PL44502B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL44502B1
PL44502B1 PL44502A PL4450260A PL44502B1 PL 44502 B1 PL44502 B1 PL 44502B1 PL 44502 A PL44502 A PL 44502A PL 4450260 A PL4450260 A PL 4450260A PL 44502 B1 PL44502 B1 PL 44502B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
radiation
substrate
sensitive material
measuring
conductivity
Prior art date
Application number
PL44502A
Other languages
English (en)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of PL44502B1 publication Critical patent/PL44502B1/pl

Links

Description

Pomiar potencjalów elektrycznych pola lub innych odbywa sie na ogól w sposób elektroli¬ tyczny w tzw. wannie elektrolitycznej. Znane sa jednak sposoby, w których do tego celu stosuje sie warstwy pólprzewodnikowe z pa¬ pieru, tworzywa sztucznego itd., na których za pomoca czujników pomiarowych wyznacza sie linie ekwipotencjalne. Aczkolwiek zastosowa¬ nie warstw pólprzewodnikowych do pomiaru potencjalów elektrycznych pola przedstawia pewne zalety w porównaniu z wanna elektro¬ lityczna ze wzgledu na mniejszy naklad pracy i czasu wymaganego do pomiaru, jednak wy¬ stepuje przy tym caly szereg niedogodnosci.Szczególnie niedogodna rzecza jest to, ze w tego rodzaju metodzie pomiarowej nie mozna praktycznie przeprowadzic pomiarów z u- *) Wlasciciel patentu oswiadczyl, ze wspól¬ twórcami wynalazku sa dypl. inz. Kurt Ku- tschera i dr Georg Mierdel. wzglednieniem zjawisk przestrzennych. Poza tym zarówno w przypadku wanny elektroli¬ tycznej jak i przy zastosowaniu pólprzewodni¬ ków nie mozna uzyskac dokladnego odtworze¬ nia potencjalu elektrycznego pola na grani¬ cach róznych dielektryków, ze wzgledu na skonczona glebokosc elektrolitu lub grubosc pólprzewodnika.Przy zastosowaniu sposobu mierzenia poten¬ cjalu elektrycznego pola wedlug wynalazku, przy którym na podlozu sa umieszczone elek¬ trody wytwarzajace potencjal, a pole powstale miedzy elektrodami jest wyznaczone za pomo¬ ca czujnika i wskazywane za pomoca odpo¬ wiedniego urzadzenia pomiarowego wzglednie wzmacniajacego, unika sie wspomnianej nie*- dogodnosci przez zastosowanie jako podloza materialu czulego na promieniowanie, .a- w szczególnosci materialu fotochemicznego.Stosujac jako podloze taki material osiaga sie te zalete, ze przez ciagla zmiane natezeniapromieniowania mozna z latwoscia odtworzyc wplywy przestrzenne na plaskim odwzorowa¬ niu, awlaszcza w przypadku pól zakrzywio¬ nych, "•¦ a mianowicie 'przez napromieniowanie materialu osiaga sie pozadana przewodnosc dla uksztaltowania potencjalu elektrycznego pola. W celu otrzymania pozadanego rozkladu przewodnosci zródlo promieniowania moze byc poruszane przy jednoczesnej zmianie na¬ tezenia promieniowania lub zmianie szybkosci ruchu. Mozna równiez poruszac odpowiednia zaslone przed zródlem promieniowania. Mozna takze material czuly na promieniowanie usta¬ wiac ukosnie lub w polozeniu zakrzywionym wzgledem rozbieznego zródla promieniowania i w tym polozeniu go napromieniowywac. Ja¬ ko promienie dla przygotowania podloza po¬ miarowego stosuje sie w zaleznosci od materia¬ lu wszelkie promienie, jak nip. promienie swietlne, rentgenowskie itd.Przy pomocy takiego ukladu mozna z lat- wosciA odtworzyc na podlozu pomiarowym granice pomiedzy obszarami róznych dielek¬ tryków przez ostre odgraniczenie obszarów o róznej przewodnosci dokladniej niz w zna¬ nych podlozach pomiarowych np. pólprzewod¬ nikowych, poniewaz uczestniczaca w pomia¬ rze warstewka pomiarowa moze byc zna ciensza niz w znanych dotychczas ukladach.Na przyklad stosujac warstewke fotochemiczna mozna osiagnac grubosc 10 jx lub nawet mniej.Inna zaleta moze byc osiagnieta, jezeli np. w przypadku materialu fotochemicznego war¬ stewka zelatyny, znajdujaca sie pomiedzy ziar¬ nami srebra, ma wieksza przewodnosc elek¬ tryczna niz w zwyklym materiale fotograficz¬ nym lub tez jest zastapiona przez inna war¬ stewke o lepszej przewodnosci elektrycznej- W tym przypadku mozna sporzadzic podloze po¬ miarowe dla najrozmaitszych celów i róznych ukladów pomiarowych o pozadanej przewod¬ nosci podstawowej.Wynalazek jest blizej wyjasniony przy po¬ mocy dwóch szkiców, podajacych zasade wy¬ nalazku.Fig. 1 przedstawia odwzorowanie kondensato¬ ra kulowego, dla któregovpomiar rozkladu po¬ la ma byc przeprowadzony na podkaldzie 1 z materialu czulego na promieniowanie. Kon¬ densator ma rózne dielektryki, natomiast fig. 2 wyjasnia w jaki sposób jest przygotowany ma¬ terial czuly na promieniowanie dla pomiaru potencjalu elektrycznego pola, a mianowicie material, który dla uproszczenia dalszych roz¬ wazan mozna przyjac jako material fotoche¬ miczny. Na fig. 2 jest uwidoczniony wykres przewodnosci papieru fotograficznego w punk¬ tach oznaczonych na fig. 1 literami A — E.Mozna postepowac w ten sposób, aby obszar A — B pozostawal nienaswietlony, natomiast obszar B — C byl naswietlany punktowym zródlem swiatla przy ukosnym ustawieniu pa¬ pieru swiatloczulego. Obszar CD jest naswiet¬ lony podobnie jak BC ale swiatlem o mniej¬ szym natezeniu i wreszcie obszar DE pozostaje nienaiswietlony. W ten sposób otrzymuje sie na plaskim podlozu pomiarowym rozklad prze¬ wodnosci, który uwzglednia jako odwzorowa¬ nie wplywy przestrzenne na obiekt badany.Rózne przewodnosci otrzymuje sie jak wiado¬ mo na skutek zredukowanych ziarn srebra w papierze fotograficznym w zaleznosci od na¬ tezenia swiatla przy naswietlaniu. PL

Claims (3)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób pomiaru potencjalów elektrycznych pola, przy którym na podloze naklada sie elektrody wytwarzajace potencjal, a pole powstajace miedzy elektrodami wyznacza sie np. za pomoca czujnika i uwidocznia za pomoca odpowiednich urzadzen pomiaro¬ wych lub wzmacniajacych, znamienny tym, ze jako podloze stosuje sie material czuly na promieniowanie, w szczególnosci ma¬ terial fotochemiczny.
2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze material czuly na promieniowanie przed pomiarem poddaje sie przez oddzialywanie promieniami zmianom przewodnosci elek¬ trycznej dla odwzorowania róznych dielek¬ tryków lub wplywów przestrzennych albo innych czynników, przy czym miejsca ma¬ terialu, dla których zmiany sa nie pozada¬ ne, na przyklad zaslania sie.
3. Sposób wedlug zastrz. 1 i 2, znamienny tym, ze dla uzyskania ciaglej lub stopniowo wzrastajacej zmiany przewodnosci, podloze z materialu czulego na promieniowanie ustawia sie podczas napromieniowania w polozeniu nachylonym lub zakrzywionym wzgledem zródla promieniowania. VEB Transformatorenwerk Karl Liebknecht Zastepcy: Józef Felkner & Wanda Modlibowska rzecznicy patentowiDo opisu patentowego nr 44502 Fig 2 fig. t 541. RSW „Prasa", Kielce. PL
PL44502A 1960-03-04 PL44502B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL44502B1 true PL44502B1 (pl) 1961-04-15

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Bergveld et al. How electrical and chemical requirements for REFETs may coincide
US2866903A (en) Process for photoelectric reproductions and apparatus therefor
Yamins et al. A new method of studying the electrical properties of monomolecular films on liquids
CN108801514A (zh) 一种弹性应力分布传感阵列及其制备方法
IT7827836A0 (it) A corrente dispersa di difetti apparecchiatura per la rilevazione sulla superficie esterna dimateriale rotondo o cilindrico, elettricamente conduttore
SE7800886L (sv) Kretsanordning for instellning av rorstrommen i en rontgengenerator
BR7604583A (pt) Sonda aperfeicoada para o controle de nivel de liquidos eletricamente condutores
IT1055049B (it) Mezzi di contrasto per raggi x somminstrabili per via orale e procedimento per la loro preparazione
PL44502B1 (pl)
GB1257306A (pl)
GB1055911A (en) Improvements in or relating to the measurement of the water content of flexible sheet materials
FR2326708A1 (fr) Procede et dispositif de mesure de la resistance electrique specifique de materiaux conducteurs et semi-conducteurs
Torrisi et al. Source-drain electrical conduction and radiation detection in graphene-based field effect transistor (GFET)
JPS5775438A (en) Semiconductor element
FR2315694A1 (fr) Appareil de determination des quantites de matiere par mesure du courant consomme par electrolyse
JPS53129637A (en) Mask for photoetching
AR226245A1 (es) Una pelicula delgada mejorada,particularmente util en la formacion de capas de pelicula aislantes o semiconductoras y el metodo para su obtencion
JPS53148964A (en) Processing system for semiconductor element sample
SU834629A1 (ru) Способ измерени индукции магнит-НОгО пОл
JPS5543880A (en) Non-contact measurement of semiconductor carrier concentration and conductivity by capacitance-coupling
SU789733A1 (ru) Способ неразрушающего контрол физико-механических свойств ферромагнитных изделий
AR195045A1 (es) Instrumentos de medicion electrica de corriente continua
JPS5217073A (en) Temperature detector
SU396224A1 (ru) ВС?СО.ОЗНАГ1 OAlurniD-YLXyn'I'JA^
JPS57120866A (en) Resistance value measuring method of thin film resistance