PL185461B1 - Sposób wytwarzania gazoczułej mieszaniny tlenków, przeznaczonej zwłaszcza na rezystancyjne czujniki gazowe - Google Patents

Sposób wytwarzania gazoczułej mieszaniny tlenków, przeznaczonej zwłaszcza na rezystancyjne czujniki gazowe

Info

Publication number
PL185461B1
PL185461B1 PL98325658A PL32565898A PL185461B1 PL 185461 B1 PL185461 B1 PL 185461B1 PL 98325658 A PL98325658 A PL 98325658A PL 32565898 A PL32565898 A PL 32565898A PL 185461 B1 PL185461 B1 PL 185461B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
sno2
hours
produced
temperature
binder
Prior art date
Application number
PL98325658A
Other languages
English (en)
Other versions
PL325658A1 (en
Inventor
Ireneusz Kocemba
Tadeusz Paryjczak
Jacek Rynkowski
Sławomir Szafran
Original Assignee
Politechnika Lodzka
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika Lodzka filed Critical Politechnika Lodzka
Priority to PL98325658A priority Critical patent/PL185461B1/pl
Publication of PL325658A1 publication Critical patent/PL325658A1/xx
Publication of PL185461B1 publication Critical patent/PL185461B1/pl

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

Sposób wytwarzania gazoczułej mieszaniny tlenków, przeznaczonej zwłaszcza na rezystancyjne czujnik gazowe, polegający na wytworzeniu SnO, w wyniku działania na sproszkowaną cynę stężonym kwasem azotowym w podwyższonej temperaturze, a następnie poddania powstałego w tej reakcji osadu myciu do odczynu obojętnego, wysuszeniu w temperaturze 130°C, prażeniu w temperaturze 600°C i zmieszaniu wytworzonego SnO2 z wytworzonym odrębnie tlenkiem pełniącym rolę lepiszcza i środka rozcieńczającego, znamienny tym, że tlenek pełniący rolę lepiszcza i środka rozcieńczającego wytwarza się w wyniku działania na Al2O3 o powierzchni właściwej 120 m2/g, stopniu granulacji < 0,1 mm, z przewagą kapilar o promieniu 2,5 nm, SnCl2 stosowanym w ilości 0,25 g/2 g A12O3 w postaci roztworu wodnego, w trakcie intensywnego mieszania w temperaturze 95°C pod ciśnieniem około 1 mm Hg w czasie 30 minut do odparowania wody, poddania pozostałości kolejno suszeniu w temperaturze 150°C w czasie 2 godzin, redukcji w strumieniu wodoru w temperaturze 400°C w czasie 4 godzin, schłodzeniu w strumieniu wodoru do temperatury pokojowej i działaniu stężonego kwasu azotowego aż do zaprzestania wydzielania się tlenków azotu i zmiany barwy osadu poddanego działaniu kwasu z szarobrązowej na białą, po czym powstały biały osad przemywa się wodą do odczynu obojętnego, suszy w temperaturze 130°C w czasie 2 godzin i praży w temperaturze 600°C w czasie 4 godzin, po czym wytworzony w ten sposób tlenek pełniący rolę lepiszcza i środka rozcieńczającego, w postaci A12O3 z naniesionym na jego powierzchni SnO2, miesza się z wytworzonym odrębnie SnO2 w stosunku wagowym 60% SnO2 i 40% AĘO3 z naniesionym na jego powierzchni SnO2-

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania gazoczułej mieszaniny tlenków, przeznaczonej zwłaszcza na rezystancyjne czujniki gazowe.
Rezystancyjne czujniki gazowe wykonuje się z różnych tlenków półprzewodnikowych, najczęściej z SnO2, w postaci spieków ceramicznych, grubych bądź cienkich warstw tych tlenków naniesionych na niemetaliczne podłoża. SnO2 charakteryżuje się wprawdzie wysoką czułością w stosunku do gazów, tym wyższą im mniejsze są rozmiary krystalitów SnO2, ale tlenek ten ulega łatwo spiekaniu, co powoduje niepożądaną zmianę właściwości wykonanego z niego czujnika.
W celu zapobieżenia niepożądanym zmianom właściwości czujników gazowych, wykonuje się je z mieszaniny SnO2 z Al^, w której Al2O3 pełniąc rolę lepiszcza i środka rozcieńczającego zapobiega procesowi spiekania krystalitów SnO2. Dodanie A12O3 powoduje bowiem, iż krystality SnC^ stykają się ze sobą tylko niewielką częścią powierzchni.
Sposób wytwarzania gazoczułej mieszaniny tlenków, przeznaczonej zwłaszcza na rezystancyjne czujniki gazowe, według wynalazku polega tym, że sproszkowany AlĄ o powierzchni właściwej Ϊ20 m2/g, stopniu granulacji <0,1 mm, z przewagą kapilar o promieniu
2,5 nm, poddaje się działaniu SnCl2 stosowanego w ilości 0,25 g/2 g Al2O3 w postaci wodnego roztworu, w trakcie intensywnego mieszania w temperaturze 95 °C pod ciśnieniem około Ϊ mm Hg w czasie 30 minut do odparowania wody. Pozostałość, po wysuszeniu w temperaturze Ϊ50^ w czasie 2 godzin, poddaje się redukcji w strumieniu wodoru w temperaturze 400°C w czasie 4 godzin. Produkt redukcji schładza się w strumieniu wodoru do temperatury pokojowej i powstały szarobrązowy osad poddaje się działaniu stężonego kwasu azotowego aż do zmiany barwy osadu na białą i zaprzestania wydzielania się tlenków azotu. Powstały biały osad przemywa się wodą do odczynu obojętnego, suszy w temperaturze E30°C w czasie
185 461 godzin i praży w temperaturze 600°C w czasie 4 godzin. Powstały w ten sposób tlenek pełniący rolę lepiszcza i środka rozcieńczającego, w postaci Al2O3 z naniesionym na jego powierzchni SnO2, miesza się z wytworzonym odrębnie SnO2 w stosunku wagowym 60% SnO2 i 40 % A12O3 z naniesionym na jego powierzchnię SnO2.
SnO2 wytwarza się znanym sposobem w wyniku działania na sproszkowaną cynę stężonym kwasem azotowym w podwyższonej temperaturze, a następnie poddania powstałego w tej reakcji osadu myciu do odczynu obojętnego, wysuszeniu w temperaturze 130°C i prażeniu w temperaturze 60o°C.
Czujnik gazowy sporządzony z mieszaniny tlenków otrzymanej sposobem według wynalazku charakteryzuje się dużo wyższą czułością w stosunku do gazów porównaniu z czułością czujników wykonanych z mieszaniny SnO2 z „czystym” A12O3, w stosunku do wodoru nawet 2-krotnie wyższą oraz wyraźnie niższą temperaturą pracy. Czujnik ten może być z powodzeniem stosowany do wykrywania obecności gazów redukujących. Z mieszaniny tlenków wytworzonej sposobem według wynalazku można sporządzać czujniki gazowe w dowolnej postaci tj. zarówno w postaci spieków ceramicznych jak i grubych bądź cienkich warstw naniesionych na niemetaliczne podłoża.
Sposób według wynalazku ilustruje poniższy przykład z powołaniem się na rysunek, na którym fig. 1 i 2 przedstawiają charakterystykę czujnika sporządzonego sposobem według wynalazku.
Przykład.
W kolbie okrągłodennej umieszczono 2 g A12O3 o powierzchni właściwej 120 m2/g, granulacji <0,1 mm, w którym przeważały kapilary o promieniu 2,5 nm, po czym dodano do niego 0,25 g SnCĘ (cz.d.a. - produkcji Zakładów Polskie Odczynniki Chemiczne w Gliwicach) rozpuszczonego w 30 cm3 wody. Kolbę ogrzewano następnie na łaźni wodnej w temperaturze 95°C pod ciśnieniem około 1 mm Hg w czasie 30 minut, intensywnie mieszając jej zawartość. Po odparowaniu wody, zawartość kolby suszono w temperaturze 150°C w czasie 2 godzin i następnie przeniesiono do rektora, w którym poddano ją redukcji w strumieniu wodoru w temperaturze 400°C w czasie 4 godzin.
Po zakończeniu procesu redukcji zawartość reaktora schłodzono w strumieniu wodoru do temperatury pokojowej, w wyniku czego powstał szarobrązowy proszek. Proszek ten przeniesiono do lejka szota, na którym zalewano go małymi porcjami stężonego kwasu azotowego (cz.d.a.) aż do zaprzestania wydzielania się brunatnych tlenków azotu i powstania osadu o białej barwie. Powstały biały osad przemywano następnie wodą do odczynu obojętnego, po czym suszono w temperaturze 130°C i prażono w porcelanowym tyglu w temperaturze 600°C w czasie 4 godzin.
Otrzymano 2,1 g A12O3 z naniesioną na jego powierzchni warstwą SnO2.
W odrębnym reaktorze przygotowano SnO2 postępując w następujący sposób. Do 2 g sproszkowanej cyny (cz.d.a.) dodano, w trakcie ogrzewania w temperaturze 60°C, stężony kwas azotowy aż do zaprzestania wydzielania się brunatnych tlenków azotu i powstania białego osadu. Powstały osad przemyto wodą do odczynu obojętnego, po czym odsączono, wysuszono w temperaturze 130°C i prażono w porcelanowym tyglu w temperaturze 600°C w czasie 4 godzin.
Następnie zmieszano Al2O3 z naniesioną na jego powierzchni SnO2 i wytworzony odrębnie SnO2 w stosunku wagowym 40% : 60%. Po dokładnym zmieleniu składników mieszaniny w tyglu agatowym wykonano, metodą spieku ceramicznego czujnik gazowy z warstwą gazoczułąo grubości 0,1 mm i elektrodami z folii palladowej.
W celu sporządzenia charakterystyki wytworzonego czujnika umieszczono go w piecu, przez który przepływało, z prędkością 1 ciĄ suche i czyste powietrze i mierzono opór elektryczny czujnika w powietrzu. Następnie do strumienia przepływającego powietrza wprowadzono wodór i również mierzono opór elektryczny czujnika przy określonym stężeniu wodoru w powietrzu. Czułość czujnika określono jako stosunek oporu elektrycznego czujnika w powietrzu zawierającym wodór (R2) do oporu elektrycznego czujnika w czystym powietrzu (R1). Okazało się, iż optymalną temperaturą pracy czujnika jest 250°C, przy której możliwe jest wykrycie stężenia wodoru równego kilku ppm.
185 461
Na rysunku przedstawiono wykres zmian oporu elektrycznego czujnika w funkcji czasu po wprowadzeniu do strumienia powietrza 15 ppm wodoru (fig. 1) oraz wykres zmian czułości czujnika w funkcji stężenia wodoru w powietrzu, sporządzony w temperaturze 250°C (fig. 2). W podobny sposób przeprowadzono badania czułości czujnika w stosunku do dwutlenku węgla i par alkoholu etylowego, w stosunku do których czujnik również wykazywał wysokie czułości.
185 461
ΖΜ/ΙΉ ??0łnzQ
Stężenie [ppm]
185 461
Czas (min)
Π9.1
Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 60 egz. Cena 2.00 zł.

Claims (1)

  1. Zastrzeżenie patentowe
    Sposób wytwarzania gazoczułej mieszaniny tlenków, przeznaczonej zwłaszcza na rezystancyjne czujnik gazowe, polegający na wytworzeniu SnO2 w wyniku działania na sproszkowaną cynę stężonym kwasem azotowym w podwyższonej temperaturze, a następnie poddania powstałego w tej reakcji osadu myciu do odczynu obojętnego, wysuszeniu w temperaturze Ϊ30°Ο, prażeniu w temperaturze 600°C i zmieszaniu wytworzonego SnO2 z wytworzonym odrębnie tlenkiem pełniącym rolę lepiszcza i środka rozcieńczającego, znamienny tym, że tlenek pełniący rolę lepiszcza i środka rozcieńczającego wytwarza się w wyniku działania na Al2O3 o powierzchni właściwej Ϊ20 m2/g, stopniu granulacji < 0,Ϊ mm, z przewagą kapilar o promieniu 2,5 nm, SnCl2 stosowanym w ilości 0,25 g/2 g Al2O3 w postaci roztworu wodnego, w trakcie intensywnego mieszania w temperaturze 95 °C pod ciśnieniem około Ϊ mm Hg w czasie 30 minut do odparowania wody, poddania pozostałości kolejno suszeniu w temperaturze 150°C w czasie 2 godzin, redukcji w strumieniu wodoru w temperaturze 400°C w czasie 4 godzin, schłodzeniu w strumieniu wodoru do temperatury pokojowej i działaniu stężonego kwasu azotowego aż do zaprzestania wydzielania się tlenków azotu i zmiany barwy osadu poddanego działaniu kwasu z szarobrązowej na białą, po czym powstały biały osad przemywa się wodą do odczynu obojętnego, suszy w temperaturze 130°C w czasie 2 godzin i praży w temperaturze 600°C w czasie 4 godzin, po czym wytworzony w ten sposób tlenek pełniący rolę lepiszcza i środka rozcieńczającego, w postaci A12O3 z naniesionym na jego powierzchni SnO2, miesza się z wytworzonym odrębnie SnO2 w stosunku wagowym 60% SnO2 i 40% Al2O3 z naniesionym na jego powierzchni SnO2.
PL98325658A 1998-03-30 1998-03-30 Sposób wytwarzania gazoczułej mieszaniny tlenków, przeznaczonej zwłaszcza na rezystancyjne czujniki gazowe PL185461B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL98325658A PL185461B1 (pl) 1998-03-30 1998-03-30 Sposób wytwarzania gazoczułej mieszaniny tlenków, przeznaczonej zwłaszcza na rezystancyjne czujniki gazowe

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL98325658A PL185461B1 (pl) 1998-03-30 1998-03-30 Sposób wytwarzania gazoczułej mieszaniny tlenków, przeznaczonej zwłaszcza na rezystancyjne czujniki gazowe

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL325658A1 PL325658A1 (en) 1999-10-11
PL185461B1 true PL185461B1 (pl) 2003-05-30

Family

ID=20071884

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL98325658A PL185461B1 (pl) 1998-03-30 1998-03-30 Sposób wytwarzania gazoczułej mieszaniny tlenków, przeznaczonej zwłaszcza na rezystancyjne czujniki gazowe

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL185461B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL325658A1 (en) 1999-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Gao et al. Porous corundum-type In 2 O 3 nanoflowers: controllable synthesis, enhanced ethanol-sensing properties and response mechanism
KR100272414B1 (ko) 산소흡수방출능을 갖는 복합산화물 및 그 제조법
Wang et al. Highly efficient BiVO 4 single-crystal photocatalyst with selective Ag 2 O-Ag modification: orientation transport, rapid interfacial transfer and catalytic reaction
Zhu et al. Conductometric acetic anhydride gas sensors based on S-doped porous ZnO microspheres with enhanced Lewis base interaction
Davis et al. The effects of crystallite growth and dopant migration on the carbon monoxide sensing characteristics of nanocrystalline tin oxide based sensor materials
Dikmen et al. Hydrothermal synthesis and properties of Ce1− xBixO2− δ solid solutions
JP5925025B2 (ja) 機能性セラミックス及びその製造方法
Feng et al. Well-dispersed Pd nanoparticles on porous ZnO nanoplates via surface ion exchange for chlorobenzene-selective sensor
Yang et al. UiO-66 metal–organic framework-derived ZrO 2/ZnO mesoporous materials for high-efficiency detection of NO 2 at room temperature
Aubekerov et al. Synthesis and study of gas sensitive ZnFe2O4-modified ZnO nanowires
Yang et al. Solution-based synthesis of efficient WO3 sensing electrodes for high temperature potentiometric NOx sensors
PL185461B1 (pl) Sposób wytwarzania gazoczułej mieszaniny tlenków, przeznaczonej zwłaszcza na rezystancyjne czujniki gazowe
Ding et al. Gelation of uranyl ions and gel-derived uranium oxide nanoparticles for gas sensing
Neri et al. Preparation, characterization and CO sensing of Au/iron oxide thin films
Hughes et al. Moisture sensitive degradation in TiO2-Y2O3-ZrO2
CN108014746A (zh) 一种亚微米级Fe-Al-Mg复合金属氧化物除氟剂的制备方法
JP3830247B2 (ja) 臭素添着活性炭及びその製造方法
JPH1183781A (ja) ガスセンサ用触媒の製造方法
JPH119992A (ja) ガス吸収剤の製造方法
JPH05255771A (ja) 貴金属の還元方法
Kersen Microstructural and surface characterization of solid state sensor based on LaFeO3− σ oxide for detection of NO2
CN113636587B (zh) 一种气敏材料及其制备方法和应用
JP2016190221A (ja) セレン酸還元触媒、セレン酸還元触媒の製造方法及びセレン酸溶液の還元方法
Ingo et al. Origin of Gas Porosity in Gold‐Based Alloys Cast in Calcium Sulfate‐Bonded Investment and Influence of Metal Oxide Acid–Base Properties on Calcium Sulfate Thermal Stability
CN113880132B (zh) 一种3dom结构的氮掺杂二氧化锡材料及其制备方法与应用

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Decisions on the lapse of the protection rights

Effective date: 20060330