PL148622B1 - An active material for manufacturing laser bars - Google Patents

An active material for manufacturing laser bars Download PDF

Info

Publication number
PL148622B1
PL148622B1 PL1986260309A PL26030986A PL148622B1 PL 148622 B1 PL148622 B1 PL 148622B1 PL 1986260309 A PL1986260309 A PL 1986260309A PL 26030986 A PL26030986 A PL 26030986A PL 148622 B1 PL148622 B1 PL 148622B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
mixture
active
active material
yttrium
composition
Prior art date
Application number
PL1986260309A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL1986260309A priority Critical patent/PL148622B1/pl
Priority to US07/059,953 priority patent/US4820445A/en
Priority to DD87304131A priority patent/DD259645A5/de
Priority to FR878709088A priority patent/FR2600832B1/fr
Priority to CS874790A priority patent/CS479087A2/cs
Priority to SU874202805A priority patent/SU1609462A3/ru
Publication of PL148622B1 publication Critical patent/PL148622B1/pl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16Solid materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16Solid materials
    • H01S3/1601Solid materials characterised by an active (lasing) ion
    • H01S3/1603Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
    • H01S3/1605Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth terbium
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/903Dendrite or web or cage technique
    • Y10S117/904Laser beam

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Lasers (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest material czynny do wytwarzania pretów laserowych, w któ¬ rym osnowa jest monokrysztal galanów lub glinianów ziem alkalicznych i lantanu lub itru z tetragonalna struktura gelenitu, a domieszka czynna jest pierwiastek z grupy lantanow- ców, a w szczególnosci neodym. Znane sa materialy czynne, w których osnowa dla czynnej domieszki z grupy lantanowców sa rózne ciala stale, o odpowiednich wlasciwosciach struk¬ turalnych, spektralnych i termicznych. Do najbardziej znanych materialów naleza: mono¬ krysztaly granatu itrowo-glinowego (Y^Alj-O^pt YAG), perowskitu itrowo-glinowego (YA10^, YAP), fluorytu (CaF2), molibdenianu wapnia (CaMoO^) - /"Walter Koechner, Solid State Laser Engineering, Springer Verlag, New York 1976J i nieorganiczne szkla tlenkowe /w.B.Krawczenko, Ju.P. Rudnicki, Kwantowaja Elektronika, vol.6, str. 661-689 (1979)J .Najbardziej rozpowszechniony jest natomiast granat itrowo-glinowy z domieszka neodymu (YAG: m) [z.J. Kiss, R.J. Tessley, Appl. Optic, vol.5, str 1474-1486/1966^J fk A.Kaminski, Laziernyje kristaly, Izdatielstwo Nauka, Moskwa (1975) z powodu korzystnej kombinacji cech.Pret laserowy wykonany z tego materialu emituje niespolaryzowane promieniowanie elektromagnetyczne o znikomej szerokosci spektralnej. Krysztaly YAG maja strukture re¬ gularna, sa w zwiazku z tym optycznie izotopowe i dlatego prety laserowe wykonane z tego materialu emituja swiatlo niespolaryzowane. Emisje swiatla spolaryzowanego mozna osiagnac przez zastosowanie specjalnych rozwiazan konstrukcyjnych, np. przez ustawie¬ nie plaszczyzn czolowych preta laserowego pod katem Brewstera, lub przez zastosowanie dodatkowych urzadzen optycznych (polaryzatorów). Ten material laserowy charakteryzuje sie wysokim wspólczynnikiem wzmocnienia, nadaje sie on szczególnie do pracy w rezimie 148 6222 148 622 generatora i dlatego stosowany jest wylacznie jako generator. Realna struktura mono¬ krysztalów przeznaczonych do wytwarzania pretów laserowych musi byc prawie doskonala, poniewaz wszelkie niejednorodnosci optyczne powoduja uginanie i rozpraszanie promie¬ nia laserowego i przez to redukuja intensywnosc i koherentnosc emitowanego promienio¬ wania. Do defektów struktury, które niekorzystnie wplywaja na wydajnosc akcji lasero¬ wej naleza zblizniaczenia, niejednorodnosci skladu chemicznego, dyslokacje, wrostki, pecherze itp.Z powodu malej rozpuszczalnosci neodymu w YAG i malej wartosci wspólczynnika segregacji neodymu, wytwarzanie monokrysztalów YAG domieszkowanych neodymem wolnych od defektów optycznych, z równomiernie rozlozona domieszka, szczególnie przy wysokim poziomie domieszkowania, jest procesem trudnym i czasochlonnym. Podstawienie jonów Y* jonami Nd' jest nieizomorficzne, poniewaz izomorficzny do YAG zwiazek o skladzie Nd,Alc012 ze struktura granatu nie istnieje. Tlenki NdpO_ i Al^CL tworza tylko zwiazek o skladzie NdAlO,, który ma strukture perowskitu. Fróby wprowadzenia do krysztalu grana¬ tu duzej ilosci neodymu prowadza do pojawienia sie defektów sieci krystalicznej lub w skrajnym wypadku, do pojawienia sie wrostków obcej fazy stalej. Wytwarzanie mono¬ krysztalów o wysokiej jakosci optycznej zaczyna byc trudne juz przy zawartosci neody¬ mu powyzej ^% atomowego. Celem otrzymania monokrysztalu z równomiernie rozlozona do¬ mieszka neodymu trzeba stosowac male szybkosci wyciagania (ok. 1 ma h" ) co znacznie wydluza proces wytwarzania.Material wedlug wynalazku jest materialem czynnym z czynna domieszka jonów z grupy lantanowców i sluzy do wytwarzania pretów laserowych. Material ten jako osnowe dla czynnych jonów zawiera monokrysztal galanów lub glinianów ziem alkalicznych i lantanu lub itru, których sklad Jest wyrazony za pomoca wzoru ogólnego ABC,07, w któ¬ rym A oznacza bar, stront, wapn lub ich mieszanine, B oznacza lantan, itr lub ich mieszanine, a C oznacza gal, glin lub ich mieszanine. Jako domieszke czynna material ten zawiera pierwiastek lub mieszanine pierwiastków z grupy lantanowców, a zwlaszcza prazeodym, neodym, samar, europ, gadolin, terb, dysproz, holm, erb, tul i iterb w ilosci od 0,02 do 8 ^ % atomowych. W zaleznosci od rodzaju skladników i warunków wyt¬ warzania materialu wedlug wynalazku, jego sklad chemiczny moze wykazywac nieznaczne odstepstwo od stechiometrii i byc wyrazony wzorem A1a R. C __.__0„ n _ gdzie xi y moga przyjmowac wartosci dodatnie lub ujemne w przedziale od 0 do 0,12.Specjalnie zalecane Jako czynny material na prety laserowe sa monokrysztaly gelenitu barowo-lantanowo-galowego o skladzie BaLaGa,0_ zawierajace neodym jako domiesz¬ ke czynna (BLG0:Nd). Zalety tego materialu mozna pokazac przez porównanie z YAG:Nd.Do osnowy krystalicznej mozna wprowadzic domieszke w ilosci znacznie wyzszej niz jest to mozliwe w przypadku YAG:Nd nie pogarszajac jakosci optycznej monokrysztalu BLG0:Nd.Wspólczynnik segregacji neodymu w BLGO ma wartosc bardzo zblizona do 1 i dzieki temu domieszka rozlozona Jest w osnowie bardzo równomiernie co jest trudne do osiagniecia w przypadku YAGrNd. Szybkosc wyciagania monokrysztalów BLG0:Nd (~4 mm ta ) Jest znacznie wyzsza od szybkosci wyciagania monokrysztalów YAG:Nd (*/1 mm ta ).Temperatura topnienia BLGO (1560°C) jest znacznie nizsza od temperatury topnie¬ nia YAG (1930°C). Dzieki temu i dzieki duzej szybkosci wyciagania zuzycie tygla irydo- wego w trakcie procesu wyciagania monokrysztalu jest mniejsze. Krysztal BLGO:Nd jest optycznie jednoosiowy. Dzieki temu mozna z niego wytwarzac prety laserowe z zadanym wspólczynnikiem wzmocnienia (w zaleznosci od kata pomiedzy osia geometryczna preta laserowego a osia optyczna materialu czynnego), mogace pracowac w rezimie generatora lub wzmacniacza swiatla i emitujace swiatlo calkowicie spolaryzowane liniowo. Nie moz¬ na tego osiagnac w przypadku izotropowego YAG:Nd.148 622 3 Twardosc krysztalów BLGO jest nieco mniejsza niz krysztalów YAG co ulatwia ich obróbke mechaniczna (ciecie, szlifowanie, polerowanie). Krysztaly BLGO maja strukture gelenitu, która nie posiada srodka symetrii. W zwiazku z tym monokrysztaly BLGO maja wlasciwosci piezoelektryczne. Wlasciwosci te moga byc wykorzystane przy projektowaniu ukladu do dostrajania rezonatora laserowego. Material wedlug wynalazku zostanie blizej objasnio¬ ny na przykladzie materialu czynnego BaLaGa,0„ (BLGO). Domieszkowane monokrysztaly gelenitów mozna wytwarzac przez krystalizacje z roztopu jedna ze znanych metod Czoch- ralskiego, Bridgmanna lub topienia strefowego. Najkorzystniejszym sposobem wytwarza¬ nia monokrysztalów gelenitów galowych lub glinowych ziem alkalicznych i lantanu lub itru z domieszkami innych lantanowców jest sposób wyciagania monokrysztalu z roztopu metoda Czochralskiego.Stosownie do tej metody roztop otrzymuje sie przez stopienie w tyglu irydowym mieszaniny bardzo czystych, sproszkowanych tlenków metali wchodzacych w sklad wyciaga¬ nego monokrysztalu. Sklad roztopu jest w zasadzie taki sam jak sklad wyciaganego mono¬ krysztalu. Dopuszczalne sa niewielkie odstepstwa w granicach 1% atomowego. Zamiast tlenków mozna stosowac weglany tychze metali, które w trakcie ogrzewania rozkladaja sie przechodzac w odpowiednie tlenki,a nastepnie topia sie. W przypadku stosowania weg¬ lanów trzeba ograniczyc szybkosc podnoszenia temperatury, aby umozliwic ich rozklad termiczny. Nastepnie do roztopu, którego temperatura Jest nieznacznie wyzsza od tempe¬ ratury topnienia wyciaganego materialu, zanurzany jest zorientowany monokrystaliczny zarodek o malej srednicy, który nastepnie jest podnoszony do góry i jednoczesnie obra¬ cany wokól osi pionowej. Na wyciaganym zarodku narasta monokrysztal o orientacji odpo¬ wiadajacej orientacji krystalograficznej zarodka. Srednica wyciaganego monokrysztalu jest regulowana (sterowana) przez zmiane temperatury roztopu. Przez powolne obnizanie temperatury roztopu srednica wyciaganego monokrysztalu jest powiekszana az do osiag¬ niecia wymaganego rozmiaru. Po zakonczeniu procesu wyciagania monokrysztal jest odry¬ wany od roztopu przez szybkie podniesienie do góry, a nastepnie powoli studzony do temperatury pokojowej.Krysztaly wytwarzane przez krystalizacje z roztopu metoda Czochralskiego maja sklad chemiczny nieco odmienny od skladu stechiometrycznego. Ich sklad rzeczywisty moze byc wyrazony za pomoca wzoru ogólnego Ai+xBi_vC3_x+v°7_0 5X» x i y moga miec wartosci dodatnie i ujemne. Zaleza one od rodzaju skladników monokrysztalu oraz orientacji krystalograficznej granicy fazowej pomiedzy rosnacym krysztalem i roztopem, a takze skladu poczatkowego roztopu. Odchylki w skladzie sa stosunkowo niewielkie i mieszcza sie w granicach jednego procenta atomowego.Material wyjsciowy skladajacy sie z 32,30 czesci wagowych BaCO,, 22,94 La20^, 0,57 Nc*205 i 44,19 G^O, w postaci dokladnie wymieszanych proszków umieszczony Jest w tyglu irydowym, który nastepnie powoli jest ogrzewany za pomoca pradów indukcyjnych w.cz# w urzadzeniu do wyciagania monokrysztalów metoda Czochralskiego. Material ogrze¬ wany jest w atmosferze azotu do temperatury nieco wyzszej od temperatury topnienia BLGO tj. 1560°C. Monokrystaliczny zorientowany zarodek przymocowany do rurki z Al-O, opuszczany jest z góry az do zetkniecia z powierzchnia roztopu,a nastepnie jest podnoszony do góry z szybkoscia 4 mm h" i równoczesnie obracany wokól osi pionowej.Srednica krysztalu jest powiekszana przez obnizanie temperatury roztopu* az do osiag¬ niecia wymaganego rozmiaru. Nastepnie stala srednica wyciaganego krysztalu utrzymywa¬ na jest automatycznie przez kontrole masy wyciaganego krysztalu. Predkosc obrotowa zarodka zalezna jest od srednicy wyciaganego krysztalu. W przypadku krysztalu o sred¬ nicy 20 mm wyciaganego z tygla o srednicy 4o mm szybkosc obrotowa zarodka wynosi 65-70 obrotów min . Fb zakonczeniu procesu wyciagania monokrysztal Jest odrywany od powie-k 148 622 rzchni roztopu, a nastepnie powoli studzony do temperatury pokojowej. Sklad chemiczny otrzymanego krysztalu zalezy od krystalograficznego kierunku wzrostu i od poczatkowego skladu roztopu. Krysztal rosnacy na plaszczyznie (001 ) ma sklad, który w przyblizeniu wyraza nastepujacy wzór Ba^ 05^0,903^0,022^3,025°6,975* Badania otrzymanego kryszta¬ lu pokazaly, ze w czesci cylindrycznej krysztal jest wolny od wrostków irydu i innych faz stalych i nie zawiera defektów obnizajacych Jego jakosc optyczna, takich Jak pekniecia, pecherzyki itp.Zastrzezenia patentowe 1. Material czynny do wytwarzania pretów laserowych z czynna domieszka jonów z grupy lantanowców, znamienny tym, ze jako osnowe dla czynnych jonów zawie¬ ra monokrysztal galanów lub glinianów ziem alkalicznych i lantanu lub itru, których sklad jest wyrazony za pomoca wzoru ogólnego ABC,07, w którym A oznacza bar, stront, wapn lub ich mieszanine, B oznacza lantan, itr lub ich mieszanine a C-gal, glin lub ich mieszanine, a jako domieszke czynna zawiera pierwiastek lub mieszanine pierwiastków z grupy lantanowców, a zwlaszcza prazeodym, neodym, samar, europ, gadolin, terb, dys- proz, holm, erb, tul i iterb w ilosci od 0,02 do 8 <* % atomowych. 2. Material czynny wedlug zastrz.1f znamienny tym, ze zawiera mono¬ krysztal galanów lub glinianów ziem alkalicznych o skladzie chemicznym wyrazonym wzorem Ai+xBi_yC3_x+y07_o 5xf w którym x * y przyjmuja wartosci dodatnie lub ujemne w przedziale od 0 do 0,12.Pracownia Poligraficzna UP RP.Naklad 100 egz.Cena 1500 zl PL PL

Claims (2)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Material czynny do wytwarzania pretów laserowych z czynna domieszka jonów z grupy lantanowców, znamienny tym, ze jako osnowe dla czynnych jonów zawie¬ ra monokrysztal galanów lub glinianów ziem alkalicznych i lantanu lub itru, których sklad jest wyrazony za pomoca wzoru ogólnego ABC,07, w którym A oznacza bar, stront, wapn lub ich mieszanine, B oznacza lantan, itr lub ich mieszanine a C-gal, glin lub ich mieszanine, a jako domieszke czynna zawiera pierwiastek lub mieszanine pierwiastków z grupy lantanowców, a zwlaszcza prazeodym, neodym, samar, europ, gadolin, terb, dys- proz, holm, erb, tul i iterb w ilosci od 0,02 do 8 <* % atomowych.
2. Material czynny wedlug zastrz.1f znamienny tym, ze zawiera mono¬ krysztal galanów lub glinianów ziem alkalicznych o skladzie chemicznym wyrazonym wzorem Ai+xBi_yC3_x+y07_o 5xf w którym x * y przyjmuja wartosci dodatnie lub ujemne w przedziale od 0 do 0,12. Pracownia Poligraficzna UP RP.Naklad 100 egz. Cena 1500 zl PL PL
PL1986260309A 1986-06-27 1986-06-27 An active material for manufacturing laser bars PL148622B1 (en)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL1986260309A PL148622B1 (en) 1986-06-27 1986-06-27 An active material for manufacturing laser bars
US07/059,953 US4820445A (en) 1986-06-27 1987-06-09 Active material for the manufacture of laser rods
DD87304131A DD259645A5 (de) 1986-06-27 1987-06-24 Aktiver stoff zur herstellung von laserstaeben
FR878709088A FR2600832B1 (fr) 1986-06-27 1987-06-26 Produit actif pour la production de barreaux pour laser
CS874790A CS479087A2 (en) 1986-06-27 1987-06-26 Active material for laser rods production
SU874202805A SU1609462A3 (ru) 1986-06-27 1987-06-26 Лазерное вещество

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL1986260309A PL148622B1 (en) 1986-06-27 1986-06-27 An active material for manufacturing laser bars

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL148622B1 true PL148622B1 (en) 1989-11-30

Family

ID=20031750

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL1986260309A PL148622B1 (en) 1986-06-27 1986-06-27 An active material for manufacturing laser bars

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4820445A (pl)
CS (1) CS479087A2 (pl)
DD (1) DD259645A5 (pl)
FR (1) FR2600832B1 (pl)
PL (1) PL148622B1 (pl)
SU (1) SU1609462A3 (pl)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3930272A1 (de) * 1988-10-05 1990-04-19 Impulsphysik Gmbh Lidar
JPH03183698A (ja) * 1989-09-26 1991-08-09 Komatsu Ltd 酸化物単結晶基板およびこれを用いた超伝導体装置およびその製造方法
US5117437A (en) * 1990-03-02 1992-05-26 The University Of Michigan Continuous-wave pair-pumped laser system
FR2678648A1 (fr) * 1991-07-04 1993-01-08 Centre Nat Rech Scient Cristal de gehlenite dopee au neodyme et laser utilisant ce cristal.
US5309452B1 (en) * 1992-01-31 1998-01-20 Univ Rutgers Praseodymium laser system
US6212215B1 (en) * 1995-03-24 2001-04-03 The Regents Of The University Of California Hybrid solid state laser system using a neodymium-based master oscillator and an ytterbium-based power amplifier
JP5966683B2 (ja) * 2012-06-29 2016-08-10 国立大学法人東京工業大学 圧電材料、圧電部材、圧電素子及び圧力センサ
US9522827B2 (en) * 2013-05-02 2016-12-20 Energy Storage Materials Llc Piezoelectric material, piezoelectric member, piezoelectric element, and pressure sensor
CN108823633A (zh) * 2018-06-27 2018-11-16 中国科学院福建物质结构研究所 一类晶体光纤材料
CN117363354A (zh) * 2023-09-20 2024-01-09 枣庄学院 一种Tm3+调节镝激活镓酸镧钙白光荧光粉及其制备方法和应用

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3480552A (en) * 1965-06-09 1969-11-25 Semi Elements Inc Manufacture of materials capable of amplifying wave energy
US3526850A (en) * 1966-03-23 1970-09-01 Bell Telephone Labor Inc Solid state laser
US3897358A (en) * 1971-03-01 1975-07-29 Gen Electric Polycrystalline ceramic lasers

Also Published As

Publication number Publication date
FR2600832A1 (fr) 1987-12-31
SU1609462A3 (ru) 1990-11-23
FR2600832B1 (fr) 1990-09-28
DD259645A5 (de) 1988-08-31
US4820445A (en) 1989-04-11
CS479087A2 (en) 1991-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5055445A (en) Method of forming oxidic high Tc superconducting materials on substantially lattice matched monocrystalline substrates utilizing liquid phase epitaxy
EP2492378B1 (en) Oxide and magneto-optical device
DE69105710T2 (de) Verfahren zur Züchtung von mit seltenen Erden dotierten Orthosilikaten (Ln2-xRExSiO5).
PL148622B1 (en) An active material for manufacturing laser bars
Erdei et al. Crystal growth of YVO4 using the LHPG technique
Loiacono et al. Crystal growth and characterization of lead molybdate
JP2019069897A (ja) ジルコン酸チタン酸鉛単結晶成長方法
Pracka et al. The Czochralski growth of SrLaGa3O7 single crystals and their optical and lasing properties
Feigelson The laser-heated pedestal growth method: a powerful tool in the search for new high performance laser crystals
CN1065289C (zh) 一种制备掺杂钒酸盐单晶的水热生长方法
Belouet About the crystalline perfection of Nd-doped YAG single crystals
US4970060A (en) Pure or mixed monocrystalline boules of lanthanum orthogallate
Scheel et al. Crystal growth of high temperature superconductors
US4962087A (en) Epitaxial superconducting scructure on lattice matched lanthanum orthogallate
Erdei et al. Possible trends for the growth of low scattering Nd: YVO4 laser crystals; phase relations—growth techniques
US4944833A (en) Czochralski pulling of monocrystalline lanthanum orthogallate
RU2687924C1 (ru) Способ получения германата висмута Bi2Ge3O9
US4202930A (en) Lanthanum indium gallium garnets
Ehrentraut et al. Epitaxial growth and spectroscopic investigation of BaSO4: Mn6+ layers
Bhalla et al. Crystal growth of antimony sulphur iodide
CN109868502B (zh) 一种稀土掺杂铌酸盐单晶上转换发光材料及其制备方法
Fukuda et al. Crystal growth of oxide and fluoride materials for optical, piezoelectric and other applications
Romanyuk Liquid-phase epitaxy of doped KY (WO4) 2 layers for waveguide lasers
US4954211A (en) Monocrystalline lanthanum orthogallate laser material
Wang et al. Czochralski and flux growth of crystals for lasers and nonlinear optics