PL202893B1 - Sposób wytwarzania elektrody cienkowarstwowej - Google Patents
Sposób wytwarzania elektrody cienkowarstwowejInfo
- Publication number
- PL202893B1 PL202893B1 PL367151A PL36715104A PL202893B1 PL 202893 B1 PL202893 B1 PL 202893B1 PL 367151 A PL367151 A PL 367151A PL 36715104 A PL36715104 A PL 36715104A PL 202893 B1 PL202893 B1 PL 202893B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- layer
- platinum
- titanium
- etching
- electrode
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 93
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 54
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 30
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- UUWCBFKLGFQDME-UHFFFAOYSA-N platinum titanium Chemical compound [Ti].[Pt] UUWCBFKLGFQDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 7
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus decaoxide Chemical compound O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical class O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000029087 digestion Effects 0.000 description 1
- 230000001079 digestive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000717 platinum sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Weting (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania elektrody cienkowarstwowej, zwłaszcza elektrody platynowej wytwarzanej na podłożu odpornym na działanie temperatur i odczynników używanych w trakcie procesu, a przeznaczonej do różnorodnych zastosowań elektrochemicznych.
Ze względu na dobre przewodnictwo elektryczne i małą reaktywność chemiczną elektrody platynowe są szeroko stosowane. Elektrody te mogą pracować w agresywnych środowiskach kwasowych czy zasadowych, cechują się dużą odpornością na utlenianie i korozję, nawet w temperaturach kilkuset stopni Celsjusza. Najczęściej elektrody te stosowane są jako elektrody doprowadzające prąd elektryczny do roztworów, jako elektrody do mierzenia potencjałów w elektrolicie - elektrody potencjometryczne lub jako elektrody pseudo-referencyjne w pomiarach zmian stężenia jonów wodorowych za pomocą pH-metrów. Ponadto cienkowarstwowe elektrody platynowe są wykorzystywane jako okładki kondensatorowe i ścieżki przewodzące w warunkach wymagających zastosowania odpornego chemicznie metalu oraz do pomiaru temperatury jako termorezystory.
Elektrody platynowe o rozmiarach makroskopowych wytwarza się najczęściej metodami obróbki mechanicznej - walcowanie, wytłaczanie i cięcie blachy lub drutu platynowego. Grubowarstwowe elektrody platynowe można uzyskać przez osadzanie galwaniczne lub metodą sitodruku. Natomiast cienkowarstwowe elektrody platynowe wytwarzane są z cienkich warstw platyny o dużej czystości, które nakłada się próżniowo przez rozpylanie targetu platynowego, najczęściej jonami argonu. Typowe grubości uzyskiwane tą metodą nie przekraczają 2 μm. Możliwe jest również wykonanie elektrod Pt metodą FIB (Focussed Ion Beam). Warstwy Pt oprócz wymienionych powyżej zastosowań służą także jako warstwy barierowe w dyfuzji, jako warstwy ochronne w procesach trawienia innych warstw prowadzonych przy użyciu silnych kwasów itp. O ile samo osadzenie próżniowe cienkiej warstwy Pt nie stanowi problemu, trudności sprawiać może selektywne wytrawienie platyny z obszaru poza elektrodą. Jak wiadomo, podstawową metodą trawienia Pt jest gorąca kąpiel w wodzie królewskiej, czyli mieszaninie kwasów solnego i azotowego, z 3 do 7-krotną przewagą objętościową kwasu solnego. Niewiele jest substancji mogących służyć jako maska do osłony powierzchni elektrody podczas takiego trawienia. Typowe fotorezysty nie wytrzymują trawienia w wodzie królewskiej, dlatego trzeba stosować lakiery o podwyższonej odporności chemicznej. Aby zamaskować obszar elektrody przed kilkuminutowym trawieniem, należy użyć grubej warstwy lakieru (0,1 mm), a więc można wytwarzać tylko szerokie elektrody. Do zabezpieczenia obszaru elektrody Pt może być stosowana także odporna na kwasy żywica epoksydowa fotoczuła (SUS). Żywica daje warstwy o grubości nie mniejszej niż 20 nm tak więc niemożliwe jest otrzymanie elektrod węższych niż kilka mikrometrów (rozdzielczość litografii). Poza tym podczas trawienia platyny krawędź żywicy ulega podcięciu i narożniki obszarów zniekształcają się.
Stosowanie innych warstw maskujących, tak zwanych twardych masek jest także ograniczone, ze względu na słabą adhezję materiału maski do platyny i wymaganą odporność na trawienie. Większość metali nie może stanowić maski, ponieważ trawią się w wodzie królewskiej. Stosunkowo odporny na trawienie w wodzie królewskiej chrom tworzy jednak mikrokanaliki i pęknięcia, przez które wytrawiają się dziury w warstwie platynowej.
Inną twardą maskę stanowić może dwutlenek krzemu osadzany metodami CVD na warstwie platynowej. Jednak z powodu niewystarczającej adhezji dwutlenku krzemu i platyny, wytworzona elektroda platynowa posiada defekty w postaci licznych ubytków platyny.
Znany jest alternatywny w stosunku do mokrego trawienia sposób uzyskiwania elektrody platynowej z uprzednio naniesionej na podłoże warstwy platyny. Sposobem tym jest suche trawienie warstwy Pt za pomocą jonów lub rodników (trawienie jonowe, trawienie plazmowe). Bombardowanie jonowe, na przykład jonami Ar+, narusza zarówno obszar warstwy Pt przeznaczony do strawienia jak i materiał maskujący obszar cienkowarstwowej elektrody, należy więc stosować twarde maski o odpowiednio dużej grubości. Z publikacji (Kwon Seok Kim i inn. Journal of the Korean Physical Society, Vol.32 Feb. 1998 pp. S1532-4 oraz Jeon-Kook Lee i inn. tamże, pp. S1550-2) znany jest sposób selektywnego trawienia platyny w plazmie mieszanej CCI2F2 i Ar. Natomiast w publikacji (T.Comyn, The Reactive Ion Etching of Transition Metals via Formation of Metal-Organic Species, MSc Thesis, 1994) opisano trawienie w plazmie CI2 + CO, prowadzono także próby trawienia w plazmie BCI3 + CI2. Wszystkie te metody wymagają jednak użycia masek odpornych na trawienie i skomplikowanej aparatury. Wadą powyższych metod jest trawienie jonowe podłoża po zakończeniu trawienia warstwy. Poza tym w niektórych zastosowaniach powierzchnia podłoża nie powinna być narażona na trawienie
PL 202 893 B1 jonowe, gdyż proces ten powoduje powstanie ładunków w dielektryku zakłócających działanie przyrządu, na przykład czujnika pH z tranzystorem ISFET.
Inną znaną metodą wytworzenia elektrod platynowych jest tzw. fotolitografia lift-off, w której powierzchnię podłoża, poza obszarem elektrody maskuje się fotorezystem i całość poddaje procesowi napylania Pt. Następnie fotorezyst ze znajdującą się na nim platyną usuwa się. Obecność fotorezystu pogarsza jednak tło próżniowe podczas napylania platyny, wskutek czego warstwa zawiera więcej zanieczyszczeń.
Sposób wytwarzania elektrody platynowej według wynalazku polega na tym, że najpierw na podłożu, korzystnie na podłożu pokrytym warstwą dwutlenku krzemu, wytwarza się warstwę platyny, a na nią nanosi się warstwę tytanu o grubości > 10% grubości warstwy platyny. Następnie w warstwie tytanu wytrawia się, korzystnie metodą fotolitografii, obszar o kształcie elektrody, przy czym trawienie prowadzi się aż do całkowitego strawienia tytanu. Po zakończeniu procesu trawienia, na odsłoniętą powierzchnię warstwy platyny i na pozostałą warstwę tytanu nanosi się warstwę ochronną, która w co najmniej 50% składa się z dwutlenku krzemu. Następnie całość wygrzewa w temperaturze > 500°C. Po zakończeniu procesu wygrzewania strawia się, korzystnie w roztworze kwasu fluorowodorowego, warstwę ochronną oraz strawia się w roztworze zawierającym co najmniej 6% nadtlenku wodoru zmodyfikowaną w wyniku wygrzewania warstwę tytanowo - platynową znajdującą się poza obszarem elektrody.
W odmianie sposobu, po wytrawieniu w warstwie tytanu obszaru o kształcie elektrody prowadzi się wygrzewanie w temperaturze > 500°C w próżni lub w innym środowisku pozbawionym tlenu i azotu. Po zakończeniu wygrzewania strawia się zmodyfikowaną w trakcie wygrzewania warstwę tytanowo - platynową znajdującą się poza obszarem elektrody.
Zaletą sposobu wytwarzania elektrody cienkowarstwowej według wynalazku jest wykorzystanie stosunkowo prostych metod osadzania, wygrzewania i trawienia mokrego wytworzonych warstw i spójność tych metod z procesami technologii planarnych w przemyśle elektronicznym.
Przy zastosowaniu metody fotolitografii kształt elektrody definiuje się w warstwie tytanu, a nie w warstwie platyny, można więc stosować standardowe fotorezysty. Dzięki temu możliwe do uzyskania są elektrody o znacznie mniejszych wymiarach. Tytan trawi się w kwasach nieorganicznych i zbędny tytan jest łatwo wytrawiany na mokro w typowych kąpielach trawiących, odsłaniając powierzchnię elektrody Pt. Zaletą jest także zamiast kłopotliwego trawienia platyny zastosowanie trawienia warstwy tytanowo - platynowej, powstałej selektywnie w miejscach, gdzie tytan i platyna sąsiadują ze sobą podczas wygrzewania. Minimalna wielkość elektrody nie jest ograniczona rozdzielczością grubego fotorezystu, jak w znanych sposobach, nie ma także efektu podtrawiania maski. W warstwie Pt o grubości ułamków mikrometra można zatem wytworzyć elektrody o podobnej szerokości. Nie następuje tu atakowanie wolnej od Pt powierzchni podłoża przez bombardowanie jonami, jak w procesie trawienia plazmowego, a więc sposób wytwarzania według wynalazku nie degraduje właściwości podłoża.
Wynalazek zostanie bliżej objaśniony na przykładzie wykonania przedstawionym na rysunku, gdzie na przekrojach pokazanych na fig. 1 - fig. 6 zaprezentowano poszczególne etapy wytwarzania cienkowarstwowej elektrody.
W przykładzie tym jako podłoża 1 użyto płytki krzemowej, utlenionej na grubość 0,4 μm, w wyniku czego podłoże zostało zaizolowane warstwą dwutlenku krzemu 2. Następnie na tak przygotowanym podłożu osadzono metodą rozpylania jonowego najpierw warstwę platyny 3 o grubości 0,1 μm, a następnie na niej warstwę tytanu 4 o grubości również 0,1 μm (fig. 1). Po zakończeniu procesu osadzania w warstwie tytanu wytworzono metodą fotolitografii obszar o kształcie prostokątnej elektrody. Trawienie prowadzono do całkowitego strawienia tytanu w obszarze elektrody (fig. 2). Po zakończeniu tego trawienia całą powierzchnię pokryto warstwą ochronną 5 szkliwa borofosforowego o grubości 0.18 nm, w którym zawartość pięciotlenku fosforu (P2O2) wynosiła 5%, a zawartość trójtlenku boru (B2O3) wynosiła 3,5% (fig. 3). Następnie całość, to znaczy podłoże z warstwami, wygrzano w temperaturze 650°C w atmosferze azotu przez 12 minut (fig. 4). W wyniku procesu wygrzewania, w miejscach gdzie tytan i platyna sąsiadowały ze sobą, powstała warstwa tytanowo - platynowa 6, natomiast warstwa platyny w obszarze elektrody nie uległa przekształceniu. Następnie całą warstwę ochronną usunięto za pomocą trawienia w 1% wodnym roztworze kwasu fluorowodorowego (fig. 5). Po zakończeniu tego trawienia przystąpiono do wydzielenia elektrody z warstwy platynowej 3. Podłoże z warstwami 6 i 3 umieszczono w mieszaninie trawiącej składającej się z równych objętości perhydrolu i kwasu siarkowego. Trawienie prowadzono do całkowitego strawienia warstwy tytanowo - platynowej 6 znajdującej
PL 202 893 B1 się poza obszarem elektrody (powierzchnia warstwy tytanowo - platynowej 6 wynosiła 2 cm2, a proces trawienia prowadzono przez 16 min). W wyniku trawienia otrzymano cienkowarstwową elektrodę platynową na utlenionej płytce krzemowej. Istotnym elementem tego sposobu jest zastąpienie kłopotliwego trawienia platyny łatwiejszym trawieniem warstwy tytanowo - platynowej powstałej selektywnie podczas wygrzewania oraz dobranie odpowiedniego wytrawiacza. Ponieważ czysta platyna nie trawi się w mieszaninie składającej się perhydrolu i kwasu siarkowego, nie ma tu efektu podtrawiania. Sposób wytwarzania według wynalazku nie degraduje właściwości podłoża, gdyż nie korzysta z suchego trawienia. Otrzymane elektrody platynowe nadają się do wykorzystania jako ścieżki przewodzące lub rezystory we wszystkich wymienionych na wstępie zastosowaniach cienkowarstwowych elektrod Pt.
Claims (2)
1. Sposób wytwarzania elektrody cienkowarstwowej z naniesionej na podłoże warstwy platyny, znamienny tym, że na podłożu korzystnie na podłożu pokrytym warstwą dwutlenku krzemu (2), wytwarza się warstwę platyny (3), a na niej warstwę tytanu (4) o grubości > 10% grubości warstwy platyny (3), następnie w warstwie tytanu (4) wytrawia się, korzystnie metodą fotolitografii, obszar o kształcie elektrody, przy czym trawienie prowadzi się aż do całkowitego strawienia tytanu, po zakończeniu procesu trawienia na odsłoniętą powierzchnię warstwy platyny (3) i na pozostałą warstwę tytanu (4) nanosi się warstwę ochronną (5), która w co najmniej 50% składa się z dwutlenku krzemu i całość wygrzewa w temperaturze > 500°C, po zakończeniu procesu wygrzewania strawia się, korzystnie w roztworze kwasu fluorowodorowego, warstwę ochronną (5) oraz strawia się w roztworze zawierającym co najmniej 6% nadtlenku wodoru zmodyfikowaną w wyniku wygrzewania warstwę tytanowo - platynową (6) znajdującą się poza obszarem elektrody.
2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że po wytrawieniu w warstwie tytanu (4) obszaru elektrody prowadzi się wygrzewanie w temperaturze > 500°C w próżni lub w innym środowisku pozbawionym tlenu i azotu, a po zakończeniu wygrzewania trawi się zmodyfikowaną w trakcie wygrzewania warstwę tytanowo - platynową (6) znajdującą się poza obszarem elektrody.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL367151A PL202893B1 (pl) | 2004-04-09 | 2004-04-09 | Sposób wytwarzania elektrody cienkowarstwowej |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL367151A PL202893B1 (pl) | 2004-04-09 | 2004-04-09 | Sposób wytwarzania elektrody cienkowarstwowej |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL367151A1 PL367151A1 (pl) | 2005-10-17 |
| PL202893B1 true PL202893B1 (pl) | 2009-08-31 |
Family
ID=36645170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL367151A PL202893B1 (pl) | 2004-04-09 | 2004-04-09 | Sposób wytwarzania elektrody cienkowarstwowej |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL202893B1 (pl) |
-
2004
- 2004-04-09 PL PL367151A patent/PL202893B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL367151A1 (pl) | 2005-10-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3472855B1 (en) | Depositing a passivation layer on a graphene sheet | |
| US8052854B1 (en) | Carbon dioxide gas sensors and method of manufacturing and using same | |
| CN102070118A (zh) | 金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板 | |
| CN101375155B (zh) | 交叉指型微电极和制造交叉指型微电极的方法 | |
| US9927395B1 (en) | Miniaturized gas sensor device and method | |
| US3220938A (en) | Oxide underlay for printed circuit components | |
| PL202893B1 (pl) | Sposób wytwarzania elektrody cienkowarstwowej | |
| CN112903727B (zh) | 透射电镜电化学检测芯片及其制造方法 | |
| JP5262159B2 (ja) | 薄膜チップ抵抗器の製造方法 | |
| Wei et al. | Study on the Influence of Etchant Composition and Etching Process on the Precision of Stainless‐Steel Microchannel and Etching Mechanism | |
| KR100439645B1 (ko) | 다공성 실리콘을 이용한 은/염화은 박막 기준전극 제작 방법 | |
| CN118507376B (zh) | 一种湿法刻蚀氧化硅终点检测方法 | |
| US20130149460A1 (en) | Galvanic porous silocon composites for nanoenergetics and monolithically integrated ignitor | |
| Kelly et al. | Electrochemical aspects of the beveling of sputtered permalloy films | |
| CN114107991A (zh) | 一种钼-铜双层膜材料蚀刻方法及腐蚀液 | |
| JP3013667B2 (ja) | 薄膜の表面状態の評価方法 | |
| Reddy et al. | Pattern alignment effects in through-wafer bulk micromachining of (100) silicon | |
| KR100444028B1 (ko) | 은-염화은 전극 제조방법 | |
| CN116338317A (zh) | 一种阻值测量方法 | |
| Gabrielli et al. | Electrochemistry on microcircuits. I: Copper microelectrodes in oxalic acid media | |
| JPH10126039A (ja) | プリント配線基板などのエッチング方法 | |
| KR100577691B1 (ko) | 금속층 미세 가공 방법. | |
| Kitajima et al. | Electrographic detection of pinholes in ion-plated silicon nitride film on molybdenum | |
| SE468179B (sv) | Elektrokemisk maetelektrod och foerfarande foer framstaellning av maetelektroden | |
| JPH07209116A (ja) | 圧力センサ |