PL408429A1 - Dioda superluminescencyjna na bazie AlInGaN - Google Patents

Dioda superluminescencyjna na bazie AlInGaN

Info

Publication number
PL408429A1
PL408429A1 PL408429A PL40842914A PL408429A1 PL 408429 A1 PL408429 A1 PL 408429A1 PL 408429 A PL408429 A PL 408429A PL 40842914 A PL40842914 A PL 40842914A PL 408429 A1 PL408429 A1 PL 408429A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
layer
electrical conductivity
type electrical
alingan
optical fiber
Prior art date
Application number
PL408429A
Other languages
English (en)
Other versions
PL224641B1 (pl
Inventor
Piotr Perlin
Anna Kafar
Irina Makarowa
Szymon Stańczyk
Original Assignee
Wrocławskie Centrum Badań Eit + Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wrocławskie Centrum Badań Eit + Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością filed Critical Wrocławskie Centrum Badań Eit + Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością
Priority to PL408429A priority Critical patent/PL224641B1/pl
Priority to PCT/PL2015/050020 priority patent/WO2015187046A1/en
Publication of PL408429A1 publication Critical patent/PL408429A1/pl
Publication of PL224641B1 publication Critical patent/PL224641B1/pl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004—Devices characterised by their operation
    • H01L33/0045—Devices characterised by their operation the devices being superluminescent diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

Przedmiotem wynalazku jest dioda superluminescencyjna na bazie stopu AlInGaN, zawierająca podłoże półprzewodnikowe (1), dolną warstwę okładkową (2) o przewodnictwie elektrycznym typu n, dolną warstwę światłowodową (3) o przewodnictwie elektrycznym typu n, warstwę emitującą światło (4), warstwę blokującą elektrony (5) o przewodnictwie elektrycznym typu p, górną warstwę światłowodu (6), górną warstwę okładkową (7) o przewodnictwie elektrycznym typu p, warstwę podkontaktową (8) domieszkowaną akceptorami powyżej koncentracji 1020 cm-3 oraz warstwę antyrefleksyjną naniesioną na okno wyjściowe falowodu, przy czym warstwa antyrefleksyjna zawiera nanocząstki dielektryka o największym wymiarze geometrycznym mniejszym niż długość fali emitowanego przez diodę światła.
PL408429A 2014-06-03 2014-06-03 Dioda superluminescencyjna na bazie AlInGaN PL224641B1 (pl)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL408429A PL224641B1 (pl) 2014-06-03 2014-06-03 Dioda superluminescencyjna na bazie AlInGaN
PCT/PL2015/050020 WO2015187046A1 (en) 2014-06-03 2015-06-02 Alingan-based superluminescent diode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL408429A PL224641B1 (pl) 2014-06-03 2014-06-03 Dioda superluminescencyjna na bazie AlInGaN

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL408429A1 true PL408429A1 (pl) 2015-12-07
PL224641B1 PL224641B1 (pl) 2017-01-31

Family

ID=54767027

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL408429A PL224641B1 (pl) 2014-06-03 2014-06-03 Dioda superluminescencyjna na bazie AlInGaN

Country Status (2)

Country Link
PL (1) PL224641B1 (pl)
WO (1) WO2015187046A1 (pl)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL228006B1 (pl) 2015-09-23 2018-02-28 Inst Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk Dioda superluminescencyjna na bazie stopu AlInGaN
GB2580956B (en) * 2019-01-31 2023-01-25 Exalos Ag Amplified Spontaneous Emission Semiconductor Source

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4634928A (en) * 1985-04-19 1987-01-06 Trw Inc. Superluminescent light-emitting diode and related method
JPH0682863B2 (ja) * 1987-12-02 1994-10-19 日本電信電話株式会社 発光ダイオード
US6586762B2 (en) 2000-07-07 2003-07-01 Nichia Corporation Nitride semiconductor device with improved lifetime and high output power
KR100842277B1 (ko) * 2006-12-07 2008-06-30 한국전자통신연구원 반사형 반도체 광증폭기 및 수퍼 루미네센스 다이오드
KR20120104985A (ko) * 2009-11-03 2012-09-24 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 결정 식각에 의한 초발광 다이오드
JP5568406B2 (ja) * 2010-08-18 2014-08-06 パナソニック株式会社 スーパールミネッセントダイオード
US9158057B2 (en) 2012-05-18 2015-10-13 Gerard A Alphonse Semiconductor light source free from facet reflections

Also Published As

Publication number Publication date
PL224641B1 (pl) 2017-01-31
WO2015187046A1 (en) 2015-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EA201890167A1 (ru) Светодиоды и фотодетекторы, сформированные из нанопроводников/нанопирамид
EP4235823A3 (en) Compact light emitting diode chip
WO2014167455A3 (en) Top emitting semiconductor light emitting device
MY170159A (en) Organic light emitting diode with light extracting layer
TW200711177A (en) Roughened high refractive index layer/LED for high light extraction
EP2432036A3 (en) Light emitting diode
JP2013175470A5 (pl)
EA201201243A1 (ru) ГЕТЕРОСТРУКТУРА НА ОСНОВЕ ТВЁРДОГО РАСТВОРА GaInAsSb, СПОСОБ ЕЁ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И СВЕТОДИОД НА ОСНОВЕ ЭТОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
TW200707785A (en) Light-emitting devices with high extraction efficiency
WO2012039754A3 (en) Light emitting and lasing semiconductor methods and devices
TW200715618A (en) Nitride-based light emitting device and manufacturing method thereof
BR112015024407A2 (pt) diodo eletroluminescente
FI20135967L (fi) Asennustason monitoiminen kapselointikerros ja menetelmä sen valmistamiseksi
GB2557303A8 (en) Photodiode device and method of manufacture
EA201692520A1 (ru) Фотоэлектрический элемент
PL408429A1 (pl) Dioda superluminescencyjna na bazie AlInGaN
WO2015008189A3 (en) Dicing a wafer of light emitting devices
EP2698832A3 (en) Semiconductor light emitting device
EA201990029A1 (ru) Прибор на органических светодиодах и устройство отображения
MY176206A (en) Organic light emitting diode with light extracting electrode
US20130341591A1 (en) Light emitting diode structure and manufacturing method thereof
PL414739A1 (pl) Dioda laserowa na bazie stopu AllnGaN
WO2019045652A3 (en) PHOTODETECTOR
JP2013140983A5 (pl)
PL414077A1 (pl) Dioda superluminescencyjna na bazie stopu AllnGaN