PL225227B1

PL225227B1 - Sposób modyfikacji warstwy wierzchniej tytanu i jego stopów metodą plazmowego utleniania elektrochemicznego

Info

Publication number: PL225227B1
Application number: PL407486A
Authority: PL
Inventors: Wojciech Simka; Alicja Kazek-Kęsik; Maciej Sowa
Original assignee: Politechnika Śląska
Priority date: 2014-03-11
Filing date: 2014-03-11
Publication date: 2017-03-31
Also published as: PL407486A1

Description

Opis wynalazku

Przedmiotem wynalazku jest sposób modyfikacji warstwy wierzchniej tytanu i jego stopów metodą plazmowego utleniania elektrochemicznego.

Tytan i jego stopy tytanu stosowane są do produkcji różnego rodzaju endoprotez. Powierzchnia materiału stosowanego do wyrobu endoprotez powinna, w określonych obszarach powierzchni, ch arakteryzować się wysoką bioaktywnością, a zatem możliwością zrastania z otaczającą kością. Zwiększenie bioaktywności można uzyskać poprzez wytworzenie odpowiednich warstw aktywnych biologicznie, w tym wzbogaconych w związki wapnia, fosforu i krzemu.

Z polskiego zgłoszenia nr P-374 333 znany jest sposób wytwarzania kompozytowych powłok NCD/Ca-P na podłożach metalicznych implantów, stosowanych w medycynie i weterynarii, charakteryzuje się tym, że implant umieszcza się na elektrodzie wysokiej częstotliwości komory próżniowej reaktora. Do elektrody doprowadza się energię o częstotliwości 13,56 MHz. Następnie, wprowadza się do komory gaz węglonośny, przepływający z natężeniem od 10 do 90 sccm tak, aby ciśnienie w k omorze wynosiło od 10 do 80 Pa przy ujemnym potencjale autopolaryzacji elektrody wysokiej częstotliwości nie mniejszym niż 400 V. W tych warunkach utrzymuje się implant w czasie nie krótszym niż 2 minuty i nie dłuższym niż 30 minut. Następnie, zmniejsza się dopływ gazu węglonośnego do komory aż do całkowitego zamknięcia zaworów i zmniejsza się ujemny potencjał autopolaryzacji do poziomu 50 do 150 V, jednocześnie wpuszcza się do komory tlen o natężeniu przepływu w zakresie od 1 do 10 sccm. Parametry takie utrzymuje się przez czas 1 do 10 minut. Następnie, zamyka się dopływ tlenu i odcina się energię do elektrody. Po 1 do 20 minut, wyjmuje się implant z komory z warstwą nanokr ystalicznego diamentu i poddaje się sezonowaniu w temperaturze otoczenia przez do 15 minut. Tak przygotowane podłoże poddaje się drugiemu etapowi wytwarzania powłok zawierające wapń (Ca) i fosfor (P).

Znany jest także sposób z polskiego patentu nr 200 599 otrzymywania powłok kompozytowych na implantach kostnych. Na stopie tytanu wytwarza się w procesach azotowania lub węgloazotowania jarzeniowego dyfuzyjną warstwę azotowaną typu TiN + Ti₂N + oTi(N) lub węgloazotowaną typu Ti(C,N) + Ti₂N + oTi(N), po czym tak przygotowany detal poddaje się procesowi impulsowego laserowego osadzania powłoki składającej się z mieszaniny fosforanów wapna z dominującym udziałem hydroksyapatytu. Następnie, kształtuje się strukturę i skład fazowy powłoki poprzez wygrzewanie w atmosferze powietrza i pary wodnej w temperaturze od 300 do 700°C.

Znane są także sposoby wytwarzania bioaktywnych powłok hydroksyapatytowych na implantach metalowych z patentów amerykańskich nr nr US 6 344 276, US 6 569 489, US 7 550 091, US 7 387 846 i US 4 818 572.

Znany jest z polskiego zgłoszenia nr P-324 134 sposób wytwarzania tlenkowej powłoki anodowej na wyrobach z tytanu i jego stopów. Po odtłuszczeniu wyroby zanurza się kolejno: przez 1 do 2 minut w 0,5 do 1,5 molowym roztworze wodorotlenku sodu NaOH o temperaturze około 330 K, w w odzie destylowanej, przez 2 do 5 minut w 20% do 30% wag. roztworze kwasu azotowego HNO₃ o temperaturze około 330 K i ponownie w wodzie destylowanej. Następnie, wyroby poddaje się anodowaniu w około 5% wag. roztworze kwasu fosforowego H₃PO₄ w temperaturze pokojowej, przy użyciu prądu ₂ stałego o gęstości 5 do 20 mA/cm i przy napięciu 65 V do 75 V. Korzystne jest, gdy gęstość prądu ₂ podczas anodowania nie przekracza 15 mA/cm , przy napięciu 70 V.

Znany jest sposób wytwarzania fosforanowej powłoki ochronnej na wyrobach z tytanu i jego stopów z polskiego zgłoszenia nr P-367 556. Sposób polega na anodowaniu, które przeprowadza się w 1,5 do 2,5 molowym roztworze kwasu ortofosforowego H₃PO₄ o temperaturze 15 do 30°C w czasie nie krótszym niż 0,25 h. Korzystnie, anodowanie przeprowadza się prądem stałym o gęstości prądu ₂ na powierzchni anodowanej od 0,3 do 0,5 A/m przy napięciu między anodą i katodą nie przekraczającym 3 V.

Znany jest z polskiego patentu nr PL 214 127 sposób anodowania powierzchni stopów tytanu typu Ti-xNb-yZr metodą plazmowego utleniania elektrolitycznego w kąpielach zawierających krzemian potasu. Proces prowadzi się w roztworze zawierającym K₂SiO₃ o stężeniu wagowym 1-30%, korzystnie z dodatkiem wodorotlenku potasu (KOH) w ilości 5-100 g/dm . Korzystne jest prowadzenie proce₂ su w temperaturze 20-30°C, przy anodowej gęstości prądu 40-60 mA/cm², napięciu zaciskowym 70-80 V w czasie od 5 do 10 min.

Na podstawie polskich patentów nr PL 214 630 oraz nr PL 214 958 znany jest sposób anodowania tytanu i stopów tytanu Ti-6A1-4V, Ti-6Al-7Nb, Ti-13Nb-13Zr w roztworze zawierającym związki

PL 225 227 B1 wapnia i/lub fosforu. Przed modyfikacją powierzchni tytanu oraz stopów tytanu należy ich powierzc hnię oszlifować lub wypolerować elektrolitycznie. Następnie, obrabiany materiał anoduje się w wodnym roztworze Ca(H₂PO2)2 w ilości 50-100 g/dm lub w NaH₂PO₂ w ilości 10-50 g/dm , w temperaturze 20-30°C w czasie 1-10 min. Stosuje się anodową gęstość prądu 20-40 mA/cm i napięcie 200-550 V.

Znane są procesy utleniania elektrolitycznego niektórych metali w zawiesinach. Z chińskiego patentu nr CN 102 234 828 A znany jest sposób anodowania stopu glinu metodą plazmowego utleniania elektrolitycznego w zawiesinie grafitu. Proces prowadzi się w alkalicznym roztworze zawierają₃ cym 5 mol/dm Al₂(SO₄)₃ lub Al(NO₃)₃, jako dyspersant stosuje się dodecylobenzenosulfonian sodu ₃ z dodatkiem buforu amonowego oraz grafitu w ilości 2-20 g/dm . Przed procesem anodowania kąpiel umieszcza się w myjce ultradźwiękowej. Korzystnie jest prowadzić modyfikację powierzchni stopu ₂ glinu przy gęstości prądu 15 A/dm , przy częstotliwości 50-2000 Hz w 20-40°C w czasie od 10 do 120 minut.

Znana z patentu nr WO 2010 139 451 (A2) jest metoda wprowadzania nanocząstek srebra z układu koloidalnego za pomocą plazmowego utleniania elektrolitycznego na powierzchnię materiału metalicznego. Wyrób metalowy, np. implant, będący jedną z elektrod poddaje się obróbce poprzez jego zanurzenie w koloidalnym układzie zawierającym nanocząstki srebra oraz przyłożenie zmiennego prądu elektrycznego o amplitudzie napięcia zaciskowego od -350 do 1400 V, częstotliwości od 0,01 do 1200 Hz, gęstości prądu 0,0001-1000 mA/cm^{i 2} w temperaturze 20-100°C przez okres czasu od 20 do 260 s.

Z patentu chińskiego nr 103 060 877 znany jest sposób anodowania glinu w roztworze zawierającym 6-15 g/dm³ NaAlO₂, 1-3 g NaOH, 2-5 ml H₂O₂, 4-10 ml (C₂H₅)₃N oraz nierozpuszczalny B₄C. Przed procesem plazmowego utleniania elektrolitycznego powierzchnia jest szlifowana, oczyszczona w etanolu i wodzie. Po procesie plazmowym utlenianiu elektrolitycznym powierzchnia jest przemywana wodą oraz suszona na powietrzu.

Z polskich zgłoszeń patentowych nr nr P. 696 112, P. 396 114, P. 396 115 znany jest sposób wytwarzania warstw tlenkowych w zawiesinie nierozpuszczalnego związku krzemu, którym jest krzemian cyrkonu. Proces ten prowadzi się w zawiesinie krzemianu cyrkonu, z dodatkiem wodorotlenku ₃ metalu alkalicznego w ilości 5-100 g/dm , stosując polaryzację anodową poddawanego pasywacji ₂ stopu tytanu w temperaturze 15-50°C stosując anodową gęstość prądu 5-500 mA/dm , napięcie 1-600 V i czas trwania procesu 1-30 minut.

Z polskiego opisu patentowego nr PL 214 630 znany jest sposób modyfikacji warstwy wierzchniej stopów Ti-Nb-yZr fosforem lub wapnem i fosforem metodą elektrochemicznego utleniania plazmowego, który polega na tym, że modyfikowany element, wstępnie oszlifowany lub wypolerowany elektrolitycznie, zanurza się w wodnym roztworze kwasu fosforowego i/lub podfosforynu o temperatu₃ rze 15-50°C, następnie poddaje utlenianiu anodowemu przy anodowej gęstości prądu 5-5000 mA/dm i napięciu 100-650 V, w czasie 1 do 60 minut, przy czym podfosforyn w roztworze jest podfosforynem ₃ wapnia Ca(H₂PO₂)₂ o stężeniu 1-150 g/dm .

Znane sposoby wytwarzania bioaktywnych powłok na implantach metalicznych są często skomplikowane aparaturowo lub też prowadzą do otrzymania warstwy o niskiej bioaktywności. Zwiększenie bioaktywności powłok można uzyskać poprzez prowadzenie procesu plazmowego utleniania elektrolitycznego w kąpieli zawierającej związki krzemu, takie jak krzemian wapnia (CaSiO₃). Krzemian wapnia to bioaktywny związek, zwiększający adhezję i proliferację komórek kościotwórczych na modyfikowanej powierzchni. Związek ten cechuje się o wiele większą bioaktywnością niż krzemian cyrkonu.

Sposób według wynalazku polega na tym, że modyfikowany element, wstępnie oszlifowany lub wypolerowany elektrolitycznie, zanurza się w wodnym roztworze soli zawierającym krzemian wapnia CaSiO3 o stężeniu od 1 do 300 g/dm³.

Wynalazek umożliwia uzyskanie na wyrobach warstewki tlenkowej, wzbogaconej w biozgodny wapń, fosfor i krzem. Zaletą sposobu według wynalazku jest możliwość modyfikacji warstwy wierzchniej implantów lub innych wyrobów z tytanu i jego stopów, np. Ti-6Al-4V, Ti-6Al-7Nb, Ti-13Nb-13Zr, Ti15Mo wstępnie szlifowanych lub wypolerowanych elektrolitycznie. Utleniona anodowo tym sposobem powierzchnia, np. implantów, jest odporna na korozję i charakteryzuje się dobrą biotolerancją w czasie długotrwałego przebywania w środowisku tkanek i płynów ustrojowych. Ponadto, powierzchnia ta ma strukturę porowatą, o dużej zawartości wapnia, fosforu i krzemu.

PL 225 227 B1

P r z y k ł a d 1

W procesie modyfikacji warstwy wierzchniej stopu Ti-6Al-7Nb stosuje się kąpiel zawierającą

3 podfosforyn wapnia o stężeniu 0,1 mol/dm i krzemian wapnia CaSiO₃ w ilości 50-150 g/dm . Proces prowadzi się w temperaturze 20-30°C stosując anodową gęstość prądu 3000-4000 mA/dm , napięcie 300 V i czas trwania procesu 5-10 minut.

P r z y k ł a d 2

W procesie modyfikacji warstwy wierzchniej stopu Ti-6A1-4V stosuje się kąpiel zawierającą podfosforyn wapnia o stężeniu 0,1 mol/dm³ i krzemian wapnia CaSiO3 w ilości 50-150 g/dm³. Proces ₂ prowadzi się w temperaturze 20-30°C stosując anodową gęstość prądu 10000-15000 mA/dm , napięcie 350-450 V i czas trwania procesu 1-5 minut.

P r z y k ł a d 3

W procesie modyfikacji warstwy wierzchniej stopu Ti-13Nb-13Zr stosuje się kąpiel zawierająca podfosforyn wapnia o stężeniu 0,1 mol/dm i krzemian wapnia CaSiO₃ w ilości 50150 g/dm . Proces ₂ prowadzi się w temperaturze 20-30°C stosując anodową gęstość prądu 10000-15000 mA/dm², napięcie 350-450 V i czas trwania procesu 1-5 minut.

Claims

Zastrzeżenie patentowe

Sposób modyfikacji warstwy wierzchniej tytanu i jego stopów związkiem krzemu metodą elektrochemicznego utleniania plazmowego w kąpielach zawierających podfosforyn wapnia o stężeniu ₃

0,1-2,0 mol/dm³ w 15-50°C, polaryzuje się go anodowo, a następnie poddaje utlenianiu anodowemu ₂ przy anodowej gęstości prądu 5-200 mA/cm² i napięciu 100-650 V, w czasie od 1 do 60 minut, znamienny tym, że modyfikowany element, wstępnie oszlifowany lub wypolerowany elektrolitycznie, zanurza się w wodnym roztworze soli zawierającym krzemian wapnia CaSiO₃ o stężeniu od 1 do 300 g/dm³.