PL43601B1 - - Google Patents

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwa¬ rzania ukladów pólprzewodzacych elektrod ta¬ kich jak tranzystory i diody krystaliczne zawie¬ rajace pólprzewodnikowy elemient skladajacy sie na przyklad z germanu lub krzemu, z któ¬ rym spojona jest przynajmniej jedna elektro¬ da skladajaca sie ze stopu alumiinium i z przy¬ najmniej jeszcze jednego silnika.Wytwarzanie takich ukladów uskutecznia sie przez wykonanie malych elementów, na przy¬ klad w postaci kulek ze stopu zawierajacego aluminium i nastepnie spajania ich z elementem pólprzewodnikowym.Takie stopy, nawet jesli zawieraja bardzo mala ilosc aluminium, nie przywieraja zada¬ walajaco do elementów pólprziewodzacych, prawdopodobnie wskutek natychmiaistowego po¬ krywania sie tych stopów przy zetknieciu z tle¬ nem, cienka warstwa tlenku glinowego.Zadaniem wynalazku jest wytwarzanie w pro- (rty sposób elektrod zawierajacych aluminium.Wynalazek opiera sie na zjawisku, ze latwiej jest spowodowac spojenie siie aluminium lub jego stopu z metalem lub stopem juz spojonym z elementem pólprzewodzacym, niz z samym elementem pólprzewodzacym.Wedlug wynalazku, najpierw stapia sie z e- lementem pólprzewodzacym drugi skladnik elek¬ trody, po czym aluminium albo jego stop na¬ klada sie na drugi skladnik i zespala sie z nim.Aluminium moze byc czystym metalem lub w postadi stopu z innym piierwftasitkiem. Ilosc aluminium lub jego stopu dodanego w ten" spo¬ sób moze byc tak mala, ze stosunek aluminium do ostatecznie wytworzonej elektrody jest mniejszy niz 5°/o.Aluminium lub jego stop naklada sie naj¬ korzystniej w postaci drobnego proszku, roz¬ proszonego w srodowisku wiazacym. Przed na¬ lozeniem aluminium lub jego stopu, drugi sklad¬ nik stopiony z elementem pólprzewodzacym do¬ prowadza sie do stanu stalego przez ochlodzenie go. Taki sposób postepowania umozliwila', ze tto46 dodan&go' altinDiiiiuni moze wahac sie w stosunkowo szerokich granicach.Ponizej sa opisane dwa przyklady wykonania sposobu wytwarzania ukladu pólpirzewodzacyeh etekjrod wedlug wynalaizku.Plg. 1 do 5 uwidacznia poprzeczne przekroje tranzystora w kolejnych etapach jego wyko¬ nania. * Na pólprzewodnikowym elemencie 1, sklada¬ jacym sie z germanu typu n posiadajacego wla¬ sciwa opornosc 3Q on i grubosc 150 mikro¬ nów, jeslt umieszczona olowiana kulka 2 (fig. 1).Nastepnie czesci te spaja sie ze soba w uchwy¬ cie (nie przedstawionym na rysunku), w tem¬ peraturze 600°C, wskutek czego wytwarza sie zespojony element 3 (fig. 2), skladajacy sie z olowiu z zawartoscia malej ilosci geirmanu.Po odwróceniu spojonego elementu 3, po¬ wyzszy zabieg zostaje powtórzony na drugiej stronie elementu 1 (fig. 3).Nastepnie mala ilosc sproszkowanego alumi¬ nium 4, rozproszonego w stosunku 40 g alumi¬ nium w roztworze 20) g metakrylanu w 100 c3 ksylenu, naklada sie na oba elementy, przy czym ilosc nalozonego rozproszonego aluminium nlie jest krytyczna.Po ulotnieniu sie osrodka wiazacego, calosc zostaje znów nagrzana do temperatury 750°C.Wytworzone elektrody 5 (fig. 5) ipo ostygnieciu zawieraja taka ilosc aluminium, ze stanowia 'polaczenie z pólprzewodzacym elementem 1.Ponadto niieprostownicze polaczenie 6 sklada¬ jace sie z drutu niklowego moze byc nalozone na element 1 w zwykly sposób za 'pomoca spo¬ iwa 7.Utworzony w ten sposób tranzystor, w któ¬ rym jedna z elektrod 5 moze byc stosowana jako elektroda emitujaca, druga zas jako elek¬ troda zbiorcza tranzystora, których funkcje mo¬ ga byc na zyczenie zamienione. Polaczenie 6 ¦moze byc stosowane jako zasadnicze polaczenie tranzystora. W przypadku zastosowania poten¬ cjalu miedzy jedna z elektrod 5, uzyta jako elektroda emitujaca, a zasadniczym polaczeniem 6 w kierunku przewodzenia miedzy elektroda emitujaca a pólprzewodzacym elementem, sprawnosc emitowania bedzie znaczna. Przez okreslenie sprawnosci emitowania oznacza sde stosunek miedzy liczba nosników ladunku, wy¬ chodzacych z narzadu emitujacego do elementu pólprzewodzacego (w tym przypadku otworów dodatnich), a glówna liczba nosników ladunku, przechodzacych przez polaczenie prostownicze miedzy elektroda emitujaca a elementem pól- przewodizacym.Stosuje sie równiez inny podobny sposób w którym sproszkowane aluminium zastepuje sie proszkiem skladajacym sie z 28% aluminium i 72% srebra, przy czym proszek ten topi sie w temperaturze okolo 500°C, który moze byc spojony z ijiuz spojonym skladnikiem 3 w tem¬ peraturze cokolwijek wyzszej, niz temperatura topnienia tego proszku na przyklad w tempe¬ raturze 600°C. — ~ PL

Claims (3)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania ukladu pólprzewodza- cych elektrod, takich jak tranzystor albo dioda krystaliczna, która zawiera element pólprzewodnikowy, z którym spojona jest przynajmniej jedna elektroda, skladajaca sie ze stopu aluminium i przynajmniej jednego innego skladnika, znamienny tym, ze naj¬ pierw stapia sie z elementem pólprzewo- dzacym drugi skladnik elektrody (np. metal lub jego stop) z elementem pólprzewodni¬ kowym, po czym aluminium lub jego stop naklada sie na drugi skladnik i zespala z nim.
2. 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamóenny tym, ze aluminium lub'jego stop sitosiuje sie w posta¬ ci mialkiego proszku, rozproszonego w sro¬ dowisku wiazacym.
3. 3. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym ze drugi skladnik elektrody stopiony z elemen¬ tem pólprzewodzacym doprowadza sie do stanu stalego przez jego ochlodzenie, zanim zastosuje /sie spojenie aluminium' albo jego stopu z juz spojonym elementem pólprzewod¬ nikowym. N.V. Philips' Gloeilampenf abr ieken Zastepca: mgr Józef Kaminski rzecznik patentowyDo opisu patentowego nr 43601 FIGI FIG2 rr3 ^3 FIG. 3 <- FIG.4 k* FIG5 BHk 10*7 4. 21. 6. 60. 1ÓÓ+2S. 65. PL