PL246330B1 - Sposób otrzymywania manganu (Mn) o czystości 7N5 - Google Patents
Sposób otrzymywania manganu (Mn) o czystości 7N5 Download PDFInfo
- Publication number
- PL246330B1 PL246330B1 PL443702A PL44370223A PL246330B1 PL 246330 B1 PL246330 B1 PL 246330B1 PL 443702 A PL443702 A PL 443702A PL 44370223 A PL44370223 A PL 44370223A PL 246330 B1 PL246330 B1 PL 246330B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- manganese
- crucible
- distillation
- temperature
- hours
- Prior art date
Links
- 239000011572 manganese Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 47
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 46
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims abstract description 40
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 1
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L manganese oxide Inorganic materials [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N manganese(II) oxide Inorganic materials [Mn]=O VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000473 manganese(VI) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000013014 purified material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B47/00—Obtaining manganese
- C22B47/0018—Treating ocean floor nodules
- C22B47/009—Treating ocean floor nodules refining, e.g. separation of metals obtained by the above methods
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B5/00—General methods of reducing to metals
- C22B5/02—Dry methods smelting of sulfides or formation of mattes
- C22B5/16—Dry methods smelting of sulfides or formation of mattes with volatilisation or condensation of the metal being produced
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B9/00—General processes of refining or remelting of metals; Apparatus for electroslag or arc remelting of metals
- C22B9/04—Refining by applying a vacuum
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Ocean & Marine Engineering (AREA)
- Oceanography (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
Przedmiotem wynalazku jest sposób otrzymywania manganu (Mn) o czystości 7N5 za pomocą destylacji z fazy pary. Mangan o takiej czystości jest pierwiastkiem pożądanym w wielu procesach technologicznych, a szczególnie do wytwarzania kryształów (CdMn)Te. W sposobie tym, najpierw czysty mangan (Mn) umieszcza się w procesowym tyglu (Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>) i poddaje się co najmniej trzykrotnej destylacji w temperaturze 1200°C, w warunkach dynamicznej próżni ~10<sup>-4</sup> Pa przez 4 — 8 godzin. Następnie tygiel procesowy poddaje się czyszczeniu, które prowadzi się w warunkach wysokiej próżni ~10<sup>-5</sup> Pa, w temperaturze ~1375°C, przez co najmniej 24 godziny. Po czym w oczyszczonym tyglu prowadzi się ostatni proces destylacji manganu w takich samych warunkach technologicznych jak początkowe procesy destylacji.
Description
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest sposób otrzymywania manganu (Mn) o czystości 7N5 za pomocą destylacji z fazy pary. Mangan o takiej czystości jest pierwiastkiem pożądanym w wielu procesach technologicznych, a szczególnie do wytwarzania kryształów (CdMn.)Te.
Znane są sposoby oczyszczania manganu przez destylację z fazy pary. W jednym ze sposobów czysty spektralnie mangan umieszcza się w tyglu grafitowym, który następnie wkłada się do próżniowej rury kwarcowej i całość w temperaturze 1100°C poddaje się wygrzewaniu. Sposób ten nie jest zadawalający, ponieważ okazało się, że podczas procesu zachodzi reakcja chemiczna między manganem a materiałem grafitowym tygla.
Z patentu PL299577 znany jest sposób oczyszczania manganu, w którym spektralnie czysty mangan umieszcza się najpierw w tyglu alundowym o czystości większej niż 99,7%. Następnie tygiel z manganem umieszcza się w rurze alundowej i podgrzewa się przez co najmniej godzinę aż do osiągnięcia temperatury 1200°C. Po osiągnięciu tej temperatury, kontynuuje się wygrzewanie w warunkach dynamicznej próżni ~10-5 Pa przez 4-8 godzin. Zastosowanie w tym sposobie tygla alundowego pozwala na parokrotne zwiększenie ilości oczyszczanego w jednym procesie manganu, sprawia także, że wyjmowanie manganu z tygla jest dużo łatwiejsze niż w przypadku tygli grafitowych. Czystość otrzymywanego tym sposobem manganu (Mn) to 5N5 - 5N7. Analiza prowadzonych procesów wykazała, że w trakcie wysokotemperaturowej destylacji mangan wchodzi w reakcje z różnymi materiałami z których wykonane są tygle. Ponieważ najefektywniejszą temperaturą dla prowadzenia procesu destylacji jest ~1200°C, to najwłaściwszym materiałem tygla jest alund (AI2O3).
Znane i stosowane są żaroodporne, próżniowe rury i tygle alundowe wytwarzane są przez różne firmy na świecie. Najczęściej elementy te otrzymywane są przez prasowanie proszku AI2O3 w wysokim ciśnieniu (3000 atm.) i następnie wyprażanie w 1700°C.
Otrzymywane w ten sposób zadenkowane rury stosowane są do różnych procesów próżniowych nawet w wysokiej temperaturze ~1400°C. Alund jest jednak materiałem, którego struktura jest porowata, wprawdzie pory mają wymiary nanometrów ale jest to przeszkoda dla wielu procesów technologicznych. Dla przykładu, w czasie destylacji manganu (Mn) w temperaturze około 1200°C atomy manganu (Mn) wnikają w głąb ściany rury procesowej (tygla) degradując czystość ścianek. Innym mankamentem takiej rury i tygla jest to, że elementy te w kontakcie z powietrzem po pewnym czasie pękają (eksplodują). Związane jest to z wnikającym w te same pory tlenu z powietrza i tworzenie tlenków MnO3, Mn3O4 i MnO o dużo większych cząsteczkach, które powodują rozsadzanie elementów alundowych (mimo ich twardości zbliżonej do szafiru). Problem ten rozwiązywany jest przez przechowywanie elementów alundowych w warunkach próżniowych, gdzie jest ograniczony dostęp tlenu.
W celu podniesienia czystości otrzymywanego w procesie destylacji manganu (Mn) stosuje się destylację dwukrotną a nawet trzykrotną. Proces takiej „wielokrotnej” destylacji dawał niewielką poprawę. Na podstawie pomiarów wykonanych metodą SIMS (Secondary lon Mass Spectrometry) analizowano mangan otrzymany w wyniku 3-krotnej destylacji prowadzonej w alundowym tyglu. Analiza wykazała, że uzyskany (oczyszczony) w wyniku tak prowadzonej destylacji mangan (Mn) miał zawsze więcej niepożądanych domieszek (w warstwie) od strony ścianek tygla, na których osiada w czasie próżniowego procesu destylacji. Taka jest natura tego typu destylacji. Ponieważ destylacja przebiega w wysokiej temperaturze (~1200°C) domieszki te wnikają w nano-pory tygla, a po kilku następnych destylacjach powierzchnia tygla na pewną głębokość jest na tyle zanieczyszczona, że zanieczyszczenia te „brudzą” materiał poddawany kolejnym procesom czyszczenia.
Celem wynalazku jest opracowanie takiego sposobu oczyszczania manganu (Mn), który pozwoliłby otrzymać materiał o czystości lepszej niż uzyskiwana dotychczas to jest 7N5.
W sposobie według wynalazku mangan (Mn) o czystości 7N5 otrzymuje się za pomocą destylacji z fazy pary. W sposobie tym, najpierw czysty mangan (Mn) umieszczony w procesowym alundowym tyglu (AI2O3), poddaje się co najmniej trzykrotnej destylacji w temperaturze 1200°C, w warunkach dynamicznej próżni ~10-4 Pa przez 4-8 godzin. Następnie tygiel procesowy poddaje się czyszczeniu, które prowadzi się w warunkach wysokiej próżni ~10-5 Pa, w temperaturze ~1375°C, przez co najmniej 24 godziny. Korzystnie jest jeżeli podczas czyszczenia tygiel procesowy umieszcza się w żaroodpornej próżnioszczelnej rurze alundowej a następnie powoli, przez ~48 godzin zagrzewa się do temperatury ~1375°C, w tej temperaturze, w warunkach wysokiej próżni, wygrzewa się przez co najmniej 24 godziny, a po tym czasie przez co najmniej 48 godziny prowadzi się powolne chłodzenie. W tak oczyszczonym tyglu prowadzi się ostatni proces destylacji manganu, w takich samych warunkach technologicznych jak początkowe procesy destylacji.
Wynalazek zostanie objaśniony na przykładowym sposobie otrzymywania manganu (Mn) o czystości 7N5 za pomocą wielokrotnej destylacji z fazy pary prowadzonej w tyglu alundowym (AI2O3). Wysoka czystość manganu jest szczególnie istotna w procesie wytwarzania kryształów (Cd,Mn)Te stosowanych w elektronice. Najlepiej, kiedy czystość manganu (Mn) jest większa niż 6N przy minimalnej koncentracji domieszki glinu (Al) i indu (In) jako aktywnych donorów występujących najczęściej w oczyszczonym materiale. Uzyskiwana w praktyce zminimalizowana ilość domieszki oznacza koncentrację poniżej 1 ppm, co kwalifikowane jest jako czystszy materiał. W tym celu dostarczany przez producenta mangan został poddany oczyszczeniu w procesie trzykrotnej destylacji. W każdym procesie alundowy tygiel z manganem umieszczano w rurze alundowej, którą wkładano do pieca. Następnie całość podgrzewano przez co najmniej godzinę aż do osiągnięcia temperatury 1200°C. Po osiągnięciu tej temperatury, kontynuowano wygrzewanie w warunkach dynamicznej próżni ~10-4 Pa przez 4-8 godzin. Po trzeciej destylacji uzyskuje się na ogół mangan o czystości 5N5-5N7 czyli posiadający metaliczne domieszki na poziomie 5-3 ppm (99,9995: 5-99,9997%). Taka czystość manganu jest wystarczająca dla niektórych, dalszych procesów technologicznych na przykład jest używany w procesach MBE.
Przykładowy proces destylacji manganu prowadzono w dwudzielnym tyglu. Jedna część zadenkowanego tygla, służy jako pojemnik dla materiału wsadowego, a w drugiej części gromadzi się przedestylowany mangan (Mn). W przykładowym procesie, w pierwszej części tygla umieszczono około 300 g Mn w postaci kawałków <10 mm. Tygiel podczas destylacji umieszcza się w piecu tak, by jego część zawierająca materiał wsadowy znajdowała się w temperaturze nieco wyższej niż część druga tygla, w której parujący (sublimujący) mangan będzie się osadzał. Osadzający się w drugiej części tygla mangan ma formę cylindra, po destylacji i schłodzeniu do temperatury pokojowej łatwo się go wyjmuje, bo współczynnik kurczliwości (rozszerzalności) Mn jest większy od alundu. Dla procesu destylacji i czyszczenia Mn najważniejsza jest czystość wewnętrznych ścianek tej właśnie części tygla. Po zakończeniu trzeciego, typowego procesu destylacji przystąpiono do czwartego procesu destylacji. Jednak proces czwartej destylacji poprzedzony został po odpowiednim przygotowaniem tygla procesowego.
Tygiel poddano czyszczeniu, które zapewni nie tylko usunięcie zanieczyszczeń z jego wnętrza ale także nienaruszalność gładkości jego powierzchni.
Tygiel do destylacji a przede wszystkim część, w której osadza się sublimujący mangan (Mn) umieszczono w temperaturze pokojowej, w rurze procesowej wykonanej również z AI2O3. Tygiel do rury procesowej musi być wsuwany w pozycji poziomej, by nie uszkodzić zadekowania rury. Następnie rura procesowa wraz z umieszczonym wewnątrz tyglem została wprowadzona do urządzenia/pieca, w którym próżniowo wygrzewa się tygle (jak w zgłoszeniu P.441324). Następnie rurę procesową w piecu pozycjonuje się tak by „plateau” temperatury wypadło w miejscu posadowienia tygla. Później rura procesowa podłączona zostaje do układu pompującego, składającego się z pompy rotacyjnej i olejowej pompy dyfuzyjnej z wymrażarką na ciekły azot. W kolejnym kroku odpompuje się rurę procesową do uzyskania próżni ~10-4 Pa.
Po uzyskaniu odpowiedniej próżni załącza się grzanie, cały czas utrzymując warunki próżni (pompując). Po ok. 2-ch dobach uzyskuje się pożądaną temperaturę ~1375°C. Po uzyskaniu tej temperatury prowadzi się właściwy proces wygrzewania tygli, w czasie 24 godzin. Podczas tego wygrzewania ciekły azot wlewany do wymrażarki na pompie dyfuzyjnej urządzenia, zapewnia próżnię ~10-5 Pa. Po dobie wygrzewania w wysokiej próżni schładzamy urządzenie przez czas 48 godzin. Powolne grzanie i chłodzenie związane jest z bezwładnością cieplną pieca a także z wrażliwością elementów alundowych na gradienty temperatury i wszelkie szoki temperaturowe.
Bardzo ważne jest odpowiednie schładzanie rury procesowej do temperatury pokojowej ponieważ znajdujący się w niej tygiel, ma temperaturę wyższą niż rura.
Po zapowietrzeniu układu i wyjęciu z rury procesowej wygrzanego tygla, używamy go do kolejnej destylacji manganu. W przykładowym sposobie, w tyglu umieszczamy mangan otrzymany po 3-ciej destylacji i w typowy sposób poddajemy go czwartemu procesowi destylacji. W wyniku tak przeprowadzonego procesu, po czwartej destylacji, czystość otrzymanego manganu (Mn) uległa znacznej poprawie. Badaniu (metodą SIMS) poddano próbki Mn pobrane z okolicy przylegającej do ścianki tygla, jak również próbki pobrane z wnętrza tygla, z okolicy, która nie miała styczności ze ścianką tygla. Pierwsza próbka wykazała, że koncentracja glinu (Al) wynosi około 0,7 ppm, a indu (In) około 0,3 ppm. Miedź (Cu), potas (K), wapń (Ca) i żelazo (Fe) są na poziomie 0,1 ppm (materiał o czystości 7N).
Natomiast druga próbka wykazała, że mangan w środkowej części tygla jest około 2 x czystszy i ma koncentrację glinu ~0,3 ppm i indu ~0,15 ppm. Pozostałe pierwiastki są w odpowiednio niższej koncentracji. Tak czysty mangan, jak widać bardzo trudny do oczyszczania, jest według naszych komercyjnych i naukowych kontaktów najczystszym manganem dostępnym obecnie na świecie.
Claims (2)
1. Sposób otrzymywania manganu (Mn) o czystości 7N5, za pomocą destylacji z fazy pary, znamienny tym, że najpierw czysty mangan (Mn) umieszczony w procesowym alundowym tyglu (AI2O3), poddaje się co najmniej trzykrotnej destylacji w temperaturze 1200°C, w warunkach dynamicznej próżni ~10-4 Pa przez 4-8 godzin, następnie tygiel procesowy poddaje się czyszczeniu, które prowadzi się w warunkach wysokiej próżni ~10-5 Pa, w temperaturze ~1375°C, przez co najmniej 24 godziny, po czym w oczyszczonym tyglu prowadzi się ostatni proces destylacji manganu w takich samych warunkach technologicznych jak początkowe procesy destylacji.
2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że podczas czyszczenia tygiel procesowy umieszcza się w żaroodpornej próżnioszczelnej rurze alundowej a następnie powoli, przez ~48 godzin zgrzewa się do temperatury ~1375°C, w tej temperaturze, w warunkach wysokiej próżni, wygrzewa się przez co najmniej 24 godziny, a po tym czasie przez co najmniej 48 godzin prowadzi się powolne chłodzenie.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL443702A PL246330B1 (pl) | 2023-02-03 | 2023-02-03 | Sposób otrzymywania manganu (Mn) o czystości 7N5 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL443702A PL246330B1 (pl) | 2023-02-03 | 2023-02-03 | Sposób otrzymywania manganu (Mn) o czystości 7N5 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL443702A1 PL443702A1 (pl) | 2024-08-05 |
| PL246330B1 true PL246330B1 (pl) | 2025-01-07 |
Family
ID=92174788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL443702A PL246330B1 (pl) | 2023-02-03 | 2023-02-03 | Sposób otrzymywania manganu (Mn) o czystości 7N5 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL246330B1 (pl) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1160614A (fr) * | 1955-11-24 | 1958-07-22 | Elektrometallurgie Gmbh | Procédé de préparation de manganèse de grande pureté par distillation sous vide |
| PL170785B1 (pl) * | 1993-07-05 | 1997-01-31 | Inst Fizyki Pan | Sposób oczyszczania manganu |
| US20160002749A1 (en) * | 2013-10-25 | 2016-01-07 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Method for manufacturing high purity manganese and high purity manganese |
-
2023
- 2023-02-03 PL PL443702A patent/PL246330B1/pl unknown
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1160614A (fr) * | 1955-11-24 | 1958-07-22 | Elektrometallurgie Gmbh | Procédé de préparation de manganèse de grande pureté par distillation sous vide |
| PL170785B1 (pl) * | 1993-07-05 | 1997-01-31 | Inst Fizyki Pan | Sposób oczyszczania manganu |
| US20160002749A1 (en) * | 2013-10-25 | 2016-01-07 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Method for manufacturing high purity manganese and high purity manganese |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL443702A1 (pl) | 2024-08-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7056383B2 (en) | Tantalum based crucible | |
| JP6438951B2 (ja) | 超高純度炭化ケイ素の合成方法 | |
| EP1270768A1 (en) | Epitaxial growing method for growing aluminum nitride and growing chamber therefor | |
| CN113337892B (zh) | 碳化硅晶体以及用于生产其的方法 | |
| Weibel et al. | Thermogenetic degradation of early zeolite cement: An important process for generating anomalously high porosity and permeability in deeply buried sandstone reservoirs? | |
| JP2620606B2 (ja) | 高純度可撓性膨張黒鉛シート及びその製造方法 | |
| JP7594808B2 (ja) | 高純度マンガンの製造方法および高純度マンガン | |
| US4999228A (en) | Silicon carbide diffusion tube for semi-conductor | |
| JPH062637B2 (ja) | 単結晶引上装置 | |
| US6699401B1 (en) | Method for manufacturing Si-SiC member for semiconductor heat treatment | |
| PL246330B1 (pl) | Sposób otrzymywania manganu (Mn) o czystości 7N5 | |
| US8765093B2 (en) | Expanded graphite sheet | |
| RU2687403C1 (ru) | Способ получения высокочистого теллура методом дистилляции с пониженным содержанием селена | |
| JPH107488A (ja) | 単結晶引上装置、高純度黒鉛材料及びその製造方法 | |
| US6554897B2 (en) | Method of producing silicon carbide | |
| JPS61236604A (ja) | β−Si↓3N↓4の合成方法 | |
| JP3623054B2 (ja) | プラズマプロセス装置用部材 | |
| Kowalski et al. | Kinetics of Nb incorporation into barium titanate | |
| JP3685365B2 (ja) | 半導体装置部材用の精製炭化珪素粉末とその精製方法、及び該粉末から得られる半導体装置部材用焼結体の製造方法 | |
| JP3410380B2 (ja) | 単結晶引上装置及び高純度黒鉛材料 | |
| Hejnal et al. | Purification of iron to low carbon and nitrogen contents by annealing | |
| JP2005022971A (ja) | プラズマプロセス装置用部材 | |
| JPS5910954B2 (ja) | 半導体製造用炭化珪素体の製造方法 | |
| US8668895B2 (en) | Purifying method for metallic silicon and manufacturing method of silicon ingot | |
| JPH0797263A (ja) | 黒鉛容器及びその製造方法 |