Przedmiotem wynalazku jest sposób przeprowadzania próby wysokonapieciowej zespo¬ lu podstawy wyrzutni elektronowej lampy elektronopromieniowej.W produkcji lampy elektronopromieniowej praktyka jest elektryczna obróbka zespo¬ lu podstawy wyrzutni elektronowej po calkowitym zmontowaniu lampy elektronopromienio¬ wej odpompowaniu gazów i zatapianiu.Jednym z etapów tej elektrycznej obróbki jest próba wysokonapieciowa, która obej¬ muje indukowanie wyladowania lukowego pomiedzy sasiadujacymi elektrodami zwykle pomie¬ dzy elektroda ogniskujaca i sasiadujaca z nia elektroda. Wyladowanie lukowe usuwa wyste¬ py, zadziory i /albo czastki, które pózniej bylyby miejscami emisji polowej elektronów podczas normalnej pracy lampy elektronopromieniowej. ^e wczesniejszych sposobach przeprowadzania próby wysokonapieciowej elementy wy¬ rzutni o nizszym napieciu, to jest grzejnik, katoda, elektroda sterujaca i elektroda ekranujaca, sa polaczone z elektroda ogniskujaca, a impulsowe wysokie napiecie, okolo dwa razy wieksze od normalnego maksymalnego napiecia pracy dla lampy elektronopromie¬ niowej przylozone sa pomiedzy anoda i wzajemnie polaczonymi elementami wyrzutni.W ostatnich latach stosuje sie v,yzsze napiecia pracy czego rezultatem jest ko- niecaaosc stosowania wyzszych napiec do przeprowadzania próby wysokonapieciowej. Te wyz¬ sze napiecia wytwarzaja luki, które moga wywolac siatke pekniec na powierzchni szkla¬ nej szyjki lampy elektronopromieniowej i osadzanie odparowanego metalu wewnatrz szyjki i na powierzchniach izolatora zespolu podstawy. Dla zredukowania tych szkodliwych efe¬ któw, czasy obróbki i napiecia moga byc zmieniane, przy czym konsekwencja sa straty w wydajnosci obróbki i/aibo zwiekszenie kosztów urzadzenia.Ponadto moze byc konieczne przepro adzenie próby wysokonapieciowej oddzielnie dla elektrody ekranujacej - elektrody ogniskujacej i oddzielnie dla elektrody ognisku¬ jacej - anody.2 13? 432 Znanych jest wiele sposobów przeprowadzania prób;? wysokonapieciowej zespolu wyrzutni elektronowej, które stosowano dla polepszenia charakterystyk elektrycznych kineskopów. Wiekszosc tych sposobów pociaga za soba wymuszenie pojawienia sie luków pomiedzy dwoma sasiednimi elektrodami, dla usuniecia wystepów,.zadziorów i/albo czastek tak, ze emisja polowa elektronów pomiedzy dwoma elementami jest znacznie zredukowana przy normalnych potencjalach pracy. We wszystkich przypadkach przepro¬ wadzania próby wysokonapieciowej stosuje sie dodatnie tetniace impulsy pradu stale¬ go pomiedzy anoda i elektroda ogniskujaca przy jednoczesnym uziemieniu pozostalych elektrod albo tez uziemia sie anode i podaje ujemne tetniace impulsy pradu stalego o wysokim napieciu do pozostalych elektrod wyrzutni elektronowej. Wymiary, ksztalt i czestotliwosc repetycji impulsów wysokonapieciowych zmienia sie w szerokim zakre¬ sie zaleznie od charakterystyk urzadzenia uzytego do przeprowadzania próby wysoko¬ napieciowej.Najczesciej stosowane w próbie wysokonapieciowej impulsy napiecia sa sinu¬ soidalne i pochodne od normalnych zmian w napieciu miedzyprzewodowym. Moga one byc polowa fali z najnizsza czescia albo na minimalaym poziomie pradu stalego albo na potencjale ziemi, albo moga byc pelna fala, w którym to przypadku najnizsza wartosc jest zwykle ustalona na potencjale ziemi. Do przeprowadzania próby moga byc równiez wykorzystane impulsy o bardzo • szybkim czasie narastania i o krótkim czasie trwa¬ nia, przykladowo kondensatora za pomoca generatora kulowego, przy czym impulsy pra¬ du czesto przekraczaja 100 A. Chociaz moc zwiazana z tymi impulsami jest bardzo duza to czas trwania kazdego impulsu, czesto mniejszy od 1 ;usf ogranicza energie induko¬ wanego luku do poziomów, które sa bezpieczne dla elementów lampy. Bez wzgledu na typ impulsów uzytych do przeprowadzania próby wysokonapieciowej wiekszosc uzytkowni¬ ków stwierdzila, ze bezpieczniejsze jest jezeli uniknie sie podawania ujemnych im¬ pulsów do anody.W ostatnich latach uzyskano polepszenie ogniskowania elektronowej plamki na ekranie poprzez uzycie wzrastajaco wyzszych napiec w elementach ogniskujacych, w obu typach, bipotencjalowym i trójpotencjalowym. Z powodu tych wyzszych potencjalów pra¬ cy konieczne jest przeprowadzenie próby wysokonapieciowej pomiedzy elektroda ogni¬ skujaca i siatka ekranujaca dla typów trójpotencjalowych, przy czym uwaza sie rów¬ niez za pozadane przeprowadzenie próby wysokonapieciowej pomiedzy róznymi siatkami ogniskujacymi. Wczesniej te wysokie potencjaly byly wprowadzane przez nózki zacis¬ ków. Jezeli nie sa powziete specjalne srodki zaradcze, takie jak przedstawione w zgloszeniu patentowym St. Zjedn. Am. nr 21 823 z 19 marca 1979 r. zastosowanie efe¬ ktywnych napiec, które sa wystarczajaco wysokie, dla osiagniecia kondycjonowania elektrod, jest zabronione ze wzgledu na wyladowanie lukowe pomiedzy nózkami zacisków.W innym sposobie przeprowadzania próby wysokonapieciowej znanym z opisu pa¬ tentowego Stanów Zjednoczonych Ameryki nr 4 052 776, impulsy wielkiej czestotliwos¬ ci o bardzo duzej amplitudzie sa dodawane do impulsów tetniczych pradu stalego o relatywnie malej amplitudzie, które sa uzyte do przeprowadzania próby wysokona¬ pieciowej pomiedzy siatka ekranujaca i elektroda ogniskujaca. W sposobie tym tetniac< impulsy pradr. stalego napiecia próby wysokonapieciowej wprowadza sie przez nózki ele¬ ktrod ogniskujacych wyrzutni trójpotencjalowej, a impuls wielkiej czestotliwosci jest wprowadzany przez pozostale nózki zacisków, polaczone elektrycznie.Poniewaz nózki zacisków usytuowane sa blisko siebie, to albo szczytowe napie¬ cia pradu stalego musza byc utrzymane na relatywnie niskich wartosciach przy których maja ograniczona efektywnosc, albo musza byc podjete specjalne srodki ostroznosci, dla zapobiezenia elektrycznym przebiciom pomiedzy zewnetrznymi czesciami nózek zacisków*133 432 3 Niezaleznie od zastosowanego sposobu przeprowadzania próby wysokonapieciowej wszystkie wyzej vjyniienione znane sposoby maja wiele opisanych ponizej ograniczen.Aby próba wysokonapieciowa byla efektywna szczytowe poziomy tetniacego napie¬ cia pradu stalego powinny byc bardzo wysokie. Czesto stosuje sie wartosci w przybli¬ zeniu dwukrotnie wieksze od normalnych potencjalów pracy, W przypadku gdy na po - wierzchni elektrody o ujemnym potencjale, katody podczas próby wysokonapieciowej, znajduje 3ie duzy wystep, zadzior, to duzy wydatek energii skoncentrowany jest w tym obszarze co prowadzi czesto do pekniec szklanej banki, siatki drobnych pekniec na powierzchni szkla szyjki, albo powoduje odkladanie sie nadmiernej ilosci metalu na szkle szyjki albo na perle szklanej izolatorów. Dla zminimalizowania tych niekorzy¬ stnych efektów unika sie nadmiernego ogrzewania przez periodyczne przerywanie przy¬ kladania impulsów i przystapienie do minimalnego cyklu pracy. Przedluza to calkowity czas obróbki i zwieksza jednostkowy koszt produkcji.W niektórych tyjpach lamp, szczególnie z elektrodami ogniskujacymi pracujacymi z relatywnie wysokimi potencjalami, konieczne jest stosowanie oddzielnych urzadzen do przeprowadzania próby wysokonapieciowej pomiedzy elektroda /ami/ ogniskujaca /-ymi/ i siatka ekranujaca. Te oddzielne procesy wymagaja nie tylko wiekszej ilosci urzadzen do przeprowadzania próby wysokonapieciowej przy dodatkowych kosztach, ale wymagaja równiez dostepu do wszystkich wykorzystanych elektrod, co z kolei wymaga oddzielnych gniazd zacisków dla kazdej elektrody. Ten ostatni wymóg jest kosztowny i moze byc albo moze nie byc zgodny z innymi wymoganiami obróbki elektrycznej lampy.Moga byc równiez wymagane gniazda usytuowane przemienne co wymaga dodatkowych operato¬ rów, dla dokonania zmiany gniazda w odpowiednim czasie /czasach/ podczas obróbki.Cel wynalazku osiagnieto przez opracowanie sposobu przeprowadzania próby wyso¬ konapieciowej w którym laczy sie wzajemnie grzejnik, katode, sterujac elektrode i ele< ktrode ekranujaca5a nastepnie podaje sie napiecie próby wysokonapieciowej pomiedzy anoda i wzajemnie polaczone elementy wyrzutni, przy czym elektrode ogniskujaca odla¬ cza sie od zewnetrznego zródla potencjalu elektrycznego i doprowadza sie do osiagnie¬ cia przez elektrode ogniskujaca normalnego potencjalu* Stosuje sie zespól podstawo¬ wy, typu bipotenojalowego zawierajacy pojedyncza elektrode ogniskujaca pomiedzy ele¬ ktroda ekranizujaca i anoda. Stosuje sie równiez zespól podstawowy typu trójpoten- cjalowego zawierajacy co najmniej dwie elektrody ogniskujace, przy czym wszystkie elektrody ogniskujace odlacza sie od zewnetrznego zródla potencjalu elektrycznego i doprowadza sie do osiagniecia przez nie ich normalnego potencjalu* Jako napiecia próby wysokonapieciowej stosuje sie impulsy tetniace stalego napiecia o malej czestotliwosci. Napiecie próby wysokonapieciowej podaje sie do ano¬ dy, a wzajemnie polaczone elektrody laczy sie z uziemieniem. Gdy podaje sie napiecie próby wysokonapieciowej podaje sie impulsy napiecia o wielkiej czestotliwosci, krót¬ kim caasie trwania i szybkim czasie narastania, pomiedzy anode i wzajemnie polaczone elektrody.Sposób przeprowadzania próby wysokonapieciowej wedlug wynalazku eliminuje wady znanych sposobów oraz potrzebe stosowania oddzielnych zródel napiecia albo stanowisk, dla przeprowadzania próby wysokonapieciowej pomiedzy sasiednimi parami elektrod, umozliwia stosowanie wyzszych napiec, normalnie stosowanych przy próbie wysokonapie¬ ciowej anoda - elektroda ogniskujaca, przy czym eliminuje potrzebe oddzielnego poda¬ wania nizszego napiecia,jak równiez potrzebe stosowania gniazda zaciskowego /gniazd zaciskowych/ dla ogniskujacej elektrody /elektrod/. Dla wykorzystania sposobu wedlug wynalazku ogniskujaca elektroda /elektrody/ jeat odlaczona od wszystkich zródel mocy albo uziemienia i doprowadza sie do oalegniecia przez elektrode jej normalnego po¬ tencjalu w wyniku braku tego polaczenia podczaa procedury próby wysokonapieciowej.4 133 432- Sposób ten moze byc wykorzystany z kazda ze znanych konwencjonalnych procedur próby wysokonapieciowej* Podanie wysokonapieciowych impulsów tetniacych pradu stalego do anody i przy odlaczeniu elektrody /elektrod/ ogniskujacych od zewnetrznych zródel potencjalu i dopuszczeniu do osiagniecia przez te elektrody normalnego potencjalu w wyniku braku tego polaczenia z jednoczesnym przylozeniem impulsów wysokiej czestotliwosci do niskonapieciowych elementów wyrzutni, gdy jest to konieczne, powoduje inicjacje serii luków, które rozprzestrzeniaja sie wzdluz calej struktury wyrzutni* Anoda tworzy luk do zmiennej ogniskujacej elektrody /elektrod/, która zostaje naladowana do poziomu wysokiego napiecia i z kolei tworzy luk do elektrody ekranujacej* To wielokrotne wyladowanie lukowe wywoluje jonizacje wzdluz calej dlugosci wyrzutni 1 daje w rezultacie efektywne przemywanie szklanej szyjki przez elektrody, które to dzialanie dazy do usuniecia warstw substancji zanieczyszczajacej i zredukowanie prawdopodobienstwa kolejnego wyladowania lukowego.Sposób wedlug wynalazku eliminuje równiez koncentracje energii luku na po¬ wierzchni rozdzialu pomiedzy anoda i elektroda ogniskujaca i znacznie zmniejsza prawdopodobienstwo uszkodzenia szkla. Dzieki odpowiedniej selekcji napiec, impulsy napieciowe moga byc podawane na anode w sposób ciagly, przez co skraca sie calkowi¬ ty czas konieczny dla przeprowadzenia próby wysokonapieciowej i zmniejsza ilosó koniecznych urzadzen prowadzac do znacznej redukcji kosstów.Sposób wedlug wynalazku moze byc zastosowany do kazdej wyrzutni elektronowej majacej katode 1 cztery albo wiecej elektrod, które sa polaryzowane niezaleznie od siebie* Moze to byc pojedyncza wyrzutnia albo duza liczba wyrzutni w podstawie wy¬ rzutni lampy elektronopromieniowej. Gdy jest wiecej niz jedna wyrzutnia w podstawie, wyrzutnie moga byc usytuowane w dowolnym ukladzie geometrycznym. Gdy sa trzy wyrzut¬ nie, jak przykladowo w kineskopie kolorowym, wyrzutnie moga byc w ukladzie delty al^A w ukladzie liniowym albo innym dowolnym ukladzie * Sposób moze byc zastosowany przykladowo do bipotencjalowych i trójpotencjalo- wych struktur wyrzutni elektronowych* Bipotencjalovsa struktura wyrzutni typowa ma grzejnik i katode, siatke sterujaca, siatke ekranujaca, pojedyncza elektrode ognis¬ kowa i elektrode wysokiego napiecia, która jeet oznaczana jako anoda* Chociaz oddzielne elementy moga byc uzyte dla kazdej z trzech wyrzutni elektrono¬ wych kineskopu kolorowego to ostatnio praktyka zmierzala do uzycia wspólnych elemen¬ tów dla siatki sterujacej, siatki ekranujacej, elektrody ogniskujacej i anody, dla trzech wyrzutni elektronowych* Trójpotencjalowa wyrzutnia rózni sie od bipotencja- lowej tym, ze wykorzystuje trzy elektrody ogniskujace dla dzialania ogniskujacego zamiast tylko jednej* Trójpotencjalowa wyrzutnia ma typowo grzejnik, katode, siatke sterujaca, siatke ekranujaca, trzy elektrody ogniskujace i anode* Sposób wedlug wynalazku opisano na podstawie przykladowych ukladów przedsta¬ wionych na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia uklad ideowy dla próby wysokonapie¬ ciowej zespolu podstawy typu bipoteaojalowego, fig* 2 - uklad ideowy dla próby wyso¬ konapieciowej zespolu podstawy typu bipotencjalowego, w danym przykladzie wykonania; fig* 3 ~ uklad ideowy dla próby wysokonapieciowej zespolu podstawy typu trój-potencjej lowego w innym przykladzie wykonania.Próba wysokonapieciowa lamp elektronopromieniowych moze byc przeprowadzona, zgodnie ze sposobem wedlug wynalazku, na kolejnych stanowiskach na linii montazu lampy i majacych urzadzenia, które moga podawac na róznych etapach obróbki, zadane napiecia na katode i inne elektrody wyrzutni elektronowej lampy elektronopromienio¬ wej, lampy elektronopromieniowe moga byc transportowane ze stanowiska na stanowiskoI 133432 5 reczcie albo na przenosniku3 co jest snane z opisów patentowych Stanów Zjednoczonych Ameryki nr 2 917 357 i nr 3 698 786• Sposób wedlug wynalazku jest przedstawiony na przykladzie wyzej opisanej lampy elektronopromieniowej transportowanej recznie. Na kazdym stanowisku lampa jest umie¬ szczona w uchwycie i gniazdo jest przylaczone do wtyków podstawy lampy elektrono¬ promieniowej.Ogólnie obróbka calkowicie zmontowanej lampy elektronopromieniowej obejmuje próbe wysokonapieciowa, nastepnie udar cieplny, starzenie niskonapieciowe oraz nie¬ obowiazkowo starzenie wysokonapieciowe. Nastepnie w lampie elektronopromieniowej moze byc zmontowana integralna struktura zabezpieczajaca przed implozja.po czym moze miec nieobowiazkowo, miejsce nastepny etap próby wysokonapieciowej* Poniewaz wszy¬ stkie powyzsze etapy z wyjatkiem etapu próby wysokonapieciowej sa znane wiec nie sa dalej opisywane.Na figurze 1 uwidoczniono lampe elektr opromieni owa 21 w rzucie pionowym w prze¬ kroju schematycznie majaca plyte czolowa 23f majaca na wewnetrznej powierzchni lumi- nescencyjny ekran 25» Plyta czolowa 23 jest zatopiona na koncu lejka 27 o s wiekszej srednicy, majacego szyjke 29 integralna z koncem lejka 27 o mniejszej srednicy.Szyjka 29 jest zamknieta trzonkiem 3l» Na wewnetrznej powierzchni lejka 27 jest umieszczona przewodzaca powloka 33t która styka sie ze zlaczem 33 anody.W szyjce 29 jest usytuowany bipotencjalowy zestpól podstawy, opisany w opisie patentowym Stanów Zjednoczonych Ameryki nr 3 772 5541 majacy trzy bipotencjalowe wy¬ rzutnie z których uwidoczniono tylko jedna /fig# l/# Zespól podstawy zawiera dwa szklaf- ne prety nosne na których zamocowane sa rózne elementy wyrzutni. Elementy te to grzej¬ nik 4-1, katoda K, elektroda sterujaca Gl, elektroda ekranujaca G2f elektroda ognisku¬ jaca G3 i anoda albo elektroda wysokonapieciowa 43* Anoda 4-3 jest polaczona z prze¬ wodzaca powloka 33 za pomoca amortyzatorów podskokowych 45 • Grzejnik 41, katoda K, elektroda sterujaca Gl i elektroda ekranujaca G3, jako elementy wyrzutni o nizszym napieciu polaczone sa z oddzielnymi nózkami zaciskowymi 47t które wychodza przez trzo¬ nek 31. Elektroda ogniskujaca G3 jest równiez polaczona z oddzielnym zaciskiem 49 ano¬ dy G3f który wychodzi przez trzonek.Podczas próby wysokonapieciowej trzonek 31 i nózki zacisków 47. 49 sa wlozone w gniazda, a zaciski 4? nizszych elementów wyrzutni sa polaczone razem przez gniazdo zaciskowe 53, polaczone z uziemieniem 51. Zacisk 49 elektrody ogniskujacej G3 pozosta¬ je niepodlaczony albo odlaczony od zewnetrznego zródla potencjalu elektrycznego i ma swój normalny potencjal. Zlacze 35 anody 43 jest polaczone poprzez zacisk 55 ze zródlem 57, impulsów wysokiego napiecia o malej czestotliwosci polaczonym z uziemieniem 51» Impulsy rosna poczatkowo do pików o amplitudzie okolo + 35 + 5 kV wzrastajac do pi¬ ków o amplitudzie okolo + 60 + 5 kV w 90 s do 120 s. Impulsy sa zawarte w granicach pólokresu wyprostowanego napiecia pradu przemiennego o czestotliwosci okolo 60 Hz.Ujemna czesc napiecia pradu przemiennego jest polaczona z uziemieniem. Calkowity czas trwania impulsów moze byc w zakresie od 0,1 do 2 s 6 do 12 cykli i przedzial czasu mo¬ ze byc w zakresie 0,5 do 1,0 s. -frzez pozostawienie elektrody ogniskujacej G3 odlaczo¬ nej od zewnetrznych zródel potencjalu i doprowadzenie do osiagniecia'przez te elektrode normalnego potencjalu, próba wysokonapieciowa jest bardziej efektywna i mozna uzyc wyz¬ szych napiec, unikajac zwykle spotykanych mankamentów.Na figurze 2 uwidoczniono lampe elektronopromieniowa 121 o konstrukcji podobnej do konstrukcji lampy 21 z fig. 1, przy czym rózni sie ona trzema szczególami. Po pierwsze ma zródlo 159 impulsów napiecia o "wielkiej czestotliwosci, o krótkim czasie trwania i szybkim czasie narastania wlaczone pomiedzy gniazdem zaciskowym 153 i uzie¬ mieniem 151* Impulsy maja okolo 5 cykli tlumionego pradu przemiennego o czestotliwosci6 155 452 okolo 300 kHz. Po drugie lampa 121'ma metalowy pierscien 161 otaczajacy szyjke 129 naprzeciw anody 14-3. Pierscien 161 jest polaczony z zaciskiem 155 anody poprzez za¬ cisk pierscienia 163. Po trzecie lampa 121 ma gniazdo, nie uwidocznione na rysunku, zawierajace izolujacy silos w którym usytuowana jest i odizolowana elektrycznie czesc zacisku 149 elektrody ogniskujacej G3, która wystaje poza lampe elektronopromieniowa 121.Gniazdo tego typu jest opisane w opisach patentowych Stanów Zjednoczonych Ameryki nr 44 076 366 i nr 4 127 313. Napiecie o wielkiej czestotliwosci ze zródla 159 wymusza wyladowanie lukowe bardziej niezawodnie i dostarcza wyzszego napiecia, przy czym molekuly gazu w sasiedztwie elektrod sa efektywniej jonizowane przez co jony gazu i luki efektywniej usuwaja niepozadane zanieczyszczenia. Pierscien 161 zabezpiecza szyjke 129 przed przebiciem i innymi niepozadanymi skutkami przy koncu próby wysokonapieciowej.Lampy elektronopromieniowe przedstawione na fig. 3 i 4 maja podobna konstrukcje do lamp uwidocznionych na fig. 1 i 2, za wyjatkiem tego, ze zamiast zespolu bipoten- cjalowego zastosowano trójpotencjalowy zespól podstawy. Trójpotencjalowy zespól pod¬ stawy jest podobny do bipotencjalowego, z wyjatkiem tego, ze pojedyncza elektroda ogniskujaca G3 jest zastapiona przez trzy elektrody ogniskujace G3, G4 i G5, co jest znane, przy czym elektrody ogniskujace G3 i G5 sa polaczone razem#a elektrody ogni¬ skujace G3 i G4 polaczone sa z oddzielnymi nózkami zacisków 249 f 3491 przy czym obie nózki zacisków nie sa polaczone ze soba. Próba wysokonapieciowa jest wykonana tak samo jak to opisano w* odniesieniu do fig. 1 i 2 za wyjatkiem tego, ze w tym przypadku trzy elektrody ogniskujace G3, G4 i G5 sa odlaczone od zewnetrznego zródla potencja¬ lu elektrycznego i maja swój normalny potencjal.Zastrzezenia patentowe 1. Sposób przeprowadzania próby wysokonapieciowej zespolu podstawy wyrzutni elektronowej lampy elektronopromieniowej, przy czym zespól podstawy zawiera grzejnik, katode, elektrode sterujaca, elektrode ekranujaca, elektrode ogniskujaca i anode, znamienny tym, ze laczy sie wzajemnie grzejnik /41, 141, 241, 341/, katode /K/, sterujaca elektrode /Gl/ i elektrode ekranujaca /G2/ a nastepnie podaje sie napiecie próby wysokonapieciowej pomiedzy anode /43, 143, 243, 343/ i wzajemnie polaczone elementy wyrzutni, przy czym elektrode ogniskujaca /G3, G4, G5/ odlacza sie od zewnetrznego zródla potencjalu elektrycznego i doprowadza sie do osiagniecia przez elektrode ogniskujaca /G3, G4, G5/ normalnego potencjalu. 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze stosuje sie ze¬ spól podstawy typu bipotencjalowego zawierajacy pojedyncza elektrode ogniskujaca /G3/ pomiedzy elektroda ekranujaca /G2/ i anoda /43, 143/. 3. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze stosuje sie ze¬ spól podstawy typu trójpotencjalowego zawierajacy co najmniej dwie elektrody ogni¬ skujace /G3, G4, G5/f przy czym wszystkie elektrody ogniskujace /G3, G4, G5/ odla¬ cza sie od zewnetrznego zródla potencjalu elektrycznego i doprowadza sie do osiagnie¬ cia przez nie ich normalnego potencjalu. 4..Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze jako napiecia próby wysokonapieciowej stosuje sie impulsy tetniace po stalego napiecia o malej czestotliwosci.133432 7 5* Sposób wedlug zastrz. 1,znamienny tym, ze napiecie próby wysokonapieciowej podaje sie do anody A3i 243/ a wzajemnie polaczone elektrody Al, K, Gl, G2; 241, K, Gl, G2/ laczy sie z uziemieniem. 6« Sposób wedlug zastrz, 4? znamienny tym, ze gdy podaje sie na¬ piecie próby wysokonapieciowej podaje sie impulsy napiecia o wielkiej czestotliwosci, krótkim czasie trwania i szybkim czasie narastania, pomiedzy anode /143, 3^3/ i wza¬ jemnie polaczone elektrody /141, G, Gl, G2f 3^1, K, Gl, G2/. PL PL PL