PL44502B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL44502B1 PL44502B1 PL44502A PL4450260A PL44502B1 PL 44502 B1 PL44502 B1 PL 44502B1 PL 44502 A PL44502 A PL 44502A PL 4450260 A PL4450260 A PL 4450260A PL 44502 B1 PL44502 B1 PL 44502B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- radiation
- substrate
- sensitive material
- measuring
- conductivity
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
Description
Pomiar potencjalów elektrycznych pola lub innych odbywa sie na ogól w sposób elektroli¬ tyczny w tzw. wannie elektrolitycznej. Znane sa jednak sposoby, w których do tego celu stosuje sie warstwy pólprzewodnikowe z pa¬ pieru, tworzywa sztucznego itd., na których za pomoca czujników pomiarowych wyznacza sie linie ekwipotencjalne. Aczkolwiek zastosowa¬ nie warstw pólprzewodnikowych do pomiaru potencjalów elektrycznych pola przedstawia pewne zalety w porównaniu z wanna elektro¬ lityczna ze wzgledu na mniejszy naklad pracy i czasu wymaganego do pomiaru, jednak wy¬ stepuje przy tym caly szereg niedogodnosci.Szczególnie niedogodna rzecza jest to, ze w tego rodzaju metodzie pomiarowej nie mozna praktycznie przeprowadzic pomiarów z u- *) Wlasciciel patentu oswiadczyl, ze wspól¬ twórcami wynalazku sa dypl. inz. Kurt Ku- tschera i dr Georg Mierdel. wzglednieniem zjawisk przestrzennych. Poza tym zarówno w przypadku wanny elektroli¬ tycznej jak i przy zastosowaniu pólprzewodni¬ ków nie mozna uzyskac dokladnego odtworze¬ nia potencjalu elektrycznego pola na grani¬ cach róznych dielektryków, ze wzgledu na skonczona glebokosc elektrolitu lub grubosc pólprzewodnika.Przy zastosowaniu sposobu mierzenia poten¬ cjalu elektrycznego pola wedlug wynalazku, przy którym na podlozu sa umieszczone elek¬ trody wytwarzajace potencjal, a pole powstale miedzy elektrodami jest wyznaczone za pomo¬ ca czujnika i wskazywane za pomoca odpo¬ wiedniego urzadzenia pomiarowego wzglednie wzmacniajacego, unika sie wspomnianej nie*- dogodnosci przez zastosowanie jako podloza materialu czulego na promieniowanie, .a- w szczególnosci materialu fotochemicznego.Stosujac jako podloze taki material osiaga sie te zalete, ze przez ciagla zmiane natezeniapromieniowania mozna z latwoscia odtworzyc wplywy przestrzenne na plaskim odwzorowa¬ niu, awlaszcza w przypadku pól zakrzywio¬ nych, "•¦ a mianowicie 'przez napromieniowanie materialu osiaga sie pozadana przewodnosc dla uksztaltowania potencjalu elektrycznego pola. W celu otrzymania pozadanego rozkladu przewodnosci zródlo promieniowania moze byc poruszane przy jednoczesnej zmianie na¬ tezenia promieniowania lub zmianie szybkosci ruchu. Mozna równiez poruszac odpowiednia zaslone przed zródlem promieniowania. Mozna takze material czuly na promieniowanie usta¬ wiac ukosnie lub w polozeniu zakrzywionym wzgledem rozbieznego zródla promieniowania i w tym polozeniu go napromieniowywac. Ja¬ ko promienie dla przygotowania podloza po¬ miarowego stosuje sie w zaleznosci od materia¬ lu wszelkie promienie, jak nip. promienie swietlne, rentgenowskie itd.Przy pomocy takiego ukladu mozna z lat- wosciA odtworzyc na podlozu pomiarowym granice pomiedzy obszarami róznych dielek¬ tryków przez ostre odgraniczenie obszarów o róznej przewodnosci dokladniej niz w zna¬ nych podlozach pomiarowych np. pólprzewod¬ nikowych, poniewaz uczestniczaca w pomia¬ rze warstewka pomiarowa moze byc zna ciensza niz w znanych dotychczas ukladach.Na przyklad stosujac warstewke fotochemiczna mozna osiagnac grubosc 10 jx lub nawet mniej.Inna zaleta moze byc osiagnieta, jezeli np. w przypadku materialu fotochemicznego war¬ stewka zelatyny, znajdujaca sie pomiedzy ziar¬ nami srebra, ma wieksza przewodnosc elek¬ tryczna niz w zwyklym materiale fotograficz¬ nym lub tez jest zastapiona przez inna war¬ stewke o lepszej przewodnosci elektrycznej- W tym przypadku mozna sporzadzic podloze po¬ miarowe dla najrozmaitszych celów i róznych ukladów pomiarowych o pozadanej przewod¬ nosci podstawowej.Wynalazek jest blizej wyjasniony przy po¬ mocy dwóch szkiców, podajacych zasade wy¬ nalazku.Fig. 1 przedstawia odwzorowanie kondensato¬ ra kulowego, dla któregovpomiar rozkladu po¬ la ma byc przeprowadzony na podkaldzie 1 z materialu czulego na promieniowanie. Kon¬ densator ma rózne dielektryki, natomiast fig. 2 wyjasnia w jaki sposób jest przygotowany ma¬ terial czuly na promieniowanie dla pomiaru potencjalu elektrycznego pola, a mianowicie material, który dla uproszczenia dalszych roz¬ wazan mozna przyjac jako material fotoche¬ miczny. Na fig. 2 jest uwidoczniony wykres przewodnosci papieru fotograficznego w punk¬ tach oznaczonych na fig. 1 literami A — E.Mozna postepowac w ten sposób, aby obszar A — B pozostawal nienaswietlony, natomiast obszar B — C byl naswietlany punktowym zródlem swiatla przy ukosnym ustawieniu pa¬ pieru swiatloczulego. Obszar CD jest naswiet¬ lony podobnie jak BC ale swiatlem o mniej¬ szym natezeniu i wreszcie obszar DE pozostaje nienaiswietlony. W ten sposób otrzymuje sie na plaskim podlozu pomiarowym rozklad prze¬ wodnosci, który uwzglednia jako odwzorowa¬ nie wplywy przestrzenne na obiekt badany.Rózne przewodnosci otrzymuje sie jak wiado¬ mo na skutek zredukowanych ziarn srebra w papierze fotograficznym w zaleznosci od na¬ tezenia swiatla przy naswietlaniu. PL
Claims (3)
1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób pomiaru potencjalów elektrycznych pola, przy którym na podloze naklada sie elektrody wytwarzajace potencjal, a pole powstajace miedzy elektrodami wyznacza sie np. za pomoca czujnika i uwidocznia za pomoca odpowiednich urzadzen pomiaro¬ wych lub wzmacniajacych, znamienny tym, ze jako podloze stosuje sie material czuly na promieniowanie, w szczególnosci ma¬ terial fotochemiczny.
2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze material czuly na promieniowanie przed pomiarem poddaje sie przez oddzialywanie promieniami zmianom przewodnosci elek¬ trycznej dla odwzorowania róznych dielek¬ tryków lub wplywów przestrzennych albo innych czynników, przy czym miejsca ma¬ terialu, dla których zmiany sa nie pozada¬ ne, na przyklad zaslania sie.
3. Sposób wedlug zastrz. 1 i 2, znamienny tym, ze dla uzyskania ciaglej lub stopniowo wzrastajacej zmiany przewodnosci, podloze z materialu czulego na promieniowanie ustawia sie podczas napromieniowania w polozeniu nachylonym lub zakrzywionym wzgledem zródla promieniowania. VEB Transformatorenwerk Karl Liebknecht Zastepcy: Józef Felkner & Wanda Modlibowska rzecznicy patentowiDo opisu patentowego nr 44502 Fig 2 fig. t 541. RSW „Prasa", Kielce. PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL44502B1 true PL44502B1 (pl) | 1961-04-15 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Bergveld et al. | How electrical and chemical requirements for REFETs may coincide | |
| US2866903A (en) | Process for photoelectric reproductions and apparatus therefor | |
| Yamins et al. | A new method of studying the electrical properties of monomolecular films on liquids | |
| CN108801514A (zh) | 一种弹性应力分布传感阵列及其制备方法 | |
| IT7827836A0 (it) | A corrente dispersa di difetti apparecchiatura per la rilevazione sulla superficie esterna dimateriale rotondo o cilindrico, elettricamente conduttore | |
| SE7800886L (sv) | Kretsanordning for instellning av rorstrommen i en rontgengenerator | |
| BR7604583A (pt) | Sonda aperfeicoada para o controle de nivel de liquidos eletricamente condutores | |
| IT1055049B (it) | Mezzi di contrasto per raggi x somminstrabili per via orale e procedimento per la loro preparazione | |
| PL44502B1 (pl) | ||
| GB1257306A (pl) | ||
| GB1055911A (en) | Improvements in or relating to the measurement of the water content of flexible sheet materials | |
| FR2326708A1 (fr) | Procede et dispositif de mesure de la resistance electrique specifique de materiaux conducteurs et semi-conducteurs | |
| Torrisi et al. | Source-drain electrical conduction and radiation detection in graphene-based field effect transistor (GFET) | |
| JPS5775438A (en) | Semiconductor element | |
| FR2315694A1 (fr) | Appareil de determination des quantites de matiere par mesure du courant consomme par electrolyse | |
| JPS53129637A (en) | Mask for photoetching | |
| AR226245A1 (es) | Una pelicula delgada mejorada,particularmente util en la formacion de capas de pelicula aislantes o semiconductoras y el metodo para su obtencion | |
| JPS53148964A (en) | Processing system for semiconductor element sample | |
| SU834629A1 (ru) | Способ измерени индукции магнит-НОгО пОл | |
| JPS5543880A (en) | Non-contact measurement of semiconductor carrier concentration and conductivity by capacitance-coupling | |
| SU789733A1 (ru) | Способ неразрушающего контрол физико-механических свойств ферромагнитных изделий | |
| AR195045A1 (es) | Instrumentos de medicion electrica de corriente continua | |
| JPS5217073A (en) | Temperature detector | |
| SU396224A1 (ru) | ВС?СО.ОЗНАГ1 OAlurniD-YLXyn'I'JA^ | |
| JPS57120866A (en) | Resistance value measuring method of thin film resistance |