PL38772B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL38772B1 PL38772B1 PL38772A PL3877254A PL38772B1 PL 38772 B1 PL38772 B1 PL 38772B1 PL 38772 A PL38772 A PL 38772A PL 3877254 A PL3877254 A PL 3877254A PL 38772 B1 PL38772 B1 PL 38772B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- silica
- silicon
- component
- oxide
- silicides
- Prior art date
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 92
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 40
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 32
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 31
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 20
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 17
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 15
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 15
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 13
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 8
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 229910000953 kanthal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 28
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 239000000047 product Substances 0.000 description 8
- 229910020968 MoSi2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 5
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 4
- IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N dihydroxy(oxo)silane Chemical compound O[Si](O)=O IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 2
- -1 silicide compound Chemical class 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021359 Chromium(II) silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000723368 Conium Species 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001676573 Minium Species 0.000 description 1
- 241000742170 Mosia Species 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008814 WSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001093 Zr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- QZVSYHUREAVHQG-UHFFFAOYSA-N diberyllium;silicate Chemical compound [Be+2].[Be+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] QZVSYHUREAVHQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 210000000744 eyelid Anatomy 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 1
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000012254 powdered material Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000003303 reheating Methods 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- ZCUFMDLYAMJYST-UHFFFAOYSA-N thorium dioxide Chemical compound O=[Th]=O ZCUFMDLYAMJYST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003452 thorium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
— 13 Wiadomo, ze stopy zawierajace krzem prze¬ ciwstawiaja sie korozji na ogól znacznie lepiej, .niz odnosne metale czyste. Odnosi sie to zwla¬ szcza do ich odpornosci na utlenianie w tempe¬ raturze wysokiej, co sie zdarza zwlaszcza w sto¬ pach z krzemem metali grupy IV, V i VI ukla¬ du okresowego. Juz Moissan wykryl przy pró¬ bach ze zwiazkami o wysokiej temperaturze to¬ pnienia, iz faza posrednia MoSi2 jest nadspodzie¬ wanie odporna na utlenianie w temperaturze czerwonego zaru. Tego samego spostrzezenia dokonal Watts, który wskazal w rozprawie z ro¬ ku 1903 (University of Wisconsin) na trwalosc tego zwiazku i podobnych mu zwiazków. Takie same spostrzezenia opisal równiez Hónigschmied w swej ksiazce „Karbide und Silicide". Nernst w patencie swym z roku 1904 proponowal stoso¬ wanie stopów Si, Ti i Zr, jak równiez Th do wy¬ twarzania elektrycznych elementów grzejnych W patencie niemieckim 294267 Wedekind oma¬ wiajac sposób wytwarzania krzemków wskazal, ze podobne krzemki mozna stosowac do wyrobu elementów zairzacych i jarzacych. Spostrzezenia te zrealizowano w praktyce tylko w czasach ostatnich na skutek tego, ze krzemki wykazuja na ogól niedostateczne wlasciwosci mechaniczne.Wielkie wysilki byly dokonane obecnie w ce¬ lu wytworzenia tworzyw, które nadawalyby sie do zastosowania w temperaturze wysokiej, a mianowicie w temperaturze 1400 — 1800°C, re¬ zultatem czego sa liczne propozycje wykorzy¬ stania szczególnych wlasciwosci krzemków. Itak Campbell i wspólpracownicy zaproponowali w „Journal of Elektrochemical Society" z roku 1947 osadzanie krzemu z mieszaniny SiCl4 i Hgna drucie lub innymi przedmiocie molibdeno¬ wym, który ogrzewa sie uprzednio do tempera¬ tury 1000°C i wyzszej. W ten sposób wytwarza sie powloke zasadniczo z MoSi2, która znakomi¬ cie przeciwdziala utlenianiu i zabezpiecza znaj¬ dujacy sie pod nia metal przed korozja. W ten sposób osadzono Si, np. na przedmiotach z W i Ta, otrzymujac powloke z odpowiednich dwu- krzemków. Kieffer i wspólpracownicy propono¬ wali wytwarzac powloki ze stopu krzemowo-alu- miniowego, np. na drutach molibdenowych przez zanurzanie takiego drutu w roztopionym stopie.Podczas ogrzewania w atmosferze, powloka utworzona na drucie utlenia sie na krzemian (zasadniczo na 3AI2O3 . 2S1O2), który zabezpie¬ cza znajdujacy sie pod powloka metal przed utlenianiem. Oba wspomniane sposoby nie zys¬ kaly w praktyce znaczenia, gdyz powloka taka zabezpiecza tworzywo przed utlenianiem tylko dopóty, dopóki nie zostanie ona uszkodzona. Po¬ niewaz powieka ta jest stosunkowo lamliwa, lat¬ wo sie wiec tworza przy manipulacjach goto¬ wym produktem pekniecia, które ulatwiaja che¬ miczne nadzeranie materialu pokrytego powlo¬ ka. Ponadto dalsza niedogodnosc stanowi oko¬ licznosc, ze krzem zawarty w powloce stykajac sie z atmosfera ulega czesciowemu utlenianiu na Si02, a czesciowo przenika do materialu znaj¬ dujacego sie pod powloka, wskutek caego jego zawartosc w powloce maleje stopniowo i osta¬ tecznie spada ponizej minimalnej ilosci niezbed¬ nej do osiagniecia zadawalajacej odpornosci na korozje.Z powyzszych wzgledów zaproponowano wy¬ twarzac material calkowicie z.krzemków, na przyklad w rozprawie Fitzera (Berg- und Hut- tenm&nnisches Monatsheft 1952) oraz Kieffer'a i wspólpracowników (Journal Metal 1952) stwier- < dzono, ze odpornosc na utlenianie wspomnianych materialów, a przede wszystkim krzemków Mo, W, Cr i Ta jest dostateczna w temperaturze po¬ wyzej 1700°C. Blizsze dane praktyczne mozna zaczerpnac ze znanych ogólnie sposobów, pole¬ gajacych na stosowaniu materialów w postaci proszków. Tego rodzaju produkty wykazuja jed¬ nak te niedogodnosc, iz w postaci faz posred¬ nich sa lamliwe. Pod wzgledem wytrzymalosci mechanicznej krzemki mozna porównac z mate¬ rialem ceramicznym, nie wykazujace plastycz¬ nosci w temperaturze zwyklej; posiadaja one te wlasciwosc w temperaturze charakterystycznej dla kazdego zwiazku, np. dla MoSi2 temperatu¬ ra ta wynosi okolo 1600°C.Mechaniczna wytrzymalosc produktów krzem- kowych mozna polepszyc przez dodanie innych metali, zalecane np. przez Kicffer'a (w czasopis¬ mie Metali 1952). Mial on na celu wytworzenie materialu o budowie podobnej do weglików me¬ tali twardych, w którym czastki krzemku byly¬ by scementowane z materialem latwiej topli- wym. W ten sposób jest rzecza mozliwa polep¬ szenie wytrzymalosci mechanicznej tworzywa, lecz stwierdzono pózniej, iz zdolnosc zwiazków przeciwstawiania sie utlenianiu zmniejsza sie tak dalece, iz produkt w praktyce nie nadaje sie do zastosowania w temperaturze wysokiej. Wypró¬ bowano znaczna ilosc tych dodatków, lecz próby daly wyniki niezadawalajace.Proponowano równiez dodawanie materialu ceramicznego do krzemków sposobem hutni¬ czym w postaci proszków (Kieffer, Metali 1952).Okazalo sie to rzecza bardzo trudna czesciowo z tego wzgledu, iz miedzy krzemkami i materia¬ lem ceramicznym zachodza reakcje niepozadane, a czesciowo ze wzgledu na trudnosc stopienia podobnego polaczenia, które byloby wolne od por. W temperaturze roboczej, tj w tempera¬ turze 1400 — 1800°C krzem zawarty w krzem¬ kach wykazuje tak wysoka aktywnosc, iz nie¬ które tlenki odtleniaja sie w pewnym stopniu i wytwarzaja niepozadane produkty reakcji.Sproszkowane mieszaniiny krzemków i materia¬ lów ceramicznych trudno jest stopic w ten spo¬ sób, aby byty one wokie od por, tak iz na ogól nalezy brac pod uwage istnienie pewnej poro¬ watosci i odnosi sie to do wiekszosci mieszanin krzemków i materialów ceramicznych. Poniewaz stopien utleniania pewnych materialów jest w pneyblizeniu proporcjonalny do powierzchniutle¬ nianej i nawet umiarkowana liczba por pola¬ czonych z atmosfera powoduje znaczne zwiek¬ szenie wspomnianej powierzchni utleniania.Nadzeranie zwiazków porowatych Jest znacznie szybsze, niz powierzchni pozbawione} por, w któ¬ rej tylko zewnetrzna powierzchnia ulega utle¬ nieniu. Porowatosc posiada równiez zasadnicze znaczenie dla wytrzymalosci mechafnicznej pro¬ duktów. Na przyklad RyszMewicz stwierdzil (Journal of the Ceramical Society of America 1953), iz porowatosc 10%-owa powoduje zmniej¬ szenie wytrzymalosci mechanicznej w przyblize¬ niu o 50"/V Dalszy problem tego rodzaju polaczen sta¬ nowi kontrola przewodnictwa elektrycznego i wspólczynnika (rozszerzalnosci cieplnej w przy¬ padku, gdy tego rodzaju polaczenia sa uzywane jako elementy grzejne w piecach elektrycznych.Jest rzecza oczywista, iz w polaczeniu utworzo¬ nym z bardzo rozdrobnionej mieszaniny meta¬ licznego materialu przewodzacego elektrycznie, -2-jak krzemek 1 materialu izolacyjnego, jak np. materialu ceramicznego przewodnictwo bedzie tym nizsze, im wyzsza jest procentowa zawar¬ tosc skladnika ceramicznego w polaczeniu. Przy zawartosci 70 — 80% wagowych materialu ce¬ ramicznego polaczenie to nie posiada juz prze¬ wodnictwa materialu metalicznego, gdyz bezpo¬ sredni kontakt elektryczny miedzy czastkami przewodzacymi jest przerwany.Wspólczynnik rozszerzalnosci cieplnej zalezy od skladnika przewodzacego elektrycznie. Wa¬ runki te zmieniaja sie w temperaturze wyso¬ kiej, gdy wieksza czesc materialów ceramicz¬ nych wykazuje pewne przewodnictwo, które na ogól wzrasta gwaltownie wraz z temperatura.Przewodnictwo polaczenia wedlug powyzszego zalezy wiec w temperaturze niskiej zasadniczo od skladnika metalicznego, w danym przypadku od zawartosci krzemku, lecz w temperaturze wyzszej okolo 800 — 10009 C zalezy ono coraz bardziej od skladnika ceramicznego. Z powyz¬ szego wynika, ze przewodnictwo cieplne w pew¬ nej temperaturze jest maksymalne, w innej zas minimalne, co stanowi znaczna trudnosc przy zastosowaniu w praktyce elementów z takiego tworzywa, gdyz niezbedne urzadzenia pomiaro¬ we musialyby byc stosunkowo bardzo zlozone.Wykryto obecnie, ze wspomniane trudnosci moga byc w znacznym stopniu usuniete przez odpowiedni dobór krzemków i zmieszanie ich z materialami ceramicznymi wedlug pewnej za¬ sady. Wazna jest ta okolicznosc, aby krzemki i material ceramiczny wykazywaly pewna za¬ wartosc krzemu. iPbd wyrazeniem ^skladnik krzemkowy" rozumie sie zwiazek krzemku, mieszanine krzemków, ich roztwory stale lub tez jeden lub wiecej zwiazków chemicznych krzem¬ ków. W skladniku krzemkowym rozumie sie za¬ wartosc Si winna byc tak wysoka, aby mógl sie wytworzyc krzemek odporny na utlenianie a je¬ go zawartosc, jak wykryto obecnie, w skladniku krzemkowym powinna wynosic w zwiazku z tym co najmniej 10%. Nizsza zawartosc krzemu nie wystarcza do wytworzenia dostatecznie zabez¬ pieczajacej powloki Si02 na powierzchni cza¬ stek. Wykryto ponadto, ze zawartosc krzemu nie powinna przekraczac 70%, poniewaz tempe¬ ratura! topnienia przy wyzszej zawartosci krze¬ mu jest tak niska, iz skladnik krzemkowy w praktyce nie moze byc uzyty. Rozumie sie, iz temperatura topnienia skladnika * krzemkowego w stanie równowagi musi byc znacznie wyzsza, niz temperatura w jakiej pracuje wyrób goto¬ wy i w kazdym badz razie wyzsza niz 1400*0.W wyrazemu „skladnik tlenkowy" uzytym po¬ nizej rozumie sie sklidnik ceramiczny kompo¬ zycji, utworzony z tlenku lub mieszaniny tlen¬ ków albo roetworu stalego tlenków lub tez jed¬ nego lub wiecej zwiazków chemicznych tlen¬ ków. W skladniku tlenkowym zawartosc krze¬ mu jest na ogól znacznie nizsza, niz w skladni¬ ku krzemkowym. Wedlug wynalazku skladnik tlenkowy moze byc utworzony z czystego Si02, a najwyzsza granica zawartosci Si odpowiada czystemu dwutlenkowi krzemu, czyli wynosi 47%. W wiekszosci przypadków skladnik tlen¬ kowy zawiera inne tlenki i wieksza czesc sklad¬ nika tlenkowego jest utworzona z innego tlenku niz Si02. Doswiadczenia wykazaly, ze zawartosc tylko 1% Si02 posiada 4ecy porowatosc materialu pewnych kompozycji, przy czym porowatosc ta zostaje zmniejszona dzieki tak nieznacznej obecnosci Si02 z okolo 10 do 3%. Jednakze, zawartosc Si w skladniku tlen¬ kowym nie powinna byc nizsza niz 0,5%, gdyz nizsza zawartosc Si02 nie wykazuje dostateczne¬ go wpilywu naporowatosc. ' Stosunek ilosci skladnika krzemkowego do skladnika tlenkowego w tej kompozycji posiada wielkie znaczenie ze wzgledu na wlasciwosci, jakie zamierza sie osiagnajc. Powyzej podano, iz przy zawartosci skladnika tlenkowego, przewyz¬ szajacej 70 — 80% i zaleznej od doboru sklad¬ ników, nie mozna byc pewnym, aby koncowy produkt ostateczny wykazywal dostateczne prze¬ wodnictwo elektryczne, Zarwartosc wiec sklad¬ nika tlenkowego nie powinna przewyzszac 80% kompozycji. Z drugiej zasr strony wykryto, ze w pewnych przypadkach bardzo niska zawar¬ tosc skladnika tlenkowego posiada decydujacy wplyw na wlasciwosci materialów, zwlaszcza gdy skladnik tlenkowy stanowi czysty SiO*. Wy¬ kryto obecnie, iz zawartosc skladnika tlenko¬ wego tylko w ilosci 0,1% ulatwia znacznie spie¬ kanie i tworzenie sie produktów pozbawionych por. Wedlug wynalazku 20 — 80% skladnika krzemkowego moze sie skladac z krzemków co najmniej jednego z metali W, Mo, Cr, Tfc, Nb, V, Hf, Zr i TL W celu zmiany wlasciwosci sklad¬ nika krzemkowego dodaje sie jednego lub wie¬ cej z nastepujacych metali: Al, Be, S, Ca, Ce, Co, Cu, Mg, Fe, Mn i NL Wspomniiiany dodatek nie powinien przewyzszac jednak 30% skladni¬ ka krzemkowego.Przy dodawaniu dio krzemu 1 — 88% sklad¬ nika tlenkowego moze sie skladac z co najmniej jednego metalu grupy zawierajacej Zr, Se, Al, l*h, Ce i innych metali ziem rzadkich a ponad¬ to oczywiscie z pewnej ilosci tlenu niezbednego do utworzenia tlenku; który bylby trwaly w - 3temperaturze wchodzacej w gre. Do powyzej wspomnianych metali mozna dodac ponadto ma¬ le ilosci innych metali dodawanych w celu ich przemiany lub utrwalenia tych tlenków lub zmiany ich przewodnosci elektrycznej w tempe¬ raturze pokojowej lub temperaturze wyzszej.Wiadomo np* iz dodatek do ZrC2 nieduzej ilosci MgO lub CaO utrwala faze tetragonalna. Jesli jest rzecza pozadana dokonanie zmiany powyz¬ szej stwierdzono, ze najodpowiedniejszym jest sposród wspomnianych krzemków krzemek mo¬ libdenu MoSi2 ze wzgledu na swoja temperatu¬ re topnienia i odpornosc na utlenianie.Sposród tlenków tlenek toru ma najwyzsza temperature topnienia, lecz ze wzgledu na swa wysoka cene znalazl tylko ograniczone zastoso¬ wanie. Z wielu wzgledów odpowiednim sklad¬ nikiem tlenkowym jest skladnik stanowiacy 5 .— 50% tworzywa kompozycyjnego, który za¬ wiera przewaznie ZrOa co najmniej w ilosci 5% ciezarowe, obliczonej w stosunku do ciezaru tworzywa kompozycyjnego i ustabilizowany, jak podano powyzej, i który zawiera SK2 co naj¬ mniej w ilosci 1% dezarowo. Wiadomo, ze spo¬ sród materialów ceramicznych ZrSi04 wykazuje szczególnie dobre wlasciwosci pod wzgledem wytrzymalosci mechanicznej i trwalosci na ude¬ rzenie. Jezeli nawet zwiazek ten nie jest trwar- ly w temperaturze "wysokiej, zwlaszcza w wa¬ runkach odtleniajacych wykryto, iz nadaja sie najbardziej zwiazki tlenkowe typu Zr02 + ZrSi04 i ZrSi04 + S102.Przewodnictwo cieplne tego materialu posia¬ da wielkie znaczenie. Nalezy wziac pod uwage, iz podobne materialy ogrzewane w bardzo wy¬ sokiej temperaturze moga byc nagle ochladzane i jesli przewodnosc cieplna tego materialu jest niedostateczna, wystepuja w nim mechaniczna naprezenia miedzy zewnetrznymi czesciami chlo¬ dzonymi i wewnetrznymi czesciami, które sa je¬ szcze gorace. Naprezenia te moga wywolac two¬ rzenie sie pekniec i zniszczenie materialu. Je¬ zeli nawet próby praktyczne wykazaly, ze pek¬ niecia utworzone w ten sposób czesto wzrastaja przy ponownym ogrzewaniu, ma to miejsce tyl¬ ko wówczas, gdy pekniecia te sa nadzwyczaj ma¬ le. Jest rzecza interesujaca, iz tego rodzaju pek¬ niecia w temperaturze wysokiej, nie zmniejsza¬ ja przewodnosci elektrycznej materialu w roz¬ miarach, jakichby nalezalo oczekiwac gdyby prad przeplywal przez szczeliny o przekroju po pod¬ daniu materialu ochladzaniu. Prawdopodobnie spowodowane jest to tym, iz gazy wypelniajace mikroskopijne pekniecia ulegaja jonizacji w wy¬ sokiej temperaturze, tak iz przewodza one prad elektryczny. ^ i Wykryto, ze jest rzecza korzystna, aby mate¬ rial wyjsciowy byl bardzo dokladnie rozdrob¬ niony. Okolicznosc ta ulatwia spiekanie bez wytwarzania sie znaczniejszej ilosci por. Ponad¬ to nadaje materialowi lepsze wlasciwosci me¬ chaniczne i zmniejsza mozliwosc tworzenia sie pekniec spowodowanych naprezeniami mechani¬ cznymi, wywolanymi dzialaniem ciepla.Na ogól material surowy winien byc rozdrob¬ niony do wielkosci ziam 1 — 5 mikronów lub co najwyzej do 10 mikronów. Jednak wykrvto, ze w przypadku uzycia materialów bardzo spe¬ cjalnych, gdy zawieraja one skladniki krzemko- we o wysokiej zawartosci krzemu, korzystne jest, aby czastki skladnika krzemkowego mialy wiel¬ kosc 0,5 — 1,0 mm. Tlumaczy sie to tym, ze calkowita powierzchnia krzemku jest przez to znacznie zmniejszona i odpada niebezpieczenstwo zachodzenia reakcji z otaczajacym go skladni¬ kiem tlenkowym.Przyklad I. MoSi2 o wielkosci czastek okolo 5 mikronów miesza sie z Si02 w ilosci 0,2% w stosunku do calkowitego ciezaru wspom¬ nianego tlenku, przy czym tlenek ten ma postac zelu i jest nadzwyczaj dokladnie rozdrobniony.Mieszanine te prasuje sie i stapia w sposób zwykly w atmosferze gazu obojetnego w tempe¬ raturze 1600 — 1700°C.Przyklad II. MoSia, zawierajacy 5% CrSi2 w postaci roztworu stalego, miesza sie z 50% wagowo skladnika tlenkowego, utworzone¬ go z 90% Zr02 i 10% S1O2 w postaci roztworu stalego. Wsp/Miiniana mieszanine prasuje sie i spieka w prózni w temperaturze 1600°C.Przyklad III. OrSi2 miesza sie z po¬ dwójna iloscia wagowo mineralu znanego pod nazwa mulit (3A1203 : SSiOfc); mieszanine te pra¬ suje sie i spieka w atmosferze gazu obojetnego Przyklad IV. Mieszanine (95% W H- 5% B)Si2 miesza. sie z krzemianem berylu BeOSi02 w stosunku 70 : 30 ciezarowo; miesza¬ nine te prasuje sie i spieka w temperaturze 1800°C.Proponowano juz wytwarzanie materialów od¬ pornych na dzialanie ciepla i utlenianie ze spro¬ szkowanej mieszaniny krzemków i tlenków (po¬ równaj Kieffer, Zeitschrift fur Metallkunde 1951 i Metali 1952), przy czym wspomniany material jest przeznaczony do stosowania w temperatu¬ rze powyzej 1400°C, np. w elektrycznych pie¬ cach oporowych. Go najmniej 1% skladnika tlen¬ kowego produktu ostatecznego powinien byc - 4 -utworzony z Si02. Dwutlenek krzemu moee wy¬ stepowac w produkcie ostatecznym w roznej postaci, odpowiadajacej stanowi równowagi da¬ nej kompozycji. Ns przyklad dwutlenek krze¬ mu moze byc obecny w stanie wolnym, np. nie zwiazany chemicznie, moze byc zmieszany z in¬ nym tlenkiem np. z C1O3 nie tworzac zwiazku chemicznego i rozpuszczalnosc jego moze byc nieznaczna. Dwutlenek krzemu moze wystepo¬ wac w postaci roztworu stalego, jak na przy¬ klad w Zr02, który rozpuszcza Si02 w ilosci powyzej 6°/o. Inna mozliwosc polega na tym, ze dwutlenek krzemu tworzy zwiazki chemiczne z jednym lub wiecej tlenkami. Na przyklad two¬ rzy on mniej lub wiecej stale krzemiany Zr02, A1203 i BeO. Poniewaz material ten jest prze¬ znaczony do stosowania w temperaturze wyso¬ kiej, przeto zwiazki wspomniane musza miec oczywiscie bardzo, wysoka temperature topniec nia.Wykryto obecnie niezaleznie od tego, czy dwu¬ tlenek krzemu jest obecny w produkcie konco¬ wym, ze sposób dodawania dwutlenku krzemu podczas wytwarzania materialów ma duzy wplyw na wlasciwosci produktu ostatecznego.Ponadto gdy dwutlenek krzemu dodaje sie w postaci czystego Si02 lub w postaci zwiazku utworzonego zasadniczo z Si02 o nizszej tempe¬ raturze topnienia niz inne skladniki materialu, to porowatosc produktu koncowego jest mniej¬ sza i wskutek tego jego wlasciwosci zwlaszcza wytrzymalosc mechaniczna i jego odpornosc na utlenianie jest znacznie wyzsza, niz w przypad¬ ku gdy dwutlenek krzemu jest dodawany bez¬ posrednio w postaci gotowego zwiazku tlenowe¬ go, jak na przyklad krzemianu, majacego wy¬ soka temperature topnienia. Objasnia sie to w ten sposób, iz jak wykazaly próby dwutlenek krzemu posiada z jednej strony nadzwyczajna zdolnosc zwilzania, z drugiej zas strony krzem¬ ki utworzone z 00 najmniej jednego metalu na¬ lezacego do grupy IV, V i VI ukladu okresowe¬ go^ liczne tlenki wykazuja wysoka temperatu¬ re topnienia. Dwutlenek krzemu ulatwia wiec spiekanie z innymi nie topliwymi skladnikami, zawartymi w materiale, jak równiez i przebieg reakcji wymaganej do ustalenia równowagi.Wedlug wynalazku dwutlenek krzemu dodaje sie w rozmaity sposób. Najprostszy sposób po¬ lega na tym, ze dwutlenek krzemu miesza sie w postaci bardzo mialkiego proszku z materia¬ lem wyjsciowym, stanowiacym mieszanine spro¬ szkowana skladników krzemkowego i tlenkowe¬ go. W razie potrzeby, do sproszkowanej miesza¬ niny dodaje sie substancji obnizajacych tempe¬ rature topnienia dwutlenku krzemu lub^zmniej¬ szajacych jego napiecie powierzchniowe. Tytu¬ lem przykladu stosowanie substancji obnizaja¬ cych temperature topnienia mozna wymienic kwas borny, kwas fosforowy \ zwiazki alkalicz¬ ne, a jako substancje zmniejszajace napiecie po¬ wierzchniowe — tlerek moMbenu i tlenek wol¬ framu.Inna mozliwosc dodawania dwutlenku krze¬ mu polega na dodawaniu go w postaci krzemo¬ wego zwiazku organicznego, jako krzemian ety¬ lowy lub w postaci zwiazków krzemowych. Do¬ datki organiczne sluza jako material spajajacy podczas ksztaltowania produktów w temperatu¬ rze pokojowej; dodatki te w temperaturze wy¬ sokiej po rozlozeniu prowadza do wytwarzania sie Si02 w postaci, praktycznie biorac czystej lub w postaci pozostalosci.Inny sposób stosowania dwutlenku krzemu po¬ lega na dodawaniu go w postaci latwotopliwego zwiazku, np. krzemianu w postaci dokladnie roz¬ drobnionego i zmieszanego z materialem wyj¬ sciowym. Tego rodzaju zwiazkami sa np. krze¬ miany alkaliczne i olowiane. Wykryto jednak, ze nie mozna dodawac zbyt znacznych ilosci ani zwiazków alkalicznych, ani olowianych, ani zwiazków podobnie topliwycl} metali do pro¬ duktu koncowego, gdyz ten ostatni mialby zbyt niska temperature topnienia. Zwiazki dodawa¬ ne musza byc wiec podczas wytwarzania odpo¬ wiednio rozdrobnione i skladniki szkodliwe mu¬ sza byc usuniete, np. przez destylacje.Dwutlenku krzemu mozna ponadto dodawac w ten sposób, iz do materialu wyjsciowego do¬ daje sie metalicznego krzemu, stopu krzemowe¬ go lub zwiazku krzemowego i dodatek ten utle¬ nia sie podczas spiekanie do Si02. W tym przy¬ padku jest rzecza niezbedna cloprowadzac pod¬ czas spiekania dostateczna ilo£c gazu utleniaja- ceigo, np. pary wodnej zamiast wymaganej i zwy¬ kle stosowanej atmosfery wodoru lub argonu lub tez prózni. Stwierdzono, ze w niektórych przypadkach jest rzecza wazna, aby gaz utlenia¬ jacy byl dodawany tylko przy istnieniu pew¬ nych warunków spiekania w celu umozliwienia latwiejszej kontroli utleniania.Przyklad V. Mieszanine, skladajaca sie ciezarowo z 65°/o MoSi2, 25% ZrG2, 9% Si02 i 1% B2O8, miele sie w mlynie kulowym i spra- sowuje sie w ksztalcie, pretów. Prety te spieka sie w atmosferze czystego argonu w temperatu¬ rze 1600°C w ciagu dwóch godzin.Przyklad VI. Mieszanine, skladajaca sie ciezarowo z 70°/o WSi2, 30°/o A1203 i 8,5°/o SiC2, miele sie w mlynie kujowym na czastkio wielkotcl okolo 10 mikronów. Do mieszaniny tej. dodaje sie pewnej ilosci krzemianu etylo¬ wego, odpowiadajacego 1,5% SIO* tj. okolo dziesieciokrotnie wiece), niz wynosi ciezar uzy¬ tego Si02. Do otrzymanej w ten sposób pasty dodaje «ie metylowego spirytusu wodnego w ta¬ kiej ilosci, aby masa stala sie plynna. Mase te odlewa sie w formie poddaje wibracji i zestala, a krzemian etylowy ulega ^zelatynowaniu. Przed¬ miot tak uformowany ogrzewa sie powoli, wsku¬ tek czego krzemian etylowy rozklada sie stop¬ niowo i nastepnie spieka w temperaturze 1600*C w prózni lub atmosferze argonu.Przyklad VII. Do mieszaniny sklada¬ jacej sie ciezarowo z 70 czesci (95 Mo + 5 Ti) Si2 i 25 czesci ZrSi04, dodaje sie szkla wodnego w ilosci, odpowiadajacej 5 czesciom ciezarowo iSiOg. Mieszanine te formuje sie, suszy i spieka.W temperaturze wyrokiej krzemian rozklada sie i wieksza czesc altelii zawartych zostaje odde¬ stylowana. Po spiekaniu pozostaje skladnik krzemkowy i krzemian cyrkonowy oraz nad¬ miarSIO* ¦ ¦ :¦ i Przyklad VIII. Mieszanine, skladajaca sie ciezarowo z W/c mieszaniny (70% MoSi2 + 5Vo metalicznego krzemu) i 25°/o BeO, miele sie w mlynie kulowym. Metaliczny krzem wciela sie uprzednio do skladnika krzemkowego. Miesza¬ nine te prasuje sie i spieka w prófeii lub w atmo¬ sferze argonu. Z chwila, gdy tempera/tura osia¬ gnie 1200 — 1300*0 dodaje sie do tej atmosfery obojetnej pary wodnej o cisnieniu czasteczko¬ wym 1 — 10 mm slupa Hg. Ilosc pary winna byc dostateczna do utleniania metalicznego krze¬ mu do SiO?. Siekanie prowadzi sie dalej, jak zwykle w temperaturze 1000 — 17WC. PL
Claims (5)
1. Zastrzezenia patentowe 1. Tworzywo odporne na dzialanie ciepla i na utlenianie, zwlaszcza o duzym oporze elek¬ trycznym, zawierajace zanieczyszczenia i utworzone z dwóch skladników, z których pierwszy stanowi skladnik krzemkowy (utworzony z krzemku lub mieszaniny krzemków lub roztworu stalego krzemków lub zwiazków chemicznych krzemków o tem¬ peraturze topnienia powyzej 1400*0, którego 10 — 70*/« ciezarowo stanowi krzem, pozo¬ stalosc zaC jest utworzona co najmniej z jed¬ nego z nastepujacych metali W, Mo, Cr, Ta, Nb, V, Hf, Zr lub Ti, drugi zas stanowi skladnik tlenkowy (tj. tlenek lub mieszani¬ na tlenków lub roztwór staly tlenków lub zwiaski chemiczne tlenków) o temperaturze topnienia powyzej 1400°C i utworzony z 0,1 — W/e ciezarowo materialu odpornego na dzialanie ciepla, znamienne tym, ze za¬ wiera 0,5 — 11*U datacowo skladnika tlen¬ kowego w postaci krzemu, a 1 — 88 l6/o te¬ goz skladnika stanowi co najmniej jeden z nastepujacych metali Al, Be, Ce, Cr, Hf, Mg, Ti, Zr, Th i lub inne metale ziem rzadkich, oraz reszte stanowi tlen.
2. Tworzywo wedlug zastrz. 1, znamienne tym, ze zawiera obok jednego z nastepujacych metali W, Mo, Cr, Ta, Nb, V, Hf, Zr lub Ti co najmniej Wh ciezarowo najmniej jedne¬ go z nastepujacych metali Al, Be, B, Ce, Co, Cu, Mg, Fe, Mn i skladnik zwiazku krzemkowego.
3. Tworzywo wedlug zastrz, 1 i 2, znamienne tym, ze 1 — 88t/« Jego skladnika tlenkowe¬ go zawiera oprócz Si i odpowiedniej ilosci O co najmniej jeden metal grupy obejmujacej Zr, Be, Al, Th i inne metale ziem rzadkich.
4. Tworzywo wedlug zastrz. 1 — 3, znamienne tym, ze zawiera krzem jako skladnik zwiaz¬ ku tlenkowego co najmniej czesciowo w po¬ staci wolnego SIO* lub szkla.
5. Tworzywo wedlug zastrz. 1 — 4, znamienne tym, ze zawiera 60*— 100Vo skladnika krzem¬ kowego utworzonego z krzemku molibdenu. 0. Tworzywo wedlug zastrz*. 1 — 5, znamienne tym, Ae zawiera skladnik tlenkowy, utwo¬ rzony z SfiK£ i ZrOa i stabilizowany w ra¬ zie potrzeby, przez dodatek CaO, MgO lub inny tlenek. 7. Tworzywo-wedlug zastrz. 1 — 6, znamienne tym, ze zawiera 50 — 94% ciezarowo sklad¬ nika krzemkowego o zawartosci co najmniej l*/o SiC2 i co najmniej 5% ZrC2. 8. Tworzywowedlug zastrz. 1 — 7, znamienne tym, ze sklada sie z czastek materialu o wielkosci przecietnie mniejszej mz 10 mi¬ kronów. 1 9. Sposób wytwarzania tworzywa wedlug zastrz. 1^8, znamienny tym, ze stosuje sie sproszkowana mieszanine, skladajaca sie z krzemków utworzonych z krzemu i jednego z metali nalezacych do grupy IV, Vi VI ukladu okresowego i ze skladnika tlenko¬ wego oraz ewentualnie z krzemu metalicz¬ nego, stopów krzemowych i innych zwiaz¬ ków krzemowych, które podczas ogrzewa¬ nia przechodza latwo w krzemionke, przy czym materialy wyjsciowe spieka sie w dwóch stadiach przy dodaniu substancji ob¬ nizajacej tempetature topnienia krzemionki lub jej napiecia powierzchniowego w obec- - 6 -10. 11. 12. nosci wolnej krzemionki lub masy roztopio¬ nej, obfitujacej w krzemionke. Sposób wedlug zastrz. 9, znamienny tym, ze co najmniej 25°/o krzemionki w materiale wyjsciowym stosuje sie w postaci wolnej krzemionki lub szkla krzemionkowego. Sposób wedlug zastrz. 9 lub 10, znamienny tym, ze do materialu wyjsciowego dodaje sie krzemionki w postaci zwiazku organicz¬ nego lub nieorganicznego i material ten spie¬ ka sie az do rozlozenia wspomnianego zwiaz¬ ku i wytworzenia wolnej krzemionki. Sposób wedlug zastrz. 9 — 11, znamienny tym, ze do materialu wyjsciowego dodaje sie krzemu metalicznego, stopu krzemowego lub zwiazku krzemowego i poddaje sie spie¬ kaniu w celu utleniania i (lub) co najmniej czesciowego rozlozenia go az do wytwarze- nia krzemionki. 13. Sposób wedlug zastrz. 11 lub 12, znamienny tym, ze stop lub zwiazek tworzacy skladnik krzemkowy lub w nim zawarty rozklada sie i (lub) utlenia na krzemionke podczas spie¬ kania. Aktiebolaget Kanthal Zastepca: Kolegium Rzeczników Patentowych Druk. LSW. W-wa. Zam. 9S5d z dnia 2l.XI.55 r.. Pap. sat. ki. lii 70 g. BI — lSÓ. — B-G-S7iG3 PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL38772B1 true PL38772B1 (pl) | 1955-08-15 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62207771A (ja) | 断熱性組成物及び同組成物から成形体の製造方法 | |
| EP0496251A1 (en) | Insulating monolithic refractory material | |
| US4591385A (en) | Die material and method of using same | |
| JP2821748B2 (ja) | 耐溶損性に優れたbn系常圧焼結セラミック | |
| JP4484694B2 (ja) | キャスタブル耐火物 | |
| PL38772B1 (pl) | ||
| US4528244A (en) | Fused silica shapes | |
| JPS61115663A (ja) | 溶湯の出湯用耐火消耗部材の製造方法 | |
| JPH10317089A (ja) | モリブデン及び/又はタングステンからなる材料の使用方法 | |
| GB2165833A (en) | Ceramic materials for manufacture of cores, moulds and strongbacks | |
| JPS61183148A (ja) | セラミクス組成物およびその利用法 | |
| JPH1149568A (ja) | 非鉄溶融金属用黒鉛炭化珪素質坩堝及びその製造方法 | |
| JP2010275120A (ja) | SiC含有キャスタブル耐火物およびSiC含有キャスタブル耐火物を用いたプレキャストブロックの製造方法およびSiC含有キャスタブル耐火物の施工方法 | |
| JPH10310474A (ja) | SiC−Si複合セラミックス材 | |
| JP3598484B2 (ja) | 連続鋳造用ノズル | |
| JP2024081943A (ja) | 銅系金属粉末と微小無機酸化物を含有する銅系粉末 | |
| JPH02141480A (ja) | キャスタブル耐火物 | |
| JP3232259B2 (ja) | 高炉主樋用不定形耐火物 | |
| JPH08763B2 (ja) | 歯科用埋没材 | |
| JPS6355166A (ja) | 水平式連続鋳造用セラミツクス製鋳造ノズル | |
| JPS605556B2 (ja) | 黒鉛質または炭化硅素質耐火物の酸化防止方法 | |
| JPS5855109B2 (ja) | 低融点溶融金属用耐食材 | |
| JPS6055464B2 (ja) | 自己施釉磁器 | |
| US1395451A (en) | Composition for protective coatings | |
| JPH07106949B2 (ja) | 不定形耐火物 |