Przedmiotem wynalazku jest uklad ograniczania pradu obciazenia z ewentualnym stosowa¬ niem sygnalizacji tej funkcji ukladu, jak tez z mozliwoscia ustalania wartosci napiecia wyjsciowego, przy którym nastepuje proces sygnalizowanego cofania pradowego.Znanymi ukladami ograniczania pradu obciazenia, uzywanymi dotychczas w zasilaczach stabilizowanych, sa dzielniki rezystancyjne wlaczone na ich wyjsciu, lub podlaczone do stopni koncowych stabilizatorów czlony, które zawieraja tranzystory spelniajace role czujników prado¬ wych.Cecha znamienna ukladu ograniczania pradu obciazenia, zgodnego z wynalazkiem,jest to, ze katoda diody ograniczajacej dolaczonajest zarówno do rezystora ograniczajacego,jak i do emitera tranzystora zwrotnego. Kolektor jego polaczony jest z baza tranzystora wykonawczego oraz z bramka i zródlem tranzystora polowego, jak tez z kolektorem tranzystora próbkujacego, którego baza podlaczona jest do suwaka potencjometra. Baza tranzystora zwrotnego przylaczona jest do katody diody sygnalizujacej, której anoda zlaczona jest z anoda diody dodatkowej. Jej katoda dolaczona jest zarówno do katody diody progowej jak równiez do emitera tranzystora próbkujacego.Zaleta ukladu wykonanego wedlug wynalazku charakteryzuje sie tym, ze ograniczanie pradu obciazenia jest regulowane, oraz ze umozliwia on sygnalizowanie procesu ograniczania pradowego niezaleznie od sygnalizacji przeciazen lub zwarc urzadzen zasilajacych, a tym samym uklad ten zapewnia sygnalizowanie ukladowych pradów zwrotnych.Ponadto opracowany uklad moze stanowic integralna czesc zasilajacego sprzetu stabilizuja¬ cego, lub moze byc wykonany jako oddzielna przystawka wlaczana na wyjscie stabilizatorów. Poza tym przedstawione rozwiazanie nie wymaga wielu dodatkowych elementów skladowych, a uzyty w ukladzie tranzystor próbkujacy moze byc dowolnego typu, z uwagi na odpowiednia konfiguracje polaczen zwiazanych ze sterowaniem tranzystora wykonawczego. Przedmiot wynalazku przedsta¬ wiony jest na rysunku w postaci schematu ideowego, który obrazuje przekladowe wykonanie ukladu ograniczania pradu obciazenia z mozliwoscia sygnalizowania zarówno procesu ogranicza¬ nia pradowego, jak tez trwania przeplywu zwrotnego pradu cofania.Istotnym elementem ukladu jest ograniczajaca dioda D i przylaczony do jej katody ograniczajacy rezystor R, których polaczenie dolaczone jest zarówno do emitera zwrotnego tranzystora2 141660 T,jak i do wyjscia Wy ukladu. Baza zwrotnego tranzystora T polaczona jest z katoda sygnalizujacej diody Dl? przy czym anodajej zwartajest z anoda dodatkowej diody D2, której katoda podlaczona jest do katody progowej diody D3, a anoda tej diody dolaczona jest do masy ukladu. Kolektor zwrotnego tranzystora T polaczony jest z anoda ograniczajacej diody D, z baza wykonawczego tranzystora Tl. oraz i bramka i zródlem polowego tranzystora T2, jak tez z kolektorem próbkuja¬ cego tranzystora T3. Kolektorwykonawczego tranzystoraTl wraz z drenem polowego tranzystora T2 i z polaryzujacym rezystorem Rl, podlaczonyjest do wejscia Weukladu. Do emitera próbkuja¬ cego tranzystora T3 dolaczone jest pozostale wprowadzenie polaryzujacego rezystora Rl, oraz przylaczone sa katody diody D2 i progowej diody D3. Baza próbkujacego tranzystora T3 podla¬ czona j«st do suwaka potencjometra P, którego jedna koncówka dolaczona jest do wyjscia Wy ukladu, a*druga do jcgo masy.W opisanym ukladzie zadanie ograniczania pradu obciazenia realizuje ograniczajacy rezystor R i ograniczajaca dioda D, która bedac swiecaca dioda typu LED sygnalizuje jednoczesnie proces ograniczania, czyli stabilizacji pradu obciazenia.Sygnalizujaca dioda Dl wskazuje trwajacy stan procesu cofania pradu zwrotnego. Dodat¬ kowa dioda D2 obniza wartosc napiecia, przy którym nastepuje cofanie pradu zwrotnego. Napiecie odniesienia dla calego ukladu wytwarzane jest za pomoca progowej diody D3, która polaryzowana jest przez polaryzujacy ja rezystor Rl.Zasada dzialania opisanego ukladu polega na ciaglym pomiarze napiecia na jego wyjsciu Wy.Spadek tego napiecia ponizej ustalonego przez uklad progu wywoluje przeplyw ukladowego pradu zwrotnego, który w nastepstwie wplywa na sterowanie wykonawczego tranzystora Tl.Gdy napiecie na wyjsciu Wy ukladu spadnie ponizej napiecia okreslonego wartosciami spad¬ ków napiec na progowej diodzie D3 oraz na dodatkowej diodzie D2 i na zlaczu baza-emiter zwrotnego tranzystora T, to wtedy przechodzi on w stan nasycenia. Wówczaswykonawczy tranzy¬ stor Tl przechodzi w stan zatkania, co powoduje dalszy spadek napiecia na wyjsciu Wy ukladu, przy jednoczesnym zmniejszaniu sie pradu wyjsciowego do wartosci pradu zwarcia, uzaleznionego od napiecia na wejsciu We ukladu i od spadków napiecia na dodatkowej diodzie D2, na sygnalizu¬ jacej diocizie Ol oraz na zlaczu baza-emiter zwrotnego tranzystora T, jak tez od wartosci polaryzu¬ jacego rezystora Rl i od wielkosci pradu plynacego przez polowy tranzystor T2.W przykladowo przedstawionym ukladzie ograniczajaca diode D zastapic mozna ogranicza¬ jacym tranzystorem, ale w tym przypadku uklad nie sygnalizuje procesu ograniczania pradu ' obiazenia. Mozna równiez zrezygnowac z dodatkowej diody D2, jesli nie jest wymagane obnizenie wartosci napiecia, przy którym nastepuje cofanie pradu zwrotnego. Poza tym polaryzujacy rezy¬ stor Rl moze byc zastapiony przez tranzystorowe zródlo pradowe zasilajace progowa diode D3, która wytwarza napiecie odniesienia dla calego ukladu.Uklad ograniczania pradu obciazenia, zgodny z wynalazkiem i pracujacy wedlug opisanej zasady dzialania moze byc stosowany takze przy budowie stabilizatorów, które wykonywane sa na bazie uniwersalnych obwodów scalonych jak na przyklad UL 7523.Zastrzezenie patentowe Uklad ograniczania pradu obiazenia, zawierajacy elektroniczne elementy ograniczajace pola¬ czone ze wspólpracujacymi diodami sygnalizacyjnymi, znamienny tym, ze katoda ograniczajacej diody (D) polaczona jest zarówno z ograniczajacym rezystorem (R), jak i z emiterem zwrotnego tranzystora (T), którego kolektor polaczony jest z baza wykonawczego tranzystora (Tl) oraz z bramka i zródlem polowego tranzystora (T2), jak tez z kolektorempróbkujacego tranzystora (T3), którego baza dolaczona jest do suwaka potencjometra (P), przy czym baza zwrotnego tranzystora (T) poprzez katode i anode sygnalizujacej diody (Dl) i przez anode i katode dodatkowej diody (D2) dolaczona jest zarówno do katody progowej diody (D3) jak równiez do emitera próbkujacego tranzystora (T3). ^141660 PL