JP5966683B2 - 圧電材料、圧電部材、圧電素子及び圧力センサ - Google Patents
圧電材料、圧電部材、圧電素子及び圧力センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5966683B2 JP5966683B2 JP2012147291A JP2012147291A JP5966683B2 JP 5966683 B2 JP5966683 B2 JP 5966683B2 JP 2012147291 A JP2012147291 A JP 2012147291A JP 2012147291 A JP2012147291 A JP 2012147291A JP 5966683 B2 JP5966683 B2 JP 5966683B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric
- piezoelectric element
- crystal
- electrode
- piezoelectric member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 57
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 98
- 229910052598 goethite Inorganic materials 0.000 claims description 17
- AEIXRCIKZIZYPM-UHFFFAOYSA-M hydroxy(oxo)iron Chemical compound [O][Fe]O AEIXRCIKZIZYPM-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 23
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 9
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 9
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 5
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000154 gallium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- LWFNJDOYCSNXDO-UHFFFAOYSA-K gallium;phosphate Chemical compound [Ga+3].[O-]P([O-])([O-])=O LWFNJDOYCSNXDO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000010428 baryte Substances 0.000 description 1
- 229910052601 baryte Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001719 melilite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000012255 powdered metal Substances 0.000 description 1
- -1 rare earth calcium oxo borate Chemical class 0.000 description 1
- 238000009774 resonance method Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Piezo-Electric Transducers For Audible Bands (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
(1)水晶
圧電定数が安定しているが、580℃付近に相転移があり、この温度を境として圧電定数が半分以下になる。
(2)リン酸ガリウム
高い絶縁性と安定した圧電特性とを有するが、結晶の作製方法として水熱合成が用いられるため作製自体が難しく、安定した供給が望みにくい。また、原材料として希少金属であるガリウムが用いられる。
(3)含希土類ランガサイト
安定した圧電特性を有するが、高温で絶縁性が著しく劣化する。また、原材料として希土類と、希少金属であるタンタル及びガリウムとが用いられる。
(4)4成分系ランガサイト
高い絶縁性と安定した圧電特性とを有するが、原材料として希少金属であるタンタル及びガリウムが用いられる。
(5)希土類カルシウムオキソボレート
高い絶縁性を有するが、圧電特性の温度変化量が大きい。また、原材料として希土類が用いられる。
そこで、本発明は、高温で使用可能であり、原料となる資源が豊富であり、安定供給が可能な圧電材料、その圧電材料を用いた圧電部材、その圧電部材を用いた圧電素子、及びその圧電素子を用いた圧力センサを提供することを課題とする。
かかる構成によれば、圧電材料は、室温から800℃以上の高温環境まで、圧電定数の温度安定性に優れ、かつ高い電気抵抗率を維持することができる。
かかる構成によれば、圧電部材は、請求項1に記載の圧電材料を主成分として含有するため、前記した圧電材料の圧電特性によって支配されるものとなる。従って、この圧電部材は、室温から高温環境まで温度安定性に優れたものとなる。
なお、圧電部材は、請求項1に記載された圧電材料以外の材料を副成分として含有してもよいし、製造上不可避の不純物を含有していてもよい。
かかる構成によれば、圧電素子は、圧電横効果を利用した圧電素子として機能する。
かかる構成によれば、圧電素子は、圧電横効果によって生じた電荷を効率的に検知することができる。
かかる構成によれば、圧電素子は、高い圧電効果を利用することができる。
かかる構成によれば、圧電素子は、800℃以上の高温環境でも機能する。
かかる構成によれば、圧力センサは、前記ダイアフラムを介して作用する圧力に起因する応力が前記圧電部材の応力作用面に伝達され、前記応力に起因して前記圧電部材に発生する電荷を検知することで、圧力の測定を行う。
請求項2に記載の発明によれば、圧電部材がゲーレン石を主成分として構成されるため、圧電部材は、豊富な資源を原材料として作製でき、高温環境でも使用可能とすることができる。
請求項3に記載の発明によれば、圧電横効果を利用した高温環境でも使用可能な圧電素子を提供することができる。
請求項4に記載の発明によれば、圧電効果で発生した電荷を効率的に検知するため、感度の高い圧電素子を提供することができる。
請求項5に記載の発明によれば、高い圧電効果を利用するため、感度の高い圧電素子を提供することができる。
請求項6に記載の発明によれば、融点の高い材料で電極を構成したため、800℃以上の高温環境でも使用可能な圧電素子を提供することができる。
請求項7に記載の発明によれば、ゲーレン石を用いて構成した圧電素子で圧力を測定するため、高温環境でも使用可能な圧力センサを提供することができる。
本発明では、高温環境でも使用可能な圧電素子用の圧電材料として、メリライト型結晶であるゲーレン石を用いるものである。
次に、図1及び図2を参照して、本発明の第1実施形態に係る圧電素子の構成について説明する。図1に示した第1実施形態に係る圧電素子1は、圧電部材2と、電極3、4とから構成される。
圧電部材2は、ゲーレン石の結晶バルク体から、所定の結晶方位でカットされた直方体形状(板状)の結晶片である。図2に示すように、正方晶系のゲーレン石の結晶について、単位格子の2つのa軸をそれぞれX軸及びY軸とし、c軸をZ軸として座標系を定める。このとき、X軸を法線とする面(YZ平面)に平行な面と、Y軸をX軸回りに45°回転した軸を法線とする面に平行な面と、Z軸をX軸回りに45°回転した軸を法線とする面に平行な面と、で切出す「(XYt)45°カット」(図2において、II又はIIIで示したカット)と呼ばれる直方体形状の結晶片が好ましい。このカットによる圧電部材2は、大きな圧電効果を利用することができるため好ましい。このとき、圧電部材2に、Y軸をX軸回りに45°回転させた軸(応力印加軸)の方向から応力が印加されると、印加された応力の大きさに応じて、X軸方向に分極するように圧電部材2の表面に、すなわち、XY平面に平行な面を電荷発生面として、正負の電荷が発生する。電極3,4は、この電荷発生面であるXY平面に平行な2つの面にそれぞれ設けられる。
電極3,4は、それぞれ、直方体形状の圧電部材2の電荷発生面に設けられる。電極3,4としては、圧電素子1が使用される高温環境よりも高い融点を有する金属材料を用いることができる。特に800℃以上の高温環境でも使用可能な材料としては、例えば、Pt(白金)、Pd(パラジウム)、Ag−Pd合金を挙げることができる。また、比較的低温で使用する場合は、Agペーストを用いることもできる。
電極3,4は、前記した材料を用いて、圧電部材2のそれぞれ表面及び裏面に、塗布法、蒸着法、メッキ法、スパッタ法などの方法で形成することができる。
また、圧電部材2が、(XYt)45°カットで切出された結晶片である場合は、電極3,4は、YZ平面に平行な2つの面にそれぞれ設けることが好ましい。
次に、図3を参照(適宜図1及び図2参照)して、圧電素子1の製造方法について説明する。
図3に示すように、圧電素子1の製造方法は、圧電材料であるゲーレン石の結晶バルク体を作製する結晶育成工程S10と、結晶バルク体から圧電部材2を所定の結晶方位で切出す結晶切出工程S11と、切出した圧電部材2の電荷発生面となる所定の面に電極3,4を形成する電極形成工程S12とを含み、この順で行われる。
まず、結晶育成工程S10において、圧電材料であるゲーレン石の結晶バルク体を作製する。結晶バルク体は、チョクラルスキー法によって棒状の単結晶として作製することができる。チョクラルスキー法は、半導体材料の作製方法として利用されており、本発明に用いられる結晶バルク体も同様の結晶育成装置を用いて作製することができる。
また、ルツボ11及びルツボ12の隙間には、アルミナバブル13が充填されている。
アルミナバブル13は、中空の球形アルミナ(Al2O3)粒子である。アルミナバブル13を、ルツボ11とルツボ12の隙間に充填することで、Ir製のルツボ11の変形を防止するとともに、ルツボ11近傍の保温性を高めることができる。
上蓋15には、中央に結晶引き上げ棒17を、結晶引き上げ棒17の中心軸周りに回転自在に、かつ、軸方向に移動可能に保持する軸受けを有している。また、上蓋15の一部には、反応雰囲気を制御するためのガス導入部19が設けられ、Ar(アルゴン)ガスや窒素ガスなどを供給するように構成されている。
また、下蓋16には、排気口20が設けられている。
なお、反応雰囲気として導入されるガスとしては、不活性ないし反応性の低いArガスや窒素ガスを用いることができる。また、作製する結晶に酸素欠陥が発生するのを抑制するために、前記したガスに少量の酸素ガスを混ぜて石英管14内部に導入するようにしてもよい。
また、下蓋16には、ガス導入部か19から導入されるガス流の出口となる排気口20が、設けられている。
なお、加熱部21は、高周波誘導加熱する手段に限定されず、ヒータなど他の加熱手段を用いてもよい。
種結晶22は、角柱形状とすることができるが、これに限定されるものではない。種結晶22の大きさは、融液23を保持するルツボ11の大きさや成長させる結晶の大きさによって適宜決めることができる。例えば、ルツボ11の大きさが、内径50mm、高さ50mmの円筒形の場合には、種結晶22の断面が3mm×3mm〜5mm×5mm、長さが20〜50mmの角柱形状とすることができる。
まず、原材料として、粉末状の炭酸カルシウム(CaCO3)、酸化アルミニウム(Al2O3)及び酸化ケイ素(SiO2)を、ゲーレン石(Ca2Al2SiO7)の組成となるように、すなわちモル比で2:1:1となるように秤量して混合する。
なお、種結晶22は、前記したように、ゲーレン石の単結晶が好ましいが、同じ組成のセラミックス(多結晶体)でもよく、Pt棒やIr棒などを用いてもよい。
次に、結晶引き上げ棒17を降下させ、種結晶22を原材料の融液23中に浸漬させる。そして、結晶引き上げ棒17を、所定の方向に所定の回転速度でゆっくりと回転させながら、所定の速度で上方にゆっくりと引き上げる。なお、結晶引き上げ棒17の回転速度及び引き上げ速度は、成長させる結晶の大きさに応じて適宜に設定する。
以上の操作により、ゲーレン石の棒状の単結晶バルク体が作製される。
次に、結晶切出工程S11において、結晶育成工程S10で作製した結晶バルク体から、所定の結晶方位のカット、例えば、図2にII又はIIIで示した(XYt)45°カットの結晶片を圧電部材2として切出す。圧電材料2の切出しは、半導体ウエハの切出しに用いられるワイヤソー、ブレードソーなどを用いて行うことができる。
また、必要に応じて、切出した圧電部材2の表面を鏡面研磨するようにしてもよい。
次に、電極形成工程S12において、結晶切出工程S11で切出した圧電部材2の表面に電極3を、裏面に電極4を形成する。
圧電部材2への電極3,4は、粉末状の金属材料のペーストを形成面に塗布することで形成することができる。塗布後に更に焼付け処理を施すようにしてもよい。また、用途に応じて、蒸着法、メッキ法、スパッタ法などを用いて電極3,4を形成してもよい。
以上の工程により、圧電素子1が作製される。
次に、図5(a)及び図5(b)を参照して、本発明の第2実施形態に係る圧電素子について説明する。
図5(a)及び図5(b)に示す第2実施形態に係る圧電素子1Aは、ほぼ正四角柱形状の圧電部材2と、二対の電極3A1,4A1及び電極3A2,4A2と、から構成される。本実施形態に係る圧電素子1Aは、圧電横効果(d31モード)の利用に適した構造を有するものである。
また、電荷を検知する際には、同極性の電荷を検知する電極同士である電極3A1及び電極3A2と、電極4A1及び電極4A2とを、それぞれ電気的に接続し、圧電部材2に発生する電荷をまとめて検知するようにしてもよい。
図5(c)に、第2実施形態の変形例に係る圧電素子を示す。図5(c)に示すように、本変形例に係る圧電素子1Bは、図5(a)に示した第2実施形態に係る圧電素子1Aにおいて、同極性の電荷を検知するための電極3A1及び電極3A2を一体化して電極3Bとし、電極4A1及び電極4A2を一体化して電極4Bとするものである。また、圧電素子1BのA−A線における断面は、図5(b)に示した圧電素子1AのA−A線における断面と同様である。なお、電極構成以外の構成は、第2実施形態に係る圧電素子1Aと同様であるから、説明は省略する。
[圧力センサの構成]
次に、図6を参照して、本発明の第3実施形態に係る圧力センサについて説明する。
第3実施形態に係る圧力センサ30は、図6(a)に示すように、ケース材31と、ダイアフラム32と、絶縁スリーブ33と、台座34と、圧電素子1と、アルミナ板35と、封止材36と、固定ネジ37と、電線38,39と、から構成されている。
本実施形態に係る圧力センサ30は、例えば、エンジンの燃焼室圧を測定するために燃焼室に直接取り付けられる。すなわち、圧力センサ30は、高温環境で使用可能なセンサである。そのため、圧力センサ30を構成する各部材は、数百℃以上の耐熱性を有する材料を用いて形成されている。
また、圧電素子1及び台座34と、ケース材31の内周面との間には、アルミナ製の絶縁スリーブ33が設けられている。
なお、圧電素子1の形状は、図1又は図5に示したように、角柱形状でもよく、ケース材31の形状に合わせて、円柱形状としてもよい。また、複数の板状の圧電素子を用い、各圧電素子の同極性の電極を、対応する極性の電線38,39と電気的に接続するように構成してもよい。
次に、引き続き図6を参照して、圧力センサ30の動作について説明する。
圧力センサ30は、エンジンの燃焼室等の圧力をダイアフラム32の下面である受圧面で受ける。ダイアフラム32が受けた圧力により生じた応力は、台座34を介して、圧電素子1の圧電部材2に伝達される。圧電部材2は、伝達された応力により変形し、圧電横効果により変形量に応じた電荷を発生する。圧電部材2で発生した正負の電荷は、電極3,4及び電線38,39を介して接続された電荷検知手段(不図示)により、発生した電荷に起因する電圧や電気量などの物理量が測定される。ダイアフラム32が受けた圧力は、測定された電圧や電気量などに基づいて求めることができる。
実施例として作製した圧電素子に用いた圧電材料は、図4に示した結晶育成装置10を用いてチョクラルスキー法により作製した。このとき、原材料として、それぞれ純度が99.99%の粉末状の、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム及び酸化ケイ素を用いた。これらの原材料を、ゲーレン石(Ca2Al2SiO7)の組成となるように秤量して混合した。
結晶育成装置10を用い、前記した操作手順により、直径が約20mm、長さが約80mmの棒状の結晶バルク体を得た。
そして、切出した圧電部材の表面及び裏面に、粉末状のPtを塗布して電極を形成した。
以上の手順により、圧電素子を作製した。
比較例に用いた圧電材料は、GaPO4(リン酸ガリウム)、LTG(含希土類ランガサイト:La3Ta0.5Ga5.5O14)、LTGA(含希土類ランガサイト:La3Ta0.5Ga5.5−xAlxO14)、LGS(ランガサイト:La2Ga5SiO14)、YCOB(希土類カルシウムオキソボレート:YCa4O(BO3)3)である。
d*=(各温度におけるd31)/(室温におけるd31)・・・式(1)
なお、室温とは15〜35℃の範囲の温度をいうものとする。
なお、図5において、YCOBの圧電特性は計算値を示している。
また、作製された圧電素子は、圧力センサや超音波センサなどのセンサとして用いることができる。このような圧力センサは、前記したエンジンの燃焼室の燃焼圧センサとしての用途が考えられる。また、超音波センサは、例えば、火力発電所の高温プラントにおいて、ボイラー、蒸気の配管、タービンなどの外壁などに設置して、高温プラントを監視する用途が考えられる。
2 圧電部材
3、3A1、3A2、3B 電極
4、4A1、4A2、4B 電極
10 結晶育成装置
30 圧力センサ
31 ケース材
32 ダイアフラム
33 絶縁スリーブ
34 台座
35 アルミナ板
36 封止材
37 固定ネジ
38、39 電線
Claims (7)
- 組成式がCa2Al2SiO7で表わされるゲーレン石からなる圧電材料。
- 請求項1に記載の圧電材料を主成分として含有していることを特徴とする圧電部材。
- 請求項2に記載の圧電部材と、
前記圧電部材の応力作用面と直交し、互いに対向する面に設けられた少なくとも一対の電極と、を有することを特徴とする圧電素子。 - 前記電極は、前記応力作用面と直交する面のほぼ全面に設けられたことを特徴とする請求項3に記載の圧電素子。
- 前記圧電部材は、前記圧電材料の結晶から(XYt)45°カットで切出されたことを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の圧電素子。
- 前記電極が、Pt、Pd又はAg−Pd合金から選択される材料からなることを特徴とする請求項3乃至請求項5の何れか一項に記載の圧電素子。
- ダイアフラムと、
請求項3乃至請求項6の何れか一項に記載の圧電素子と、を有し、
前記圧電素子は、前記ダイアフラムを介して作用する圧力に起因する応力が前記圧電部材の応力作用面に伝達され、前記応力に起因して前記圧電部材に発生する電荷が前記電極を介して検知可能に設けられたことを特徴とする圧力センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012147291A JP5966683B2 (ja) | 2012-06-29 | 2012-06-29 | 圧電材料、圧電部材、圧電素子及び圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012147291A JP5966683B2 (ja) | 2012-06-29 | 2012-06-29 | 圧電材料、圧電部材、圧電素子及び圧力センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014011327A JP2014011327A (ja) | 2014-01-20 |
JP5966683B2 true JP5966683B2 (ja) | 2016-08-10 |
Family
ID=50107743
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012147291A Active JP5966683B2 (ja) | 2012-06-29 | 2012-06-29 | 圧電材料、圧電部材、圧電素子及び圧力センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5966683B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020262256A1 (ja) | 2019-06-28 | 2020-12-30 | 国立大学法人東京工業大学 | 圧電材料、圧電部材、圧電素子及び圧力センサ |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH709395A1 (de) * | 2014-03-21 | 2015-09-30 | Kistler Holding Ag | Piezoelektrisches Messelement zur Messung des dynamischen Druckes sowie des statischen Druckes und/oder der Temperatur. |
JP6633544B2 (ja) * | 2014-12-24 | 2020-01-22 | シチズン時計株式会社 | 弾性表面波デバイス |
JP6482287B2 (ja) * | 2015-01-16 | 2019-03-13 | シチズン時計株式会社 | 圧電材料、圧電素子および圧力センサ |
JP6448436B2 (ja) * | 2015-03-27 | 2019-01-09 | シチズン時計株式会社 | 圧電素子および圧力センサ |
JP2017028487A (ja) * | 2015-07-22 | 2017-02-02 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 高温用圧電デバイス |
JP2017046024A (ja) * | 2015-08-24 | 2017-03-02 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 高温用圧電デバイス |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2580115B2 (ja) * | 1985-12-16 | 1997-02-12 | 日本電装株式会社 | 圧力検出器 |
PL148622B1 (en) * | 1986-06-27 | 1989-11-30 | An active material for manufacturing laser bars | |
JP3273317B2 (ja) * | 1999-08-25 | 2002-04-08 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 応力発光材料およびその製造方法 |
JP3569742B2 (ja) * | 2000-12-27 | 2004-09-29 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 電歪材料およびその製造方法 |
JP4349140B2 (ja) * | 2004-01-30 | 2009-10-21 | ソニー株式会社 | 発光性複合材料 |
US7886575B2 (en) * | 2006-11-01 | 2011-02-15 | Delaware Capital Formation, Inc. | High sensitivity acoustic wave microsensors based on stress effects |
US9522827B2 (en) * | 2013-05-02 | 2016-12-20 | Energy Storage Materials Llc | Piezoelectric material, piezoelectric member, piezoelectric element, and pressure sensor |
-
2012
- 2012-06-29 JP JP2012147291A patent/JP5966683B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020262256A1 (ja) | 2019-06-28 | 2020-12-30 | 国立大学法人東京工業大学 | 圧電材料、圧電部材、圧電素子及び圧力センサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014011327A (ja) | 2014-01-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5966683B2 (ja) | 圧電材料、圧電部材、圧電素子及び圧力センサ | |
US9522827B2 (en) | Piezoelectric material, piezoelectric member, piezoelectric element, and pressure sensor | |
Ma et al. | Flexoelectric polarization of barium strontium titanate in the paraelectric state | |
Huo et al. | A high quality lead-free (Li, Ta) modified (K, Na) NbO 3 single crystal and its complete set of elastic, dielectric and piezoelectric coefficients with macroscopic 4 mm symmetry | |
JP5281657B2 (ja) | 三元系の圧電性結晶の作成方法 | |
JP2008305916A (ja) | 圧電体及び圧電素子 | |
US20220359812A1 (en) | Piezoelectric material, piezoelectric member, piezoelectric element, and pressure sensor | |
Lee et al. | Growth and electrostrictive properties of Pb (Mg1/3Nb2/3) O3 crystals | |
TW201907030A (zh) | 膜構造體及其製造方法 | |
Hagiwara et al. | Growth and characterization of Ca2Al2SiO7 piezoelectric single crystals for high-temperature sensor applications | |
JP4613032B2 (ja) | 圧電単結晶素子およびその製造方法 | |
CN104831353B (zh) | 一种硼酸钙氧钇钆高温压电晶体切型及在压电领域中的应用 | |
CN101834268B (zh) | 压电晶体元件 | |
Hatta et al. | Specific heat of SnxGe1-xTe crystals at the structural phase transition | |
CN104372409B (zh) | 三元系弛豫基铁电压电单晶及其生长方法 | |
JP2005139064A (ja) | 圧電単結晶、圧電単結晶素子およびその製造方法ならびに1−3コンポジット圧電素子 | |
JP5621131B2 (ja) | 高絶縁、高安定性圧電ltga単結晶及びその製造方法、並びにそのltga単結晶を使用する圧電素子及び燃焼圧センサー | |
Han et al. | Bridgman growth and properties of PMN-PT-based single crystals | |
Höche et al. | Can fresnoite (Ba2TiSi2O8) incorporate Ti3+ when crystallizing from highly reduced melts? | |
US9255033B2 (en) | Piezoelectric glass ceramic compositions and piezoelectric devices made therefrom | |
CN1410603A (zh) | 坩埚下降法生长高居里点铌铟酸铅-钛酸铅单晶 | |
US20180231495A1 (en) | Sensor element for detecting at least one property of a measuring gas in a measuring gas chamber including a glass ceramic seal | |
TWI637086B (zh) | 鉭酸鎵鑭系單晶的製造方法及鉭酸鎵鑭系單晶 | |
Zheng et al. | Piezoelectric acceleration sensors based on LGX and ReCOB crystals for application above 645ºC | |
JP2008162854A (ja) | ランガサイト系単結晶の作製方法及び作製装置並びにその単結晶を用いた燃焼圧センサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150626 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20150630 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160526 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160531 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160620 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5966683 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |