CN102070118A - 金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板 - Google Patents
金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102070118A CN102070118A CN201010518328.4A CN201010518328A CN102070118A CN 102070118 A CN102070118 A CN 102070118A CN 201010518328 A CN201010518328 A CN 201010518328A CN 102070118 A CN102070118 A CN 102070118A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon
- electrode
- layer
- silicon nitride
- oxide semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 25
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title claims abstract description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 title abstract 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 86
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 77
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 77
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 76
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 43
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 25
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 18
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 10
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 239000000047 product Substances 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 2
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 2
- 206010017740 Gas poisoning Diseases 0.000 description 1
- 102000001554 Hemoglobins Human genes 0.000 description 1
- 108010054147 Hemoglobins Proteins 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000011038 discontinuous diafiltration by volume reduction Methods 0.000 description 1
- 238000007323 disproportionation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
本发明公开一种金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板,包括硅基底、硅岛、氮化硅截止层、二氧化硅绝热层、叉指信号电极、测温电极、加热电极;所述的硅基底具有通孔结构,硅基底的上表面包括通孔的顶部设有氮化硅截止层,氮化硅截止层上表面设有二氧化硅绝热层,二氧化硅绝热层上表面设有叉指信号电极、测温电极和加热电极组成的电极组,在硅基底通孔的顶部氮化硅截止层的下表面设有硅岛。本发明还公开了上述微加热板的制造工艺。本发明将加热电极、叉指信号电极、测温电极制作于一层,降低了制造复杂度,提高了成品率;在传感器工作区域的下方设计并制造出一个硅岛结构以传导加热电极所产生的热量,使得工作区域得到均匀的温度分布。
Description
技术领域
本发明涉及一种微加热板及其制造工艺,更具体地是涉及一种金属氧化物半导体气体传感器用微加热板及其制造工艺,主要用于生产、储备、运输有毒有害气体过程中气体的安全检测领域。
背景技术
在日常生活中碰到的还原性气体多为有毒有害气体或易燃易爆气体,如工业排放SO2、NOx和H2S气体是造成环境污染的最重要的原因;常用做燃料的H2、CH4和CO一旦泄漏遇明火会发生爆炸事故,其中CO极易与血红蛋白结合从而造成煤气中毒。而检测这些气体的方法多少都存在需借助大型仪器分析、采用昂贵而复杂的监测系统、灵敏度不高、费时费力、难于集成,不适合现场实时快速检测等缺点。而金属氧化物半导体气体传感器具有精度高、反应快、体积小、质量轻功耗低、选择性好、稳定性高、测试系统简单等优点,有很光明的应用前景。
金属氧化物半导体纳米薄膜的气敏性能往往需要被加热到一定温度才能发挥效果,因此需要在薄膜下制作微加热板,以提供给气敏薄膜足够的温度。传统结构的微加热板一般采用多层设计,即在绝热层上放置一个加热电极,在加热电极上沉淀一层绝缘层并采用光刻工艺将绝缘层加工成所需要的形状,再在绝缘层上制作一层叉指信号电极。这样则需要经过两次溅射和光刻工艺。而且这种结构的传感器,其气敏薄膜上的温度梯度较大,使敏感薄膜不同区域的工作状态不同,从而降低传感器的工作效率。如果将加热电极、叉指电极、测温电极放在一层虽可以简化制作工艺,但加热电极的有效加热面积会受到限制从而提供不了足够的热量,且薄膜表面的温度分布会更加不利于薄膜性能的发挥。因此,设计出一种既能简化制作工艺,又能提供给薄膜足够的温度及均匀的温度分布很有工程应用意义。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板,以克服多层微加热板结构的加工步骤繁复和温度分布不均匀的缺陷。
本发明还要解决的技术问题是提供上述微加热板的制造工艺。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案如下:
金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板,它包括硅基底、硅岛、氮化硅截止层、二氧化硅绝热层、叉指信号电极、测温电极、加热电极;所述的硅基底具有通孔结构,硅基底的上表面包括通孔的顶部设有氮化硅截止层,氮化硅截止层上表面设有二氧化硅绝热层,二氧化硅绝热层上表面设有叉指信号电极、测温电极和加热电极组成的电极组,在硅基底通孔的顶部氮化硅截止层的下表面设有硅岛,硅岛位置与电机组工作区域对应。
其中,所述的硅基底为双面抛光。
其中,所述的通孔结构为顶部面积小、底部面积大的梯形通孔结构。
其中,所述的硅基底厚度为300~400μm,优选为350μm;所述氮化硅截止层厚度为200~350nm,优选为300nm;所述二氧化硅绝热层厚度为500~700nm,优选为600nm,硅岛厚度为10~50μm,优选10μm。
其中,所述叉指信号电极的宽度为10μm;测温电极的宽度为10μm;加热电极的宽度为20μm;电极组的厚度为200nm。
上述金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板的制造工艺,它包括如下步骤:
(1)采用低压化学气相沉积法在硅基底上表面生成氮化硅截止层;
(2)采用等离子体增强化学气相沉积法在氮化硅层上表面生成二氧化硅绝热层;
(3)在二氧化硅绝热层上表面涂光刻胶,光刻,得到电极组的形状;
(4)采用磁控溅射法在步骤(3)得到的产品的上表面生成铂薄膜层;
(5)光刻剥离法处理步骤(4)得到的产品,得到所需的电极组;
(6)在硅基底的下表面采用热氧化法生成二氧化硅掩模层;
(7)采用低压化学气相沉积法在二氧化硅掩模层下表面生成氮化硅掩模层;
(8)在氮化硅掩模层下表面涂光刻胶,光刻,采用反应离子刻蚀法将光刻后暴露出的氮化硅腐蚀掉,裸露出二氧化硅掩模层;
(9)在裸露的二氧化硅掩模层下表面涂光刻胶、光刻,再用缓冲氢氟酸溶液进行腐蚀将不需要的二氧化硅腐蚀掉,裸露出硅基底的下表面;
(10)用氢氧化钾溶液对硅基底进行腐蚀得到硅岛的初始形状;
(11)用缓冲氢氟酸溶液将步骤(10)保留的二氧化硅掩模层腐蚀掉;
(12)用氢氧化钾溶液继续对硅基底进行腐蚀从而得到所需要的硅岛。
本发明采用微机电系统(Micro Electronical Mechanical System,MEMS)工艺,将金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器的核心部件集成在一个2mm×2mm的芯片之上,利用加热电极将金属氧化物半导体纳米薄膜加热到所需的工作温度,利用测温电极反馈温度信号,利用叉指电极减小薄膜的电阻值测量电阻的变化,并且将硅基底腐蚀空,从而可以减小传感器的体积降低传感器的功耗。可在本发明微加热板的基础上针对不同气体生成不同的金属氧化物半导体薄膜。
本发明的有益效果是:
与传统多层微加热板相似,本发明同样由基底、加热电极、叉指电极等几个关键部分组成。但是本发明将加热电极、叉指信号电极、测温电极制作于一层,这样就可以减少一层氮化硅绝缘层的制作,从而降低了制造复杂度,提高了成品率。为改进单层微加热板温度分布不合理的情况,在传感器工作区域的下方设计并制造出一个硅岛结构以传导加热电极所产生的热量,使得工作区域得到均匀的温度分布。本发明采用MEMS工艺具有体积小、反应快、成本低、易批量生产等优点。
附图说明
图1为本发明金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板示意图。
图2为图1产品的底部示意图。
图3为本发明金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板的结构爆炸图。
图4为本发明电极组结构图的一种示例。
图5为本发明微加热板的制作流程图。
图6不带硅岛时的温度分布。
图7本发明带硅岛时的温度分布。
图中:1、电极组;2、二氧化硅绝热层;3、氮化硅截止层;4、硅基底;5、硅岛;6、加热电极;7、叉指信号电极;8、测温电极。
具体实施方式
根据下述实施例,可以更好地理解本发明。然而,本领域的技术人员容易理解,实施例所描述的内容仅用于说明本发明,而不应当也不会限制权利要求书中所详细描述的本发明。
实施例1:
如图1、图2所示,本发明金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器包括硅基底4、硅岛5、氮化硅截止层3、二氧化硅绝热层2、叉指信号电极7、测温电极8、加热电极6;所述的硅基底1具有通孔结构,该通孔结构为顶部面积小、底部面积大的梯形通孔。硅基底的上表面包括通孔的顶部设有氮化硅截止层3,氮化硅截止层3上表面设有二氧化硅绝热层2,二氧化硅绝热层2上表面设有叉指信号电极7、测温电极8和加热电极6组成的电极组1,在硅基底4通孔的顶部氮化硅截止层2的下表面设有硅岛5,该硅岛5为独立的一块硅片,与硅基底1不相连接,与电极的加热区域即将来使用过程中金属氧化物半导体纳米薄膜的工作区域相对应。
电极组的厚度为200nm。叉指信号电极的电极宽度为10μm,电极间距为5μm。加热电极的电极宽度为20μm,电极间距为10μm。测温电极的电极宽度为10μm,电极间距为10μm。二氧化硅绝热层的厚度为600m。氮化硅截止层的厚度为300nm。硅基底选用双面抛光,晶向为<1,0,0>的单晶硅,其厚度为350μm。硅岛依附于氮化硅截止层下,厚度为10μm。本发明并不局限于实施例中所述的这些数据(包括厚度、宽度、间距等),只要在本发明范围内的数据,都可以实现本发明产品的功能,本发明的电极布局也不局限于图4所示,电极如何布局也不是本发明的关键点,只要能实现传感器功能的电极布局都在本发明的保护范围之内。
具体制造工艺如下:
(1)以厚度为350μm,双面抛光的P型[1,0,0]硅片作为基底,对其进行清洗、漂洗并烘干,然后采用低压化学气相沉积法(LPCVD)在硅基底上表面生成300nm厚的氮化硅截止层,如图5a所示;
(2)采用等离子体增强化学气相沉积法(PACVD)在氮化硅层上表面生成600nm厚的二氧化硅绝热层,如图5b所示;
(3)在二氧化硅绝热层上表面涂光刻胶,将制作好的电极组形状的掩模版盖在光刻胶上,进行曝光,被光照到的光刻胶成为可溶解于显影液的物质,将曝光后的硅片放入显影液中,溶解掉被光照后的光刻胶,因此裸露的二氧化硅膜为电极组形状;
(4)采用磁控溅射法在步骤(3)得到的产品的上表面生成200nm厚的铂薄膜层;
(5)光刻剥离法(Lift-off)处理步骤(4)得到的产品,即清洗掉光刻胶并带掉光刻胶上的铂,得到所需的电极组;
(6)在硅基底的下表面采用热氧化法生成二氧化硅掩模层;
(7)采用低压化学气相沉积法(LPCVD)在二氧化硅掩模层下表面生成氮化硅掩模层;
(8)在氮化硅掩模层下表面涂光刻胶,盖上所需氮化硅形状的掩模版,曝光,再将曝光后的光刻胶溶解于显影液,从而裸露出所需腐蚀掉的氮化硅,之后采用反应离子刻蚀法将氮化硅腐蚀,裸露出上面的二氧化硅;
(9)在裸露的二氧化硅掩模层下表面涂光刻胶,光刻成所需的形状,再用缓冲氢氟酸溶液(BHF)进行腐蚀将不需要的二氧化硅腐蚀掉,裸露出硅基底的下表面;
(10)将步骤(9)得到的产品放入60℃、浓度为40%(w/w)氢氧化钾溶液,对硅基底进行腐蚀得到硅岛的初始形状;
(11)用缓冲氢氟酸溶液(BHF)将步骤(10)保留的二氧化硅掩模层腐蚀掉;
(12)将步骤(11)得到的产品放入60℃、浓度为52%(w/w)的用氢氧化钾溶液继续对硅基底进行腐蚀,直到通过显微镜观察硅岛厚度达到10μm为止。
该微加热板结构紧凑,体积小,功耗小,制造成品率高。使用该形状的电极组使得在有限的面积之下最大限度的延长了加热电极的长度,增加了加热电极的有效加热面积,提高了加热效率;测温电极处于加热电极和叉指电极之间能更准确的反馈出金属氧化物半导体纳米薄膜的工作温度;叉指信号电极处于电极组的中心能更好得发挥其功效。二氧化硅绝热层益于将热量集中于中心区域,减小传感器与周围空气的热对流带走的热量。氮化硅截止层不仅可以有效阻挡住氢氧化钾的继续腐蚀,还可以把加热电极产生的热量更好得传导给硅岛并将硅岛所均匀好的热量再重新传递回敏感薄膜。将硅基底加工成棱台行可降低基底与空气的热对流而损失的热量。将硅岛厚度加工为10μm可在不影响均匀温度分布的情况下减小硅岛上的热量损失。
图6和图7为利用有限元分析软件ansys对上述结构及不带硅岛的上述结构进行稳态热分析的结果对比。从结果中可以看出当该结构不带硅岛时温度分布较为合理,最高温度集中于气敏薄膜中央且分布较大,但是整个薄膜上的温差较大,最高温度与最低温度相差达60度,无法将薄膜的性能充分发挥。而带硅岛的该结构温度分布更为平均,整个薄膜的温差只有6度,使得薄膜能在同一状态下工作从而使得薄膜性能得到充分的发挥。
Claims (8)
1.金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板,其特征在于它包括硅基底、硅岛、氮化硅截止层、二氧化硅绝热层、叉指信号电极、测温电极、加热电极;所述的硅基底具有通孔结构,硅基底的上表面包括通孔的顶部设有氮化硅截止层,氮化硅截止层上表面设有二氧化硅绝热层,二氧化硅绝热层上表面设有叉指信号电极、测温电极和加热电极组成的电极组,在硅基底通孔的顶部氮化硅截止层的下表面设有硅岛。
2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板,其特征在于所述的硅基底为双面抛光。
3.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板,其特征在于所述的通孔结构为顶部面积小、底部面积大的梯形通孔结构。
4.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板,其特征在于所述的硅基底厚度为300~400μm,所述氮化硅截止层厚度为200~350nm,所述二氧化硅绝热层厚度为500~700nm,硅岛厚度为10~50μm。
5.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板,其特征在于所述叉指信号电极的宽度为10μm,测温电极的宽度为10μm,加热电极的宽度为10μm,电极组的厚度为200nm。
6.权利要求1所述的金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板的制造工艺,其特征在于它包括如下步骤:
(1)采用低压化学气相沉积法在硅基底上表面生成氮化硅截止层;
(2)采用等离子体增强化学气相沉积法在氮化硅层上表面生成二氧化硅绝热层;
(3)在二氧化硅绝热层上表面涂光刻胶,光刻,得到电极组的形状;
(4)采用磁控溅射法在步骤(3)得到的产品的上表面生成铂薄膜层;
(5)光刻剥离法处理步骤(4)得到的产品,得到所需的电极组;
(6)在硅基底的下表面采用热氧化法生成二氧化硅掩模层;
(7)采用低压化学气相沉积法在二氧化硅掩模层下表面生成氮化硅掩模层;
(8)在氮化硅掩模层下表面涂光刻胶,光刻,采用反应离子刻蚀法将光刻后暴露出的氮化硅腐蚀掉,裸露出二氧化硅掩模层;
(9)在裸露的二氧化硅掩模层下表面涂光刻胶、光刻,再用缓冲氢氟酸溶液进行腐蚀将不需要的二氧化硅腐蚀掉,裸露出硅基底的下表面;
(10)用氢氧化钾溶液对硅基底进行腐蚀得到硅岛的初始形状;
(11)用缓冲氢氟酸溶液将步骤(10)保留的二氧化硅掩模层腐蚀掉;
(12)用氢氧化钾溶液继续对硅基底进行腐蚀从而得到所需要的硅岛。
7.根据权利要求6所述的金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板的制造工艺,其特征在于所述的硅基底厚度为300~400μm、所述氮化硅截止层厚度为200~350nm,所述二氧化硅绝热层厚度为500~700m。
8.根据权利要求6所述的金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板的制造工艺,其特征在于所述叉指信号电极的宽度为10μm,测温电极的宽度为10μm,加热电极的宽度为20μm,电极组的厚度为200nm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201010518328.4A CN102070118A (zh) | 2010-10-26 | 2010-10-26 | 金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201010518328.4A CN102070118A (zh) | 2010-10-26 | 2010-10-26 | 金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102070118A true CN102070118A (zh) | 2011-05-25 |
Family
ID=44028906
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201010518328.4A Pending CN102070118A (zh) | 2010-10-26 | 2010-10-26 | 金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102070118A (zh) |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102279206A (zh) * | 2011-06-21 | 2011-12-14 | 清华大学 | 热分析型化学及气体探测传感器 |
CN103175866A (zh) * | 2011-12-26 | 2013-06-26 | 中国第一汽车股份有限公司 | 集成平面式气体传感器衬底 |
CN103630582A (zh) * | 2013-12-11 | 2014-03-12 | 江苏物联网研究发展中心 | 一种mems湿度传感器及制备方法 |
CN104197912A (zh) * | 2014-08-08 | 2014-12-10 | 上海交通大学 | 一种双端固定式硅基微型半球谐振陀螺仪及其制备方法 |
CN105452843A (zh) * | 2013-08-14 | 2016-03-30 | 罗伯特·博世有限公司 | 颗粒传感器和用于制造颗粒传感器的方法 |
CN106744652A (zh) * | 2017-02-10 | 2017-05-31 | 苏州甫电子科技有限公司 | 复合结构的mems微加热芯片及其制造方法与应用 |
CN106976837A (zh) * | 2017-04-24 | 2017-07-25 | 广东美的制冷设备有限公司 | 微型加热器及其加工方法 |
CN107089638A (zh) * | 2017-04-24 | 2017-08-25 | 广东美的制冷设备有限公司 | 微型加热器及其加工方法 |
CN107782767A (zh) * | 2016-08-26 | 2018-03-09 | 深迪半导体(上海)有限公司 | 一种气体传感器加热盘及加工方法 |
CN108751122A (zh) * | 2018-05-17 | 2018-11-06 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种三维微型加热器及其制备方法 |
CN109900749A (zh) * | 2019-03-13 | 2019-06-18 | 华中科技大学 | 一种基于陶瓷基片的微热板气敏阵列器件及制造方法 |
CN110040678A (zh) * | 2019-04-18 | 2019-07-23 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 微传感器及其制备方法 |
CN110988051A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-04-10 | 武汉微纳传感技术有限公司 | 一种双模式mems气体传感器及其工作方法 |
CN110988050A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-04-10 | 武汉微纳传感技术有限公司 | 一种带温度感测功能的mems气体传感器及其制备方法 |
CN111620300A (zh) * | 2020-06-04 | 2020-09-04 | 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 | 具有背腔结构的器件及其形成方法 |
WO2020253454A1 (zh) * | 2019-06-20 | 2020-12-24 | 南京云创大数据科技股份有限公司 | 一种基于wo3纳米薄膜的可燃气体传感器 |
CN112320750A (zh) * | 2020-11-09 | 2021-02-05 | 歌尔微电子有限公司 | Mems皮拉尼计及其制作方法、mems传感器及电子设备 |
CN113336184A (zh) * | 2021-06-04 | 2021-09-03 | 微集电科技(苏州)有限公司 | 一种封闭膜结构mems红外光源及其制备方法 |
CN113514498A (zh) * | 2020-04-10 | 2021-10-19 | 中国石油化工股份有限公司 | 共片加热阵列式气体检测微芯片及制备方法 |
CN114813724A (zh) * | 2022-06-28 | 2022-07-29 | 安徽维纳物联科技有限公司 | 氮氧化物检测系统及其制备方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1403805A (zh) * | 2001-09-07 | 2003-03-19 | 信息产业部电子第四十九研究所 | 具有温湿度补偿功能的微偏二甲肼气体传感器的制造方法 |
US6822326B2 (en) * | 2002-09-25 | 2004-11-23 | Ziptronix | Wafer bonding hermetic encapsulation |
KR100473498B1 (ko) * | 2004-08-30 | 2005-03-09 | 주식회사 스펙 | 단열형 열교환기 및 그 제조방법 |
US20050142036A1 (en) * | 2003-12-26 | 2005-06-30 | Kim Sung J. | Micro-fluidic heating system |
CN101614604A (zh) * | 2009-07-14 | 2009-12-30 | 西北工业大学 | 基于滑膜差动结构的硅谐振式压力传感器及其制作方法 |
CN101762623A (zh) * | 2010-01-08 | 2010-06-30 | 哈尔滨理工大学 | 一种AlN热隔离平板双面微结构的半导体式气体传感器及其制造方法 |
-
2010
- 2010-10-26 CN CN201010518328.4A patent/CN102070118A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1403805A (zh) * | 2001-09-07 | 2003-03-19 | 信息产业部电子第四十九研究所 | 具有温湿度补偿功能的微偏二甲肼气体传感器的制造方法 |
US6822326B2 (en) * | 2002-09-25 | 2004-11-23 | Ziptronix | Wafer bonding hermetic encapsulation |
US20050142036A1 (en) * | 2003-12-26 | 2005-06-30 | Kim Sung J. | Micro-fluidic heating system |
KR100473498B1 (ko) * | 2004-08-30 | 2005-03-09 | 주식회사 스펙 | 단열형 열교환기 및 그 제조방법 |
CN101614604A (zh) * | 2009-07-14 | 2009-12-30 | 西北工业大学 | 基于滑膜差动结构的硅谐振式压力传感器及其制作方法 |
CN101762623A (zh) * | 2010-01-08 | 2010-06-30 | 哈尔滨理工大学 | 一种AlN热隔离平板双面微结构的半导体式气体传感器及其制造方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
《仪表技术与传感器》 20100831 张子立 等 《微加热板气体传感器的仿真及结构优化》 第1-3,43页、图6 1-8 , 第8期 2 * |
《传感器与微系统》 20081130 徐仁庆 等 《微型氢气传感器的结构设计与仿真分析》 第87-89,92页、附图1,7 1-8 第27卷, 第11期 2 * |
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102279206B (zh) * | 2011-06-21 | 2014-09-24 | 清华大学 | 热分析型化学及气体探测传感器 |
CN102279206A (zh) * | 2011-06-21 | 2011-12-14 | 清华大学 | 热分析型化学及气体探测传感器 |
CN103175866A (zh) * | 2011-12-26 | 2013-06-26 | 中国第一汽车股份有限公司 | 集成平面式气体传感器衬底 |
CN105452843A (zh) * | 2013-08-14 | 2016-03-30 | 罗伯特·博世有限公司 | 颗粒传感器和用于制造颗粒传感器的方法 |
CN105452843B (zh) * | 2013-08-14 | 2019-11-26 | 罗伯特·博世有限公司 | 颗粒传感器和用于制造颗粒传感器的方法 |
CN103630582B (zh) * | 2013-12-11 | 2016-02-10 | 江苏物联网研究发展中心 | 一种mems湿度传感器及制备方法 |
CN103630582A (zh) * | 2013-12-11 | 2014-03-12 | 江苏物联网研究发展中心 | 一种mems湿度传感器及制备方法 |
CN104197912A (zh) * | 2014-08-08 | 2014-12-10 | 上海交通大学 | 一种双端固定式硅基微型半球谐振陀螺仪及其制备方法 |
CN104197912B (zh) * | 2014-08-08 | 2017-11-14 | 上海交通大学 | 一种双端固定式硅基微型半球谐振陀螺仪及其制备方法 |
CN107782767B (zh) * | 2016-08-26 | 2022-01-07 | 深迪半导体(绍兴)有限公司 | 一种气体传感器加热盘及加工方法 |
CN107782767A (zh) * | 2016-08-26 | 2018-03-09 | 深迪半导体(上海)有限公司 | 一种气体传感器加热盘及加工方法 |
CN106744652B (zh) * | 2017-02-10 | 2019-04-30 | 苏州甫一电子科技有限公司 | 复合结构的mems微加热芯片及其制造方法与应用 |
CN106744652A (zh) * | 2017-02-10 | 2017-05-31 | 苏州甫电子科技有限公司 | 复合结构的mems微加热芯片及其制造方法与应用 |
CN106976837A (zh) * | 2017-04-24 | 2017-07-25 | 广东美的制冷设备有限公司 | 微型加热器及其加工方法 |
CN107089638A (zh) * | 2017-04-24 | 2017-08-25 | 广东美的制冷设备有限公司 | 微型加热器及其加工方法 |
CN108751122A (zh) * | 2018-05-17 | 2018-11-06 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种三维微型加热器及其制备方法 |
CN109900749A (zh) * | 2019-03-13 | 2019-06-18 | 华中科技大学 | 一种基于陶瓷基片的微热板气敏阵列器件及制造方法 |
CN110040678B (zh) * | 2019-04-18 | 2021-06-18 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 微传感器及其制备方法 |
CN110040678A (zh) * | 2019-04-18 | 2019-07-23 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 微传感器及其制备方法 |
WO2020253454A1 (zh) * | 2019-06-20 | 2020-12-24 | 南京云创大数据科技股份有限公司 | 一种基于wo3纳米薄膜的可燃气体传感器 |
CN110988051A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-04-10 | 武汉微纳传感技术有限公司 | 一种双模式mems气体传感器及其工作方法 |
CN110988050A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-04-10 | 武汉微纳传感技术有限公司 | 一种带温度感测功能的mems气体传感器及其制备方法 |
CN113514498A (zh) * | 2020-04-10 | 2021-10-19 | 中国石油化工股份有限公司 | 共片加热阵列式气体检测微芯片及制备方法 |
CN111620300A (zh) * | 2020-06-04 | 2020-09-04 | 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 | 具有背腔结构的器件及其形成方法 |
CN112320750A (zh) * | 2020-11-09 | 2021-02-05 | 歌尔微电子有限公司 | Mems皮拉尼计及其制作方法、mems传感器及电子设备 |
CN113336184A (zh) * | 2021-06-04 | 2021-09-03 | 微集电科技(苏州)有限公司 | 一种封闭膜结构mems红外光源及其制备方法 |
CN113336184B (zh) * | 2021-06-04 | 2023-12-19 | 微集电科技(苏州)有限公司 | 一种封闭膜结构mems红外光源及其制备方法 |
CN114813724A (zh) * | 2022-06-28 | 2022-07-29 | 安徽维纳物联科技有限公司 | 氮氧化物检测系统及其制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102070118A (zh) | 金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板 | |
CN102426176B (zh) | 一种气体传感器及其制造工艺 | |
CN104181203B (zh) | 一种mems气体传感器及其制作方法 | |
CN105987935B (zh) | Mems气体传感器及其制作方法 | |
EP2762864A1 (en) | Membrane-based sensor device and method for manufacturing the same | |
CN204128996U (zh) | 一种mems气体传感器 | |
JP2019512881A (ja) | グラフェン薄膜トランジスタの製造方法 | |
CN204129000U (zh) | 一种mems气体传感器 | |
CN104142359A (zh) | 一种mems气体传感器及其加工方法 | |
CN118032873A (zh) | 一种硫化氢气体传感器及其制备工艺 | |
KR20180101018A (ko) | 듀얼 히터 가스센서 모듈 | |
WO2009017265A1 (en) | Gas sensor and method for manufacturing the same | |
CN114112085B (zh) | 一种高效率mems高温薄膜热电偶传感器的制造方法 | |
CN106024586B (zh) | 一种碳化硅表面清洁方法 | |
KR100894111B1 (ko) | 가스 센서 및 그의 제조 방법 | |
CN104165902A (zh) | 一种具有绝热沟槽的mems气体传感器及其加工方法 | |
CN1093636C (zh) | “准球面型”微型气敏传感器及其制备方法 | |
Elmi et al. | Ultra low power MOX sensors with ppb-level VOC detection capabilities | |
KR100325631B1 (ko) | 평면형 마이크로 가스센서 및 그 제조방법 | |
CN101283443A (zh) | 元件的制造方法 | |
JPH07509567A (ja) | 薄膜ガスセンサーとその製造方法 | |
KR101305556B1 (ko) | 투명 산화물 전극을 포함하는 가스 센서 및 그 제조방법 | |
CN115420777B (zh) | 一种阵列式fet加热的插指气敏传感器及其加工方法 | |
Qian et al. | Development of Glass-Substrate-Based MEMS Micro-Hotplate with Low-Power Consumption and TGV Structure Through Anodic Bonding and Glass Thermal Reflow | |
JP5297112B2 (ja) | 薄膜ガスセンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20110525 |