacych wyników. Pary te nie oddzialuja bowiem wówczas na podloze warstewki scyntylacyjnej z ZnS(Ag), tj. na scynty- 15 lator z /masy plastycznej.Nowy sposób wytiwarzania cienkich warstewek z ZnS(Ag) do pomiarów promieniowania a umo¬ zliwia nanoszenie ich na podkladki z dowolnego materialu, jak np. na szklo organiczne, plastyki 20 scyntylacyjne, .szklo zwykle itp. Podkladki te mo¬ ga miec dowolne ksztalty i fdowolne wymiary. Na¬ noszenie warstewki dokonuje sie za pomoca jednej operacji technologicznej, a 'naniesiona warstewka odznacza sie duza odpornoscia mechaniczna, rów- 25 nomierna gruboscia powierzchniowa oraz duza wydajnoscia pomiaru. Nowy sposób wytwarzania cienlkich warstewek scyntylacyjnych z ZnS(Ag), o grubosciach powierzchniowych rzedu kilku lub kilkunastu mg/cm2, polega na tym, ze na podklad¬ ko ke np. z polimetakrylanu metylu (szklo organicz- 4849648496 3 4 ne) lub innego tworzywa przezroczystego natry¬ skuje' sie roztwór chloroformu z dodatkiem poli¬ metakrylanu metylu, który zawiera zawiesine ZnS(Ag), przy czym zawartosc polimetakrylanu metylu wynosi okolo 1%, a zawartosc ZnS(Ag) wy¬ nosi okolo 10%. Natryskiwanie to przeprowadza sie pistoletem natryskowym io odpowiedniej sred¬ nicy dyszy, zasilanym powietrzem sprezonym o ci¬ snieniu okolo 2 at. Pistolet powinien byc wyposa¬ zony w zbiorniczek obrotowy, umozliwiajacy pra¬ ce w-kierunku pionowym.Nowy sposób wytawarzania cienkich warstewek scyntylacyjnych z ZnS(Ag) nadaje sie szczególnie dobrze do seryjnej produkcji zarówno scyntylato¬ rów reagujacych tylko na (promieniowanie a jak i scyntylatorów podwójnych, w których warstew¬ ka z ZnS(Ag) jest naniesiona na scyntylator z mas plastycznych. PL
Claims (3)
- Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania cienkich warstewek scyn¬ tylacyjnych z ZnS(Ag) przeznaczonych do de¬ tekcji promieniowania, znamienny tym, ze na podkladke np. z polimetakrylanu metylu lub innego tworzywa przezroczystego natryskuje sie roztwór, który sklada sie z .substancji wia¬ zacej o dobrej przyczepnosci do podkladki np. polimetakrylanu metylu i z rozpuszczalnika np. chloroformu w którym znajduje sie ZnS(Ag), lub inny scyntylator o strukturze ziarnistej, w postaci zaWiesiny.
- 2. Sposób wedlug zastrz. I, znamienny tym, ze za¬ wartosc chloroformu wynosi okolo 0,5% w sto¬ sunku wagowym.
- 3. Sposób wedlug zastrz. 1 i 2, znamienny tym, ze zawartosc ZnS(Ag) wynosi okolo 10% w sto¬ sunku objetosciowym. 10 ZG „Ruch" W^wa, zam. 896-64 naklad 400 egz. PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL48496B1 true PL48496B1 (pl) | 1964-08-15 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3141973A (en) | Thermoluminescent dosimeter | |
| DE69318161T2 (de) | Passiver staubprobennehmer | |
| Grant et al. | Radiotracer techniques for protein adsorption measurements | |
| Glover et al. | A method for the preparation of thin films of plutonium and uranium | |
| PL48496B1 (pl) | ||
| CN112730476B (zh) | 一种矿物纯度检测方法 | |
| Chen et al. | Preparation of thin alpha sources by electrospraying for efficiency calibration purposes | |
| JPS5830912B2 (ja) | シンチレ−シヨン計数組成物 | |
| Lockett et al. | Preliminary assessment of a multiwire camera for quantitative autoradiography of tritium-labelled substances | |
| DE1115373B (de) | Vorrichtung zur Dosimetrie ionisierender Strahlungen | |
| Crowther et al. | Handbook of industrial radiology | |
| SU1082145A1 (ru) | Способ определени удельной активности радиоактивных растворов | |
| HU176847B (en) | Measuring head with entering windov made from beryllium,used for measuring x- and soft gamma radiation and method for making this | |
| Houdayer et al. | A new method for preparing thin samples of pottery shards for pixe analysis | |
| Chevalier | Process for manufacturing scintillators | |
| Ockerman et al. | alpha;-Radioactivity of Some Rocks and Common Materials | |
| JPS5690247A (en) | Preparation of sample for x-ray analysis | |
| RU83853U1 (ru) | Первичный преобразователь для определения активности нуклидов альфа- и бета-излучения | |
| CN119119844A (zh) | 一种放射源及其制备方法与应用 | |
| KR100639418B1 (ko) | 알파 입자 탐지용 박막 형태의 ＺｎＳ(Ａｇ) 섬광 검출소재 및 그의 제조 방법 | |
| CASTELLANA et al. | Measurement of liquid film thickness on the surface of a partially immersed vertical rotating disk using a gamma camera | |
| CN120590439A (zh) | 基于二苯基-2-吡啶膦和碘化亚铜的团簇闪烁体及其制备方法和应用 | |
| Tsuchikura et al. | Observation of Metal Sections by means of the 300-kV. Electron Microscope | |
| Cartan et al. | Average particle size measurement | |
| Baily et al. | The response of pin junctions to beta rays I. Open-circuit voltage versus surface dose rate for phosphorus-32 and thallium-204 |