PL241886B1 - Ceramika na podłoża układów mikrofalowych - Google Patents

Ceramika na podłoża układów mikrofalowych Download PDF

Info

Publication number
PL241886B1
PL241886B1 PL424832A PL42483218A PL241886B1 PL 241886 B1 PL241886 B1 PL 241886B1 PL 424832 A PL424832 A PL 424832A PL 42483218 A PL42483218 A PL 42483218A PL 241886 B1 PL241886 B1 PL 241886B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
weight
substrates
ceramics
zinc borate
mgtio3
Prior art date
Application number
PL424832A
Other languages
English (en)
Other versions
PL424832A1 (pl
Inventor
Beata Synkiewicz
Dorota Szwagierczak
Jan Kulawik
Original Assignee
Instytut Tech Elektronowej
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Tech Elektronowej filed Critical Instytut Tech Elektronowej
Priority to PL424832A priority Critical patent/PL241886B1/pl
Publication of PL424832A1 publication Critical patent/PL424832A1/pl
Publication of PL241886B1 publication Critical patent/PL241886B1/pl

Links

Landscapes

  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

Przedmiotem zgłoszenia jest ceramika o niskiej stałej dielektrycznej przeznaczona na podłoża układów mikrofalowych charakteryzująca się tym, że zawiera boran cynku Zn4B6O13 i tytanian litu Li2TiO3 albo boran cynku Zn4B6O13 i tytanian magnezu MgTiO3. Przedmiotowa ceramika wykazuje niską temperaturę spiekania 880-960°C, kompatybilność z komercyjnymi pastami przewodzącymi na bazie srebra oraz niską przenikalność elektryczną 5,8-7,8 dla 1 THz. Ceramika może posłużyć do wytwarzania podłoży i obudów dla układów mikrofalowych, w tym przy użyciu technologii LTCC.

Description

Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest ceramika przeznaczona na podłoża układów mikrofalowych. Ceramika ta charakteryzuje się niską temperaturą spiekania, kompatybilnością z komercyjnymi pastami przewodzącymi na bazie srebra oraz niską przenikalnością elektryczną w szerokim zakresie częstotliwości, w tym w częstotliwościach terahercowych. Ze względu na niską temperaturę spiekania może służyć do wytwarzania podłoży i obudów technologią LTCC (Iow temperature cofired ceramics - ceramika współwypalana w niskich temperaturach). Z publikacji: XG. Wu, H. Wang, Y.H Chen, D. Zhou, Synthesis and Microwave Dielectric Properties of Zn3B2Oe Ceramics for Substrate Application, Journal of the American Ceramic Society, Vol. 95[6] (2012) pp. 1793-1795, znana jest ceramika zawierająca Zn3B2Oe przydatna na podłoża LTCC do układów mikrofalowych, odznaczająca się dobrymi właściwościami dielektrycznymi w wysokich częstotliwościach, relatywnie niską temperaturą spiekania 925°C i brakiem reaktywności ze srebrem. Stała dielektryczna tej ceramiki w zakresie mikrofalowym (f > 220 000 GHz) wzrasta od 6,3 do 6,8 ze wzrostem temperatury spiekania (w zakresie 875-950°C) ze względu na eliminację porów. Maksymalną wartość współczynnika dobroci Q x f, wynoszącą 58500 GHz, osiągnięto dla temperatury spiekania 925°C. Temperaturowy współczynnik częstotliwości rezonansowej Tf wynosił -58 ppm/°C, niezależnie od temperatury spiekania.
Z publikacji K. Ju, H. Yu, L Ye, G. Xu, „Ultra-low temperature sintering and dielectric properties of SiO2-filled glass composites w Journal of the American Ceramic Society, tom 96 (2013) str. 3563-3568, znana jest szkło-ceramika oparta na szkle boranowym o składzie 3ZnO-2B2O3 z dodatkiem SO2, charakteryzująca się bardzo niską temperaturę spiekania 650°C, odpowiednią dla technologii LTCC. Materiał ten wykazuje bardzo dobre właściwości dielektryczne dla 1 MHz: stałą dielektryczną 6,1 i współczynnik strat dielektrycznych 1,3x10-3 dla składu z udziałem 15% wagowych SO2.
W publikacji H. Yu, K. Ju, K. Wang, „A novel glass-ceramic with ultra-low sintering temperature for LTCC application” w Journal of the American Ceramic Society, tom 97 (2014) str. 704-707, opisana jest szkło-ceramika o ultraniskiej temperaturze spiekania 650°C, zawierająca dwie główne fazy krystaliczne Zn3B2O6 i Zn(BO2)2. Ta szkło-ceramika charakteryzuje się dla częstotliwości 10 MHZ niską stałą dielektryczną wynoszącą 7,5 i niskim współczynnikiem strat dielektrycznych na poziomie 0,6x10'3 oraz brakiem reaktywności względem elektrod srebrowych.
Z opisu patentowego US 2005/0244677 A1 „Hybridelectronic device comprising a low-temperature cofired-ceramic LTCC tape” znane jest zastosowanie boranu cynku Zn4B6O13 jako dodatku do spiekania w taśmie LTCC, której głównym składnikiem jest ferromagnetyczny materiał, przeznaczonej do wykonania hybrydowej struktury elektronicznej. Użycie Zn4BsOi3 było uzasadnione jego niską temperaturą topnienia (około 980°C) oraz nierozpuszczalnością tego związku w wodzie, umożliwiającą zastosowanie układu wodnego w metodzie odlewania taśmy ceramicznej. Opracowaną w w/w zgłoszeniu taśmę ferromagnetyczną z niewielkim dodatkiem Z^BsOi3 (zastosowano mieszaninę zawierającą 2,5% molowych Zn4BsOi3, którą dodano w ilości 2-5% wagowych do proszku ferromagnetycznego) można było spiekać w temperaturze 800-1000°C. Zastosowanie Zn4BsOi3 jako dodatku do spiekania jest także znane z publikacji: L.G. Teoh, Y.C. Lee, Y.L. Huang, H. H. Huang, F.S. Shieu, Influence of 4ZnOB2O3 addition on dielectric properties and microstructures of barium strontium titanate, Int. J. Appl. Ceram.Technol, 7 (2010) E71-E79. Dodatek Zn4BsOi3 wprowadzony w ilości 1-3% wagowych powodował znaczne obniżenie temperatury spiekania i zwiększenie gęstości ceramiki.
W związku ze stale rosnącą potrzebą miniaturyzacji, niezawodności i szybkości propagacji sygnału, rośnie zapotrzebowanie na materiały o niskiej przenikalności elektrycznej i niskiej temperaturze spiekania, odpowiednie do wykonania podłoży i obudów układów mikrofalowych przy zastosowaniu technologii LTCC.
Ceramika według wynalazku jako główny składnik zawiera boran cynku Zn4BsOi3 oraz dodatki w postaci tytanianu litu Li2TO3 w ilości 2-i2% wagowych w stosunku do masy boranu cynku i/lub dodatek w postaci tytanianu magnezu MgTiO3 w ilości 2-i2% wagowych w stosunku do masy boranu cynku, ewentualnie dodatek w postaci krzemianu cynku Zn2SO4 w ilości 5-20% wagowych w stosunku do masy boranu cynku.
Korzystnie jest kiedy dodatek w postaci tytanianu litu wynosi 5% w stosunku do masy boranu cynku Zn4BsOi3, dodatek w postaci tytanianu magnezu MgTiO3 wynosi 5% w stosunku do masy boranu cynku Zn4BsOi3, a dodatek w postaci krzemianu cynku Zn2SO4 wynosi 10% w stosunku do masy boranu cynku Zn4BsOi3.
PL 241 886 B1
Fakt, że ceramika ta zawiera jako główny składnik decydujący o właściwościach dielektrycznych Zn4BsOi3, oraz dodatki jednego lub dwóch związków z grupy Zn2SiO4, Li2TiO3, MgTiO3 powoduje poszerzenie i stabilizację zakresu temperatury spiekania oraz osiągnięcie niewielkich bezwzględnych wartości temperaturowego współczynnika częstotliwości rezonansowej.
Ceramika według wynalazku charakteryzuje się niską temperaturą spiekania 880-960°C, stałą dielektryczną 5,1-7,9 i współczynnikiem stratności 0,001-0,003 dla 1 MHz oraz kompatybilnością z pastami srebrowymi i srebrowo-palladowymi stosowanymi w technologii grubowarstwowej. Ponadto ceramika ta wykazuje niską przenikalność dielektryczną 5,8-7,8 dla 1 THz.
Takie właściwości ceramiki sprawiają, że może być zastosowana do wykonania litych podłoży i obudów układów mikrofalowych metodą prasowania i spiekania lub wykorzystana do wytworzenia metodą odlewania ceramicznych folii przeznaczonych na wielowarstwowe podłoża LTCC współspiekane z warstwami przewodzącymi.
Pierwszy przykład realizacji wynalazku
Wykonano serię podłoży z litej ceramiki o składzie Zn4BsO13 i 2% wagowych Li2TiO3.
W innych wariantach tego przykładu realizacji wykonano podłoża o następujących składach:
a) Zn4BsO13 i 5% wagowych Li2TiO3
b) Zn4BsO13 i 12% wagowych Li2TiO3
c) Zn4B6O13 i 5% wagowych Zn2SiO4 i 2% Li2TiO3.
d) Zn4BsO13 i 10% wagowych Zn2SiO4 i 5% wagowych Li2TiO3
e) Zn4BsO13 i 20% wagowych Zn2SiO4 i 12% wagowych Li2TiO3.
Przeprowadzono syntezę boranu cynku Zn4BsO13. W tym celu mieszaninę tlenku cynku ZnO i kwasu borowego H3BO3 naważono w proporcjach stechiometrycznych odpowiadających temu związkowi, zmielono w młynku kulowym i kalcynowano w temperaturze 900°C przez 6 h. Otrzymany produkt syntezy mielono w młynku kulowym przez 7 h.
Przeprowadzono syntezę krzemianu cynku Zn2SiO4. W tym celu mieszaninę tlenku cynku ZnO i tlenku krzemu SiO2 naważono w proporcjach stechiometrycznych odpowiadających temu związkowi, zmielono w młynku kulowym i kalcynowano w temperaturze 1150°C przez 6 h. Otrzymany produkt syntezy mielono w młynku kulowym przez 7 h.
Zgodnie z założonymi składami naważono mieszaniny zawierające Zn4BsO13 i U2TO3 lub Zn4BsO13, Zn2SiO4 i Li2TiO3. Następnie każdą z mieszanin mielono w młynku kulowym przez 7 h.
Do każdego z uzyskanych proszków dodano 1% wag. alkoholu poliwinylowego w postaci 3% roztworu wodnego. Z przygotowanych granulatów sprasowano kształtki, które spiekano w ciągu 2-4 h w temperaturze:
a) 880°C dla składu Zn^O^ i 12% wagowych Li2TiO3,
b) 900°C dla składu Zn4BsO13 i 5% wagowych Li2TiO3,
c) 900°C dla składu Zn4BsO13 i 10% wagowych Zn2SiO4 i 5% wagowych Li2TiO3,
d) 930°C dla składu Zn4BsO13 i 5% wagowych Zn2SiO4 i 2% wagowych Li2TiO3,
e) 960°C dla składu Zn4BsO13 i 2% wagowych Li2TiO3 oraz
f) 960°C dla składu Zn^O^ i 20% wagowych Zn2SiO4 i 12% wagowych Li2TiO3.
Wytworzone podłoża charakteryzowały się stałą dielektryczną 6,3-7,9 i współczynnikiem strat 0,001-0,003 dla 1 MHz. Na otrzymane podłoże nanoszono metodą sitodruku testowe wzory z pasty srebrowej, które wypalano w powietrzu w piecu przelotowym w temperaturze maksymalnej 850°C.
Drugi przykład realizacji wynalazku
Wykonano serię podłoży z litej ceramiki o składzie Zn4BsO1 i 2% wagowych MgTiO3.
W innych wariantach tego przykładu realizacji wykonano podłoża o następujących składach:
a) Zn4BsO13 i 5% wagowych MgTiO3,
b) Zn4B6O13 i 12% wagowych MgTiO3,
c) Zn4BsO13 i 5% wagowych Zn2SiO4 i 2% wagowych MgTiO3,
d) Zn4BsO13 i 10% wagowych Zn2SiO4 i 5% wagowych MgTiO3 oraz
e) Zn4BsO13 i 20% wagowych Zn2SiO4 i 12% wagowych MgTiO3.
Metodą reakcji w fazie stałej przeprowadzono syntezę Zn4BsO13 i Zn2SiO4, odpowiednio w temperaturze 900 i 1150°C przez 6 h. Produkty syntezy mielono w młynku kulowym przez 7 h. Zgodnie z założonymi składami naważono mieszaniny zawierające Zn4BsO13 i MgTiO3 lub Zn2BsO13, Zn2SiO4 i MgTiO3. Następnie każdą z mieszanin mielono w młynku kulowym przez 7 h.
PL 241 886 B1
Do każdego z uzyskanych proszków dodano 1% wagowy alkoholu poliwinylowego w postaci 3% roztworu wodnego. Z przygotowanych granulatów sprasowano kształtki, które spiekano w ciągu 2-4 h w temperaturze:
a) 900°C dla składu Zn4BsOi3 i 12% wagowych MgTiO3,
b) 920°C dla składu Zn4B6O13 i 5% wagowych MgTiO3,
c) 920°C dla składu Zn4B6O« i 10% wagowych Zn2SiO4 i 5% MgTiO3,
d) 950°C dla składu Zn4BsO13 i 5% wagowych Zn2SiO4 i 2% wagowych MgTiO3,
e) 960°C dla składu Zn4BsO13 i 2% wagowych MgTiO3, oraz
f) 960°C dla składu Zn4BsO13 i 20% wagowych Zn2SiO4 i 12% wagowych MgTiO3.
Wytworzone podłoża charakteryzowały się stalą dielektryczną 6,2-7,2 i współczynnikiem strat około 0,001-0,003 dla 1 MHz, Na otrzymane podłoże nanoszono metodą sitodruku testowe wzory z pasty srebrowej, które wypalano w powietrzu w piecu przelotowym w temperaturze maksymalnej 850°C.
Trzeci przykład realizacji wynalazku
Wykonano wielowarstwowe podłoże z folii ceramicznej zawierającej po wypaleniu Zn4BsO13 z dodatkiem 10% wagowych Zn4BsO13 i 5% wagowych Li2TiO3.
Metodą reakcji w fazie stałej przeprowadzono syntezę Zn4BsO13 i Zn2SiO4, odpowiednio w temperaturze 900 i 1150°C przez 6 h. Otrzymane produkty syntezy Zn4BsO13 i Zn2SiO4 mieszano w proporcji 10:1, dodano 5% wagowych Li2TiO3 i mielono w młynku kulowym przez 7 h. Uzyskany po mieleniu proszek ceramiczny wykorzystano do wytworzenia folii ceramicznej metodą odlewania. W tym celu do proszku ceramicznego, wprowadzonego w ilości 51% wagowych, dodano: jako spoiwo poliwinylobutyral w ilości 7,7% wagowych, jako zmiękczacz mieszaninę (1:1) ftalanu dwubutylu i glikolu polietylenowego w ilości 4,3% wagowych, jako zwilżacz olej rybi w ilości 1% wagowych oraz jako rozpuszczalnik mieszaninę alkoholu izopropylowego i toluenu w ilości 36% wagowych. Mieszaninę tę mielono przez 3 h w młynku kulowym w celu otrzymania gęstwy do odlewania folii ceramicznej.
Z gęstwy wytworzono metodą odlewania folię ceramiczną, mającą po wysuszeniu grubość około 90 mikrometrów. Folie pocięto przy użyciu lasera na mniejsze arkusze, które układano w stos, sprasowano izostatycznie i współspiekano 2 naniesionymi sitodrukiem testowymi ścieżkami przewodzącymi w temperaturze 880°C przez 1 godzinę.
Wytworzone podłoże charakteryzowało się niską stałą dielektryczną dla bardzo wysokich częstotliwości, wynoszącą 5,8-6 dla 1 THz w zakresie temperatur 20-150°C.

Claims (4)

1. Ceramika podłoża układów mikrofalowych, znamienna tym, że jako główny składnik zawiera boran cynku Zn4B6O13 oraz dodatki w postaci tytanianu litu Li2TiO3 w ilości 2-12% wagowych w stosunku do masy boranu cynku i/lub dodatek w postaci tytanianu magnezu MgTiO3 w ilości 2-12% wagowych w stosunku do masy boranu cynku, ewentualnie dodatek w postaci krzemianu cynku Zn2SiO4 w ilości 5-20% wagowych w stosunku do masy boranu cynku.
2. Ceramika według zastrz. 1, znamienna tym, że dodatek w postaci tytanianu litu wynosi 5% w stosunku do masy boranu cynku.
3. Ceramika według zastrz. 1, znamienna tym, że dodatek w postaci tytanianu magnezu MgTiO3 wynosi 5% w stosunku do masy borami cynku.
4. Ceramika według zastrz. 1, znamienna tym, że dodatek w postaci krzemianu cynku Zn2SiO4 wynosi 10% w stosunku do masy boranu cynku.
PL424832A 2018-03-09 2018-03-09 Ceramika na podłoża układów mikrofalowych PL241886B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL424832A PL241886B1 (pl) 2018-03-09 2018-03-09 Ceramika na podłoża układów mikrofalowych

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL424832A PL241886B1 (pl) 2018-03-09 2018-03-09 Ceramika na podłoża układów mikrofalowych

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL424832A1 PL424832A1 (pl) 2019-09-23
PL241886B1 true PL241886B1 (pl) 2022-12-19

Family

ID=67979649

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL424832A PL241886B1 (pl) 2018-03-09 2018-03-09 Ceramika na podłoża układów mikrofalowych

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL241886B1 (pl)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1752197A3 (ru) * 1990-06-07 1992-07-30 Ситебское Производственное Отделение "Монолит" (Su) Керамический материал дл высокочастотных конденсаторов и способ изготовлени высокочастотных конденсаторов
DE10222746A1 (de) * 2002-05-23 2003-12-04 Philips Intellectual Property Dielektrische Zusammensetzung auf Basis von Bariumtitanat
CN105439554A (zh) * 2015-12-19 2016-03-30 桂林理工大学 一种温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Li4Zn3B4O11及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
PL424832A1 (pl) 2019-09-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5554940B2 (ja) 低温焼成用低誘電率誘電体セラミック組成物
US8575052B2 (en) Dielectric ceramic, method for producing dielectric ceramic, and electronic component
Ren et al. Synthesis and characterization of LTCC compositions with middle permittivity based on CaO-B2O3-SiO2 glass/CaTiO3 system
US20130190163A1 (en) Dielectric ceramic and electronic component using the same
JP2002104870A (ja) 誘電体磁器および積層体
KR100704318B1 (ko) 저온소성 저손실 세라믹 유전체 조성물
JP2008069056A (ja) 誘電体磁器組成物
JP3737774B2 (ja) 誘電体セラミック組成物
JP2007250728A (ja) セラミック積層デバイスおよびその製造方法
JP5527053B2 (ja) 誘電体磁器、誘電体磁器の製造方法及び電子部品
PL241886B1 (pl) Ceramika na podłoża układów mikrofalowych
KR100842854B1 (ko) 저온 소결용 마이크로파 유전체 세라믹스 및 그 제조방법
Zhu et al. Performance of borosilicate glass/Ba3 (VO4) 2 ceramic composites and chemical stability with Ag electrodes
JP5422329B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JP2005213138A (ja) 低温焼成用高誘電率セラミック組成物
EP1627863B1 (en) Porcelain composition
Wang et al. Relationship between the structural and dielectric properties of sol-gel derived CaO–MgO–B2O3–SiO2 glass-ceramics for 5G applications in the millimeter-wave bands
PL241887B1 (pl) Taśma ceramiczna na mikrofalowe podłoża LTCC
JP3406787B2 (ja) 誘電体磁器の製造方法
JP4534413B2 (ja) 高周波部品用低誘電率磁器組成物の製造方法
JP4442077B2 (ja) 高周波部品用磁器組成物
JPH11240760A (ja) 誘電体磁器組成物およびそれを用いたセラミック電子部品
JP5527052B2 (ja) 誘電体磁器、誘電体磁器の製造方法及び電子部品
Szwagierczak et al. LTCC and Bulk Zn4B6O13–Zn2SiO4 Composites for Submillimeter Wave Applications. Materials 2021, 14, 1014
JP5062220B2 (ja) 高周波部品用低誘電率磁器基板の製造方法