Przedmiotem niniejszego wynalazku jest wyrzutnia elektronowa przeznaczona do zastosowania w kineskopach.Jak wiadomo, aberacja sferyczna w soczewce elektro¬ nowej moze byc korzystnie zmniejszona przez oslabienie pola soczewki i wydluzenie go w kierunku toru wiazki.Wiadomo takze, ze soczewka umozliwiajaca uzyskanie tego efektu jest soczewka rezystywna, w której kilka me¬ talowych elektroda plytkowych jest usytuowane szeregowo, a gradient napiecia jest uzyskiwany wzdluz soczewki przez doprowadzenie róznych napiec do róznych plytek za pomoca elementów rezystywnych umieszczonych wewnatrz próz¬ niowej obudowy kineskopu.Rózne publikacje ujawniaja znany stan techniki w tej dziedzinie wlaczajac patenty Stanów Zjednoczonych Ameryki: nr 2143 390, udzielony Schrotero'wi w dniu 10 stycznia 1939 r., nr 3 932 786 udzielony Campeirowi w dniu 13 stycznia 1975 r. oraz nr 4 091 144 udzielony •Gresner'owi i innym w dniu 23 maja 1978 r. W patencie Stanów Zjednoczonych Ameryki nr 2143 390 przedsta¬ wiono schematycznie zastosowanie rezystora uplywowego, natomiast w patencie Stanów Zjednoczonych Ameryki nr 3 932 786 opisane jest praktyczne rozwiazanie rezystora ^uplywowego umieszczonego na szklanym precie podtrzy¬ mujacym konstrukcje wyrzutni elektronowej: w patencie Stanów Zjednoczonych Ameryki nr 4 091144 opisane jest rozwiazanie praktyczne w postaci pakietu ulozonych na przemian elektrod metalowych i elementów izolacyjnych z warstwa rezystywna na jednej z krawedzi elementów.Rozwiazanie wedlug patentu nr 3 932 786 wymaga zas¬ tosowania kilku przewodników przeznaczonych do po¬ lo 15 20 25 30 laczenia usytuowanych szeregowo elektrod z otworami i rezystorów uplywowych, poza tym rozwiazanie takie odznacza sie duzym prawdopodobienstwem pekania preta szklanego podczas produkcji na skutek duzej liczby elektrod osadzonych na szklanym precie.Opisane znane rozwiazania maja jeszcze i taka wade, ze dokladnosc pola soczewki zalezna jest od stopnia rów¬ nomiernosci warstwy rezystorowej, której wytwarzanie jest trudne do skontrolowania.W zgloszeniu nr 51400 dokonanym w Stanach Zjedno¬ czonych Ameryki 25 czerwca 1979 r. na rzecz Abeles'a ujawnione jest rozwiazanie udoskonalone w porównaniu z powyzej opisanymi znanymi rozwiazaniami. Jak wynika z tego zgloszenia, struktura soczewkowa sklada sie z kilku elektrod z otworami i rezystywnych elementów — prze¬ kladek ulozonych na przemian z elektrodami w pakiet i zlutowanych razem tak, iz tworzy sie struktura elektrycz¬ nie ciagla.Elementy rezystywne sa wykonane w postaci klocka z materialu izolacyjnego, który, przed jego zamontowaniem w pakiet z elektrodami, majacymi otwory, sa pokrywane co najmniej na czesci powierzchni odpowiednim materialem rezystywnym. Takie uprzednie nalozenie warstwy rezystyw¬ nej,'przed zamontowaniem w pakiet, na powierzchni kloc¬ ków pozwala na ich uprzednie przetestowanie przed monto¬ waniem i na posegregowanie wedlug ich parametrów re- zystancyjnych.Z punktu widzenia wymagan elektrycznych i mechanicz¬ nych rozwiazanie wedlug zgloszenia nr 51400 moze byc zastosowane praktycznie. 133 061133 061 3 Jednakze duza jego wada jest to, ze wytwarzanie takich elementów jest zwiazane z duzymi nakladami finansowymi i duza pracochlonnoscia.Przedmiotem wynalazku jest wyrzutnia elektronowa zawierajaca katode emitujaca wiazki elektronów i dwie koncowe elektrody przyspieszajaco-ogniskujace z otwo¬ rami, przez które przechodza wiazki elektronów emitowa¬ nych przez katode, zamontowane w polozeniu ustalonym na kilku podluznych wspornikach szklanych, oraz rezys¬ tywna strukture soczewkowa usytuowana miedzy tymi elek¬ trodami koncowymi, polaczona mechanicznie i elektrycznie z tymi elektrodami, skladajaca sie z kilku plytek elektro¬ dowych z otworami, przez które przechodza wiazki elek¬ tronów emitowanych przez katode, ulozonych na przemian z klockami dystansowymi, przedstawiajacymi soba ele¬ menty rezystancyjne.Zgodnie z wynalazkiem, rezystywna struktura soczew¬ kowa zawiera pary sprezyn, których sily oddzialywania na rezystywna strukture soczewkowa sa skierowane wzdluz osi podluznej struktury równoleglej do toru wiazek elek¬ tronów tak, iz miedzy plytkami elektrodowymi rezystyw¬ nej struktury soczewkowej a klockami z warstwa rezystywna, jak równiez miedzy struktura a elektrodami koncowymi zapewniony jest nalezyty kontakt elektryczny taki, ze rezystywna struktura soczewkowa na obszarze miedzy pierwsza a druga elektrodami koncowymi przedstawia soba elektrycznie ciagly obwód o duzej rezystancji.Plytki elektrodowe maja na dluzszych krawedziach bocznych wystepy, które sa zatapiane w szklanym wspor¬ niku na niewielka glebokosc dla wyeliminowania mozli¬ wosci poprzecznego przemieszczenia sie struktury przy jednoczesnym zapewnieniu mozliwosci uzyskania nalezy¬ tego kontaktu elektrycznego miedzy plytkami elektrodo¬ wymi a przylegajacymi do nich klockami rezystywnymi zapewnianego sprezynami.Plytka elektrodowa przynajmniej po jednej stronie czo¬ lowej ma wglebienie dla umieszczenia w nich klocków dystansowych.W rezystywnej, strukturze soczewkowej miedzy kazda para kolejnych plytek elektrodowych umieszczone sa dwa kkteki dystansowe, z których co najmniejjedenjest klockiem rezystywnym, przy czym klocki rezystywne i klocki dystan¬ sowa sa usytuowane w dwóch równoleglych rzedach rów¬ noleglych do osi wzdluznej struktury, a co najmniej jedna spie^yna z pary sprezyn jest usytuowana tak, iz kierunek sity J£J oddzialywania pokrywa sie z osiami podluznymi rze¬ dów, które sa utworzone klockami dystansowymi.JCprzystnyia jejst^ gdy para sprezyn jest usytuowana zasadniczo posrodku rezystywnej struktury soczewkowej. korzystnym je§t równiez, gdy rezystywna struktura soczewkowa ma dwie pary sprezyn usytuowanych na kosr qac]} atsuktury.Przedmiot wynalazku jest szczególowo opisany w przy¬ kladnie; wykonania przedstawipnym na rysunku, na którym fig, 1 i 2 sa rzutami pionowymi nowej wyrzutni elektronowej w widokui z dwóch plaszczyzn pod katem prostym do siebie i czesciowym przekroju* fig. 3 jest widokiem z gpry elektrody plytkowej dla nowej, wyrzutni elektronowej z fig. 1 i fig- Z przedstawiajacym: szczególy, dwóch przy¬ kladów rozwiazan elektrody plytkowej z typowyni polacze¬ niemelektrodyzeszklanymi wspornikami, afig. 4przedstawia w powiekszeniu czesc soczewki elektrycznej wyrzutni elektronowej z fig. 1 i fig. 2.Na fig. 1 i fig. 2 przedstawiono zespól wyrzutni elektro¬ nowej 10 zawierajacy dwa równolegle wsporniki szklane 12, 4 na których sa montowane poszczególne elementy skladowe wyrzutni elektronowej.Wyrzutnie przedstawione na fig. 1 i fig. 2 sa wyrzutniami trójwiazkowymi rzedowymi. 5 Jednakze nalezy zaznaczyc, ze wynalazek moze byc zastosowany równiez w przypadku wyrzutni innego ro¬ dzaju. Na jednym koncu wsporników 12 zamontowane sa trzy katody tulejkowe 14, na których powierzchniach czolowych nalozone sa warstwy emitujace elektrony. W 10 pewnym odstepie od katod tulejkowych J4, przed powierz¬ chniami z warstwami emitujacymi elektrony, usytuowana jest siatkowa elektroda sterujaca 16. Nastepnie na wsporni¬ kach 12 zamontowane sa kolejno: siatkowa elektroda ekranujaca 18 oraz pierwsza, druga i trzecia elektrody 20, 15 22, 24 przyspieszajace i ogniskujace.Trzy wyrzutnie elektronowe emituja trzy wiazki elek¬ tronów, których tory 24 sa koplanarne. Kazda z wiazek elektronów przechodzi przez przyporzadkowane jej otwory w elektrodach. Elektroda ekranujaca 26 majaca ksztalt 20 tulei jest przymocowana do powierzchni czolowej trzeciej elektrody przyspieszajacej i ogniskujacej 23.Siatkowa „elektroda 16 sterujaca i siatkowa elektroda 18 ekranujaca zawieraja zasadniczo plaskie czlony meta¬ lowe, z których kazdy zawiera po trzy usytuowane w jednej 25 linii otwory wspólosiowe z torami wiazek 24.Pierwsza elektroda przyspieszajaco-ogniskujaca 20 przed¬ stawia soba dwie czasze 30 i 32, które w przekroju wzdluz¬ nym maja ksztalt prostokata, polaczone ze soba na ich otwartych koncach. 30 Zamkniete konce czasz^30 i 32 maja na powierzchniach czolowych po trzy usytuowanych w jednej linii otwory, z których kazdy jest przyporzadkowany jednej z wiazek elektronów 24. Druga elektroda przyspieszajaco-ognisku¬ jaca 22 sklada sie z dwóch czasz 34, 36, których wzdluzne 35 przekroje maja ksztalt prostokata i które sa polaczone otwartymi koncami.Na powierzchniach czolowych czasz 34, 36 wykonane sa otwory, podobnie jak w przypadku elektrody pierwszej 20. Trzeciaelektroda przyspieszajaco-ogniskujaca 23 sklada 40 sie z jednej czaszy, której przekrój wzdluzny ma ksztalt prostokatny. Otwarty koniec trzeciej elektrody 23 jest zwró¬ cony ku katodzie. Elektroda ekrazujaca 26 ma ksztalt tuki o kolowym przekroju poprzecznym i prostokatnym przekroju wzdluznym. 45 Jej.podstawa jest przymocowana do powierzchni czolowej trzeciej elektrody przyspieszajaco-ogniskujacej 23. Elektroda ekranujaca 26 równiez ma na powierzchni czolowej trzy usytuowane w jednej liniiotwory, przez które przechodza elektrony wiazek elektronowych 24. 5o Wyrzutnia 10 jest zaprojektowana w taki sposób, aby jej glówne pole ogniskujace koncentrowalo sie mieday druga 22 a trzecia 23 elektrodami przyspieszajaco-ognis- kujacymi. W tym celu miedzy tymi elektrodami umieszcza sie uezystywna strukture soczewkowa 42 wedlug wynalazku. 55 Druga 22 i trzecia 23 elektrody przyspieszajaco-ogisku- jace sluza, jako koncowe elektrody rezystywnej struktury soczewkowej 42. Sa one przymocowane do szklanego wspornika 12. Do tego celu sluza wystepy 44 elektrody 22 i wystepy46 elektrody23, które dosc gleboko sa zatopione 60 w szkle wspornika 12.W przypadku elektrody 23 wystep 46 stanowi czesc plytki 48 z otworami przymocowanej do otwartego konca czaszy.Rezystywna struktura soczewkowa 42 zawiera kilka plytek elektrodowych 50 z otworami ulozonych naprzemiennie $5 z kilkoma klockami 52 majacymi ksztalt prostopadloscianu..lSSl Miedzy kazdymi dwoma kolejnymi plytkami elektrodowymi 50 umieszczone sa dwa klocki 52, Klocki 52 sa usytuowane po przeciwnych stronach otworu srodkowego z trzech otworów 53 usytuowanych w jednej linii wykonanych w plytce elektrodowej. Co najmniej jeden z klocków kazdej 5 pary klocków 52 jest klockiem 54 z nalozona warstwa rezystywna. Drugi klocek pary klocków 52 moze byc kloc¬ kiem 54 z warstwa rezystywnalubtez klockiem izolujacym56, Gdy wymaga sie, aby miedzy para plytek elektrodowych 50 byl umieszczony tylkojeden klocek 54z warstwa rezystyw- 10 na, stosuje sie równiez drugi klocek izolujacy 56 celem za* pewnienia odpowiednich wlasnosci mechanicznych calej struktury, Na rysunku klocki 54 z warstwa rezystywna sa zakreskpwane, aby róznily sie pd klocków izolacyjnych 56.Klocki izolacyjne §6 moga byc wytworzone z dowolnego 15 materialu izolacyjnego, nadajacego sie do polaczenia z plytkami elektrodowymi, majacego wlasnosci, które po¬ zwalaja stosowac go w elektronowych lampach próznio¬ wych, poddawanych obróbce termicznej i prózniowej.Korzystnym jest zwlaszcza, gdy kiecki izolujace 56 sa 2Q Wytwarzane z materialów ceramicznych wysokiej jakosci, na przyklad, z tlenku glinowego o wysokim stopniu czys¬ tosci.Jak pokazano na fig* 4, klocki 54 z warstwa rezystywna maja kpntakt elektryczny z dwoma plytkami elektrodo- 25 wymi50,Tenkontakt elektrycznyjest realizowanyzapomoca przewodzacych P*VL' elektryczny warstw metalizacji £7 nalozonych na przeciwleglych powierzchniach klocków.Na pewnej czesci powierzchni bocznej klocka 54 z warstwa rezystywna nalozona jest warstwa rezystywna 58, która 36 jest elektrycznie polaczona z warstwami metalizacji na przeciwleglych powierzchniach klocków. To polaczenie elektryczne zapewniane jest przez to, iz warstwy meta¬ lizacji zachodza na warstwe rezystywna.Plytki elektrodowe 50 oraz klocki dystansowe 52 (zarów- M no z warstwa rezystywna jak tez i klocki izolujace 56) sa ulozone w pakiet na przemian,luzno i umieszczone miedzy elektrodami kqncowymi 22 i 23. Plytki elektrodowe 50 oraz klocki dystansowe 52 sa zabezpieczone w ustalonym polozeniu za pomoca par sprezyn 60, z których jedna jest 40 umieszczona miedzy druga elektroda przyspieszajaco-ognis- kujaca 22 a rezystywna struktura soczewkowa 42, a druga — miedzy trzecia elektroda przyspieszajaco-ogniskujaca 23 a rezystywna struktura soczewkowa 42. Sprezyny 60 za¬ pewniaja równiez odpowiednie polaczenie elektryczne. 41 Jak pokazano na fig. 3 i fig. 4 plytka elektrodowa 50 ma po obu stronach srodkowego otworu 53 dwa prosto¬ katne wytloczone wglebienia 62, w których umieszcza sie klocek 54 z warstwa rezystywna.Obrys wglebienia jest wiekszy od obrysu klocka, wiec 50 klocek ma pewny luz. We wglebieniu162 jest otwór 64.Ten otwór ma znaczenie technologiczne.Precyzyjne osiowanie elektrodjest zapewnione za/pomoca trzpieni, wprowadzanych do otworów 53 podczas montazu wyrzutni, a zwlaszcza podczas mocowania rezystywnej js struktury soczewkowej na wspornikach 12.Na fig. 4 przedstawiono równiez usytuowanie i mecha¬ nizm dzialania sprezyn 60. Sprezyna 60 pokazana na fig. 4, jest jedna z dwóch sprezyn, przylutowana w jej punkcie srodkowym do elektrody koncowej 22. Sprezyna 60 przed- §q stawia soba plytke z materialu sprezystego wygieta tak, iz jej dwa konce sa oparte o pierwsza plytke elektrodowa 50 a czesc wybrzuszona dotyka jednej z elektrod koncowych 22.Sprezyny 60 sciskaja w ten sposób elektrody 50 i klocki 52 co zapewnia dobry kontakt elektryczny. Sily nacisku w tym w G przypadku dzialaja w kierunku csi A—A, równolegle do torów wiazek elektronów 24.Kazdazesprezyn madlugosc 5,08 mm, szerokosc 1,24mm, i grubosc 0,254 mm. Przyscisnietejstrukturze soczewkowej42 odstep miedzy plytka elektrodowa 50 a elektroda koncowa 22 lub 23 wynosi zazwyczaj okolo 0,508 mm.W elektrodach plytkowych 50 na ich bocznych krawe* dziach przewidziane sa wystepy 66, za których pomoca plytki te sa umocowane na wspornikuch 12. Zabezpiecza to przed przemieszczeniami poprzecznymi struktury so¬ czewkowej.^Wystepy 66 nie sa zbyt gleboko wtapiane we wsporniki 12. Zwykle wystepy 66 wystaja z poza krawedzi 68 plytki elektrodowej okolo 1,27 mm. W zwykle stosowanej techno- logii wytwarzania urzadzen tego rodzaju wystepy 66 sa zanurzane w materiale wspornika 12 na glebokosc okolo 0,508 mm, co zapewnia optymalny kontakt plytki elektro* dowej 50 ze wspornikiem 12. Jezeli przyjac, ze typowe to* lerancje w procesie produkcyjnym wynosza ±0,381 mm, wówczas sie okazuje, ze wystepy 66 moga byc zaglebione w materiale wspornika na glebokosc 0,127 mm. Co sta¬ nowi przypadek krancowy, gdy jeszcze moze byc zapewniony kontakt miedzy wystepami 66 plytki 50 a materialem wspor* nika 12. W innym krancowym przypadku cale wystepy 66 sa zaglebione w materiale wspornika 12. Wówczas przy sciskaniu struktury soczewkowej za pomoca sprezyn 60 powstaje najwieksze prawdopodobienstwo mechanicznego uszkodzenia wspornika 12, bowiem wsporniki wówczas pekaja, pekaja równiez klocki 52, co w znacznym stopniu zwieksza odpady produkcyjne, gdyz pekniecie wspornika oznacza jednoczesnie wyeliminowanie calej wyrzutni z dalszego procesu produkcyjnego.Z tego wzgledu, ze wyrzutnia wedlug wynalazku zawiera kilka plytekelektrodowych 50, liczba peknietych wsporników 12 bedzie nadmiernie duza,jezeli wystepy 66tych plytek beda zbyt gleboko osadzone w materiale wspornika.Z tego powodu technologia wytwarzania wyrzutni ekk* tronowej wedlug wynalazku przewiduje mozliwosc jedynie slabego kontaktu wystepów 66 plytki elektrodowej 50 z materialem wspornika %%cozapobiega peknieciom wsporm ka, a jednoczesnie zapobiegartfzemieszezeciom poprzecznym calej struktury soczewkowej w procesie wytwarzania wyr rzutni elektronowej.Doswiadczenia, zebrane w procesie wytwarzania wyrzutni elektronowych wedlug wynalazkuiwiadcza równie* o tym, ze klocki z warstwa rezystywna 54 moga ulec uazkodaeniu, mianowicie peknieciu, z naruszeniem kontaktu elektrycznego miedzy, kolejnymi plytkami elektrodowymi, realurawanego poprzez warstwe rezystywna 58, jezeli krople roztopionego szkla, tworzace sie przy glebokim wtapianiu wystepów 66 do wspornika 12 spadna na klocki 54.Przy konstruowaniu rezystywnej struktury soczewkowej 42 wedlug wynalazku mozna przewidziec, ze plytki elektro* dowo 50 beda glebiej osadzone w materiale wspornika U i ze sprezyny 60 beda Zfkpewnialy wieksza ais* oddalaly* wania na zmontowana strukture w kierunku osiowym, dzieki czemu bedzie zapewniony wiekszy kontakt miedzy plytkami elektrodowymi 50 a klockami 54 z warstwa rc* zystywna..Jednakze nie bedzie to rozwiazaniem korzystnym, gdyz wieksze zaglebienie plytek 50 w materiale wspornika 12 zwieksza braki z powodu pekniec wsporników, a zastosowac nie silniejszych sprezyn moze utrudnic montaz zespolu.W przykladzie realizacji wynalazku przedstawionym na zalaczonych rysunkach przewiduje sie zastosowanie133 061 7 dwóch par sprezyn 60 — po jednej parze sprezyn na kazdym z konców struktury soczewkowej.Jednakze struktura soczewkowa wedlug wynalazku moze byc wytwarzana przy zastosowaniu tylko jednej pary spre¬ zyn. Nalezy jednak podkreslic, ze^zastosowanie dwóch par sprezyn daje wieksza gwarancje, ze sily wzdluzne, sciskajace strukture i zapewniajace kontakt ebktryczny miedzy plyt¬ kami elektrodowymi a klockami z warstwa rezystywna, beda wystarczajace na calej dlugosci struktury.Jezeli zastosowac tylko jedna pare sprezyn 60, wówczas bedzie najlepiej, gdy bedzie ona usytuowana w punkcie srodkowym struktury soczewkowej, aby zapewnic nawet wieksza sile sciskajaca strukture oddzialujaca wzdluz struktury, niz za pomoca jednej pary sprezyn, usytuowanej na jednym z konców struktury.Jednakze umieszczenie pary sprezyn posrodku struktury soczewkowej wprowadza zniekszatlcenie rozkladu poten¬ cjalu wzdluz struktury, których skutki moga byc zauwazalne na ekranie przy odtwarzaniu obrazu telewizyjnego, przy tym rozmiary tych znieksztalcen beda zalezne od konstrukcji soczewki i od rozkladu potencjalu elektrycznego.Mozna zaprojektowac takie sprezyny 60, które beda od¬ dzialywaly bezposrednio na pare klocków dystansowych 52. Jednakze takie rozwiazanie niejest korzystne ze wzgledu na to, ze w tym przypadku bedzie gorszy rozklad sily od¬ dzialywania sprezyny w strukturze soczewkowej, a techno¬ logia wytwarzania stanie sie bardziej skomplikowana.Wzgledne wymiary plytek elektrodowych 50, klocków 54 z warstwa rezystywna i wsporników 12 nie sa parametrami krytycznymi w przypadku zastosowania rozwiazania wedlug wynalazku. Wymiary plytek elektrodowych 50 sa wyzna¬ czone wymiarami innych elektrod wyrzutni elektronowej i wymiarami bezwzglednymi wsporników 12.Jednakze, poniewaz plytki elektrodowe 50 nie powinny byc zbyt gleboko osadzone we wspornikach 12, wsporniki powinny miec róznyksztalt w róznych miejscach w obszarze, w którym montuj© sie strukture soczewkowa, jak pokazano na fig. 1. Pozwala to na zmaksymalizowanie wymiarów plytek elektrodowych 50, co zapewnia lepsza plytke elek¬ tronowa i lepsza stabilnosc wysokiego napiecia.Klocki dystansowe i klocki z warstwa rezystywna moga byc wytworzone z plytek ceramicznych wysokiej jakosci, na przyklad z ceramiki, wytworzonej z A1203. Plytki sa wstepnie szlifowane na nieco wieksza, niz zadana grubosc, na przyklad, do uzyskania wymiarów: 50,8 mm x 50,8 mm x 1,016 mm. Wieksze przeciwlegle powierzchnie sa pokry¬ wane warstw^ metalizacji 57, w ten sposób, ze najpierw nakladana jest cienka warstewka tytanu, a nastepnie wol¬ framu. Nastepnie plytka jest rozcinana na kawalki o szero¬ kosci 5,08 mm pila diamentowa.Wyciete kawalki umieszczane sa w oprawce tak, iz spoza oprawki kawalki wystaja na wysokosc odpowiadajaca jednej trzeciej dlugosci warstwy metalizacji tytan-wolfram. Po¬ wierzchnie wystajacych konców sa pokrywane warstwa spieku ceramiczno-metalowego W-A1203 w taki sposób, iz powstaje warstwa rezystywna 58, jak pokazano na fig. 4.Dzieki zachodzeniu warstwy 58 na warstwe 57 uzyskuje sie dobry kontakt elektryczny miedzy tymi warstwami.Kolejna operacja technologiczna jest wyzarzanie tak, aby uzyskac wymagana rezystancje (rzedu od 108 do 109 dla gotowych klocków). Chociaz w wyniku selektywnego wy¬ zarzania uzyskuje sie selektywna rezystywnosc, nie jest mozliwe kontrolowanie rezystywnosci w warunkach wy¬ zarzania, gdyz przy temperaturze 400.C przewodnosc ce¬ ramiki jest duza. 8 Tym nie mniej poprzez przeprowadzenie kilku pomiarów wyjmowanych z pieca kawalków, mozna uzyskac, ze ka¬ walki z jednej wyzarzanej, jednoczesnie partii beda mialy rezystywnosci mieszczace sie w pewnym dostatecznie waskim 5 przedziale. Po wyzarzaniu kawalki sa dzielone na klocki o wymiarach 5,08 mm x 1,016 mm x 1,016 mm, przy tym jedna z powierzchni o wymiarach 1,016 mm x 1,016 mm jest pokryta warstwa rezystywna 58.W podanej nizej tablicy przedstawione sa wyniki nakla- 10 dania warstw metalizacji przy realizacji rozwiazania wedlug wynalazku: Material Ti W W-A1203 Czas metalizacji (w minutach) 17 ' 35 240 Grubosc warstwy (w mikro¬ metrach) 0,1 0,2 0,7 Przy wytwarzaniu struktury soczewkowej 42 wedlug wy¬ nalazku moga byc zastosowane rózne zaleznosci miedzy wymiaramiposzczególnychelementów skladowychstruktury, 25 rózne wartosci rezystancji oraz rózne materialy. Wybór tych parametrów bedzie zalezal od konstrukcji konkretnej wyrzutni elektronowej i urzadzenia, dla którego wyrzutnia jest przeznaczona.Korzystnym jest jednakze pracowac z takimi napieciami 30 doprowadzonymi do struktury soczewkowej, aby prad przeplywajacy przez strukture byl rzedu 5—10 uA i aby moc tracona w strukturze nie byla wieksza od 0,5 W.Zwykle stosowane sa rozwiazania, w których gradient napiecia wzdluz warstwy rezystywnej 58 miesci sie w gra- 35 nicach od 2,5 do 4,0 • 104 V/Cm.Stwierdzono, ze materialem nadajacym sie do wykona¬ nia plytek elektrodowych 50 jest molibden, stal nierdzewna, oraz inny podobny pod wzgledem technologicznym. Na¬ tomiast materialem, najbardziej nadajacym sie do wytwa¬ rzania klocków, jest ceramika na podstawie A1203.Najbardziej odpowiednim materialem do metalizowania klocków dystansowych 52( jest molibden, nakladany na powierzchnie klocków dobrze znanymi metodami druko- wania, lub rozpylaniem prózniowym na podloze tytan- wolfram. Ksztalt klocków dystansowych 52 nie jest para¬ metrem krytycznym. Jednakze za najbardziej korzystny uwazany jest zwykly prostopadloscian. Równiez usytuo¬ wanie klocków 52 na plytce elektrodowej 50 nie jest kry- tyczne. Jednakze za korzystne uznaje sie takie rozwiazanie, gdy klocki 52 sa w odleglosci od otworu srodkowego 53 w plytce elektrodowej 50 wiekszej, niz grubosc klocka.Ten wymóg jest spowodowany koniecznoscia wyelimino¬ wania nadmiernego wplywu na rozklad pola w obszarze, 55 ograniczonym otworem, przy tym odleglosc miedzy kloc¬ kiem 52 a krawedzia zewnetrzna 68 plytki elektrodowej 50 powinna wynosic co najmniej 0,381 mm, co jest spowodo¬ wane koniecznoscia wyeliminowania iskrzenia miedzy klockiem a innymi czesciami lampy elektronowej.Zastrzezenia patentowe 1. Wyrzutnia elektronowa zawierajaca katode emitu¬ jaca wiazki elektronów i dwie koncowe elektrody przy- spieszajaco-ogniskujace z otworami, przez które przechodza 65 wiazki elektronów emitowanych przez katode, zamontowano133 061 -w polozeniu ustalonym na kilku podluznych wspornikach .szklanych, oraz rezystywna strukture soczewkowa usytuo¬ wana miedzy tymi elektrodami koncowymi, polaczona me¬ chanicznie i elektrycznie z tymi elektrodami, skladajaca sie x kilku plytek elektrodowych z otworami, przez które przechodza wiazki elektronów emitowanych przez katode, ulozonych na przemian z klockami dystansowymi, przedsta¬ wiajacymi soba elementy rezystancyjne, znamienna tym, ze rezystywna struktura soczewkowa (42) zawiera pary sprezyn (60), których sily oddzialywania na rezystywna strukture soczewkowa (42) sa skierowane wzdluz osi po¬ dluznej struktury (42) równoleglej do toru wiazek elektronów (24) tak, iz miedzy plytkami elektrodowymi (50) rezystywnej struktury soczewkowej (42) a klockami (54) z warstwa rezystywna, jak równiez miedzy struktura (42) a elektrodami koncowymi (22, 23) zapewniony jest nalezyty kontakt elek¬ tryczny taki, ze rezystywna struktura soczewkowa (42) na obszarze miedzy pierwsza (22) a druga (23) elektrodami Jconcowymi przedstawia soba elektrycznie ciagly obwód o duzej rezystancji. 2. Wyrzutnia wedlug zastrz. 1, znamienna tym, ze plytki elektrodowe (50) maja na dluzszych krawedziach bocznych (68) wystepy (66), które sa zatapiane wszklanym wsporniku (12) na niewielka glebokosc dla wyeliminowania mozliwosci poprzecznego przemieszczenia sie struktury przy jednoczes- 10 nym zapewnieniu mozliwosci uzyskania nalezytego kontaktu elektrycznego miedzy plytkami .elektrodowymi (50) a przylegajacymi do nich klockami rezystywnymi (54) za¬ pewnianego sprezynami (60). 5 3. Wyrzutnia wedlug zastrz. 1, znamienna tym, ze plytka elektrodowa (50) przynajmniej po jednej stronie czolowej ma wglebienie (62) dla umieszczenia w nich klocków dys¬ tansowych (52). 4. Wyrzutnia wedlug zastrz. 1, znamienna tym, ze w re- 10 zystywnej strukturze soczewkowej (42) miedzy kazda para kolejnych plytek elektrodowych (50) umieszczone sa dwa klocki dystansowe (52), z których co najmniej jeden jest klockiem rezystywnym (54), przy czym klocki rezystywne (54) i klocki dystansowe (56) sa usytuowane w dwóch rów- 15 noleglych rzedach równoleglych do osi wzdluznej struktury (42), a co najmniej jedna sprezyna z pary sprezyn (60) jest usytuowana tak, iz kierunek sily jej oddzialywania pokrywa sie z osiami podluznymi rzedów, które sa utwo¬ rzone klockami dystansowymi (52). 20 5. Wyrzutnia wedlug zastrz. 4, znamienna tym, ze para sprezyn (60) jest usytuowana zasadniczo posrodku rezystyw¬ nej struktury soczewkowej (42). 6. Wyrzutnia wedlug zastrz. 4, znamienna tym, ze rezystyw¬ na struktura soczewkowa (42) ma dwie pary sprezyn (60) 25 usytuowanych na koncach struktury.F/g. I.Fig. 2.133 061 Fig. 3.Y777m£^^F± Fig. 4 LDD Z-d 2, zj. 731/1400/85/22, n. 85 + 20 egz.Cena 100 zl PL PL PL