Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Technologii ElektronowejfiledCriticalInstytut Technologii Elektronowej
Priority to PL402008ApriorityCriticalpatent/PL219980B1/pl
Publication of PL402008A1publicationCriticalpatent/PL402008A1/pl
Publication of PL219980B1publicationCriticalpatent/PL219980B1/pl
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania nanosłupków azotku galu (GaN) na ściśle określonym obszarze powierzchni GaN. W sposobie tym, najpierw na powierzchni azotku galu GaN, za pomocą litografii, i osadzania warstwy metalicznej, określa się obszary, w których wytworzone zostaną nanosłupki. Następnie powierzchnię GaN wraz z warstwą metaliczną trawi się plazmą indukcyjnie sprzężoną o składzie Cl2/BCl3, przy zerowym napięciu na dolnej elektrodzie reaktora.
PL402008A2012-12-112012-12-11Sposób wytwarzania nanosłupków GaN
PL219980B1
(pl)
ELECTRICALLY CONDUCTIVE NANODRAHT NETWORK, ELECTRICALLY CONDUCTIVE SUBSTRATE AND TRANSPARENT ELECTRODE THEREFOR, AND METHOD FOR PRODUCING THE ELECTRICALLY CONDUCTIVE NANODRAHT NETWORK, THE ELECTRICALLY CONDUCTIVE SUBSTRATE AND THE TRANSPARENT ELECTRODE
Soldadura por proyección a una segunda lámina metálica a soldar encima de una primera lámina metálica, que es de metal o aleación de metal no ferroso teniendo, como componente principal, aluminio o magnesio, con una proyección alargada extendida localmente por encima de la superficie superior y principal de la primera lámina