PL160984B1 - Sposób wytwarzania sit o otworach submikronowych PL - Google Patents

Sposób wytwarzania sit o otworach submikronowych PL

Info

Publication number
PL160984B1
PL160984B1 PL27941689A PL27941689A PL160984B1 PL 160984 B1 PL160984 B1 PL 160984B1 PL 27941689 A PL27941689 A PL 27941689A PL 27941689 A PL27941689 A PL 27941689A PL 160984 B1 PL160984 B1 PL 160984B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
electrode
foil
holes
sieves
discharge
Prior art date
Application number
PL27941689A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL27941689A priority Critical patent/PL160984B1/pl
Publication of PL160984B1 publication Critical patent/PL160984B1/pl

Links

Landscapes

  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

Sposób wytwarzania sit o otworach submikro- nowych w cienkich foliach dielektrycznych, polegaja- cy na w ykorzystaniu w yladow ania iskrowego pomiedzy elektrodami, znamienny tym, ze powierz- chnie folii (1), z która styka sie punktowo elektroda (3), pokrywa sie uprzednio dielektryczna ciecza (2), która wnika w powstaly po wyladowaniu otwór, przy czym elektrode (3) zaopatruje sie korzystnie w prepa- rat promieniotwórczy wchodzacy w sklad ostrza sty- kajacego sie z powierzchnia folii (1). FIG 1 PL

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania sit o otworach submikronowych w cienkich foliach dielektrycznych.
Znany jest sposób wykonywania sit o względnie małych otworach, rzędu dziesiątych części mikrona, polegający na przebijaniu cienkich folii z tworzyw organicznych wiązkami ciężkich jąder atomowych o bardzo dużej prędkości uzyskanych w akceleratorze. Potok elektrycznie naładowanych jąder o bardzo dużej prędkości przebija cienką warstwę folii tworząc otworki o bardzo małych średnicach. Po odpowiedniej obróbce chemicznej uzyskuje się perforowaną folię, z której wytwarza się sitka.
Wadą tego sposobu jest konieczność stosowania akceleratorów o dużej energii, istniejących tylko w nielicznych ośrodkach na świecie. Ponadto sposobem tym można wykonać otwory tylko w foliach wykonanych z tworzyw organicznych.
Znany jest także sposób wykonywania perforacji w foliach polegający na wykorzystaniu wyładowania iskrowego pomiędzy elektrodami. Metodą tą otrzymuje się jednak otwory większe niż w przypadku wykorzystania do tego celu akceleratorów, zbyt duże aby mogły nadawać się do zatrzymywania bardzo drobnych cząstek materii, na przykład niektórych bakterii. Przy tym otrzymane tą metodą sita mają względnie niewielką gęstość perforacji na jednostkę powierzchni.
Istota sposobu według wynalazku, w którym wykorzystuje się wyładowanie iskrowe pomiędzy elektrodami, polega na tym, że powierzchnię folii, z którą styka się punktowo elektroda, pokrywa się uprzednio dielektryczną cieczą, która wnika w powstały po wyładowaniu otwór.
Korzystnym jest jeżeli ostrze elektrody stykające się punktowo z folią zawiera w swoim składzie preparat promieniotwórczy.
Po zmianie położenia ostrza elektrody względem wcześniej wykonanego otworu proces powtarza się do uzyskania założonej gęstości otworów.
Ciecz dielektryczna wnikająca w powstały po przebiciu otwór zapobiega powtórnemu przeskokowi iskry z sąsiedniego położenia ostrza elektrody, a tym samym nie dopuszcza do dalszego powiększenia się otworu oraz umożliwia uzyskanie większej gęstości otworów. Natomiast wyemitowana z ostrza elektrody zawierającego preparat promieniotwórczy cząstka jonizująca, przechodząc przez warstwę folii, wytwarza wzdłuż swego toru zjonizowany kanał, który staje się w ten sposób lokalnie przewodzący prąd elektryczny. Uzyskuje się przez to przebicie folii przy mniejszym gradiencie napięcia, a więc przy użyciu mniejszej energii. Pozwala to na wykonywanie otworów o ekstremalnie małych średnicach przy ekstremalnie dużej gęstości otworów.
Przedmiot wynalazku objaśniony jest bliżej w oparciu o rysunek, na którym fig. 1 przedstawia schemat przykładowego urządzenia do wytwarzania otworów submikronowych w folii umieszczonej na elektrodzie zanurzonej w cieczy przewodzącej, zaś fig. 2 przedstawia schemat przykładowego urządzenia do wytwarzania otworów submikronowych w folii z naniesioną warstwą metaliczną stanowiącą elektrodę.
160 984
Jak przedstawiono na fig. 1 cienką folię 1 wykonaną z dowolnego dielektryka pokrywa się olejem silikonowym, stanowiącym warstwę dielektrycznej cieczy 2. Folię 1 umieszcza się pomiędzy dwiema elektrodami 3,4. Wolframowe ostrze elektrody 3 styka się punktowo z gómą powierzchnią folii 1. Dolna powierzchnia folii 1 przylega do cienkiej warstwy zagęszczonej gliceryny, stanowiącej przewodzącą ciecz 7 o dużej lepkości, w której zanurzona jest elektroda
4. Do elektrody 3 podłączone jest regulowane stałe napięcie, dodatnie lub ujemne, poprzez rezystor 5 i kondensator 6.
Po naładowaniu kondensatora zwiększa się gradient napięcia elektrycznego powyżej wartości przebicia folii. Po przebiciu folii elektrodę przesuwa się w inne miejsce, przy czym w powstały otwór wnika dielektryczna ciecz 2 zapobiegająca powtórnemu przeskokowi iskry elektrycznej. Po zmianie położenia elektrody 3 i ponownym naładowaniu kondensatora 6 proces powtarza się do uzyskania założonej gęstości otworów w folii. Wykonane w ten sposób otwory mają średnice niewiele różniące się między sobą. Średnice otworów w folii 1 można w pewnym stopniu regulować zmieniając wartość energii kondensatora 6. W celu obniżenia napięcia przebicia folii 1 zastosowano elektrodę 3 posiadającą ostrze zawierające w swoim składzie preparat α-promieniotwórczy, przez co uzyskano otwory o ekstremalnie małej średnicy przy mniejszym zużyciu energii.
Urządzenie przedstawione na fig. 2 różni się tym, że zamiast elektrody 4 zanurzonej w przewodzącej cieczy 7 o dużej lepkości, na powierzchnię folii naniesiono poprzez naparowanie cienką warstwę metaliczną stanowiącą elektrodę 4'. Proces wykonywania otworów przebiega w sposób podany powyżej w przykładzie z fig. 1. Po wykonaniu otworów warstwę metaliczną rozpuszcza się w kąpieli trawiącej.
Sitka wykonane z folii dielektrycznej sposobem według wynalazku mają zastosowanie jako bardzo dobry filtr do oddzielania cieczy od znajdujących się w niej zawiesin, na przykład bakterii w wodzie.
160 984
Zakład Wydawnictw UPRP. Nakład 90 egz.
Cena 10 000 zł

Claims (1)

  1. Zastrzeżenie patentowe
    Sposób wytwarzania sit o otworach submikronowych w cienkich foliach dielektrycznych, polegający na wykorzystaniu wyładowania iskrowego pomiędzy elektrodami, znamienny tym, że powierzchnię folii (1), z którą styka się punktowo elektroda (3), pokrywa się uprzednio dielektryczną cieczą (2), która wnika w powstały po wyładowaniu otwór, przy czym elektrodę (3) zaopatnije się korzystnie w preparat promieniotwórczy wchodzący w skład ostrza stykającego się z powierzchnią folii (1).
PL27941689A 1989-05-12 1989-05-12 Sposób wytwarzania sit o otworach submikronowych PL PL160984B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL27941689A PL160984B1 (pl) 1989-05-12 1989-05-12 Sposób wytwarzania sit o otworach submikronowych PL

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL27941689A PL160984B1 (pl) 1989-05-12 1989-05-12 Sposób wytwarzania sit o otworach submikronowych PL

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL160984B1 true PL160984B1 (pl) 1993-05-31

Family

ID=20047322

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL27941689A PL160984B1 (pl) 1989-05-12 1989-05-12 Sposób wytwarzania sit o otworach submikronowych PL

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL160984B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Crane et al. A study of living and dead yeast cells using dielectrophoresis
Pearce The mechanism of the resolution of water-in-oil emulsions by electrical treatment
Schuchert et al. Electrochemical copper deposition in etched ion track membranes: Experimental results and a qualitative kinetic model
US7628902B2 (en) Electrochemical deposition method utilizing microdroplets of solution
DE2036139A1 (de) Dunnfümmetallisierungsverfahren fur Mikroschaltungen
JPH05271969A (ja) 微細加工装置
DE1598401C3 (de) Gerät zur Anzeige der Konzentration eines Anteils eines Gasgemisches, beruhend auf der Eigenschwingungsänderung eines piezoelektrischen Kristalls
Li et al. Hierarchical platinum–iridium neural electrodes structured by femtosecond laser for superwicking interface and superior charge storage capacity
DE2628381B2 (de) Vorrichtung zum Bohren von Mikrokanälen zwischen zwei einander gegenüberliegenden Flächen eines n-leitenden Halbleiterkörpers
PL160984B1 (pl) Sposób wytwarzania sit o otworach submikronowych PL
Dobrev et al. Conical etching and electrochemical metal replication of heavy-ion tracks in polymer foils
US4416724A (en) Method for producing insulator surfaces
DE3114181C2 (pl)
KR100641105B1 (ko) 일체형 음이온 발생장치 및 그 제조 방법과, 일체형음양이온 동시 발생장치, 그 제조 방법 및 그 사용 방법
DE2600321C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Glasüberzuges auf einer Halbleiteranordnung
CA2187538C (en) Apparatus and method for separating a charged substance from a conductive fluid
KR890701801A (ko) 전자증착 금속포일 형성방법 및 장치
DE10056564A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur plasmagestützten Oberflächenbehandlung und Verwendung des Verfahrens
Nishida et al. Wetting and tracking breakdown of organic insulating materials in an atmosphere of mist
DE10001794A1 (de) Abtrennung von in einer Flüssigkeit dispergierten Teilchen
DE3200983A1 (de) Elektrisches netzwerk
CH616765A5 (pl)
DE1522627C (de) Vorrichtung zur Herstellung eines elektrofotografischen Emulsionsentwicklers
RU2029317C1 (ru) Способ получения ядерных фильтров
US3579032A (en) Process for improving the oleophilic property of polymers